JPH0525201B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0525201B2 JPH0525201B2 JP59125394A JP12539484A JPH0525201B2 JP H0525201 B2 JPH0525201 B2 JP H0525201B2 JP 59125394 A JP59125394 A JP 59125394A JP 12539484 A JP12539484 A JP 12539484A JP H0525201 B2 JPH0525201 B2 JP H0525201B2
- Authority
- JP
- Japan
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- current
- transistor
- voltage
- collector
- circuit
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 claims description 28
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 102220060547 rs786203080 Human genes 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、トランジスタを過負荷から保護する
保護回路であつて、前記トランジスタに接続さ
れ、このトランジスタのコレクタ電流に比例する
第１信号を発生する第１手段と、前記トランジス
タに接続された第２手段であつて、この第２手段
は、このトランジスタのコレクターエミツタ電圧
が予め定められたニー電圧よりも低い場合にこの
コレクターエミツタ電圧に比例しこのコレクター
エミツタ電圧がこのニー電圧よりも高い場合に一
定値となる第２信号を発生する出力端子を有する
当該第２手段と、前記トランジスタのベースに結
合された出力端子を有する第３手段であつて、前
記第１信号および前記第２信号の合成が予め定め
られたしきい値を超える場合に前記トランジスタ
のコレクタ電流を制限する当該第３手段とを具え
るトランジスタ保護回路に関するものである。
保護回路であつて、前記トランジスタに接続さ
れ、このトランジスタのコレクタ電流に比例する
第１信号を発生する第１手段と、前記トランジス
タに接続された第２手段であつて、この第２手段
は、このトランジスタのコレクターエミツタ電圧
が予め定められたニー電圧よりも低い場合にこの
コレクターエミツタ電圧に比例しこのコレクター
エミツタ電圧がこのニー電圧よりも高い場合に一
定値となる第２信号を発生する出力端子を有する
当該第２手段と、前記トランジスタのベースに結
合された出力端子を有する第３手段であつて、前
記第１信号および前記第２信号の合成が予め定め
られたしきい値を超える場合に前記トランジスタ
のコレクタ電流を制限する当該第３手段とを具え
るトランジスタ保護回路に関するものである。
このような保護回路は、例えばオーデイオ装置
のための集積電力増幅器に用いることができる。
このような電力増幅器の出力トランジスタは、ト
ランジスタが過負荷により損傷するのを防止する
ために安全動作領域定格〔Safe OperatingArea
Rating（SOAR）〕内で動作されなければならな
い。
のための集積電力増幅器に用いることができる。
このような電力増幅器の出力トランジスタは、ト
ランジスタが過負荷により損傷するのを防止する
ために安全動作領域定格〔Safe OperatingArea
Rating（SOAR）〕内で動作されなければならな
い。
このような保護回路は、例えば、フイリツプ
ス・データハンドブツク「集積回路」（1983年１
月）に記載されている集積オーデイオ増幅器
TDA１５２０に用いられている。このデータハ
ンドブツクに記載されている保護回路において、
第１手段は、トランジスタのコレクタまたはエミ
ツタのリード線に含まれる第１抵抗を具えてい
る。第１信号は、この抵抗の両端間の電圧から取
り出され、したがつてトランジスタＴを流れる電
流に比例している。第２手段は、第２および第３
抵抗により形成され且つトランジスタのコレクタ
とエミツタとの間に設けられた分圧器を具えてい
る。第２信号は、第２抵抗の両端間の電圧から取
り出され、したがつてトランジスタのコレクター
エミツタ電圧に比例している。一定のコレクター
エミツタ電圧すなわちニー電圧（特性曲線上の屈
曲点電圧）と称されている電圧より大きい場合、
第２抵抗の両端間の電圧は、第２抵抗に並列に設
けられたツエナーダイオードによつて制限される
ので、第２信号はニー電圧より大きいコレクター
エミツタ電圧領域で一定値を有している。
ス・データハンドブツク「集積回路」（1983年１
月）に記載されている集積オーデイオ増幅器
TDA１５２０に用いられている。このデータハ
ンドブツクに記載されている保護回路において、
第１手段は、トランジスタのコレクタまたはエミ
ツタのリード線に含まれる第１抵抗を具えてい
る。第１信号は、この抵抗の両端間の電圧から取
り出され、したがつてトランジスタＴを流れる電
流に比例している。第２手段は、第２および第３
抵抗により形成され且つトランジスタのコレクタ
とエミツタとの間に設けられた分圧器を具えてい
る。第２信号は、第２抵抗の両端間の電圧から取
り出され、したがつてトランジスタのコレクター
エミツタ電圧に比例している。一定のコレクター
エミツタ電圧すなわちニー電圧（特性曲線上の屈
曲点電圧）と称されている電圧より大きい場合、
第２抵抗の両端間の電圧は、第２抵抗に並列に設
けられたツエナーダイオードによつて制限される
ので、第２信号はニー電圧より大きいコレクター
エミツタ電圧領域で一定値を有している。
第１および第２信号は加算され、その和信号は
しきい値と比較される。和信号がしきい値よりも
大きくなると、トランジスタが導通し、これによ
り出力トランジスタからベース電流を分流して、
出力トランジスタを流れる電流を制限している。
しきい値と比較される。和信号がしきい値よりも
大きくなると、トランジスタが導通し、これによ
り出力トランジスタからベース電流を分流して、
出力トランジスタを流れる電流を制限している。
保護回路が動作すると、第１および第２信号の
和が、しきい値に等しくなるように制御されると
いう事実から、出力トランジスタを流れる電流の
制限値は、しきい値に比例する一定電流とトラン
ジスタのコレクターエミツタ電圧に比例する可変
電流との間の差に等しいことがわかる。
和が、しきい値に等しくなるように制御されると
いう事実から、出力トランジスタを流れる電流の
制限値は、しきい値に比例する一定電流とトラン
ジスタのコレクターエミツタ電圧に比例する可変
電流との間の差に等しいことがわかる。
非常に小さいコレクターエミツタ電圧では、第
２信号は無視できるほど小さい。この場合、コレ
クタ電流に比例する第１信号がしきい値よりも大
きくなると、保護回路が動作する。このことは、
出力トランジスタを流れる最大電流がしきい値に
比例することを意味している。
２信号は無視できるほど小さい。この場合、コレ
クタ電流に比例する第１信号がしきい値よりも大
きくなると、保護回路が動作する。このことは、
出力トランジスタを流れる最大電流がしきい値に
比例することを意味している。
第２抵抗の両端間の電圧はツエナーダイオード
によつて制限されるので、コレクターエミツタ電
圧がニー電圧より大きい場合に、小さい残留電流
が出力トランジスタを流れ続ける。この残留電流
は、負荷例えば拡声器がコンデンサを経て出力ト
ランジスタの出力端子に結合されているので、保
護回路が電源電圧の供給時に正確に動作できるよ
うにするために必要である。スイツチオンのと
き、このコンデンサを充電するためにある電流が
必要とされる。残留電流は、また、大きい電圧揺
動の場合に、出力信号の歪みを防止するために必
要とされる。この残留電流は、しきい値に比例す
るトランジスタを流れる最大電流とニー電流に比
例する一定電流との間の差に等しい。
によつて制限されるので、コレクターエミツタ電
圧がニー電圧より大きい場合に、小さい残留電流
が出力トランジスタを流れ続ける。この残留電流
は、負荷例えば拡声器がコンデンサを経て出力ト
ランジスタの出力端子に結合されているので、保
護回路が電源電圧の供給時に正確に動作できるよ
うにするために必要である。スイツチオンのと
き、このコンデンサを充電するためにある電流が
必要とされる。残留電流は、また、大きい電圧揺
動の場合に、出力信号の歪みを防止するために必
要とされる。この残留電流は、しきい値に比例す
るトランジスタを流れる最大電流とニー電流に比
例する一定電流との間の差に等しい。
残留電流は、出力トランジスタを流れる最大電
流よりも非常に小さい、例えば1/20である。した
がつて、残留電流は、残留電流よりもそれぞれ十
分大きい、本実施例ではそれぞれ例えば20倍およ
び19倍大きい２つの電流間の差によつて形成され
ている。その結果、残留電は、これら電流の変化
にかなり依存することとなる。これら電流の一方
における例えば５％の変化は、残留電流に100％
の変化を生じさせる。正確には、コレクターエミ
ツタ電圧が高くなるニー電圧より大きい領域で
は、過度の残留電流が、出力トランジスタに容易
に損傷を生じさせる。残留電流が非常に小さい
と、電圧揺動が大きい場合に出力信号は歪み、あ
るいは保護回路が電源電圧の供給時に適切な動作
を確立することができないという結果を生じる。
流よりも非常に小さい、例えば1/20である。した
がつて、残留電流は、残留電流よりもそれぞれ十
分大きい、本実施例ではそれぞれ例えば20倍およ
び19倍大きい２つの電流間の差によつて形成され
ている。その結果、残留電は、これら電流の変化
にかなり依存することとなる。これら電流の一方
における例えば５％の変化は、残留電流に100％
の変化を生じさせる。正確には、コレクターエミ
ツタ電圧が高くなるニー電圧より大きい領域で
は、過度の残留電流が、出力トランジスタに容易
に損傷を生じさせる。残留電流が非常に小さい
と、電圧揺動が大きい場合に出力信号は歪み、あ
るいは保護回路が電源電圧の供給時に適切な動作
を確立することができないという結果を生じる。
したがつて、本発明の目的は、高いコレクター
エミツタ電圧において改善された保護が得られる
保護回路を提供することにある。
エミツタ電圧において改善された保護が得られる
保護回路を提供することにある。
本発明は、トランジスタを過負荷から保護する
保護回路であつて、前記トランジスタに接続さ
れ、このトランジスタのコレクタ電流に比例する
第１信号を発生する第１手段と、前記トランジス
タに接続された第２手段であつて、この第２手段
は、このトランジスタのコレクターエミツタ電圧
が予め定められたニー電圧よりも低い場合にこの
コレクターエミツタ電圧に比例しこのコレクター
エミツタ電圧がこのニー電圧よりも高い場合に一
定値となる第２信号を発生する出力端子を有する
当該第２手段と、前記トランジスタのベースに結
合された出力端子を有する第３手段であつて、前
記第１信号および前記第２信号の合成が予め定め
られたしきい値を超える場合に前記トランジスタ
のコレクタ電流を制限する当該第３手段とを具え
るトランジスタ保護回路において、前記第２手段
は、前記コレクターエミツタ電圧を前記ニー電圧
と比較してこれらコレクターエミツタ電圧および
ニー電圧間の差に比例する中間信号を生じる手段
と、前記コレクターエミツタ電圧が前記ニー電圧
よりも低い場合に前記中間信号を前記第２手段の
出力端子に供給し、前記コレクターエミツタ電圧
が前記ニー電圧よりも高い場合に前記第２段の出
力端子への前記中間信号の供給を阻止する手段と
を有し、前記第３手段は、前記第１信号および前
記第２信号間の差に応答して差信号を発生する手
段と、の差信号をしきい値信号と比較する手段
と、この差信号がしきい値信号を超える場合に前
記トランジスタのコレクタ電流を制限する制限信
号を前記第３手段の出力端子に生ぜしめる手段と
を有していることを特徴とする。
保護回路であつて、前記トランジスタに接続さ
れ、このトランジスタのコレクタ電流に比例する
第１信号を発生する第１手段と、前記トランジス
タに接続された第２手段であつて、この第２手段
は、このトランジスタのコレクターエミツタ電圧
が予め定められたニー電圧よりも低い場合にこの
コレクターエミツタ電圧に比例しこのコレクター
エミツタ電圧がこのニー電圧よりも高い場合に一
定値となる第２信号を発生する出力端子を有する
当該第２手段と、前記トランジスタのベースに結
合された出力端子を有する第３手段であつて、前
記第１信号および前記第２信号の合成が予め定め
られたしきい値を超える場合に前記トランジスタ
のコレクタ電流を制限する当該第３手段とを具え
るトランジスタ保護回路において、前記第２手段
は、前記コレクターエミツタ電圧を前記ニー電圧
と比較してこれらコレクターエミツタ電圧および
ニー電圧間の差に比例する中間信号を生じる手段
と、前記コレクターエミツタ電圧が前記ニー電圧
よりも低い場合に前記中間信号を前記第２手段の
出力端子に供給し、前記コレクターエミツタ電圧
が前記ニー電圧よりも高い場合に前記第２段の出
力端子への前記中間信号の供給を阻止する手段と
を有し、前記第３手段は、前記第１信号および前
記第２信号間の差に応答して差信号を発生する手
段と、の差信号をしきい値信号と比較する手段
と、この差信号がしきい値信号を超える場合に前
記トランジスタのコレクタ電流を制限する制限信
号を前記第３手段の出力端子に生ぜしめる手段と
を有していることを特徴とする。
本発明は、保護回路が動作するときに、出力ト
ランジスタを流れる電流を、一定電流とコレクタ
ーエミツタ電圧に依存する可変電流との間の差に
等しくなるように制御する必要はなく、一定電流
とコレクタ−エミツタ電圧に依存する可変電流と
の和に等しくし得る（これは、ニー電圧以上では
可変電流が０に等しくなるということが必要条件
である）という認識に基づいてなしたものであ
る。したがつて、出力トランジスタを流れる残留
電流は、変化依存度がかなり小さい一定電流に等
しくなる。これは、本発明による手段を用いるこ
とによつて実現される。第２信号は、ニー電圧よ
り大きいコレクターエミツタ電圧領域で０に等し
い。保護回路が、ニー電圧より大きいコレクター
エミツタ電圧で動作するとき、第１信号がしきい
値に等しくなつて、残留電流がしきい値に比例す
るように制御される。
ランジスタを流れる電流を、一定電流とコレクタ
ーエミツタ電圧に依存する可変電流との間の差に
等しくなるように制御する必要はなく、一定電流
とコレクタ−エミツタ電圧に依存する可変電流と
の和に等しくし得る（これは、ニー電圧以上では
可変電流が０に等しくなるということが必要条件
である）という認識に基づいてなしたものであ
る。したがつて、出力トランジスタを流れる残留
電流は、変化依存度がかなり小さい一定電流に等
しくなる。これは、本発明による手段を用いるこ
とによつて実現される。第２信号は、ニー電圧よ
り大きいコレクターエミツタ電圧領域で０に等し
い。保護回路が、ニー電圧より大きいコレクター
エミツタ電圧で動作するとき、第１信号がしきい
値に等しくなつて、残留電流がしきい値に比例す
るように制御される。
このようなトランジスタ保護回路は、さらに、
前記第１手段が、前記トランジスタのコレクタあ
るいはエミツタのリード線に含まれる第１抵抗
と、この第１抵抗の両端間の電圧をこの電圧に比
例する電流に変換する第１電圧−電流変換器とを
具え、前記第２手段が、前記コレクターエミツタ
電圧と前記ニー電圧との間の差をこの差に比例す
る電流に変換する第２電圧−電流変換器を具え、
前記第３手段が、前記第１電圧−電流変換器の出
旅電流と前記第２電圧−電流変換器の出力電流と
の間の差が電流源によつて供給されるしきい値電
流に等しくなるように前記トランジスタを流れる
電流を制限する制御増幅器を具えることを特徴と
するものである。
前記第１手段が、前記トランジスタのコレクタあ
るいはエミツタのリード線に含まれる第１抵抗
と、この第１抵抗の両端間の電圧をこの電圧に比
例する電流に変換する第１電圧−電流変換器とを
具え、前記第２手段が、前記コレクターエミツタ
電圧と前記ニー電圧との間の差をこの差に比例す
る電流に変換する第２電圧−電流変換器を具え、
前記第３手段が、前記第１電圧−電流変換器の出
旅電流と前記第２電圧−電流変換器の出力電流と
の間の差が電流源によつて供給されるしきい値電
流に等しくなるように前記トランジスタを流れる
電流を制限する制御増幅器を具えることを特徴と
するものである。
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第１図は、本発明トランジスタ保護回路の一実
施例の基本的回路を示している。保護すべき出力
トランジスタT1のコレクタは、負荷インピーダ
ンス４がコンデンサ３を経て結合される保護回路
の出力端子２に接続されている。トランジスタ
T1のエミツタは、抵抗R1を経て、負電源端子５
の場合には大地に接続されている。抵抗R1は、
例えば0.03Ωの非常に小さい抵抗値を有してお
り、このような抵抗値は、トランジスタT1のエ
ミツタと負電源端子５との間のワイヤ接続によつ
て構成することができる。トランジスタT1は、
極端に高い電圧と組合わされるあるいは組合わせ
れない極端に大きい電流による過負荷によつてこ
のトランジスタT1が損傷するのを防止するため
に、いわゆるSOAR内で動作しなければならな
い。SOAR範囲内での動作を確保するためには、
回路を保護しなければならない。このためには、
トランジスタT1のエミツタ電流IEを抵抗R1によ
つて電圧に変換する。この電圧は、電圧−電流変
換器６の非反転入力端子７に供給される。電圧−
電流変換器６の反転入力端子８は、大地に接続さ
れている。したがつて、電圧−電流変換器６の出
力電流I1は、I1＝aIEとなり、ここに、ａはＶ／Ｉ
変換器６の相互コンダンクタンスおよび抵抗R1
の抵抗値によつて決定される定数である。
施例の基本的回路を示している。保護すべき出力
トランジスタT1のコレクタは、負荷インピーダ
ンス４がコンデンサ３を経て結合される保護回路
の出力端子２に接続されている。トランジスタ
T1のエミツタは、抵抗R1を経て、負電源端子５
の場合には大地に接続されている。抵抗R1は、
例えば0.03Ωの非常に小さい抵抗値を有してお
り、このような抵抗値は、トランジスタT1のエ
ミツタと負電源端子５との間のワイヤ接続によつ
て構成することができる。トランジスタT1は、
極端に高い電圧と組合わされるあるいは組合わせ
れない極端に大きい電流による過負荷によつてこ
のトランジスタT1が損傷するのを防止するため
に、いわゆるSOAR内で動作しなければならな
い。SOAR範囲内での動作を確保するためには、
回路を保護しなければならない。このためには、
トランジスタT1のエミツタ電流IEを抵抗R1によ
つて電圧に変換する。この電圧は、電圧−電流変
換器６の非反転入力端子７に供給される。電圧−
電流変換器６の反転入力端子８は、大地に接続さ
れている。したがつて、電圧−電流変換器６の出
力電流I1は、I1＝aIEとなり、ここに、ａはＶ／Ｉ
変換器６の相互コンダンクタンスおよび抵抗R1
の抵抗値によつて決定される定数である。
トランジスタT1のコレクタ−エミツタ電圧VCE
は電圧−電流変換器９の反転入力端子１０に供給
される。Ｖ／Ｉ変換器９の非反転入力端子１１に
は、定電圧VKNいわゆるニー電圧が供給される。
したがつて、Ｖ／Ｉ変換器９の出力電流I2は、I2
＝ｂ（VKN−VCE）に等しくなる。ここに、ｂは
Ｖ／Ｉ変換器９の相互コンダクタンスによつて決
定される定数である。出力電流I2が反転する瞬
間、すなわちコレクターエミツタ電圧VCEがニー
電圧VKNよりも大きくなる瞬間に遮断されるダイ
オード１２が、Ｖ／Ｉ変換器９の出力リード線中
に設けられている。したがつて、Ｖ／Ｉ変換器９
は、ニー電圧VKNよりも大きいコレクターエミツ
タ電圧VCEに対して、出力電流を発生しない。
は電圧−電流変換器９の反転入力端子１０に供給
される。Ｖ／Ｉ変換器９の非反転入力端子１１に
は、定電圧VKNいわゆるニー電圧が供給される。
したがつて、Ｖ／Ｉ変換器９の出力電流I2は、I2
＝ｂ（VKN−VCE）に等しくなる。ここに、ｂは
Ｖ／Ｉ変換器９の相互コンダクタンスによつて決
定される定数である。出力電流I2が反転する瞬
間、すなわちコレクターエミツタ電圧VCEがニー
電圧VKNよりも大きくなる瞬間に遮断されるダイ
オード１２が、Ｖ／Ｉ変換器９の出力リード線中
に設けられている。したがつて、Ｖ／Ｉ変換器９
は、ニー電圧VKNよりも大きいコレクターエミツ
タ電圧VCEに対して、出力電流を発生しない。
Ｖ／Ｉ変換器６および９の出力リード線は、共
通点１３に接続されており、この共通点は、電流
IDを供給する電流源１４に結合され、さらにダイ
オード１５を経て、制御増幅器１６の反転入力端
子１７に接続されている。制御増幅器１６の非反
転入力端子１８には、出力トランジスタT1の駆
動信号が供給される。増幅器１６の出力端子は、
出力トランジスタT1のベースに結合されている。
Ｖ／Ｉ変換器９の出力電流I2の方向は、Ｖ／Ｉ変
換器６からの電流I1の方向とは反対である。した
がつて、これら出力電流の間の差電流IM＝I1−I2
が、共通点１３に得られる。この電流IMは、電流
源１４によつて供給される電流IDと比較される。
電流IMが電流IDより小さいならば、保護回路は動
作しない。この場合、電流IMとIDとの間の差電流
は、保護回路が動作するとすぐにスイツチオフさ
れる電流供給手段（図面を簡単にするために図示
していない）によつて供給される。電流IMが電流
IDよりも大きくなると、保護回路は動作する。こ
の場合、これら電流間の差電流は、制御増幅器１
６の反転入力端子１７を経て流れる。この制御増
幅器１６は、電流IMが電流IDと等しくなるように
出力トランジスタT1を制御する。この場合、 VCE＜VKNに対して ID＝aIE−ｂ（VKN−VCE） （1a） となり、 VCEVKNに対して ID＝aIE （1b） となる。このことから、コレクタ−エミツタ電圧
VCEの関数としての電流IEは、 VCE＜VKNに対して IE＝ID／ａ＋ｂ／ａ（VKN−VCE） （2a） となり、 VCEVKNに対して IE＝ID／ａ （2b） となる。
通点１３に接続されており、この共通点は、電流
IDを供給する電流源１４に結合され、さらにダイ
オード１５を経て、制御増幅器１６の反転入力端
子１７に接続されている。制御増幅器１６の非反
転入力端子１８には、出力トランジスタT1の駆
動信号が供給される。増幅器１６の出力端子は、
出力トランジスタT1のベースに結合されている。
Ｖ／Ｉ変換器９の出力電流I2の方向は、Ｖ／Ｉ変
換器６からの電流I1の方向とは反対である。した
がつて、これら出力電流の間の差電流IM＝I1−I2
が、共通点１３に得られる。この電流IMは、電流
源１４によつて供給される電流IDと比較される。
電流IMが電流IDより小さいならば、保護回路は動
作しない。この場合、電流IMとIDとの間の差電流
は、保護回路が動作するとすぐにスイツチオフさ
れる電流供給手段（図面を簡単にするために図示
していない）によつて供給される。電流IMが電流
IDよりも大きくなると、保護回路は動作する。こ
の場合、これら電流間の差電流は、制御増幅器１
６の反転入力端子１７を経て流れる。この制御増
幅器１６は、電流IMが電流IDと等しくなるように
出力トランジスタT1を制御する。この場合、 VCE＜VKNに対して ID＝aIE−ｂ（VKN−VCE） （1a） となり、 VCEVKNに対して ID＝aIE （1b） となる。このことから、コレクタ−エミツタ電圧
VCEの関数としての電流IEは、 VCE＜VKNに対して IE＝ID／ａ＋ｂ／ａ（VKN−VCE） （2a） となり、 VCEVKNに対して IE＝ID／ａ （2b） となる。
第２図は、式2aおよび2bによつて決定される
IE／VCE特性を示している。非常に小さいVCEに対
して、電流IEは最大電流 IEmax＝ID／ａ＋ｂ／ａVKN に制限される。電流IEの制限値は、VCEが増加す
るにつれて直線状に減少する。ニー電圧VNKを超
えると、式2bによつて定められる小さい残留電
流が、トランジスタT1を流れ続ける。この残留
電流は、電源がスイツチオンされる際の零入力設
定に必要な電流を供給できるようにする。このた
めには、電源電圧がスイツチオンしたときに、小
さい電流が流れて、コンデンサ３（第１図参照）
を充電することが特に必要である。また、大電圧
揺動の場合に、トランジスタT1が無電流になる
という事実によつて生じる歪みを防止するため
に、小さい残留電流が流れなければならない。残
留電流は、従来の保護回路のように２つの比較的
大きい電流の間の差によつて形成されず、しきい
値電流IDによつて直接に決定される。したがつ
て、残留電流の大きさは変化依存度がかなり小さ
く、その結果出力トランジスタT1が高いコレク
タ−エミツタ電圧での過負荷によつて損傷を受け
るという可能性がかなり減少する。
IE／VCE特性を示している。非常に小さいVCEに対
して、電流IEは最大電流 IEmax＝ID／ａ＋ｂ／ａVKN に制限される。電流IEの制限値は、VCEが増加す
るにつれて直線状に減少する。ニー電圧VNKを超
えると、式2bによつて定められる小さい残留電
流が、トランジスタT1を流れ続ける。この残留
電流は、電源がスイツチオンされる際の零入力設
定に必要な電流を供給できるようにする。このた
めには、電源電圧がスイツチオンしたときに、小
さい電流が流れて、コンデンサ３（第１図参照）
を充電することが特に必要である。また、大電圧
揺動の場合に、トランジスタT1が無電流になる
という事実によつて生じる歪みを防止するため
に、小さい残留電流が流れなければならない。残
留電流は、従来の保護回路のように２つの比較的
大きい電流の間の差によつて形成されず、しきい
値電流IDによつて直接に決定される。したがつ
て、残留電流の大きさは変化依存度がかなり小さ
く、その結果出力トランジスタT1が高いコレク
タ−エミツタ電圧での過負荷によつて損傷を受け
るという可能性がかなり減少する。
次に、特定の保護回路を、第３図に基づいてよ
り詳細に説明する。ここに、T1は保護すべきト
ランジスタであり、そのコレクタは出力端子２に
接続され、そのエミツタは抵抗R1を経て接地さ
れている。抵抗R1は、第１電圧−電流変換器を
形成する電流ミラー回路の一部を形成している。
電流ミラー回路は、電流源２０とダイオード接続
トランジスタT2とトランジスタT3と抵抗R1とを
含む第１電流路と、トランジスタT4，T5と抵抗
R2とを含む第２電流路とを具えている。トラン
ジスタT2およびT4は共通ベースを有し、トラン
ジスタT3のベースはトランジスタT5のコレクタ
に接続され、トランジスタT5のベースはトラン
ジスタT3のコレクタに接続されている。トラン
ジスタT4のコレクタ電流はトランジスタT5のコ
レクタ電流にほぼ等しく、トランジスタT2のコ
レクタ電流はトランジスタT3のコレクタ電流に
ほぼ等しいので、トランジスタT3のベース−エ
ミツタ電圧とトランジスタT4のベース−エミツ
タ電圧との和は、トランジスタT2のベース−エ
ミツタ電圧とトランジスタT5のベース−エミツ
タ電圧との和に等しい。したがつて、トランジス
タT4のコレクタ電流は、抵抗R1の両端間電圧と
抵抗R2の両端間電圧とがほぼ等しくなるような
電流である。電流源２０による設定直流電流成分
を無視し、およびトランジスタT9のコレクタ電
流を無視すると、トランジスタT1のエミツタ電
流IEに応じて、 R1／R2・IE に等しい電流がトランジスタT4のコレクタ回路
に流れる。前記直流電流成分は、電流源２５によ
つて供給される電流中の同様に大きい直流成分に
よつて補償されるが、保護回路の動作には関与せ
ず、したがつて後述する計算からは省略されてい
る。
り詳細に説明する。ここに、T1は保護すべきト
ランジスタであり、そのコレクタは出力端子２に
接続され、そのエミツタは抵抗R1を経て接地さ
れている。抵抗R1は、第１電圧−電流変換器を
形成する電流ミラー回路の一部を形成している。
電流ミラー回路は、電流源２０とダイオード接続
トランジスタT2とトランジスタT3と抵抗R1とを
含む第１電流路と、トランジスタT4，T5と抵抗
R2とを含む第２電流路とを具えている。トラン
ジスタT2およびT4は共通ベースを有し、トラン
ジスタT3のベースはトランジスタT5のコレクタ
に接続され、トランジスタT5のベースはトラン
ジスタT3のコレクタに接続されている。トラン
ジスタT4のコレクタ電流はトランジスタT5のコ
レクタ電流にほぼ等しく、トランジスタT2のコ
レクタ電流はトランジスタT3のコレクタ電流に
ほぼ等しいので、トランジスタT3のベース−エ
ミツタ電圧とトランジスタT4のベース−エミツ
タ電圧との和は、トランジスタT2のベース−エ
ミツタ電圧とトランジスタT5のベース−エミツ
タ電圧との和に等しい。したがつて、トランジス
タT4のコレクタ電流は、抵抗R1の両端間電圧と
抵抗R2の両端間電圧とがほぼ等しくなるような
電流である。電流源２０による設定直流電流成分
を無視し、およびトランジスタT9のコレクタ電
流を無視すると、トランジスタT1のエミツタ電
流IEに応じて、 R1／R2・IE に等しい電流がトランジスタT4のコレクタ回路
に流れる。前記直流電流成分は、電流源２５によ
つて供給される電流中の同様に大きい直流成分に
よつて補償されるが、保護回路の動作には関与せ
ず、したがつて後述する計算からは省略されてい
る。
トランジスタT1のコレクタは、抵抗R3および
ダイオード２１を経て、トランジスタT7，T8お
よびT9によつて形成される電流ミラー回路の入
力端子に結合されている。さらに、電流kIDを供
給する電流源２２が、電流ミラーの入力端子に結
合されている。トランジスタT7，T8の共通エミ
ツタは、トランジスタT10のエミツタに接続され
ており、トランジスタT10のベースには基準電圧
VZが供給される。電流ミラー回路T7，T8，T9の
出力電流は、抵抗R2に供給される。
ダイオード２１を経て、トランジスタT7，T8お
よびT9によつて形成される電流ミラー回路の入
力端子に結合されている。さらに、電流kIDを供
給する電流源２２が、電流ミラーの入力端子に結
合されている。トランジスタT7，T8の共通エミ
ツタは、トランジスタT10のエミツタに接続され
ており、トランジスタT10のベースには基準電圧
VZが供給される。電流ミラー回路T7，T8，T9の
出力電流は、抵抗R2に供給される。
ダイオード２１のカソードの電圧は、ほぼVZ
−3VBEである。ここにVBEはトランジスタT8，
T9およびT10のベース−エミツタ電圧である。し
たがつて、ダイオード２１は、VZ−2VBEより小
さい入力端子２の電圧に対して非導通となる。こ
のような場合、電流ミラー回路T7，T8，T9から
抵抗R2に供給される電流は、電流源２２によつ
て供給される電流kIDに正確に等くなる。したが
つて、トランジスタT4の全コレクタ電流IMは、 IM＝R1／R2・IE＋kID に等しくなる。この電流は、初めに、トラジスタ
T11およびT12を具える電流ミラー回路によつて
再生され、その後に電流源２５によつて供給され
る電流IDと比較される。電流源２５は、本実施例
では、ダイオード２６を経て制御増幅器２７にさ
らに結合されている。電流IMが電流IDよりも大き
くなると、保護回路が動作し、制御増幅器２７は
電流IMが電流IDに等しくなるように出力トランジ
スタT1を流れる電流IEを制御する。これにより電
流IEは最大値 IEmax＝R2／R1（１＋ｋ）ID に制限される。
−3VBEである。ここにVBEはトランジスタT8，
T9およびT10のベース−エミツタ電圧である。し
たがつて、ダイオード２１は、VZ−2VBEより小
さい入力端子２の電圧に対して非導通となる。こ
のような場合、電流ミラー回路T7，T8，T9から
抵抗R2に供給される電流は、電流源２２によつ
て供給される電流kIDに正確に等くなる。したが
つて、トランジスタT4の全コレクタ電流IMは、 IM＝R1／R2・IE＋kID に等しくなる。この電流は、初めに、トラジスタ
T11およびT12を具える電流ミラー回路によつて
再生され、その後に電流源２５によつて供給され
る電流IDと比較される。電流源２５は、本実施例
では、ダイオード２６を経て制御増幅器２７にさ
らに結合されている。電流IMが電流IDよりも大き
くなると、保護回路が動作し、制御増幅器２７は
電流IMが電流IDに等しくなるように出力トランジ
スタT1を流れる電流IEを制御する。これにより電
流IEは最大値 IEmax＝R2／R1（１＋ｋ）ID に制限される。
VZ−2VBEより大きい出力端子２の電圧に対し
て、ダイオード２１が導通し始め、トランジスタ
T1のコレクタ−エミツタ電圧VCEが増加すると、
電流kIDの一部が抵抗R3を経て流れる。その結
果、エミツタ電流IEの制限値は、コレクターエミ
ツタ電圧VCEが増加するに従つて直線的に減少す
る。
て、ダイオード２１が導通し始め、トランジスタ
T1のコレクタ−エミツタ電圧VCEが増加すると、
電流kIDの一部が抵抗R3を経て流れる。その結
果、エミツタ電流IEの制限値は、コレクターエミ
ツタ電圧VCEが増加するに従つて直線的に減少す
る。
出力端子２の電圧がニー電圧VKN＝VZ−2VBE＋
kIDR3の値に達すると、電流源２２によつて供給
される電流kIDの全部が抵抗R3を経て流れ、電流
ミラー回路T7，T8，T9は無電流になる。このと
き、電流IMは、 IM＝R1／R2・IE に等しくなり、その結果、電流IEは、 IE＝R1／R2・ID に等しい残留値に制限される。
kIDR3の値に達すると、電流源２２によつて供給
される電流kIDの全部が抵抗R3を経て流れ、電流
ミラー回路T7，T8，T9は無電流になる。このと
き、電流IMは、 IM＝R1／R2・IE に等しくなり、その結果、電流IEは、 IE＝R1／R2・ID に等しい残留値に制限される。
以上の説明の理解を助けるために、第４図に
は、関連するIE−VCE特性を特性値と共に示して
いる。
は、関連するIE−VCE特性を特性値と共に示して
いる。
第５図は、本発明保護回路を具える増幅器回路
を示す。この増幅器は、電圧−電流変換器の特性
を示す初段３０を具え、１対のトランジスタT15
およびT16を具えている。これらトランジスタ
は、差動増幅器として接続され、これらトランジ
スタのベース電極は、反転入力端子および非反転
入力端子を構成している。トランジスタT15およ
びT16のエミツタは、電流源３１を経て正の電源
端子３２に接続されている。トランジスタT15，
T16のコレクタは、トランジスタT17，T18，T19、
抵抗３３，３４および電流源３５を具える電流ミ
ラー回路を経て初段３０の出力端子３６に接続さ
れている。出力端子３６は、同時に、電流−電圧
変換器の特性を有するミラー段４０の入力端子３
６を形成している。入力端子３６は、さらに、補
償コンデンサ４６を経て、出力端子２に接続され
ている。このミラー段４０は、エミツタ抵抗４２
を有する制御トランジスタT20を具えている。こ
の制御トランジスタは、トランジスタT21および
電流源４１によつて形成されるエミツタホロワ構
造によつて駆動される。制御トランジスタT20の
コレクタは、ダイオード４２，４３，４４と電流
源４５とを経て正の電流端子３２に接続されてい
る。この出力段は、NPN出力トランジスタT1お
よびT25を有する準相補出力段として構成されて
いる。NPN出力トランジスタT1およびT25は、
それぞれ、NPNトランジスタT26およびT27とダ
ーリントントランジスタを形成している。準相補
動作は、第５図に示すように、PNPトランジス
タT28およびT29を付加することによつて得られ
る。出力トランジスタT1は、第３図の保護回路
と完全に同一の回路５０によつて保護される。こ
の回路５０において、第３図の保護回路の要素と
同一の要素には同じ番号を付して示している。
を示す。この増幅器は、電圧−電流変換器の特性
を示す初段３０を具え、１対のトランジスタT15
およびT16を具えている。これらトランジスタ
は、差動増幅器として接続され、これらトランジ
スタのベース電極は、反転入力端子および非反転
入力端子を構成している。トランジスタT15およ
びT16のエミツタは、電流源３１を経て正の電源
端子３２に接続されている。トランジスタT15，
T16のコレクタは、トランジスタT17，T18，T19、
抵抗３３，３４および電流源３５を具える電流ミ
ラー回路を経て初段３０の出力端子３６に接続さ
れている。出力端子３６は、同時に、電流−電圧
変換器の特性を有するミラー段４０の入力端子３
６を形成している。入力端子３６は、さらに、補
償コンデンサ４６を経て、出力端子２に接続され
ている。このミラー段４０は、エミツタ抵抗４２
を有する制御トランジスタT20を具えている。こ
の制御トランジスタは、トランジスタT21および
電流源４１によつて形成されるエミツタホロワ構
造によつて駆動される。制御トランジスタT20の
コレクタは、ダイオード４２，４３，４４と電流
源４５とを経て正の電流端子３２に接続されてい
る。この出力段は、NPN出力トランジスタT1お
よびT25を有する準相補出力段として構成されて
いる。NPN出力トランジスタT1およびT25は、
それぞれ、NPNトランジスタT26およびT27とダ
ーリントントランジスタを形成している。準相補
動作は、第５図に示すように、PNPトランジス
タT28およびT29を付加することによつて得られ
る。出力トランジスタT1は、第３図の保護回路
と完全に同一の回路５０によつて保護される。こ
の回路５０において、第３図の保護回路の要素と
同一の要素には同じ番号を付して示している。
電流源２５によつて供給される電流IDと比較さ
れる前に、電流IMが、トランジスタT30，T31お
よび抵抗５１，５２を具える電流ミラー回路によ
つて再生される。電流IMとIDとの間の差電流は、
抵抗５３とコンデンサ５４との直列回路に供給さ
れる。この直列回路の両端間の電圧は、エミツタ
ホロワとして接続されるトランジスタT32を経て
抵抗５５に供給される。トランジスタT1を駆動
するためには、トランジスタT32のエミツタ電流
は、制御段の入力端子３６へ供給される前に反転
させなければならない。これは、電流ミラー回路
T17，T18，T19の入力端子に抵抗５５を接続し、
この電流ミラー回路が、入力端子３６にトランジ
スタT32のエミツタ電が供給される前に、このエ
ミツタ電流を反転させることによつて達成され
る。
れる前に、電流IMが、トランジスタT30，T31お
よび抵抗５１，５２を具える電流ミラー回路によ
つて再生される。電流IMとIDとの間の差電流は、
抵抗５３とコンデンサ５４との直列回路に供給さ
れる。この直列回路の両端間の電圧は、エミツタ
ホロワとして接続されるトランジスタT32を経て
抵抗５５に供給される。トランジスタT1を駆動
するためには、トランジスタT32のエミツタ電流
は、制御段の入力端子３６へ供給される前に反転
させなければならない。これは、電流ミラー回路
T17，T18，T19の入力端子に抵抗５５を接続し、
この電流ミラー回路が、入力端子３６にトランジ
スタT32のエミツタ電が供給される前に、このエ
ミツタ電流を反転させることによつて達成され
る。
保護回路５０によつて、トランジスタT32のベ
ースは、基準電圧VRが供給される点にトランジ
スタT33によつてクランプされる。この手段の目
的は、保護回路５０を動作させる必要のないとき
に、保護回路が動作するのを防止することであ
る。この場合、電流IMは、電流源２５によつて供
給される電流IDよりも小さい。このとき、トラン
ジスタT33は電流源２５からの余分の電流によつ
て導通状態に保持される。したがつて、基準電圧
VRは、保護回路が動作しないときにトランジス
タT32が導通しないような電圧である。トランジ
スタT33は、保護回路が動作し、トランジスタ
T32が導通し始める瞬間に非導通にされる。
ースは、基準電圧VRが供給される点にトランジ
スタT33によつてクランプされる。この手段の目
的は、保護回路５０を動作させる必要のないとき
に、保護回路が動作するのを防止することであ
る。この場合、電流IMは、電流源２５によつて供
給される電流IDよりも小さい。このとき、トラン
ジスタT33は電流源２５からの余分の電流によつ
て導通状態に保持される。したがつて、基準電圧
VRは、保護回路が動作しないときにトランジス
タT32が導通しないような電圧である。トランジ
スタT33は、保護回路が動作し、トランジスタ
T32が導通し始める瞬間に非導通にされる。
出力トランジスタT25は、保護回路５０Ａによ
つて、同じように保護される。この保護回路５０
Ａは、保護回路５０とほとんど同一であり、同一
の要素には添字Ａを付した同一の番号を用いてい
る。回路５０Ａの動作モードは、電流ミラー回路
のトランジスタT2A〜T5AおよびT7A〜T10Aが反対
導電形であるという点を除いて、回路５０の動作
モードと同一である。その結果、電流IMは、トラ
ンジスタT32Aのベースに供給される前に、電流
ミラー回路によつて反転されてはならない。トラ
ンジスタT25の相補駆動のために、抵抗５５Ａ
は、制御増幅器T20，T21の入力端子３６に直接
に接続される。
つて、同じように保護される。この保護回路５０
Ａは、保護回路５０とほとんど同一であり、同一
の要素には添字Ａを付した同一の番号を用いてい
る。回路５０Ａの動作モードは、電流ミラー回路
のトランジスタT2A〜T5AおよびT7A〜T10Aが反対
導電形であるという点を除いて、回路５０の動作
モードと同一である。その結果、電流IMは、トラ
ンジスタT32Aのベースに供給される前に、電流
ミラー回路によつて反転されてはならない。トラ
ンジスタT25の相補駆動のために、抵抗５５Ａ
は、制御増幅器T20，T21の入力端子３６に直接
に接続される。
本発明は、上述した実施例に限定されるもので
はなく本発明の範囲内で所望の機能を実現するこ
とのできる多くの実施例が可能であることは明ら
かである。したがつて、当業者であれば、第１お
よび第２電圧−電流変換器および可変利得増幅器
について多くの変形例を考えることができる。
はなく本発明の範囲内で所望の機能を実現するこ
とのできる多くの実施例が可能であることは明ら
かである。したがつて、当業者であれば、第１お
よび第２電圧−電流変換器および可変利得増幅器
について多くの変形例を考えることができる。
第１図は、本発明トランジスタ保護回路の一実
施例の基本的回路を示す図、第２図は、第１図の
保護回路のエミツタ電流／コレクターエミツタ電
圧特性を示す図、第３図は、本発明による特定の
保護回路の詳細な構造を示す図、第４図は、第３
図に示された回路に関連する〔エミツタ〕電流／
コレクターエミツタ電圧特性を示す図、第５図
は、本発明保護回路を具える増幅器回路を示す図
である。 ２……トランジスタ保護回路の出力端子、３…
…コンデンサ、４……負荷インピーダンス、５…
…負電源端子、６，９……電圧−電流変換器、
７，１１，１８……非反転入力端子、８，１０，
１７……反転入力端子、１２，１５……ダイオー
ド、１３……共通点、１４……電流源、１６……
制御増幅器、３０……初段、４０……ミラー段、
５０，５０Ａ……トランジスタ保護回路。
施例の基本的回路を示す図、第２図は、第１図の
保護回路のエミツタ電流／コレクターエミツタ電
圧特性を示す図、第３図は、本発明による特定の
保護回路の詳細な構造を示す図、第４図は、第３
図に示された回路に関連する〔エミツタ〕電流／
コレクターエミツタ電圧特性を示す図、第５図
は、本発明保護回路を具える増幅器回路を示す図
である。 ２……トランジスタ保護回路の出力端子、３…
…コンデンサ、４……負荷インピーダンス、５…
…負電源端子、６，９……電圧−電流変換器、
７，１１，１８……非反転入力端子、８，１０，
１７……反転入力端子、１２，１５……ダイオー
ド、１３……共通点、１４……電流源、１６……
制御増幅器、３０……初段、４０……ミラー段、
５０，５０Ａ……トランジスタ保護回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ トランジスタを過負荷から保護する保護回路
であつて、 前記トランジスタに接続され、このトランジス
タのコレクタ電流に比例する第１信号を発生する
第１手段と、 前記トランジスタに接続された第２手段であつ
て、この第２手段は、このトランジスタのコレク
ターエミツタ電圧が予め定められたニー電圧より
も低い場合にこのコレクターエミツタ電圧に比例
しこのコレクターエミツタ電圧がこのニー電圧よ
りも高い場合に一定値となる第２信号を発生する
出力端子を有する当該第２手段と、 前記トランジスタのベースに結合された出力端
子を有する第３手段であつて、前記第１信号およ
び前記第２信号の合成が予め定められたしきい値
を超える場合に前記トランジスタのコレクタ電流
を制限する当該第３手段と を具えるトランジスタ保護回路において、 前記第２手段は、前記コレクターエミツタ電圧
を前記ニー電圧と比較してこれらコレクタ−エミ
ツタ電圧およびニー電圧間の差に比例する中間信
号を生じる手段と、前記コレクターエミツタ電圧
が前記ニー電圧よりも低い場合に前記中間信号を
前記第２手段の出力端子に供給し、前記コレクタ
ーエミツタ電圧が前記ニー電圧よりも高い場合に
前記第２手段の出力端子への前記中間信号の供給
を阻止する手段とを有し、 前記第３手段は、前記第１信号および前記第２
信号間の差に応答して差信号を発生する手段と、
この差信号をしきい値信号と比較する手段と、こ
の差信号がしきい値信号を超える場合に前記トラ
ンジスタのコレクタ電流を制限する制限信号を前
記第３手段の出力端子に生ぜしめる手段とを有し
ていることを特徴とするトランジスタ保護回路。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載のトランジスタ
保護回路において、前記第１手段が、前記トラン
ジスタのコレクタあるいはエミツタのリード線に
含まれる第１抵抗と、この第１抵抗の両端間の電
圧をこの電圧に比例する電流に変換する第１電圧
−電流変換器とを具え、前記第２手段が、前記コ
レクタ−エミツタ電圧と前記ニー電圧との間の差
をこの差に比例する電流に変換する第２電圧−電
流変換器を具え、前記第３手段が、前記第１電圧
−電流変換器の出力電流と前記第２電圧−電流変
換器の出力電流との間の差が電流源によつて供給
されるしきい値電流に等しくなるように前記トラ
ンジスタを流れる電流を制限する制御増幅器を具
えることを特徴とするトランジスタ保護回路。 ３ 特許請求の範囲第２項に記載のトランジスタ
保護回路において、前記第１電圧−電流変換器
を、少なくとも電流源、第２トランジスタおよび
前記第１抵抗の直列回路を具える入力回路と、少
なくとも第３トランジスタおよび第２抵抗の直列
回路を具える出力回路とを有する第１電流ミラー
回路によつて形成し、前記第２電圧−電流変換器
を、少なくとも電流源および第４トランジスタの
直列回路を具える入力回路と、少なくとも第５ト
ランジスタを具える出力回路とを有する第２電流
ミラー回路によつて形成し、前記第２電流ミラー
回路の入力回路および出力回路は、制御電極に基
準電圧が供給される共通の第６トラジスタを有
し、前記第２電流ミラー回路の入力回路を、さら
に、ダイオードおよび第３抵抗の直列回路を経
て、保護すべきトランジスタのコレクタあるいは
エミツタに結合し、前記第２電流ミラー回路の出
力回路を、さらに前記第１電流ミラー回路の出力
回路の前記第２抵抗に結合したことを特徴とする
トランジスタ保護回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8302197 | 1983-06-21 | ||
| NL8302197A NL8302197A (nl) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | Beveiligingsschakeling. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6014510A JPS6014510A (ja) | 1985-01-25 |
| JPH0525201B2 true JPH0525201B2 (ja) | 1993-04-12 |
Family
ID=19842040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59125394A Granted JPS6014510A (ja) | 1983-06-21 | 1984-06-20 | トランジスタ保護回路 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4599578A (ja) |
| EP (1) | EP0132863B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6014510A (ja) |
| CA (1) | CA1214524A (ja) |
| DE (1) | DE3470262D1 (ja) |
| HK (1) | HK82391A (ja) |
| NL (1) | NL8302197A (ja) |
| SG (1) | SG50490G (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1214614B (it) * | 1985-06-12 | 1990-01-18 | Ates Componenti Elettron | Dispositivo di protezione contro i cortocircuiti dello stadio finale di un amplificatore di potenza. |
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