JPS634633A - バンプレスフイルムキヤリア - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はフィルムキャリアに関し１％に、当該フィルム
キャリアにおいて、接続端子として使用されているバン
プな形成しないで済む技術に関する。

〔従来の技術〕

半導体素子の実装方式の一つにテープキャリア方式カー
ある。この方式は別称フィルムキャリア方式とかＴ　Ａ
　Ｂ　（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄ　ｉ
ｎｇ　）方式とか呼ばれており、−般に、長尺のスプロ
ケットホール付きフィルムテープに半導体素子を連続的
に組込んでい（方式で、当該ホールを利用してフィルム
（テープ）を送り、位置合せを行なう。

この方式の一例は、適宜幅のテープに前記スプロケット
ホールと半導体素子の組込み用デバイスホールとを穿設
し、銅箔をラシネートし、ホトレジスト技術やエツチン
グ技術を用いて、所望のリードパターンを形成する。こ
の方式では、前記デバイスホール内にフィンガ状のリー
ドを突出させるのが一つの特徴となっている。

そして、このリードに半導体素子をフェイスアップで位
置合せしてボンディングする。

従来、このテープキャリア方式における上記フィンガー
リードと半導体素子（チップ）とのボンディング（イン
ナーリードボンディング）方法の一つは、チップの電極
にバンプ（突起電極）を形成しておき、これをテープ上
のフィンガーリードにボンディングするものである。

しかるＫ、このバンプの形成は、拡散済みウェハのＡｌ
パッド部分圧、例えばＣｒ−Ｃｕ−Ａｕを蒸着し、次い
で、メツキ技術にして適宜の高さに突出したＡｕバンプ
を形成するなど、そのバンプの形成工程が複雑であり、
また、工程数が多いばかりでなく、Ａｕバンプを形成し
たりするので高価なものにつくなどの難点がある。

−方、当該ボンディング方法として、テープキャリア側
のツイン外部にバッグを形成して行なう方法も提案され
ている。しかし、この方法にあっても、Ａｕパンツの形
成などや〜コスト高になるし。

当該バンプを形成してチップとリードとを接続するのに
かなりの高温下で加圧を行な５といういわゆる熱圧着法
により行なうので、チップ電極などを傷めたりするなど
の問題がある。

なお、フィルムキャリアについて述べた文献の例として
、（株）工業調査会１９８０年１月１５日発行ｒＩＣ化
実装技術Ｊｐ１０７〜１１３およびｐ１７５並びＫｐ１
４３〜１４６があげられる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明はかかる従来技術の有する欠点を解消したフィル
ムキャリアを提供することを目的とし、特に、バンプレ
スのフィルムキャリアを提供することを目的とする。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

本発明では、チップのＡ！電極に、Ａｕバンプなどのバ
ンプを形成せずに、当該Ａ４電極をそのまま用いてリー
ドと接続するもので、チップ表面を異方性導電層により
被覆し、該導電層上にリードを接合する。異方性導電層
は、この場合、電極と接する側からリードと接する側に
かけてその垂直方向にのみ導電性を示し、当該電極と当
該り−ドとが当該異方性導電層を介して導通がとられる
。

〔作　用〕

したがって、リードと電極とを接続するバンプが不要と
なり、バンプ形成のための工程やそれに要する費用が不
要となり、また、異方性導電層による接続方式では、バ
ンプとの熱圧着方式に比べて、その加重が低減され、ま
た、温度条件も低温でよ（、さらに、・該導電層がクッ
シ盲ン効果を示し、したがって、ボンディングダメージ
が低減されチップ電極などを傷めることがなく、接合の
簡略化、接合時の熱ストレスが低減される。

さらに、異方性導電層によりチップ電極表面は被覆され
、この異方性導電層では前記電極とリード間のみが導通
がとられているだけで、それ以外の当該導電層の長さ方
向では絶縁性であり、その絶縁性を適度に調整すること
により静電破壊防止を奏することもでき、他方、当該導
電層の被覆により、チップ表面のパッシベーション効果
もあり、フィルムキャリアのレジン封止も不要とするこ
とも可能である。

〔実施例〕

次に、本発明を図面に示す実施例に基づいて説明する。

第１図は本発明によるフィルムキャリアの組立工程を説
明する断面図で、同図に示すように、２す電極９を有す
る半導体素子１の上部に、異方性導電膜８を介在させ、
その上部に、樹脂テープ４のチップボンディング用フィ
ンガーリード２を貼着するようにする。

半導体素子（チップ）１は、例えばシリコン単結晶基板
から成り、周知の技術によってこのチップ内には多数の
回路素子が形成され、１つの回路機能が与えられている
。回路素子の具体例は、例えばＭＯＳ）ランジスタから
成り、これらの回路素子罠よって、例えば論理回路およ
びメモリの回路機能が形成されている。

このチップ１の周辺には多数の引出し電極９が周設され
ている。この電極９は、周知の技術により形成すること
ができ、チップ内配線と接続しており、この電極９を外
部と接続すること罠より、チップ内配線を外部に引出し
することができる。

この電極シリ・ト″＆土上記例のようにＡ！膜により形
成され、チップ内配腺の形成と同時に行なうことができ
ろ。

異方性導電膜８は、導電性に方向性を持たせた膜状物で
、上記例では、当該膜８の厚さ方向（垂直方向）に導電
性を有するが、その長さ方向には導電性がなく、絶縁性
を持たせたものである。

該異方性導電膜８の例としては、カーボンブラック、グ
ラファイト、ニッケル、銅、銀などの導電性粒子を、電
気絶縁性樹脂例えばシアリ・ルスタレート樹脂中に分散
させた高分子膜があげられる。

当該異方性導電膜８は、その他層を形成するものであれ
ばよく１例えば、フィルム状やシート状に形成されるこ
とができ、シリコーン樹脂などより成る樹脂シート中に
ニッケルの細線が配されたようなものであってもよい。

また、当該樹脂として、樹脂接着剤を使用することによ
り、異方性導電膜に導電性と絶縁性に加えて接着性とい
う機能をも同時に有しさせることができる。

次に、第１図に示すような状態から、所定の接着、接続
作業を行なう。適宜の熱と圧力とをり−ド２側からかけ
ると、同時に接着性を有する異方性導電膜８が、当該リ
ード２の裏面と接合し、さらに、チップ１の電極９と接
合する。この場合。

異方性導電膜８に加えて、図示していないが、導電性の
接着剤を介在させて、これらの接合を行ってもよい。

第２図は、当該接合後の本発明によるフィルムキャリア
の要部断面図を示す。

当該フィルムキャリアを、異方性導電膜８として、カー
ボンブラックを分散してなる高分子膜を例として説明す
るに、所定の接着、接続作業により、当該膜中のカーボ
ンブラックがＭＤ（垂直方向）に配向され、チップ電極
９／カーボンブラツク／リード２という形で、当該電極
９とリード２との間に導通がとられ、当該膜８のその他
の部分特にその長さ方向には絶縁性が保持される。

リード２は、例えば銅箔により構成されている。

本発明に使用される異方性導電膜８としては、上記で例
示したものの他、各種のものを使用することができ、そ
の他、工業調査会発行「電子材料」１９８４年１０月号
ｐ６４〜６５に記述されたものや、同「電子材料ｊ　１
９８３年１０月号ｐ５０〜５４に記述されたものを使用
することができる。

なお、これら文献には異方性導電膜について触れた記載
があるが、本発明のフィルムキャリアについての記載は
ない。

本発明のフィルムキャリアについては、その他周知のフ
ィルムキャリア形成方法を適用することができる。

第３図はフィルムキャリアの一例平面図を示し、同図に
て、１は半導体チップ、２はチップボンディング用フィ
ンガーリード、３は外部接続用フィンガーリード、４は
樹脂フィルムテープ、５−はパーフォレーションホール
（スブロクットホール〕。

′６はテスト用パッド、７はデバイスホールである。

また、同図に示す切断線１０ば、ポツティング技術など
により、レジン封止する際の切断（カット）ラインを示
す。本発明では前記のごとく製造されたフィルムキャリ
アをこのようにレジン封止してもよいが、第２図に示す
ように、異方性導電膜８により、チップ１の表面は被覆
されているので、腐食の起こり易〜・電極９の表面など
が保護されており、かかるボッティングレジンを省略で
きることも一つの特長となっている。

もっとも、当該異方性導電膜８をチップ１０表面に全面
に被覆するのではなく、枠体として、電極９とリード２
との接続のみを行なうようにしてもよいことはもちろん
である。

本発明によれば、異方性導電膜８を挾持させることによ
り、リード２と電極９とを接続するバンプが不要となり
、バンプ形成のための工程やそれに要する費用が不要と
なり、コストを低減することができ、また、本発明のご
とき異方性導電膜８による接続方式では、バンプとの熱
圧着方式に比べて、その加重が低減され、また温度条件
も低温でよく、特に、接着性と導電性と絶縁性との３つ
の機能を同時に有する異方性導電膜の使用によれば接着
がより一層容易である。

本発明では、高分子膜などよりなる異方性導電膜がクツ
ション効果を奏し、上記熱圧条件の低減ト併せて、ボン
ディングダメージを少なくすることができる。

本発明によれば、絶縁性の調整により、静電破壊防止効
果をも奏することが可能となった。

以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。

例えば前記実施例において、リード２側に異方性導電膜
８を貼着しておいて、チップ１の電極との接続を行って
もよい。

本発明のフィルムキャリアは、ＩＣカードとかカード電
卓など極薄形または高密度実装を必要とする各種の半導
体装置に組込むことが可能である。

−一、′ 〔発明の効果〕 本願において開示される発明のうち代表的なものＫよっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る。

すなわち、本発明によれば、バンプを形成することによ
る工程増や歩留りの低下などによるコスト高を解消して
、コスト安（フィルムキャリアを提供できたこと、ボン
ディングダメージを低減できたこと、接合の簡略化、接
合時の熱ストレスを低減できたこと、静電破壊を防止で
きたこと、ボッティングレジンを不要とすることもでき
たことなどの効果を奏することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例工程の説明断面図、第２図は本
発明の実施例を示す要部断面図、第３図は本発明の実施
例を示す平面図である。 １・・・半導体素子、２・・・チップボンディング用フ
ィンガーリード、３・・・外部接続用フィンガーリード
、４・・・樹脂フィルムテープ、５・・・パーフォレー
ジ！／ホール、６・・・テスト用パッド、７・・・デバ
イスホール、８・・・異方性導電膜（層）、９・・・電
極、ｌＯ・・・切断縁。　　　　　　　　　　　・−ｍ
−、代理人　弁理士　　小　川　勝　男 第　　　１　　図 第　　２　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、当該半導体素子の内部配線と接続した電極を有する
   半導体素子表面に異方性導電層を介してリードを接続し
   て成り、前記電極とリードとが当該異方性導電層により
   導通がとられて成ることを特徴とするパンプレスフィル
   ムキャリア。 ２、電極が、Ａｌ電極により構成され、異方性導電層が
   、異方性導電膜により形成されて成る、特許請求の範囲
   第１項記載のパンプレスフィルムキャリア。