JPS6381973A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS6381973A
JPS6381973A JP61225905A JP22590586A JPS6381973A JP S6381973 A JPS6381973 A JP S6381973A JP 61225905 A JP61225905 A JP 61225905A JP 22590586 A JP22590586 A JP 22590586A JP S6381973 A JPS6381973 A JP S6381973A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dram
signal pins
wiring pattern
pin arrangement
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61225905A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2515755B2 (ja
Inventor
Tatsuhisa Fujii
達久 藤井
Tetsuo Miyoshi
三好 徹男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP61225905A priority Critical patent/JP2515755B2/ja
Publication of JPS6381973A publication Critical patent/JPS6381973A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2515755B2 publication Critical patent/JP2515755B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3421Leaded components

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置、特に面付用電子部品を、基板に両
面材した場合に、両面に実装した素子の信号ピンを並列
接続する回路構成が可能な装置に係り、特にメモリ素子
等の多数のアドレス信号を持つ素子の実装に好適な実装
及び信号配線方法に関する。
〔従来の技術〕
個々の電子部品を支持し電気信号を接続するための実装
方法には、プリント基板が最も一般的である。その信号
配線層数は、部品の実装密度が高くなるに伴い増加し、
基板は高価なものとなる。
そのため、配線の本数を減らし、また配線の長さを短ク
シ、それぞれの配線の交差を減らすことが基板を安価に
製作するための基本となっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
近年さらに部品の実装密度を向上させるために、基板の
両面に、面付実装する技術が普及してきたため、基板の
配線本数と交差は益々増加し、複雑となり、配線層数が
増加して、基板はより高価なものとなってきている。
そこで本発明の目的は、鏡面対称のピン配置を有する素
子を使用することにより、上記両面面付実装に使用する
基板の配線本数を減らし、その配線層数を減らすことに
より安価な基板を製作することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、特に半導体メモリ素子のように、多数のア
ドレス信号ピンやデータ信号ピンを持ち、それを複数個
並列に接続する回路構成の時、その鏡面対称のピン配置
を持つ同一機能のメモリ素子を基板の両面に鏡面対称に
なるように実装する。
基板をはさんで向かい合う素子の信号ピンは回路上共通
にすることができるので、それぞれ向かい合う信号ピン
を信号ピン接続のランド近傍でスルーホールを介して接
続する。これにより向い合う信号ピンの配線本数は2本
から1本へ減らすことができる。
〔作用〕
上記方法で、向い合う信号をスルーホール接続すること
で配線が1水域る。この構成が多ければ多い程、基板全
体の配線総本数は減少し、配線層数を減らすことができ
るわけである。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。
本実施例は、256にビットダイナミックランダムアク
セスメモリ(以下DRAM)の直付用索子を実装したも
のである。プリント基板2の上面に通常のD RA M
素子1を実装し、下面にその鏡面対称ピン配置を有する
同一機能のDRAM3を実装する。この場合、第2図(
a)、(1))に示すようにDRAM素子1と3を向か
い合わせにすると、各機能の信号ピンが対応した位置に
合せることができる。したがって、制御信号CTI、W
E及びアドレス信号端子AO−A8をスルーホール4を
介して接続する。それらのそれぞれの信号端子を各1本
の配線で他のDRAM素子と接続する。
なお、NGは回路結線を行わない通称「空きピン」であ
る、第3図に、その配線パターン例を示す。
第3図(a)は、DRAM素子1を実装する第1層(お
もて面)の配線パターンである8 (b)は。
その鏡面対称素子3を実装する第2層(裏面)の配線パ
ターンである9図中長方形のハツチングで示した部分は
第2図のピン配置に対応したプリント基板の半田接続端
子である。(a)、(b)のパターン図は、第1層側か
ら透視し7た図であり、それぞれDRAM素子1個分の
配線を示している。
なお、プリント基板の前述したスルーホール接続部4は
O印で示している。この等価回路図が第4図である。こ
の回路構成を説明する。
ロウアドレスを取り込み、DRAM素子を動作可能状態
にするRAS信号を、第1層側素子1用のRASOと、
第2層側素子3用の旧口番の2本設け、2バンク構成と
している。カラムアドレスを取り込むστ1信号、読み
出し及び書き込みを切り換えるWE倍信号読み出しデー
タDin書き込みデータD out、アドレス信号AO
−A8をそれぞれ第1図で示す方法で結線している。本
図は、Do及びDlの2ビツト入出力しか示していない
が、D2〜Dnの上位ビットに対しても同様である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、従来の4層以上の多層基板を2層にす
ることができ、安価な基板とすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の256にビットDRAM面
付素子を両面に実装した断面図、第2図(a)、(b)
は第1図に実装した2つの素子のそれぞれ通常のピン配
置の素子とその鏡面対称のピン配置の素子との上面図、
第3図(a)、(b)は第1回に示した基板の配線を第
1層と第2層に分けて示す配線図、第4図はプリント基
板に実装したD−RAM素子の等価回路である。 1・・・通常の256にビットDRAM素子、2・・・
プリント基板、3・・・鏡面対称の256にビットDR
AM素子、4・・・基板のスルーホール、5・・・チッ
プコンデンサ、6・・・第1層の配線パターン、7・・
・第2層の配線パタ第1図 1・・・DRAM素子 2・・・基板 3・・・1のil1画対称素子 4・・・スルーホール 5・・・チップコンデンサ 6・・・第4層配線 7・・・箆2層艷電 (a)            (b)(a) AI Vcc A7 As (b) ・A5 A7 Vcc Al

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、複数の多信号ピンを持つ半導体素子とそれらを両面
    で支持し、それら信号ピンを各々並列に電気的接続を行
    う基板から成る電子回路装置において、前記複数の信号
    ピンを持つ半導体と、その鏡面対称ピン配置を有する同
    一機能の半導体とを前記基板の両面に互いに鏡面対称と
    なる位置に実装したことを特徴とする半導体装置。
JP61225905A 1986-09-26 1986-09-26 半導体装置 Expired - Lifetime JP2515755B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61225905A JP2515755B2 (ja) 1986-09-26 1986-09-26 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61225905A JP2515755B2 (ja) 1986-09-26 1986-09-26 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6381973A true JPS6381973A (ja) 1988-04-12
JP2515755B2 JP2515755B2 (ja) 1996-07-10

Family

ID=16836724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61225905A Expired - Lifetime JP2515755B2 (ja) 1986-09-26 1986-09-26 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2515755B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0430458A2 (en) * 1989-12-01 1991-06-05 STMicroelectronics Limited Semiconductor chip packages

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5248418U (ja) * 1975-10-02 1977-04-06

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2550051C2 (de) * 1975-11-07 1989-05-18 Gewerkschaft Eisenhütte Westfalia, 4670 Lünen Ladeeinrichtung für das Verladen des Haufwerks auf das Kopfende eines Förderers in Vortriebs- oder Gewinnungsbetrieben

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5248418U (ja) * 1975-10-02 1977-04-06

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0430458A2 (en) * 1989-12-01 1991-06-05 STMicroelectronics Limited Semiconductor chip packages
US5165067A (en) * 1989-12-01 1992-11-17 Inmos Limited Semiconductor chip packages
US5512783A (en) * 1989-12-01 1996-04-30 Inmos Limited Semiconductor chip packages

Also Published As

Publication number Publication date
JP2515755B2 (ja) 1996-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2870530B1 (ja) スタックモジュール用インターポーザとスタックモジュール
US5396102A (en) Semiconductor device
US4956694A (en) Integrated circuit chip stacking
US6038132A (en) Memory module
US5103247A (en) Semiconductor device
US5064378A (en) Mounting of DRAMs of different sizes and pinouts within limited footprint
JP3123338B2 (ja) 集積回路装置
JPS6381973A (ja) 半導体装置
JPS62193292A (ja) プリント配線板への部品の実装方法
JPH09186424A (ja) プリント回路基板
US6295220B1 (en) Memory bar and related circuits and methods
JP3429102B2 (ja) メモリモジュール
JPH0714002B2 (ja) チップへの信号供給方法
JP2736052B2 (ja) 半導体装置
JP2002026228A (ja) メモリモジュール
KR950004845B1 (ko) 싱글 인 라인 메모리 모듈(simm; single in line memory module)
JP2736053B2 (ja) メモリ・モジュール
JPH04188860A (ja) 表面実装用icパッケージの実装方法
US7647447B2 (en) Data bus connection for memory device
KR20000021618A (ko) 스택 메모리
JPS60220961A (ja) 半導体メモリ装置
JPH0666403B2 (ja) 半導体素子の実装構造
JPH0517900Y2 (ja)
KR19980030136A (ko) 시간대 배선율을 높일 수 있는 인쇄 회로 기판
JPS62195199A (ja) 記憶装置