JPS6379332A - フイルムキヤリア - Google Patents
フイルムキヤリアInfo
- Publication number
- JPS6379332A JPS6379332A JP22359386A JP22359386A JPS6379332A JP S6379332 A JPS6379332 A JP S6379332A JP 22359386 A JP22359386 A JP 22359386A JP 22359386 A JP22359386 A JP 22359386A JP S6379332 A JPS6379332 A JP S6379332A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tape
- film carrier
- peripheral part
- antistatic
- film
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子をインナーリードボンディングす
るだめのフィルムキャリアに関する。
るだめのフィルムキャリアに関する。
フィルムキャリアは、長尺のフィルムテープをリールに
巻き、当該テープに孔設された送り用スプロケットホー
ル(ハーフォレーシ田ン穴)を利用して順次送り出し、
同様に孔設されたデバイスホールに半導体素子(チップ
)を連続的に組み込んでいく方式がとられるので、テー
プがこすられやすく、その摩擦により帯電し易い。
巻き、当該テープに孔設された送り用スプロケットホー
ル(ハーフォレーシ田ン穴)を利用して順次送り出し、
同様に孔設されたデバイスホールに半導体素子(チップ
)を連続的に組み込んでいく方式がとられるので、テー
プがこすられやすく、その摩擦により帯電し易い。
また、フィルムテープをリールに巻く際に、テープ間に
、その粘着なふせぐために、スペーサーを介装させてお
くが、インナーリードボンディングに際しフィルムテー
プがスペーサーから離れるときに、テープが帯電する。
、その粘着なふせぐために、スペーサーを介装させてお
くが、インナーリードボンディングに際しフィルムテー
プがスペーサーから離れるときに、テープが帯電する。
かかるテープの帯電により、デバイスホール内に突出し
たフィンガ状のリードにボンディングした半導体素子が
帯電し、当該素子の静電破壊を引き起こす。
たフィンガ状のリードにボンディングした半導体素子が
帯電し、当該素子の静電破壊を引き起こす。
そこで、フロア−装置を設置し、帯電した電気を除去す
る(中和する)という方法が行われているが、これでは
、大損りになるという難点がある。
る(中和する)という方法が行われているが、これでは
、大損りになるという難点がある。
一方、フィルムテープ自体を金属九より構成するという
ことも行われているが、各テスト用パッドが導通してし
まい、テストができないという難点がある。また、フィ
ルムテープ全面に金属箔を貼着するという方式もあるが
、この場合も、各テスト用パッドが導通してしまい、同
様にテストができないという難点がある。
ことも行われているが、各テスト用パッドが導通してし
まい、テストができないという難点がある。また、フィ
ルムテープ全面に金属箔を貼着するという方式もあるが
、この場合も、各テスト用パッドが導通してしまい、同
様にテストができないという難点がある。
なお、フィルムキャリアについて述べた文献の例として
は、1980年1月15日(株)工業調査会発行rIC
化実装技術JP84〜85、P143〜144およびP
175並びに(株)工業調査会発行「電子材料J 19
84年4月号P146〜147があげられる。
は、1980年1月15日(株)工業調査会発行rIC
化実装技術JP84〜85、P143〜144およびP
175並びに(株)工業調査会発行「電子材料J 19
84年4月号P146〜147があげられる。
本発明はかかる従来技術の有する欠点を解消したフィル
ムキャリアを提供することを目的とし、テストが可能で
、しかも、帯電防止効果に優れたフィルムキャリアを提
供することを目的とする。
ムキャリアを提供することを目的とし、テストが可能で
、しかも、帯電防止効果に優れたフィルムキャリアを提
供することを目的とする。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
本発明では、テスト用パッドの該パッドから離隔した周
辺部およびスプロケット周辺部に帯電防止層を積層しま
たは帯電防止剤を塗布して成り、好ましくは、フィルム
テープ上にCu箔などの導体箔を貼着し、該導体箔をホ
トレジスト技術およびエツチング技術によりリードパタ
ーンを形成する際に、テスト用パッド周辺の導体箔をエ
ツチングにより除去せずに、そのまま残存させ、導電層
とし帯電防止効果を奏させるようにする。
辺部およびスプロケット周辺部に帯電防止層を積層しま
たは帯電防止剤を塗布して成り、好ましくは、フィルム
テープ上にCu箔などの導体箔を貼着し、該導体箔をホ
トレジスト技術およびエツチング技術によりリードパタ
ーンを形成する際に、テスト用パッド周辺の導体箔をエ
ツチングにより除去せずに、そのまま残存させ、導電層
とし帯電防止効果を奏させるようにする。
これKより、スプロケットホールによりテープ送りがさ
れ、リールとテープが接触しても、スプロケットホール
の周辺部に帯電防止エリアが形成□されているので、帯
電が減少し、また、テスト用パッドから離隔した周辺部
に帯電防止エリアがあるので、テスト用パッドは個々に
絶縁しており、帯電防止能とともにテストが可能なフィ
ルムキャリアを供することができる。
れ、リールとテープが接触しても、スプロケットホール
の周辺部に帯電防止エリアが形成□されているので、帯
電が減少し、また、テスト用パッドから離隔した周辺部
に帯電防止エリアがあるので、テスト用パッドは個々に
絶縁しており、帯電防止能とともにテストが可能なフィ
ルムキャリアを供することができる。
また、上記のごときエツチング技術により、容易に、帯
電する部分の少ないフィルムキャリアが得られ、製造プ
ロセスもわずかの変更で済み極めて有利である。
電する部分の少ないフィルムキャリアが得られ、製造プ
ロセスもわずかの変更で済み極めて有利である。
次に、本発明を図面に示す実施例に基づいて説明する。
第1図は、本発明の実施例を示すフィルムキャリアの平
面図である。
面図である。
フィルムテープ(1)の両側端部には適宜間隔をおいて
、複数の送り用スブロケy)ホール(2)が孔設されて
いる。また、当該フィルムテープ(1)の中央にはデバ
イスホール(3)が孔設されている。
、複数の送り用スブロケy)ホール(2)が孔設されて
いる。また、当該フィルムテープ(1)の中央にはデバ
イスホール(3)が孔設されている。
フィルムテープ(1)は、ポリイミドやガラス繊維混入
エポキシ樹脂などの樹脂により構成され、樹脂フィルム
を適宜幅にスリットすることにより構成することができ
る。
エポキシ樹脂などの樹脂により構成され、樹脂フィルム
を適宜幅にスリットすることにより構成することができ
る。
これらホール(2+ 、 (3)は、スリットフィルム
に、規格に基づいてパンチングすることにより形成する
ことができる。
に、規格に基づいてパンチングすることにより形成する
ことができる。
フィルムキャリアとするに、フィルムテープ(1)上に
、例えば銅箔より成る導体箔をラミネートし、周知のホ
トレジスト技術およびエツチング技術を用いて所望のリ
ードパターンを形成する。
、例えば銅箔より成る導体箔をラミネートし、周知のホ
トレジスト技術およびエツチング技術を用いて所望のリ
ードパターンを形成する。
その際、デバイスホール(3)内にフィンガー状のリー
ド(4)を突出する。該リード(4)の他端部は半導体
素子テスト用パッド(5)と接続している。
ド(4)を突出する。該リード(4)の他端部は半導体
素子テスト用パッド(5)と接続している。
本発明では、上記リードパターン形成の際に、第1図に
示すように、テスト用パッド(5)から離隔した周辺部
およびスプロケットホール(2)の周辺部の当該導体箔
をエツチングせずに残し、当該導体箔を帯電防止層(6
)とする。
示すように、テスト用パッド(5)から離隔した周辺部
およびスプロケットホール(2)の周辺部の当該導体箔
をエツチングせずに残し、当該導体箔を帯電防止層(6
)とする。
フィンガー状のリード(4)に、半導体素子をフェイス
アップで位置合せして、インナーリードボンディングす
る。
アップで位置合せして、インナーリードボンディングす
る。
バンブ付きウェハをダイシングして、バンブ付チップと
し、当該バンブとフィンガー状のリード(4)とを熱圧
着により接合させてもよいが、第2図に示すように、当
該リード(4)側に、例えばAuバンブよりなるバンブ
(7)を形成し、該バンブ(力と半導体素子(チップ)
(8)とを接合してもよい。
し、当該バンブとフィンガー状のリード(4)とを熱圧
着により接合させてもよいが、第2図に示すように、当
該リード(4)側に、例えばAuバンブよりなるバンブ
(7)を形成し、該バンブ(力と半導体素子(チップ)
(8)とを接合してもよい。
図示していないが、フィルムキャリアの当該チップ組立
品に、樹脂をボッティングして、封止を行なう。第1図
にて、(9)は、当該樹脂封止後の切断線を示す。
品に、樹脂をボッティングして、封止を行なう。第1図
にて、(9)は、当該樹脂封止後の切断線を示す。
半導体素子(チップ)8は、例えばシリコン単結晶基板
から成り、周知の技術によってこのチップ内には多数の
回路素子が形成され、1つの回路機能が与えられている
。回路素子の具体例は、例えばMOS)ランジスタから
成り、これらの回路素子によって、例えば論理回路およ
びメモリの回路機能が形成されている。
から成り、周知の技術によってこのチップ内には多数の
回路素子が形成され、1つの回路機能が与えられている
。回路素子の具体例は、例えばMOS)ランジスタから
成り、これらの回路素子によって、例えば論理回路およ
びメモリの回路機能が形成されている。
本発明によれば、スプロケットホール(2)の周辺部に
帯電防止層(6)が形成されているので、当該スプロケ
ットホール(2)を用いてフィルムキャリアを送る際に
リールと接触してもその帯電が減少し、また、半導体素
子テスト用パッド(5)から離隔した周辺部に帯電防止
層(6)を形成しているので、帯電防止能を発揮すると
ともK、各テスト用パッド(5)はそれぞれ分離してい
るので、テストが可能である。
帯電防止層(6)が形成されているので、当該スプロケ
ットホール(2)を用いてフィルムキャリアを送る際に
リールと接触してもその帯電が減少し、また、半導体素
子テスト用パッド(5)から離隔した周辺部に帯電防止
層(6)を形成しているので、帯電防止能を発揮すると
ともK、各テスト用パッド(5)はそれぞれ分離してい
るので、テストが可能である。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
例えば、前記実施例では導体箔により帯電防止層を形成
する例を示したが、カーボンテープなどにより帯電防止
層を形成してもよい。また、帯電防止剤を吹付けにより
塗布するなど塗布方式によってもよい。
する例を示したが、カーボンテープなどにより帯電防止
層を形成してもよい。また、帯電防止剤を吹付けにより
塗布するなど塗布方式によってもよい。
本発明はテープキャリアとかTABと称されているもの
にも適用される。
にも適用される。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る。
本発明によれば、簡易な方式により、テストが可能で、
しかも、帯電防止効果のあるフィルムキャリアを得るこ
とができた。
しかも、帯電防止効果のあるフィルムキャリアを得るこ
とができた。
第1図は本発明の実施例を示すフィルムキャリアの平面
図、 第2図は本発明の実施例を示す要部断面図である。 1・・・フィルムテープ、2・・・送り用スプロケット
ホー/l/、3・・・デバイスホール、4・・・フィン
カー状のリード、5・・・半導体素子テスト用パッド、
6・・・帯電防止7ft、7・・・バンブ、8・・・半
導体素子、9・・・切断線。 パ−゛\
図、 第2図は本発明の実施例を示す要部断面図である。 1・・・フィルムテープ、2・・・送り用スプロケット
ホー/l/、3・・・デバイスホール、4・・・フィン
カー状のリード、5・・・半導体素子テスト用パッド、
6・・・帯電防止7ft、7・・・バンブ、8・・・半
導体素子、9・・・切断線。 パ−゛\
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、樹脂製フィルムテープの両側端部に孔設した送り用
スプロケットホールと、当該テープの中央部に孔設した
、半導体素子接合用のデバイスホールと、該デバイスホ
ール内に突出したフィンガー状のリードと、該リードの
他端部と接続した半導体素子テスト用パッドとを備えて
成るフィルムキャリアにおいて、当該テスト用パッドか
ら離隔したその周辺部および前記スプロケットホールの
周辺部に、前記リード形成の際の導体箔またはカーボン
テープなどよりなる帯電防止層を積層して成るかまたは
これら周辺部に帯電防止剤を塗布して成ることを特徴と
するフィルムキャリア。 2、フィルムキャリアが、リードパターン形成後に、テ
スト用パッド周辺の導体箔をエッチングせずに残存せし
めて帯電防止層となして成る、特許請求の範囲第1項記
載のフィルムキャリア。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22359386A JPS6379332A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | フイルムキヤリア |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22359386A JPS6379332A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | フイルムキヤリア |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6379332A true JPS6379332A (ja) | 1988-04-09 |
Family
ID=16800599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22359386A Pending JPS6379332A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | フイルムキヤリア |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6379332A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0312945A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Toshiba Corp | テープキャリアのテスト方法 |
JPH0379053A (ja) * | 1989-08-22 | 1991-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フイルム・キャリア |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP22359386A patent/JPS6379332A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0312945A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Toshiba Corp | テープキャリアのテスト方法 |
JPH0379053A (ja) * | 1989-08-22 | 1991-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フイルム・キャリア |
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