JPS6374386A - 色ノイズ低減回路 - Google Patents
色ノイズ低減回路Info
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- JPS6374386A JPS6374386A JP22079686A JP22079686A JPS6374386A JP S6374386 A JPS6374386 A JP S6374386A JP 22079686 A JP22079686 A JP 22079686A JP 22079686 A JP22079686 A JP 22079686A JP S6374386 A JPS6374386 A JP S6374386A
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- Japan
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- transistor
- circuit
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- vbe
- signals
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Processing Of Color Television Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明はカラーテレビジョン受信機において輝度信号や
色差信号の色ノイズを低減するための色ノイズ低減回路
に関するものである。
色差信号の色ノイズを低減するための色ノイズ低減回路
に関するものである。
〔従来の技術］
従来この種の回路としては、本願出願人が先に出願し、
公開された回路が知られている（実願昭５７−４４９５
５号、★開昭５８−１４９８３２号公報）。
公開された回路が知られている（実願昭５７−４４９５
５号、★開昭５８−１４９８３２号公報）。
これは第３図に示すように、プッシュプル型のエミッタ
ホロワ回路を構成するトランジスタＴｒ１゜Ｔｒ２と、
これら各トランジスタＴｒｉ、 Ｔｒ２のベース間に直
列接続した抵抗Ｒ１、Ｒ２と、前記エミッタホロワ回路
の出力点Ｅに接続したコンデンサＣ１とを備えており、
更に抵抗Ｒ１、Ｒ２と各トランジスタＴｒｉ、 Ｔｒ２
の各ベースとの接続点にベースバイアス用の定電流源１
１ １２が接続されており、また抵抗Ｒ１、Ｒ２の共通
接続点ＦにトランジスタＴｒ３によるバッファ増幅器を
介して入力信号が印加され、前記トランジスタＴｒ１．
Ｔｒ２のオフ時に前記コンデンサＣ１を入力信号によ
り充放電する電流路Ｇを設けたものであり、この電流路
Ｇには抵抗Ｒ３が挿入されており、そして電流路Ｇの出
力とプッシュプルのエミッタホロワの出力はトランジス
タ７’ｒ４から成るバッフ１増幅器を介して出力される
。
ホロワ回路を構成するトランジスタＴｒ１゜Ｔｒ２と、
これら各トランジスタＴｒｉ、 Ｔｒ２のベース間に直
列接続した抵抗Ｒ１、Ｒ２と、前記エミッタホロワ回路
の出力点Ｅに接続したコンデンサＣ１とを備えており、
更に抵抗Ｒ１、Ｒ２と各トランジスタＴｒｉ、 Ｔｒ２
の各ベースとの接続点にベースバイアス用の定電流源１
１ １２が接続されており、また抵抗Ｒ１、Ｒ２の共通
接続点ＦにトランジスタＴｒ３によるバッファ増幅器を
介して入力信号が印加され、前記トランジスタＴｒ１．
Ｔｒ２のオフ時に前記コンデンサＣ１を入力信号によ
り充放電する電流路Ｇを設けたものであり、この電流路
Ｇには抵抗Ｒ３が挿入されており、そして電流路Ｇの出
力とプッシュプルのエミッタホロワの出力はトランジス
タ７’ｒ４から成るバッフ１増幅器を介して出力される
。
上記構成において、信号内に含まれるノイズの振幅より
スレショルドレベルを設定し、このスレショルドレベル
内ではノイズ成分を通過させないようにしたもので、具
体的にスレショルドレベルは［トランジスタＴｒ１のベ
ース・エミッタ間電圧Ｖｂｅ（Ｔｒｌ） −Ｒ１１１］
＋ ［トランジスタＴｒ２のベース・エミッタ間電圧
Ｖｂｅ（Ｔｒ２） −Ｒ２１２］となり、通常Ｖｂｅ
（Ｔｒｌ＞ ＝Ｖｂｅ （Ｔｒ２）、Ｒ１１１＝Ｒ２１
２、Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ，１１＝ １２＝１であるため、ス
レショルドレベルは２Ｖｂｅ−２ＲＩとなる。
スレショルドレベルを設定し、このスレショルドレベル
内ではノイズ成分を通過させないようにしたもので、具
体的にスレショルドレベルは［トランジスタＴｒ１のベ
ース・エミッタ間電圧Ｖｂｅ（Ｔｒｌ） −Ｒ１１１］
＋ ［トランジスタＴｒ２のベース・エミッタ間電圧
Ｖｂｅ（Ｔｒ２） −Ｒ２１２］となり、通常Ｖｂｅ
（Ｔｒｌ＞ ＝Ｖｂｅ （Ｔｒ２）、Ｒ１１１＝Ｒ２１
２、Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ，１１＝ １２＝１であるため、ス
レショルドレベルは２Ｖｂｅ−２ＲＩとなる。
そして、入力信号のレベルがこの値より小さいとき、ト
ランジスタＴｒ１．Ｔｒ２はオフ状態にあり、入力信号
は電流路Ｇを通って抵抗Ｒ３とコンデンサＣ１とによる
ローパスフィルタにより平滑されて出力される。
ランジスタＴｒ１．Ｔｒ２はオフ状態にあり、入力信号
は電流路Ｇを通って抵抗Ｒ３とコンデンサＣ１とによる
ローパスフィルタにより平滑されて出力される。
抵抗Ｒ１、Ｒ２の共通接続点Ｆにおける入力信号がスレ
ショルドレベルより大きい場合、Ｒ１゜Ｒ２の共通接続
点における電圧値以上に立ち上がる場合において、抵抗
Ｒ，Ｒ２の共通接続点Ｆとエミッタフォロワ回路の出力
点Ｅとの間の電圧値がスレショルドレベルの最大値（Ｒ
１、Ｒ２の共通接続点Ｆを基準として正側に（■ｔ）ｅ
−Ｒ１＞より大きくなり、共通接続点Ｅとの間の電位差
をＶｂｅ−Ｒ１に保ち、−変人力信号が立ち上がってし
まうと、トンジスタＴｒ１はオフ状態となり、その後入
力信号は電流路Ｇを通って出力される。一方、Ｒ１、Ｒ
２の共通接続点における電圧値以下に入力信号が立ち下
がる場合においては、共通接続点Ｆと出力点Ｅとの間の
電位差がスレショルドレベルの最小値（Ｒ１、Ｒ２の共
通接続点Ｆを基準として負側に（Ｖｅ−Ｒ１）より小さ
くなるとトランジスタＴｒ２ｆオン状態となり、共通接
続点Ｆと出力点Ｗとの間の電位差を■ｂｅ−Ｒ１に保ち
、−変人力信号が立ち下がってしまうと、トランジスタ
Ｔ「１はオフ状態になり、その後入力信号は電流路Ｇを
通って出力される。
ショルドレベルより大きい場合、Ｒ１゜Ｒ２の共通接続
点における電圧値以上に立ち上がる場合において、抵抗
Ｒ，Ｒ２の共通接続点Ｆとエミッタフォロワ回路の出力
点Ｅとの間の電圧値がスレショルドレベルの最大値（Ｒ
１、Ｒ２の共通接続点Ｆを基準として正側に（■ｔ）ｅ
−Ｒ１＞より大きくなり、共通接続点Ｅとの間の電位差
をＶｂｅ−Ｒ１に保ち、−変人力信号が立ち上がってし
まうと、トンジスタＴｒ１はオフ状態となり、その後入
力信号は電流路Ｇを通って出力される。一方、Ｒ１、Ｒ
２の共通接続点における電圧値以下に入力信号が立ち下
がる場合においては、共通接続点Ｆと出力点Ｅとの間の
電位差がスレショルドレベルの最小値（Ｒ１、Ｒ２の共
通接続点Ｆを基準として負側に（Ｖｅ−Ｒ１）より小さ
くなるとトランジスタＴｒ２ｆオン状態となり、共通接
続点Ｆと出力点Ｗとの間の電位差を■ｂｅ−Ｒ１に保ち
、−変人力信号が立ち下がってしまうと、トランジスタ
Ｔ「１はオフ状態になり、その後入力信号は電流路Ｇを
通って出力される。
このように、スレショルドレベルの範囲内となる入力信
号に含まれる小振幅の雑音は電流路Ｇの抵抗Ｒ３とコン
デンサＣ１よるローパスフィルタで取り除かれ、スレシ
ョルドレベルを越える入力信号に対してのみトランジス
タｌｒ１．Ｔｒ２が動作して出力されるので、ノイズ成
分のない波形を得ることができる。
号に含まれる小振幅の雑音は電流路Ｇの抵抗Ｒ３とコン
デンサＣ１よるローパスフィルタで取り除かれ、スレシ
ョルドレベルを越える入力信号に対してのみトランジス
タｌｒ１．Ｔｒ２が動作して出力されるので、ノイズ成
分のない波形を得ることができる。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の回路では、スレショルドレベルを増大させていく
と、入力信号に対してスレショルドレベルに比例したオ
フセット電圧が生じる。従ってこの回路を色差信号に用
いると、Ｒ−Ｙ、Ｂ−Ｙ。
と、入力信号に対してスレショルドレベルに比例したオ
フセット電圧が生じる。従ってこの回路を色差信号に用
いると、Ｒ−Ｙ、Ｂ−Ｙ。
Ｇ−Ｙ信号の各々にオフセット電圧が生じ、ホワイトバ
ランスや色相がずれた画像となる。
ランスや色相がずれた画像となる。
［問題点を解決するための手段］
本発明は以上の如き従来の問題点に鑑み成されたもので
、輝度信号の輪郭信号を用いてスレショルドレベル（ク
リップレベル）を制御することによりオフセット電圧を
軽減した色ノイズ低減回路を提供するものである。
、輝度信号の輪郭信号を用いてスレショルドレベル（ク
リップレベル）を制御することによりオフセット電圧を
軽減した色ノイズ低減回路を提供するものである。
本発明はＮＰＮトランジスタとＰＮＰトランジスタとで
構成されたコンプリメンタリ・エミッタフォロワ・プッ
シュプル回路の出力端と接地間にコンデンサを接続し、
前記トランジスタのベースには電流によってバイアス電
圧を設定するためのバイアス回路が接続された色ノイズ
低減回路であって、前記バイアス回路の電流を輝度信号
を微分、した信号で制御するようにしたものである。
構成されたコンプリメンタリ・エミッタフォロワ・プッ
シュプル回路の出力端と接地間にコンデンサを接続し、
前記トランジスタのベースには電流によってバイアス電
圧を設定するためのバイアス回路が接続された色ノイズ
低減回路であって、前記バイアス回路の電流を輝度信号
を微分、した信号で制御するようにしたものである。
［発明の実施例１
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１のＮＰＮトランジスタＴｒ１と第１のＰＮＰトラン
ジスタＴｒ２とでコンプリメンタリ・エミッタホロワ・
プッシュプル回路が形成されている。このプッシュプル
回路の出力点Ｅと接地点ＧＮＤとの間にコンデンサＣが
接続されていると共に、前記出力点Ｅには更にトランジ
スタＴｒ５からなるエミッタホロワ型のバッファを介し
て出力ＯＵＴが接続されている。前記第１のＮＰＮトラ
ンジスタＴｒ１のベースに第２のＰＮＰトランジスタＴ
ｒ３のエミッタが接続されており、前記第１のＰＮＰト
ランジスタＴｒ２のベースに第２のＮＰＮトランジスタ
Ｔｒ３と第２のＮＰＮトランジスタＴｒ４の各ベース間
に第及び第２の抵抗Ｒ１、Ｒ２が直列接続され、第１の
抵抗Ｒ１と第２の抵抗Ｒ２どの接続点Ｆにトランジスタ
Ｔｒ６からなるエミッタホロワ型のバッフ１を介して入
力端ＩＮが接続されている。
ジスタＴｒ２とでコンプリメンタリ・エミッタホロワ・
プッシュプル回路が形成されている。このプッシュプル
回路の出力点Ｅと接地点ＧＮＤとの間にコンデンサＣが
接続されていると共に、前記出力点Ｅには更にトランジ
スタＴｒ５からなるエミッタホロワ型のバッファを介し
て出力ＯＵＴが接続されている。前記第１のＮＰＮトラ
ンジスタＴｒ１のベースに第２のＰＮＰトランジスタＴ
ｒ３のエミッタが接続されており、前記第１のＰＮＰト
ランジスタＴｒ２のベースに第２のＮＰＮトランジスタ
Ｔｒ３と第２のＮＰＮトランジスタＴｒ４の各ベース間
に第及び第２の抵抗Ｒ１、Ｒ２が直列接続され、第１の
抵抗Ｒ１と第２の抵抗Ｒ２どの接続点Ｆにトランジスタ
Ｔｒ６からなるエミッタホロワ型のバッフ１を介して入
力端ＩＮが接続されている。
また前記第２のＮＰＮトランジスタＴｒ４のベースと第
１の抵抗Ｒ１との接続点にベースバイアスようの第１の
定電流源１１が接続され、第２のＰＮＰトランジスタ■
「３のベースと第２の抵抗Ｒ２との接続点と接地ＧＮＤ
との間にベースバイアス用の第２の定電流源■２が接続
されている。
１の抵抗Ｒ１との接続点にベースバイアスようの第１の
定電流源１１が接続され、第２のＰＮＰトランジスタ■
「３のベースと第２の抵抗Ｒ２との接続点と接地ＧＮＤ
との間にベースバイアス用の第２の定電流源■２が接続
されている。
更に第１のＮＰＮトランジスタＴｒ１のベースとコレク
タとの間にベースバイアス用の第３の定電流源Ｉ３が接
続されると共に、第１のＰＮＰトランジスタＴｒ２のベ
ースと接地点ＧＮＤとの間にベースバイアス用の第４の
定電流源Ｉ４が接続されている。
タとの間にベースバイアス用の第３の定電流源Ｉ３が接
続されると共に、第１のＰＮＰトランジスタＴｒ２のベ
ースと接地点ＧＮＤとの間にベースバイアス用の第４の
定電流源Ｉ４が接続されている。
各室電流源１１乃至■４の電流値はいずれもＩ（１＝１
１ ＝１２ ＝Ｉ３ ＝１４ ＞であり、トランジスタ
Ｔ「１とトランジスタＴｒ２のベース・エミッタ間電圧
Ｖｂｅは同一で［Ｖｂｅ （Ｔｒｌ） ＝ Ｖｂｅ （
Ｔｒ２） ］ 、トランジスタＴｒ３とトランジスタＴ
ｒ４のベース・エミッタ間電圧Ｖｂｅも同一であり［Ｖ
ｂｅ（Ｔｒｌ＞ ＝Ｖｂｅ （Ｔｒ２） ］ 、また抵
抗Ｒ１ｓとていこうＲ２は同−低耕地で（Ｒ１＝Ｒ２＝
Ｒ＞ 、トランジスタＴｒ３とトランジスタＴｒ３とト
ランジスタＴｒ４の各ベース間電圧（Ｖｂｂ＝２ＲＩ＞
はトランジスタｌ’−ｒ３のＶｂｅ（Ｔｒ３）とトラン
ジスタＴｒ４のＶｂｅ（Ｔｒ４）との和より小さり設定
している。
１ ＝１２ ＝Ｉ３ ＝１４ ＞であり、トランジスタ
Ｔ「１とトランジスタＴｒ２のベース・エミッタ間電圧
Ｖｂｅは同一で［Ｖｂｅ （Ｔｒｌ） ＝ Ｖｂｅ （
Ｔｒ２） ］ 、トランジスタＴｒ３とトランジスタＴ
ｒ４のベース・エミッタ間電圧Ｖｂｅも同一であり［Ｖ
ｂｅ（Ｔｒｌ＞ ＝Ｖｂｅ （Ｔｒ２） ］ 、また抵
抗Ｒ１ｓとていこうＲ２は同−低耕地で（Ｒ１＝Ｒ２＝
Ｒ＞ 、トランジスタＴｒ３とトランジスタＴｒ３とト
ランジスタＴｒ４の各ベース間電圧（Ｖｂｂ＝２ＲＩ＞
はトランジスタｌ’−ｒ３のＶｂｅ（Ｔｒ３）とトラン
ジスタＴｒ４のＶｂｅ（Ｔｒ４）との和より小さり設定
している。
［Ｖｂｂ＜ Ｖｂｅ （Ｔｒ３）＋ Ｖｂｅ （Ｔｒ４
）］ 。
）］ 。
この様な条件の下で、スレショルドレベルは２つの抵抗
Ｒ１、Ｒ２の接続点Ｆの電位を基準にしてみると、正方
向にＶｂｅ−Ｒ１だけ高く設定され、負方向にｖｂｅ−
Ｒ１だけ低く設定されている。
Ｒ１、Ｒ２の接続点Ｆの電位を基準にしてみると、正方
向にＶｂｅ−Ｒ１だけ高く設定され、負方向にｖｂｅ−
Ｒ１だけ低く設定されている。
更に輝度信号を微分する微分回路１と、該微分回路の出
力の絶対値を出力する絶対値回路２と、絶対値出力信号
によって出力が制御される電流制御回路３とが設けられ
、該電流制御回路３からの出力により第１．第２の定電
流源１１．１２の電流値が制御される。
力の絶対値を出力する絶対値回路２と、絶対値出力信号
によって出力が制御される電流制御回路３とが設けられ
、該電流制御回路３からの出力により第１．第２の定電
流源１１．１２の電流値が制御される。
かかる構成において、第１．第２の定電流源１１１２に
所定の一定電流が流れているとし、第１゜第２の抵抗Ｒ
１、Ｒ２に生じる電圧降下をＥｌ。
所定の一定電流が流れているとし、第１゜第２の抵抗Ｒ
１、Ｒ２に生じる電圧降下をＥｌ。
Ｅｌとすると、第１のＮＰＮトランジスタＴｒ１及び第
１のＰＮＰトランジスタＴｒ２のＶｂｅは各々■ｂｅ（
オン時）−Ｅｌ、Ｖｂｅ（オン時）−Ｅｌとなる。つま
り、トランジスタ７ｒｌ、ｌ”ｒ２のＶｂｅはオン状態
時のＶｂｅに対してＥｌ又はＥｌだけカットオフ状態と
なっている。このとき第３図ののの信号が入力されると
、信号の振幅が±Ｅ１又は±Ｅ２以内であれば、トラン
ジスタＴｒ１． Ｔｒ２はカットオフ状態となっており
出力されない。ところが振幅が十Ｅ１又は十Ｅ２を越え
るとＮＰＮトランジスタＴｒ１がオンとなり、−Ｅｌ又
は−Ｅｌを越えるとＰＮＰトランジスタＴ「２がオンと
なって出力には第３図■の波形が得られる。このとき各
トランジスタＴｒｉ、 Ｔｒ２のカットオフ領域では、
その直前にオフしていたトランジスタＴｒ１又はｌｒ２
の逆側にＥｌ又はＥｌだけオフセットを生じてしまう。
１のＰＮＰトランジスタＴｒ２のＶｂｅは各々■ｂｅ（
オン時）−Ｅｌ、Ｖｂｅ（オン時）−Ｅｌとなる。つま
り、トランジスタ７ｒｌ、ｌ”ｒ２のＶｂｅはオン状態
時のＶｂｅに対してＥｌ又はＥｌだけカットオフ状態と
なっている。このとき第３図ののの信号が入力されると
、信号の振幅が±Ｅ１又は±Ｅ２以内であれば、トラン
ジスタＴｒ１． Ｔｒ２はカットオフ状態となっており
出力されない。ところが振幅が十Ｅ１又は十Ｅ２を越え
るとＮＰＮトランジスタＴｒ１がオンとなり、−Ｅｌ又
は−Ｅｌを越えるとＰＮＰトランジスタＴ「２がオンと
なって出力には第３図■の波形が得られる。このとき各
トランジスタＴｒｉ、 Ｔｒ２のカットオフ領域では、
その直前にオフしていたトランジスタＴｒ１又はｌｒ２
の逆側にＥｌ又はＥｌだけオフセットを生じてしまう。
そこで色差信号の変化する部分と、輝度信号の変化する
部分はある程度の相関関係を有するという性質を利用し
て輝度信号（第２図０）を微分回路１で微分しく第２図
Ｏ）、絶対値回路２により絶対値を得て（第２図Ｏ）、
その出力レベルに比例して電流制御回路３により定電流
源１１１２を減少させるように制御すると、定電流源１
１．１２の電流波形は第２図■に示すようになり、色差
信号のエツジ部分ではトランジスタＴｒ１． Ｔｒ２と
もオン状態となる。即ちエツジ領域では入力＠号がその
まま出力されるので、エツジ直後のオフセットは除去さ
れることになる（第２図０）。
部分はある程度の相関関係を有するという性質を利用し
て輝度信号（第２図０）を微分回路１で微分しく第２図
Ｏ）、絶対値回路２により絶対値を得て（第２図Ｏ）、
その出力レベルに比例して電流制御回路３により定電流
源１１１２を減少させるように制御すると、定電流源１
１．１２の電流波形は第２図■に示すようになり、色差
信号のエツジ部分ではトランジスタＴｒ１． Ｔｒ２と
もオン状態となる。即ちエツジ領域では入力＠号がその
まま出力されるので、エツジ直後のオフセットは除去さ
れることになる（第２図０）。
なお、上記実施例では色差信号に付いて説明したが、原
色信号であってもよい。
色信号であってもよい。
Ｃ光明の効果コ
以上のように本発明によれば、輝度信号を微分した信号
で最終段のプッシュプル構成のトランジスタのバイアス
を制御するように構成したので、波形のエツジ後の生じ
るオフセットを除去することができ、色相やホワイトバ
ランスのずれを軽減することができる。
で最終段のプッシュプル構成のトランジスタのバイアス
を制御するように構成したので、波形のエツジ後の生じ
るオフセットを除去することができ、色相やホワイトバ
ランスのずれを軽減することができる。
第１図は本発明にかかる実施例を示す図、第２図（ａ）
乃至（ｆ）は第１図における各部の波形を示す図、第３
図は従来の構成を示す図、第４図は第３図における入出
力波形を示す図である。 １・・・・・・微分回路 ２・・・・・・絶対値回路 ３・・・・・・電流制御回路
乃至（ｆ）は第１図における各部の波形を示す図、第３
図は従来の構成を示す図、第４図は第３図における入出
力波形を示す図である。 １・・・・・・微分回路 ２・・・・・・絶対値回路 ３・・・・・・電流制御回路
Claims (1)
- ＮＰＮトランジスタとＰＮＰトランジスタとで構成され
たコンプリメンタリ・エミッタフォロワ・プッシュプル
回路の出力端と接地間にコンデンサを接続し、前記トラ
ンジスタのベースには電流によってバイアス電圧を設定
するためのバイアス回路が接続された色ノイズ低減回路
であって、前記バイアス回路の電流を輝度信号を微分し
た信号で制御するようにしたことを特徴とする色ノイズ
低減回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22079686A JP2577212B2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 色ノイズ低減回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22079686A JP2577212B2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 色ノイズ低減回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6374386A true JPS6374386A (ja) | 1988-04-04 |
| JP2577212B2 JP2577212B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=16756700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22079686A Expired - Lifetime JP2577212B2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 色ノイズ低減回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2577212B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04176269A (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-23 | Victor Co Of Japan Ltd | 映像信号の雑音低減回路 |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP22079686A patent/JP2577212B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04176269A (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-23 | Victor Co Of Japan Ltd | 映像信号の雑音低減回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2577212B2 (ja) | 1997-01-29 |
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