JPS637044B2 - - Google Patents

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JPS637044B2
JPS637044B2 JP54071414A JP7141479A JPS637044B2 JP S637044 B2 JPS637044 B2 JP S637044B2 JP 54071414 A JP54071414 A JP 54071414A JP 7141479 A JP7141479 A JP 7141479A JP S637044 B2 JPS637044 B2 JP S637044B2
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JP
Japan
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terminal
transistor
transistors
potential
charging
Prior art date
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Expired
Application number
JP54071414A
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English (en)
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JPS55163905A (en
Inventor
Koichi Tanaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP7141479A priority Critical patent/JPS55163905A/ja
Publication of JPS55163905A publication Critical patent/JPS55163905A/ja
Publication of JPS637044B2 publication Critical patent/JPS637044B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/305Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in case of switching on or off of a power supply

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はオーデイオ用帰還増幅器に関し、電源
投入時及び又は切断時に過渡的に出力端に生ずる
衝撃性雑音(ポツプ音)をなくすことを目的と
し、特に半導体集積回路に適した帰還増幅器に関
する。
音響機器の高級化に伴い、定常状態における音
質の他に過渡状態の特性が重要視されている。特
に電源投入時又は切断時に発生する過大なポツプ
音は聴感上不快なばかりでなくスピーカのボイス
コイルを破損する恐れがある。
ところで増幅器の初段は周囲温度変化、電源変
動、トランジスタの特性変動等の影響が少く安定
な事が要求されることから一般に差動増幅回路が
使用され、電源投入時のポツプ音をなくす方法と
して、従来第1図にその回路接続図を示す方法が
知られている。
第1図において1は入力端子、2は帰還端子、
3は出力端子、4は電源端子、5は接地端子であ
り、R1は入力抵抗、R2,R3はバイアス用抵抗、
C1は入力コンデンサ、C2は帰還コンデンサであ
る。初段に差動トランジスタQ1,Q2を具備する
増幅器において電源投入時に出力端子3にポツプ
音を発生させない為には、帰還端2の電位が入力
端子1の電位よりも早く立上ればよい。第1図で
は、帰還端子2の電位は充電トランジスタQ3
より電源投入と同時に充電される。第1図の回路
において電源投入から定常時までの各電位の波形
は第2図のようになる。2の電位V2はQ3により
充電されるので瞬時に立上り、一方1のV1は、
R1がR2、及びR3よりも非常に大きいため主にR1
とC1の積で決まる時定数で立上り式(1)で示され
る時定数T1で定常状態に至る。
T1=R1×C1 ………(1) 第1図の従来例は、定常状態に至るまでの時間
がC1×R1で決定される為、入力抵抗R1が一般に
30kΩ以下のパワー増幅器の場合には非常に有効
であるがR1が100kΩ以上の前置増幅器(ブリア
ンプ)においては、例えばC1=22μF、R1=300k
Ωの場合、T1=6.6秒となり電源投入後、出力が
なかなか出てこないという不具合がある。
本発明は入力抵抗R1が大きい場合でもポツプ
音がなく、かつ音声出力が瞬時に出る増幅回路を
提供することを目的とするものである。
以下図面を用いて詳しく説明する。
第3図は本発明の一実施例を示す回路接続図で
ある。第3図においても第1図の場と同様の働き
をする端子及び素子には同一の記号をつけてあ
る。本発明における第3図の回路では電源投入時
には端子1はトランジスタQ4により、端子2は
トランジスタQ5によりそれぞれ瞬時に充電され、
かつトランジスタQ5のエミツタ面積S5はトラン
ジスタQ4のエミツタ面積S4の2倍になつている。
周知のように半導体集積回路では同一チツプ上
のトランジスタの特性は非常によく整合がとれ、
トランジスタQ4とQ5のエミツタ面積比の違いに
よるエミツタ・ベース間順方向電圧の差△VBE
式(2)で示される。
△VBE=kT/qlnS5/S4 (2) ただし、k:ボルソマン定数、 q:電子の電荷 T:絶対温度。
第3図の回路ではS5はS4の2倍のエミツタ面積
を有するので常温で△VBE=18mVになる。第4
図は本発明の一実施例である第3図の回路の入力
端子1の電位V1と帰還端子2の電位V2の電源投
入時の立上り電位波形を示したものである。本発
明では定常状態に達するまでの時間T1は瞬時で
あり、かつV2>V1であるので電源投入時のポツ
プ音が発生しない。なおQ4,Q5のベースバイア
ス電位は、ダイオードD1の順方向バイアス電圧
を抵抗R4,R5で分割した電位を与えられている
ので定常状態ではQ4,Q5共にカツトオフとなり、
定常状態の特性に何ら悪影響を与えない。Q4
Q5の最適面積比に関しては、Q1,Q2に接続され
るC1,R1,C2及び帰還抵抗R8の値により若干異
なるがS5>1.5×S4すなわち△VBE>10mVであれ
ばポツプ音は発生しない。
次に、第3図の本発明における回路では、入力
端子1及び帰還端子2にQ6,Q7より構成される
放電回路が接続されている。初段に差動トランジ
スタを具備する増幅器において、電源切断時にポ
ツプ音を発生させない為には、入力端子と帰還端
子の電位を同電位で立下げればよい。ところで
Q6とQ7のベースバイアス電位は、ダイオードD2
の順方向電圧の抵抗R6,R7による分割で与えら
れ、Q6とQ7のエミツタ面積は同一であるので、
電源電位が急激に低下した場合でも1と2の電位
がほぼ同電位で低下するためポツプ音が発生しな
い。
第5図は本発明の他の実施例を示すものであり
増幅器が複数個接続された場合においても電源投
入時及び切断時にポツプ音を発生しない。第5図
においてAMP1,AMP2は増幅器Q8,Q9
Q10,Q11は充電トランジスタ、Q12,Q13,Q14
Q15は放電トランジスタ、Vref1,Vref2はそれ
ぞれ充電トランジスタのベースバイアス電位及び
放電トランジスタのベースバイアス電位を示す。
第6図は本発明の更に他の実施例を示すもので
あり増幅器の入力端子が抵抗R8とコンデンサC3
で安定化されている場合にポツプ音の発生がなく
瞬時に出力の出る回路を示している。すなわち、
コンデンサC3に充電トランジスタQ16および放電
トランジスタQ17を接続したものである。
以上述べてきたように本発明に係る電源投入時
乃至切断時にポツプ音(過渡雑音)を防止した増
幅器は、入力抵抗が大きい場合でも瞬時に出力が
あらわれ、従来の性能を大幅に向上することがで
きる。
なお、以上の実施例では全て充電トランジスタ
および放電トランジスタの双方を設けた場合につ
いて説明したが放電トランジスタは場合によつて
は省略してもよいことはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のポツプ音防止増幅器を示す回路
接続図、第2図は従来回路における入力端子と帰
還端子の電位変化を示す図、第3図は本発明に係
る回路の一実施例を示す回路接続図、第4図は第
3図の回路の入力端子と帰還端子の電位変化を示
す図、第5図及び第6図はそれぞれ本発明の他の
実施例を示す回路接続図である。 Q1〜Q17……トランジスタ、R1〜R8……抵抗、
C1〜C3……コンデンサ、D1〜D2……ダイオード、
1……入力端子、2……帰還端子、3……出力端
子、4……電源端子、5……接地端子、V1……
入力端子電位、V2……帰還端子電位、AMP1,
AMP2……増幅器、Vref1……充電トランジス
タのベースバイアス電位、Vref2……放電トラ
ンジスタのベースバイアス電位。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 実質的に特性の等しい2つのトランジスタを
    含んでなる差動増幅器を初段に有し、該差動増幅
    器の一方の端子に入力信号を与え、他方の端子に
    帰還信号を与える帰還増幅器において、前記一方
    の端子および他方の端子にそれぞれ接続された第
    1および第2の直流阻止コンデンサと、前記一方
    の端子に接続された第1の充電用トランジスタお
    よび第1の放電用トランジスタと、前記他方の端
    子に接続された第2の充電用トランジスタおよび
    第2の放電用トランジスタと、前記第1および第
    2の充電用トランジスタならびに前記第1および
    第2の放電用トランジスタのベース‐エミツタ間
    を定常状態で遮断状態とする手段とを有し、前記
    第2の充電用トランジスタのエミツタ面積を前記
    第1の充電用トランジスタのエミツタ面積よりも
    大となし、前記第1および第2の充電用トランジ
    スタのベースバイアス電位ならびに前記第1およ
    び第2の放電用トランジスタのベースバイアス電
    位は電源の一端と前記一方の端子との間に挿入さ
    れた第1のダイオードおよび電源の他端と前記他
    方の端子との間に挿入された第2のダイオードの
    各順方向バイアス電位を抵抗分割した電位とする
    ように前記遮断状態とする手段を構成したことを
    特徴とする帰還増幅器。
JP7141479A 1979-06-07 1979-06-07 Feedback amplifier Granted JPS55163905A (en)

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JPS55163905A JPS55163905A (en) 1980-12-20
JPS637044B2 true JPS637044B2 (ja) 1988-02-15

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