JPS6378321A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS6378321A JPS6378321A JP22311686A JP22311686A JPS6378321A JP S6378321 A JPS6378321 A JP S6378321A JP 22311686 A JP22311686 A JP 22311686A JP 22311686 A JP22311686 A JP 22311686A JP S6378321 A JPS6378321 A JP S6378321A
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Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する例えばディスク状磁気
記録媒体のような磁気記録媒体に係るものである。
記録媒体のような磁気記録媒体に係るものである。
従来の技術
最近の記録技術の進歩により、単位面積当りの記録密度
が著しく向上し、磁気記録媒体は、表面が極めて平滑な
強磁性金属薄膜を磁気記録層とする蒸着テープ等の実用
化が強く望まれてきている。
が著しく向上し、磁気記録媒体は、表面が極めて平滑な
強磁性金属薄膜を磁気記録層とする蒸着テープ等の実用
化が強く望まれてきている。
従って今後の高密度化は、磁気ヘッドと磁気記録媒体の
摺動下で起る摩擦、摩耗等の理解に関するトライポロジ
ーの課題の現実的な解決を前提とするとの認識が深まっ
ている〔テレビジョン学会誌、 VOL、40.N(L
6 (1986) 472頁〕。
摺動下で起る摩擦、摩耗等の理解に関するトライポロジ
ーの課題の現実的な解決を前提とするとの認識が深まっ
ている〔テレビジョン学会誌、 VOL、40.N(L
6 (1986) 472頁〕。
第3図は従来の磁気記録媒体の拡大断面図である。第3
図に於て、1はポリエステルフィルム。
図に於て、1はポリエステルフィルム。
J合金等の非磁性基板で、2はco−Ni−0斜め蒸着
膜、Go−Or垂直磁化膜等の磁気記録層で、3はトッ
プコート層で、4が保護層、5が潤滑層である。
膜、Go−Or垂直磁化膜等の磁気記録層で、3はトッ
プコート層で、4が保護層、5が潤滑層である。
従来、トップコート層は保護層の役割に期待するものと
して特開昭64−113303号公報に開示されている
脂肪酸金属塩の蒸着膜による耐摩耗性の改善、特開昭5
7−116771号公報に開示されているイミド基を有
する高分子のスバ・ツタ膜、特開昭58−77031号
公報に開示されている高分子化合物をターゲットとして
スパッタする例、カーボンやBN 、 MoS2. S
工02等をスパッタや蒸着により薄膜化する例、ダイア
モンド状硬質炭素膜を用いる例(日本応用磁気学会、第
46回研究会資料)等が知られている。
して特開昭64−113303号公報に開示されている
脂肪酸金属塩の蒸着膜による耐摩耗性の改善、特開昭5
7−116771号公報に開示されているイミド基を有
する高分子のスバ・ツタ膜、特開昭58−77031号
公報に開示されている高分子化合物をターゲットとして
スパッタする例、カーボンやBN 、 MoS2. S
工02等をスパッタや蒸着により薄膜化する例、ダイア
モンド状硬質炭素膜を用いる例(日本応用磁気学会、第
46回研究会資料)等が知られている。
まだ、潤滑目的の層として蒸着法、湿式塗布法等で、脂
肪酸、脂肪酸アミド等を被着する(例えば特公昭56−
30609号公報)ものは、数多く試みられている。
肪酸、脂肪酸アミド等を被着する(例えば特公昭56−
30609号公報)ものは、数多く試みられている。
しかしながら上記した例は、耐摩耗性、走行性。
防食効果等を十分満足できないため、積層化し、夫々の
役割分担で対策する考え方が増大している。
役割分担で対策する考え方が増大している。
脂肪酸金属塩の吸着層上にフルオロカーボン系の潤滑層
を設けたもの(特開昭61−120331号公報)、硬
質カーボン層の上に含フツ素潤滑油層を配したもの(特
開昭61−126627号公報)、5i−N−0系薄膜
上に潤滑層を形成したもの(特開昭61−131231
号公報)等があげられる。
を設けたもの(特開昭61−120331号公報)、硬
質カーボン層の上に含フツ素潤滑油層を配したもの(特
開昭61−126627号公報)、5i−N−0系薄膜
上に潤滑層を形成したもの(特開昭61−131231
号公報)等があげられる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記した構成をフロッピーディスクに適
用し、かつ記録波長が0.5μm以下になると、十分な
再生出力対雑音比(S/N)が得られなくなり、改善が
望まれていた。本発明は上記した事情に鑑みなされたも
ので、磁気ヘッドとの接触状態を良好に保つことの出来
る磁気ディスク状磁気記録媒体を提供するものである。
用し、かつ記録波長が0.5μm以下になると、十分な
再生出力対雑音比(S/N)が得られなくなり、改善が
望まれていた。本発明は上記した事情に鑑みなされたも
ので、磁気ヘッドとの接触状態を良好に保つことの出来
る磁気ディスク状磁気記録媒体を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記した問題点を解決するため、本発明の磁気記録媒体
は、高分子フィルム上に、磁気ヘッドと摺接する側の一
部以外は亀裂が周方向に沿って入っている強磁性金属薄
膜を磁気記録層とするものである。
は、高分子フィルム上に、磁気ヘッドと摺接する側の一
部以外は亀裂が周方向に沿って入っている強磁性金属薄
膜を磁気記録層とするものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は、上記した構成によ焦高い剛゛
性を有する強磁性金属薄膜、下地層(軟磁性層も含む)
等があるために、磁気ヘッドとの接触が良好な状態に保
たれなかった従来の磁気記録媒体と異なり、実効的に亀
裂により、剛性の高い薄膜は薄いものとして作用するの
で良好なヘッドとの接触が保たれるだめ(短波長で問題
となるスペーシング損失が小さくできるのと、周方向に
沿った亀裂のため亀裂からの漏れ磁束による雑音成分は
、記録波長が短かくなっても無視できるので、良好なS
/Nが得られることになる。
性を有する強磁性金属薄膜、下地層(軟磁性層も含む)
等があるために、磁気ヘッドとの接触が良好な状態に保
たれなかった従来の磁気記録媒体と異なり、実効的に亀
裂により、剛性の高い薄膜は薄いものとして作用するの
で良好なヘッドとの接触が保たれるだめ(短波長で問題
となるスペーシング損失が小さくできるのと、周方向に
沿った亀裂のため亀裂からの漏れ磁束による雑音成分は
、記録波長が短かくなっても無視できるので、良好なS
/Nが得られることになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例の磁気記録媒
体について説明する。
体について説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の磁気記録媒体の拡大断
面図である。同図において、6は厚み28 ttmのポ
リエチレンテレフタレートフィルムで、7は平均粒子径
120人のチタニア微粒子を108ケ/c71!、ポリ
エステル樹脂(等価膜厚46人)にて分散固定した微粒
子塗布層で、8はCrスパッタ膜で高周波スパッタ法で
、0.1 μm形成したもので、9は第1強磁性金属
薄膜で、高周波スパッタ法で形成した膜厚0.06μm
のGo −N1(Go、80Wt係)膜で、8,9を配
したのち円周方向に亀裂が入るように、半径方向に、8
゜°Cの恒温槽中で張力をかけて、約3.8 %変位さ
せた。3.5インチのディスクで使用部分は半径方向の
単位長あたり、平均270本亀裂が入るようにした。そ
の上に更に、CoNi (Co 、 80wt%)膜を
高周波スパッタ法で第2強磁性金属薄膜1゜として0.
071tm形成した。11は真空蒸着法で形成した膜厚
46人のステアリン酸のニッケル塩膜から成る潤滑膜で
ある。
面図である。同図において、6は厚み28 ttmのポ
リエチレンテレフタレートフィルムで、7は平均粒子径
120人のチタニア微粒子を108ケ/c71!、ポリ
エステル樹脂(等価膜厚46人)にて分散固定した微粒
子塗布層で、8はCrスパッタ膜で高周波スパッタ法で
、0.1 μm形成したもので、9は第1強磁性金属
薄膜で、高周波スパッタ法で形成した膜厚0.06μm
のGo −N1(Go、80Wt係)膜で、8,9を配
したのち円周方向に亀裂が入るように、半径方向に、8
゜°Cの恒温槽中で張力をかけて、約3.8 %変位さ
せた。3.5インチのディスクで使用部分は半径方向の
単位長あたり、平均270本亀裂が入るようにした。そ
の上に更に、CoNi (Co 、 80wt%)膜を
高周波スパッタ法で第2強磁性金属薄膜1゜として0.
071tm形成した。11は真空蒸着法で形成した膜厚
46人のステアリン酸のニッケル塩膜から成る潤滑膜で
ある。
この媒体を用い、ギヤツプ長0.18μmのフェライト
ヘッドで、トラ、ツク幅16μm、記録波長0.411
mを記録した時のS/Nは49(dB)であった。
ヘッドで、トラ、ツク幅16μm、記録波長0.411
mを記録した時のS/Nは49(dB)であった。
比較のために、CoN1(Go 、 so wt %
)膜をo、13μm 、 Or膜0.1μmの上に形成
した以外は同じ構成の磁気ディスクを準備した。ここで
使用した薄膜は亀裂のないものである。同一記録条件そ
の再生S/Nは44.5 (dB)で本発明のS/Nは
良好である。
)膜をo、13μm 、 Or膜0.1μmの上に形成
した以外は同じ構成の磁気ディスクを準備した。ここで
使用した薄膜は亀裂のないものである。同一記録条件そ
の再生S/Nは44.5 (dB)で本発明のS/Nは
良好である。
第2図は本発明の第2の実施例の磁気記録媒体の拡大断
面図である。同図において、12は厚み26μmのポリ
アミドイミドフィルムで、13は平均粒子径100人の
シリカ微粒子を平均2×1o9ケ/d 、ポリイミド樹
脂(等膜厚み36八)で分散固定した微粒子塗布層で、
14は電子ビーム蒸着法で形成した0、08μmのチタ
ン薄膜、15は電子ビーム蒸着法で形成したCo −O
r垂首謀化膜〔膜厚0.08 pm 、 Cr :
20.9 wt %+垂直抗磁力640(Oθ)〕で、
55インチディスの使用部分に、周方向に沿−って亀裂
を入れた。
面図である。同図において、12は厚み26μmのポリ
アミドイミドフィルムで、13は平均粒子径100人の
シリカ微粒子を平均2×1o9ケ/d 、ポリイミド樹
脂(等膜厚み36八)で分散固定した微粒子塗布層で、
14は電子ビーム蒸着法で形成した0、08μmのチタ
ン薄膜、15は電子ビーム蒸着法で形成したCo −O
r垂首謀化膜〔膜厚0.08 pm 、 Cr :
20.9 wt %+垂直抗磁力640(Oθ)〕で、
55インチディスの使用部分に、周方向に沿−って亀裂
を入れた。
14.15に入ってる亀裂は半径方向に145°C中で
張力をかけ、6.5係変位させて、半径方向の単位長さ
当り平均420本である。
張力をかけ、6.5係変位させて、半径方向の単位長さ
当り平均420本である。
この上に更に電子ビーム蒸着法で0.04μmGo −
Or (cr : 20.9 wt % )垂直磁化膜
16を形成し、その上に、膜厚40人のミリスチン酸の
Co塩を真空蒸着して潤滑層17を形成し媒体を完成さ
せた。この媒体を使用し、ビット長0.14μmの短形
波を0.18μmのギャップ長のアモルファスヘッドで
記録再生し、比較例との相対比較をした。比較別人は、
亀裂のない薄膜で同一厚みで構成したもので、比較例B
は、亀裂はあるが、半径方向にもランダムに入っている
もので、亀裂のないCo−0rは同じ条件としたもので
ある。
Or (cr : 20.9 wt % )垂直磁化膜
16を形成し、その上に、膜厚40人のミリスチン酸の
Co塩を真空蒸着して潤滑層17を形成し媒体を完成さ
せた。この媒体を使用し、ビット長0.14μmの短形
波を0.18μmのギャップ長のアモルファスヘッドで
記録再生し、比較例との相対比較をした。比較別人は、
亀裂のない薄膜で同一厚みで構成したもので、比較例B
は、亀裂はあるが、半径方向にもランダムに入っている
もので、亀裂のないCo−0rは同じ条件としたもので
ある。
相対出力は、本発明がo(dB)で、比較例A。
Bは夫々、−4,6(dB) 、 −0,9(dB)
で、S/Nは本発明をo(dB)とすると、比較例A、
Bは夫夫、−4,7(dB) 、 −5,6(dB)で
あり、本発明の高密度記録性能が証明されている。
で、S/Nは本発明をo(dB)とすると、比較例A、
Bは夫夫、−4,7(dB) 、 −5,6(dB)で
あり、本発明の高密度記録性能が証明されている。
上記した実施例で、高分子フィルムはポリエチレンテレ
フタレートとポリアミドイミドとしたが、他ニ、ポリエ
チレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リイミド等でもよい。
フタレートとポリアミドイミドとしたが、他ニ、ポリエ
チレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リイミド等でもよい。
磁気記録層は、Go−Ni 、 Go−Or (7)他
にGo−Ti。
にGo−Ti。
Go−Mo 、 Co −W 、 Co−Ru 、 G
o−Pt 、 Go−Ni −P 。
o−Pt 、 Go−Ni −P 。
Go−Or−Nb等が用いられ、面内磁化、垂直磁化い
ずれ゛であってもよい。
ずれ゛であってもよい。
下地層、軟磁性層との積層化は必要に応じてなされるも
ので、潤滑層、保獲膜についても適宜選択すればよい。
ので、潤滑層、保獲膜についても適宜選択すればよい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、磁気へウドとの接触状態
が良好に保たれるので、短波長記録でのスペーシング損
失が小さくでき、雑音も大きくならないので、高密度磁
気記録を良好なS/Nで実現できるというすぐれた効果
がある。
が良好に保たれるので、短波長記録でのスペーシング損
失が小さくでき、雑音も大きくならないので、高密度磁
気記録を良好なS/Nで実現できるというすぐれた効果
がある。
第1図、第2図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大
断面図、第3図は従来の磁気記録媒体の拡大断面図であ
る。 6.12・・・・・・高分子フィルム、7.13・・・
・・微粒子塗布層、8・・・・・・Orスパッタ膜(亀
裂あり)、9・・・・・・第1強磁性膜(亀裂あり)、
10・・・・・・第2強磁性膜、14・・・・・・チタ
ン薄膜(亀裂あり)、16・・・・・・第1垂直磁化膜
(亀裂あり)、16・・・・・・第2垂直磁化膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名C一
本分)フィルム 9−−−す13!毎λ1積(・ 2 イO−6哨=2!号tミーば1→←1−アブ(jQ −
−−i分与7Ilル4 1S−−一才1争J*/C暎(命 )+6−−一つ1
2噸【][在iイとλ」1第 3 図
断面図、第3図は従来の磁気記録媒体の拡大断面図であ
る。 6.12・・・・・・高分子フィルム、7.13・・・
・・微粒子塗布層、8・・・・・・Orスパッタ膜(亀
裂あり)、9・・・・・・第1強磁性膜(亀裂あり)、
10・・・・・・第2強磁性膜、14・・・・・・チタ
ン薄膜(亀裂あり)、16・・・・・・第1垂直磁化膜
(亀裂あり)、16・・・・・・第2垂直磁化膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名C一
本分)フィルム 9−−−す13!毎λ1積(・ 2 イO−6哨=2!号tミーば1→←1−アブ(jQ −
−−i分与7Ilル4 1S−−一才1争J*/C暎(命 )+6−−一つ1
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Claims (1)
- 高分子フィルム上に磁気記録層として強磁性金属薄膜を
配し、かつ、磁気ヘッドと摺接する側の一部の薄膜以外
に、ほぼ周方向に沿って亀裂を設けたことを特徴とする
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22311686A JPS6378321A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22311686A JPS6378321A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6378321A true JPS6378321A (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=16793069
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22311686A Pending JPS6378321A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6378321A (ja) |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP22311686A patent/JPS6378321A/ja active Pending
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