JPS5834613A - 可変電子インピ−ダンス装置 - Google Patents
可変電子インピ−ダンス装置Info
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- JPS5834613A JPS5834613A JP56132764A JP13276481A JPS5834613A JP S5834613 A JPS5834613 A JP S5834613A JP 56132764 A JP56132764 A JP 56132764A JP 13276481 A JP13276481 A JP 13276481A JP S5834613 A JPS5834613 A JP S5834613A
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- Japan
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- transistor
- current
- impedance device
- voltage
- terminal
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/46—One-port networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/305—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in case of switching on or off of a power supply
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気テープ記録再生装置の記録再生増幅器や
ノイズ抑制回路等に使用され得る可変電子インピーダン
ス装置KIIする。
ノイズ抑制回路等に使用され得る可変電子インピーダン
ス装置KIIする。
従来の可変電子インピーダンス装置として、例えば特開
昭52−116052号として開示されたものがある。
昭52−116052号として開示されたものがある。
この種可変インピーダンス装置においては、@に電源投
入直後において高周波信号が発生してラジオ受信機に前
書を与えたり、出力信号に歪が表わると%/−h5事が
本願発明者の検討により明らかとされた。上述の如き欠
点は、かかる可変電子インピーダンス装置が電流帰遺濶
であるため電源投入直後に正帰還が行われ1発振現象の
ために発生するものと考えられる。
入直後において高周波信号が発生してラジオ受信機に前
書を与えたり、出力信号に歪が表わると%/−h5事が
本願発明者の検討により明らかとされた。上述の如き欠
点は、かかる可変電子インピーダンス装置が電流帰遺濶
であるため電源投入直後に正帰還が行われ1発振現象の
ために発生するものと考えられる。
本発明は、上述の如き観点からなされたものであって、
その目的は電源電圧投入直後における不安定な動作を肪
止するようkした可変電子インピーダンス装置を提供す
ることにある。
その目的は電源電圧投入直後における不安定な動作を肪
止するようkした可変電子インピーダンス装置を提供す
ることにある。
次に本発明を適用した電子インピーダンス装置の第1の
実施例を、第1111に付き説明する。なお、第1@に
示す集積回路(以下において単KIOという、)Kは、
後述の如く電子インピーダンス装置と信号処lla路と
が構11tされているが、これらの組合せはII#に@
定1れるものではな−。
実施例を、第1111に付き説明する。なお、第1@に
示す集積回路(以下において単KIOという、)Kは、
後述の如く電子インピーダンス装置と信号処lla路と
が構11tされているが、これらの組合せはII#に@
定1れるものではな−。
先ず、工0内に構成された電子インピーダンス装置BI
Dの回路構成に−)%/hて述べる。電子インピーダン
ス装置111Dは、高入力インピーダンス和なされた電
圧電流変換器3.可変利得電流増幅器4.可変定電流電
源6.定電流源7.更に所定f’)バイアス電圧を得る
ためのトランジスタQs e7番端子の電圧レベルに対
応してオン−オフ動作な行うようにな畜れたトランジス
タQ+a等によって構成されて論る。
Dの回路構成に−)%/hて述べる。電子インピーダン
ス装置111Dは、高入力インピーダンス和なされた電
圧電流変換器3.可変利得電流増幅器4.可変定電流電
源6.定電流源7.更に所定f’)バイアス電圧を得る
ためのトランジスタQs e7番端子の電圧レベルに対
応してオン−オフ動作な行うようにな畜れたトランジス
タQ+a等によって構成されて論る。
上記電圧電流変換器3は、PNP )ランジスタQ、
、 Qsと半導体拡散抵抗R,,,R□とによって構成
されている。そして、PNP )ランジスタQ、 、
Q、の夫々のコレクタ電流の変化は、次段の可変利得電
流増幅器4、換言すればNPN)ランジスタQ、、Q、
によって検出される。tた、上記可変利得電流増幅器4
は、ダイオードD1゜D、とNPNトランジスタQa
t Q4 e 更にカレント建う−回路として接続され
たPNP )ランジスタQs e Qs e Qy e
半導体拡散抵抗R1,。
、 Qsと半導体拡散抵抗R,,,R□とによって構成
されている。そして、PNP )ランジスタQ、 、
Q、の夫々のコレクタ電流の変化は、次段の可変利得電
流増幅器4、換言すればNPN)ランジスタQ、、Q、
によって検出される。tた、上記可変利得電流増幅器4
は、ダイオードD1゜D、とNPNトランジスタQa
t Q4 e 更にカレント建う−回路として接続され
たPNP )ランジスタQs e Qs e Qy e
半導体拡散抵抗R1,。
R24によって構成されている。そして、上記電子イン
ピーダンス装置EIDの入力インピーダンスZIfi、
換言すればトランジスタQ、のベーストトランジスタQ
s = Qsの各コレクタとの接続点のインピーダンス
は、可変定電流源6を構成するトランジスタQ、のコレ
クタ・エミッタ掻路を流れる定電流の電流値を割部する
ことKよって変化し、この定電流の制御は3番端子にR
1,〜R1−どの抵抗が接続されるかkよって行われる
ようkなされている。
ピーダンス装置EIDの入力インピーダンスZIfi、
換言すればトランジスタQ、のベーストトランジスタQ
s = Qsの各コレクタとの接続点のインピーダンス
は、可変定電流源6を構成するトランジスタQ、のコレ
クタ・エミッタ掻路を流れる定電流の電流値を割部する
ことKよって変化し、この定電流の制御は3番端子にR
1,〜R1−どの抵抗が接続されるかkよって行われる
ようkなされている。
一万、バイアス回路BOは、半導体拡散抵抗R□、R,
,,R,,、Rお、NPN)ランジスタQo、PNPト
ランジスタQ11.更にダイオードD、、D、、ツェナ
ーダイオードD、にょって構成され、所望のバイアス電
圧が得られるよ5になされている。そして、抵抗R,,
,R,□の回路接続点は、7番端子を介して外部キャパ
シタンスo鵞kII絖され、交流的に4i1地されてい
る。iた、抵抗R,マ、R1,は、はぼ同一の抵抗値に
なされている。従って抵抗R□、R1,の接続点からは
、直流的にほぼ1/2vccの基準電圧■l□が得られ
、こノ基準電圧vIIFはロー・パス・フィルターLP
F(以下にお論て単にLPFと−う。)の一端と、トラ
ンジスタQ、のベースとに供Mされるよ5になされてい
る。
,,R,,、Rお、NPN)ランジスタQo、PNPト
ランジスタQ11.更にダイオードD、、D、、ツェナ
ーダイオードD、にょって構成され、所望のバイアス電
圧が得られるよ5になされている。そして、抵抗R,,
,R,□の回路接続点は、7番端子を介して外部キャパ
シタンスo鵞kII絖され、交流的に4i1地されてい
る。iた、抵抗R,マ、R1,は、はぼ同一の抵抗値に
なされている。従って抵抗R□、R1,の接続点からは
、直流的にほぼ1/2vccの基準電圧■l□が得られ
、こノ基準電圧vIIFはロー・パス・フィルターLP
F(以下にお論て単にLPFと−う。)の一端と、トラ
ンジスタQ、のベースとに供Mされるよ5になされてい
る。
次匹で、1番端子から2番端子まで関には、信号処理回
路の一例が示されている。即ち、この信号処理回路は、
磁気チーブ鐘音再生装置に用^られる増幅回路であって
、磁気テープの糧類、テープ走行速gK対応して周波数
特性の再生補償をなし得るように構成されている。以下
にその概略を述べると、1番端子には、例えば録音−再
生兼用ヘッド(図示せず)から再生信号■inが伝達さ
れ、この再生信号はメインパス1m−1m′とサイドパ
ス1s−1,’とに伝達される。増幅尋人、は実質的に
フラットな周波数特性を有するものである。
路の一例が示されている。即ち、この信号処理回路は、
磁気チーブ鐘音再生装置に用^られる増幅回路であって
、磁気テープの糧類、テープ走行速gK対応して周波数
特性の再生補償をなし得るように構成されている。以下
にその概略を述べると、1番端子には、例えば録音−再
生兼用ヘッド(図示せず)から再生信号■inが伝達さ
れ、この再生信号はメインパス1m−1m′とサイドパ
ス1s−1,’とに伝達される。増幅尋人、は実質的に
フラットな周波数特性を有するものである。
また、メイン・パスに設けられた電圧−電流変換器V−
I は、LPFと関連して周波数特性onv を補償するためのものであり、BP、は例えばエミツタ
7オロワ回路で構成されたバッファアンプである。そし
て、サイド・パスに設けられたBP4PBF、はそれぞ
れが例えばエミッタフォロワ回路で構成されたバッファ
アンプであり、これらの間に設けられた半導体拡散抵抗
R6が設けられ工いる。この抵抗R4は、電子インピー
ダンス装置EIDの入力インピーダンスzir1と関連
して、このサイド・パス!、の利得を制御する。半導体
拡散抵抗R,,R,はほぼ同一の抵抗値であり、これら
抵抗R,,R,と例えばエミッタフォロワ回路で構成さ
れたバッファアンプBP、とKよって、アナログ加算回
路人80が構成されている。
I は、LPFと関連して周波数特性onv を補償するためのものであり、BP、は例えばエミツタ
7オロワ回路で構成されたバッファアンプである。そし
て、サイド・パスに設けられたBP4PBF、はそれぞ
れが例えばエミッタフォロワ回路で構成されたバッファ
アンプであり、これらの間に設けられた半導体拡散抵抗
R6が設けられ工いる。この抵抗R4は、電子インピー
ダンス装置EIDの入力インピーダンスzir1と関連
して、このサイド・パス!、の利得を制御する。半導体
拡散抵抗R,,R,はほぼ同一の抵抗値であり、これら
抵抗R,,R,と例えばエミッタフォロワ回路で構成さ
れたバッファアンプBP、とKよって、アナログ加算回
路人80が構成されている。
次に、上述の如く構成された電子インピーダンス装置の
回路動作を説明する。
回路動作を説明する。
先ず、電源電圧vccが5番端子に供給された直後の回
路動作について述べる。
路動作について述べる。
この場合、7番端子に発生する基準電圧■IIFは、抵
抗R1,を介してキャパシタンスO,に流れる電流の為
、1/2vcc迄は上昇しない。即ち、両者の時定数に
対応して、トランジスタQl e Quのベース電圧が
次第に上昇するようになる。しかし、抵抗R10,ダイ
オードD1.ツェナーダイオードD、には電流が流れる
ので、トランジスタQIlの工Zyりには、所定のニオ
ツタ電圧が得らし、トランジスタQ、のベースにバイア
ス電圧として供給されようとする。
抗R1,を介してキャパシタンスO,に流れる電流の為
、1/2vcc迄は上昇しない。即ち、両者の時定数に
対応して、トランジスタQl e Quのベース電圧が
次第に上昇するようになる。しかし、抵抗R10,ダイ
オードD1.ツェナーダイオードD、には電流が流れる
ので、トランジスタQIlの工Zyりには、所定のニオ
ツタ電圧が得らし、トランジスタQ、のベースにバイア
ス電圧として供給されようとする。
ところが、注目すべきはトランジスタQnの動作である
。上述したトランジスタQllのエミッタ電圧は、抵抗
R1,を介してトランジスタQ+sのエミνりに供給さ
れる。この時点では、トランジスタQ、のペース電圧は
上述の如く低レベルであるから、このトランジスタQn
がオン状l1llKなる。
。上述したトランジスタQllのエミッタ電圧は、抵抗
R1,を介してトランジスタQ+sのエミνりに供給さ
れる。この時点では、トランジスタQ、のペース電圧は
上述の如く低レベルであるから、このトランジスタQn
がオン状l1llKなる。
従って、トランジスタQ、はオン状態となってダイオー
ドD、、D、のカソードはほぼ接地電位となる。
ドD、、D、のカソードはほぼ接地電位となる。
一万、ダイオードD、、D、のアノード・カソード間の
′電圧とトランジスタQ、、Q、のベース・エミッタ間
の電圧ははぼ等しいので、トランジスタQ、のコレクタ
は接地電位となってトランジスタQ、はオフ状態となる
。
′電圧とトランジスタQ、、Q、のベース・エミッタ間
の電圧ははぼ等しいので、トランジスタQ、のコレクタ
は接地電位となってトランジスタQ、はオフ状態となる
。
故に、トランジスタQ、が上述の如くオフ状態であるか
ら、5番端子→3番端子→スイヅチSn→抵抗R,、=
−−−−’ R4n−+G N Dの径路に電流が流れ
ることがない。即ち、トランジスタQ+sがオンすルコ
トによって、トランジスタQ、がオフ状態となり可質利
得電流増幅器4のトランジスタQMeQ4は非動作状9
になされる。この間、トランジスタQ、ある論はQ、を
流れる電流に変化が生じても、一方の電流変化が他方に
帰還されるような電気的な干渉が、少なくともトランジ
スタQs eQ4を介して行われることがない。従って
、電子インピーダンス装置から、高周波信号、或いは電
気的ノイズ等が発生することがない。
ら、5番端子→3番端子→スイヅチSn→抵抗R,、=
−−−−’ R4n−+G N Dの径路に電流が流れ
ることがない。即ち、トランジスタQ+sがオンすルコ
トによって、トランジスタQ、がオフ状態となり可質利
得電流増幅器4のトランジスタQMeQ4は非動作状9
になされる。この間、トランジスタQ、ある論はQ、を
流れる電流に変化が生じても、一方の電流変化が他方に
帰還されるような電気的な干渉が、少なくともトランジ
スタQs eQ4を介して行われることがない。従って
、電子インピーダンス装置から、高周波信号、或いは電
気的ノイズ等が発生することがない。
次に、7番端子の基準電圧V□、がほぼ】/2vcc迄
上昇した場合の回路動作を述べる。
上昇した場合の回路動作を述べる。
基準電圧V□、が1/2■cc迄上昇すると、トランジ
スタQ□のベース電圧が、そのエミッタ電圧よりも高レ
ベルになる。従って、トランジスタQ1.はオフ状lI
Kなり、これにともなってトランジスタQoのエミッタ
電圧が、バイアス電圧としてトランジスタQ、のベース
に供給される。この結果、5番端子→3番端子→スイッ
チ5.−+抵抗Rn−4ONDに電流が流れるようにな
り、電子インピーダンス装置EIIDが正常な動作を行
い得る状態になされる。即ち、トランジスタQ、がオン
状IIIKなることによって、トランジスタQ、、Q。
スタQ□のベース電圧が、そのエミッタ電圧よりも高レ
ベルになる。従って、トランジスタQ1.はオフ状lI
Kなり、これにともなってトランジスタQoのエミッタ
電圧が、バイアス電圧としてトランジスタQ、のベース
に供給される。この結果、5番端子→3番端子→スイッ
チ5.−+抵抗Rn−4ONDに電流が流れるようにな
り、電子インピーダンス装置EIIDが正常な動作を行
い得る状態になされる。即ち、トランジスタQ、がオン
状IIIKなることによって、トランジスタQ、、Q。
の各コレクタ電流の変化が、トランジスタQ、。
Q、によって検出される。そして、トランジスタQ、の
コレクタ電流が変化すると、カレントミラー回路Qs
、Q*の動作によってトランジスタQ。
コレクタ電流が変化すると、カレントミラー回路Qs
、Q*の動作によってトランジスタQ。
のベース電流が制御されるように動作する。このような
電子インピーダンス装置RIDの動作によって、入力イ
ンピーダンスzinが変化し工、サイド・バスl、−1
.’間の利得が制御される。
電子インピーダンス装置RIDの動作によって、入力イ
ンピーダンスzinが変化し工、サイド・バスl、−1
.’間の利得が制御される。
こ\で電子インピーダンス装置EIDの入力インピーダ
ンス2・ Kついてみると、抵抗R,,,R1,。
ンス2・ Kついてみると、抵抗R,,,R1,。
n
が互いに等しい抵抗値に設定され℃いる場合。
2 は
n
で与えられる。但し、上記0〜0式においてre8はト
57ジス4Q、のベース・エミッタ接合抵抗、rdIは
ダイオードD、の交流抵尊、re、はトランジスタQ4
のベース・工きツタ接合交流抵抗、にはボルツマン定数
、Tは絶対温度、qは電子電荷、■。はトランジスタQ
、。のコレクタ・工Zツタ径路に流れる定電流の半分の
値、I、1はかランジスタQ、のコレクタ・工さツタ径
路に流れる定電流の半分の値である。そして、上記0〜
0式からI0 が得られる。上記交流抵抗re、、 rd、は、抵抗R
1と比較すると無視できるような小さな値になる。従っ
て、上記0式は近位的に、 と変形される。また、ダイオードD、、D4の両肩ノミ
位差とトランジスタQ@ * Qssのベース・エミッ
タ関電位差とは、実質的KPN@合順方向電圧V、に等
しくなる。従って、定電流源7としてのトランジスタQ
leのコレクタ・エミッタ径路に流れる定電流2I0は
、 で与えられる。更に、スイッチ8nが閉じられている場
合に、可変電流源6としてのトランジスタQ、のコレク
タ・エミッタ径路に流れる足載fL2Icは、 で与えられる。但し、■1はツェナーダイオードZDの
ツェナー電圧である。そして、上記■、■式を0式に代
入すると、 となる。抵抗R□、R1は、互mK等しい温度依存性と
互uK等しい製造グロセスによる偏差を有するとともに
、外部抵抗Rnの抵抗値は極めて小さな温度依存性の精
密な抵抗値のものを選択できる。従って、上記入力イン
ピーダンスzhの温度依存性と誤差とを極めて小さな値
とすることが出来る。
57ジス4Q、のベース・エミッタ接合抵抗、rdIは
ダイオードD、の交流抵尊、re、はトランジスタQ4
のベース・工きツタ接合交流抵抗、にはボルツマン定数
、Tは絶対温度、qは電子電荷、■。はトランジスタQ
、。のコレクタ・工Zツタ径路に流れる定電流の半分の
値、I、1はかランジスタQ、のコレクタ・工さツタ径
路に流れる定電流の半分の値である。そして、上記0〜
0式からI0 が得られる。上記交流抵抗re、、 rd、は、抵抗R
1と比較すると無視できるような小さな値になる。従っ
て、上記0式は近位的に、 と変形される。また、ダイオードD、、D4の両肩ノミ
位差とトランジスタQ@ * Qssのベース・エミッ
タ関電位差とは、実質的KPN@合順方向電圧V、に等
しくなる。従って、定電流源7としてのトランジスタQ
leのコレクタ・エミッタ径路に流れる定電流2I0は
、 で与えられる。更に、スイッチ8nが閉じられている場
合に、可変電流源6としてのトランジスタQ、のコレク
タ・エミッタ径路に流れる足載fL2Icは、 で与えられる。但し、■1はツェナーダイオードZDの
ツェナー電圧である。そして、上記■、■式を0式に代
入すると、 となる。抵抗R□、R1は、互mK等しい温度依存性と
互uK等しい製造グロセスによる偏差を有するとともに
、外部抵抗Rnの抵抗値は極めて小さな温度依存性の精
密な抵抗値のものを選択できる。従って、上記入力イン
ピーダンスzhの温度依存性と誤差とを極めて小さな値
とすることが出来る。
故に本発明忙よれば、電源投入直後に可変インピーダン
ス装置の帰還動作が実質的に禁止されるため電源が投入
された直後の不安定な動作を防止させることが出来る上
に、不所望な高周波信号を発生することもなく、電気的
雑音等も発生しない。
ス装置の帰還動作が実質的に禁止されるため電源が投入
された直後の不安定な動作を防止させることが出来る上
に、不所望な高周波信号を発生することもなく、電気的
雑音等も発生しない。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第1図は本
発明を適用した可変電子インピーダンス装置とその応用
例を示す回路図である。 EID・・・電子インピーダンス装置、BO・・・バイ
アス回路、zin・・・入力インピーダンス、■□、・
・・基準電圧、O8・・・定電流源、Q・・・トランジ
スタ、D・・・ダイオード、3・・・電圧−電流変換器
、4・・・可変利得電流増幅器。
発明を適用した可変電子インピーダンス装置とその応用
例を示す回路図である。 EID・・・電子インピーダンス装置、BO・・・バイ
アス回路、zin・・・入力インピーダンス、■□、・
・・基準電圧、O8・・・定電流源、Q・・・トランジ
スタ、D・・・ダイオード、3・・・電圧−電流変換器
、4・・・可変利得電流増幅器。
Claims (1)
- 1、入力信号の電圧成分を検出し、これを電流信号の変
化に変換する電圧−電流変換器と、この電圧−電流変換
器の出力の変化分を検出して上記電圧−電流変換器に出
力信号を帰還するよ51CL光可変利得電流増幅器とを
夫々具備する可変電子インピーダンス装置において、電
源投入直後に可変電子インピーダンス装置の帰還動作が
実質的に不能となるように構成したことを特徴とする可
変電子インピーダンス装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56132764A JPS5834613A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 可変電子インピ−ダンス装置 |
US06/384,717 US4485350A (en) | 1981-08-26 | 1982-06-02 | Variable electronic impedance circuit |
GB08220341A GB2104325B (en) | 1981-08-26 | 1982-07-13 | A variable electronic impedance circuit |
DE19823230407 DE3230407A1 (de) | 1981-08-26 | 1982-08-16 | Elektronische schaltung mit variabler impedanz |
IT22932/82A IT1152078B (it) | 1981-08-26 | 1982-08-20 | Circuito elettronico a impedenza, variabile |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56132764A JPS5834613A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 可変電子インピ−ダンス装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5834613A true JPS5834613A (ja) | 1983-03-01 |
Family
ID=15089001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56132764A Pending JPS5834613A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 可変電子インピ−ダンス装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4485350A (ja) |
JP (1) | JPS5834613A (ja) |
DE (1) | DE3230407A1 (ja) |
GB (1) | GB2104325B (ja) |
IT (1) | IT1152078B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5836015A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-02 | Hitachi Ltd | 可変電子インピ−ダンス装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5486944A (en) * | 1989-10-30 | 1996-01-23 | Symbol Technologies, Inc. | Scanner module for symbol scanning system |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS521160A (en) * | 1975-06-23 | 1977-01-06 | Teijin Ltd | Cop sampling method |
GB1573616A (en) * | 1976-03-04 | 1980-08-28 | Nat Semiconductor Uk Ltd | Electronic impedance devices |
JPS53122348A (en) * | 1977-04-01 | 1978-10-25 | Hitachi Ltd | Amplifying circuit |
-
1981
- 1981-08-26 JP JP56132764A patent/JPS5834613A/ja active Pending
-
1982
- 1982-06-02 US US06/384,717 patent/US4485350A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-07-13 GB GB08220341A patent/GB2104325B/en not_active Expired
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- 1982-08-20 IT IT22932/82A patent/IT1152078B/it active
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