JPS6014510A - トランジスタ保護回路 - Google Patents

トランジスタ保護回路

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JPS6014510A
JPS6014510A JP59125394A JP12539484A JPS6014510A JP S6014510 A JPS6014510 A JP S6014510A JP 59125394 A JP59125394 A JP 59125394A JP 12539484 A JP12539484 A JP 12539484A JP S6014510 A JPS6014510 A JP S6014510A
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52Circuit arrangements for protecting such amplifiers

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  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、トランジスタを過負荷から保護する保護回路
であって、前記トランジスタのコレクタ電流を表す第1
信号を、発生する第1手段と、前記トランジスタのコレ
クタ電流ミ・7タ電圧を表し、かつ、ニー電圧と称され
る一定のコレクターエミッタ電圧より大きい一定値を有
する第2信号を発生する第2手段と、前記第1信号と前
記第2信号との組合せが一定のしきい値を超えると、前
記トランジスタのコレクタ電流を制限する第3手段とを
具えるトランジスタ保護回路に関するものである。
このような保護回路は、例えばオーディオ装置のための
集積電力増幅器に用いることができる。
このような電力増幅器の出力トランジスタは、トランジ
スタが過負荷により損傷するのを防止するために安全動
作領域定格(Safe Operating Area
Rating (SOAR) 〕内で動作されなければ
ならない。
このような保護回路は、例えば、フィリップス・データ
ハンドブック[集積回路J (1983年1月)に記載
されている集積オーディオ増幅器T D A1520に
用いられている。このデータハンドブックに記載されて
いる保護回路において、第1手段は、トランジスタのコ
レクタまたはエミッタのリード線に含まれる第1抵抗を
具えている。第1信号は、この抵抗の両端間の電圧から
取り出され、したがってトランジスタTを流れる電流に
比例している。
第2手段は、第2および第3抵抗により形成され且つト
ランジスタのコレクタとエミッタとの間に設けられた分
圧器を具えている。第2信号は、第2抵抗の両端間の電
圧から取り出され、したがってトランジスタのコレクタ
ーエミッタ電圧に比例している。一定のコレクターエミ
ッタ電圧すなわちニー電圧(特性曲線上の屈曲点電圧)
と称されている電圧より大きい場合、第2抵抗の両端間
の電圧は、第2抵抗に並列に設けられたツェナーダイオ
ードによって制限されるので、第2信号はニー電圧より
大きい一定値を有している。
第1よび第2信号は加算され、その和信号はしきい値と
比較される。和信号がしきい値よりも大きくなると、ト
ランジスタが導通し、これにより出力トランジスタから
ベース電流を分流して、出力トランジスタを流れる電流
を制限している。
保護回路が動作すると、第1および第2信号の和が、し
きい値に等しくなるように制御されるという事実から、
出力トランジスタを流れる電流の制限値は、しきい値に
比例する一定電流とトランジスタのコレクターエミッタ
電圧に比例する可変電流との間の差に等しいことがわか
る。
非常に小さいコレクターエミッタ電圧では、第2信号は
無視できるほど小さい。この場合、コレクタ電流に比例
する第1信号がしきい値よりも大きくなると、保護回路
が動作する。このことは、出力トランジスタを流れる最
大電流がしきい値に比例することを意味してい°る。
第2抵抗の両端間の電圧はツェナーダイオードによって
制限されるので、コレクターエミッタ電圧がニー電圧よ
り大きい場合に、小さい残留電流が出力トランジスタを
流れ続ける。この残留電流は、負荷例えば拡声器がコン
デンサを経て出力トランジスタの出力端子に結合されて
いるので、保護回路が電源電圧の供給時に正確に動作で
きるようにするために必要である。スイッチオンのとき
、このコンデンサを充電するために一定の電流が必要と
される。残留電流は、また、大きい電圧揺動の場合に、
出力信号の歪みを防止するために必要とされる。この残
留電流は、しきい値に比例するトランジスタを流れる最
大電流とニー電圧に比例する一定電流との間の差に等し
い。
残留電流は、出力トランジスタを流れる最大電流よりも
非常に小さい、例えば1/20である。したがって、残
留電流は、残留電流よりもそれぞれ十分大きい、本実施
例ではそれぞれ例えば20倍および19倍大きい2つの
電流間の差によって形成されている。その結果、残留電
流は、これら電流の変化にかなり依存することとなる。
これら電流の一方に°おける例えば5%の変化は、残留
電流に100%の変化を生じさせる。正確には、ニー電
圧より大きい領域では、高いコレクターエミッタ電圧で
、過度の残留電流が、出力トランジスタに容易に損傷を
生じさせる。残留電流が非常に小さいと、電圧揺動が大
きい場合に出力信号は歪み、あるいは保護回路が電源電
圧の供給時に適切な動作を確立することができないとい
う結果を生じる。
したがって、本発明の目的は、高いコレクターエミッタ
電圧において改善された保護が得られる保護回路を提供
することにある。
このため、目頭に記載のトランジスタ保護回路は、前記
第2信号が前記ニー電圧と前記コレクターエミッタ電圧
との間の差を表し、前記第1信号と前記第2信号との組
合せを、前記第1信号と前記第2信号との間の差によっ
て形成するようにしたことを特徴とするものである。
本発明は、保護回路が動作するときに、出力トランジス
タを流れる電流を、一定電流とコレクターエミッタ電圧
に依存する可変電流との間の差に等しくなるように制御
する必要はなく、一定電流とコレクターエミッタ電圧に
依存する可変電流との和に等しクシ得る(これは、ニー
電圧以上では可変電流が0に等しくなるということが必
要条件である)という認識に基づいてなしたものである
したがって、出力トランジスタを流れる残留電流は、変
化依存度がかなり小さい一定電流に等しくなる。これは
、本発明による手段を用いることによって実現される。
第2信号は、ニー電圧より大きい0に等しい。保護回路
が、ニー電圧より大きいコレクターエミッタ電圧で動作
するとき、第1信号がしきい値に等しくなって、残留電
流がしきい値に比例するように制御される。
このようなトランジスタ保護回路は、さらに、前記第1
手段が、前記トランジスタのコレクタあるいはエミッタ
のリード線に含まれる第1抵抗と、この第1抵抗の両端
間の電圧をこの電圧に比例する電流に変換する第1電圧
−電流変換器とを具え、前記第2手段が、前記コレクタ
ーエミッタ電圧と前記ニー電圧との間の差をこの差に比
例する電流に変換する第2電圧−電流変換器を具え、前
記第3手段が、前記第1電圧−電流変換器の出力電流と
前記第2電圧−電流変換器の出力電流との間の差が電流
源によって供給されるしきい値電流に等しくなるように
前記トランジスタを流れる電流を制限する制御増幅器を
具えることを特徴とするものである。
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
第1図は、本発明トランジスタ保護回路の一実施例の基
本的回路を示している。保護すべき出力トランジスタT
1のコレクタは、負荷インピーダンス4がコンデンサ3
を経て結合される保護回路の出力端子2に接続されてい
る。トランジスタT、のエミッタは、抵抗R1を経て、
負電源端子5この場合には大地に接続されている。抵抗
R1は、例えば0.03Ωの非常に小さい抵抗値を有し
ており、このような抵抗値は、トランジスタT1のエミ
ッタと負電源端子5との間のワイヤ接続によって構成す
ることができる。トランジスタT1は、極端に高い電圧
を伴うあるいは伴わない極端に大きい電流による過負荷
によってか損傷するのを防止するために、いわゆる5O
AR内で動作しなければならない。
5OAR範囲内での動作を確保するためには、トランジ
スタを保護しなければならない。このためには、トラン
ジスタT1のエミッタ電流I、を抵抗R1によって電圧
に変換する。この電圧は、電圧−電流変換器6の非反転
入力端子7に供給される。
電圧−電流変換器6の反転入力端子8は、大地に接続さ
れている。したがって、電圧−電流変換器6の出力電流
1冒よ、1. =a1. となり、ここに、aはV/I
変換器6の相互コンダクタンスふよび抵抗R1の抵抗値
によって決定される定数である。
トランジスタT、のコレクターエミッタ電圧■。6は電
圧〜電流変換器9の反転入力端子1oに供給される。V
/I変換器9の非反転入力端子11には、定電圧VII
Nいわゆるニー電圧が供給される。したがって、V/I
変換器9の出力電流I2は、12=b(V*NVct)
 l:等しくなる。コl−ニ、bはV/1変換器9の相
互コンダクタンスによって決定される定数である。出力
電流I2が反転する瞬間、すなわちコレクターエミッタ
電圧V。、がニー電圧VXNよりも大きくなる瞬間に遮
断されるダイオード12が、V/I変換器9の出力リー
ド線中に設けられている。したがって、V/I変換器9
は、ニー電圧VMNよりも大きいコレクターエミッタ電
圧VCHに対して、出力電流を発生しない。
V/I変換器6および9の出力リード線は、共通点13
に接続されており、この共通点は、電流IOを供給する
電流源14に結合され、さらにダイオード15を経て、
制御増幅器16の反転入力端子17に接続されている。
制御増幅器16の非反転入力端子18には、出力トラン
ジスタT1 の駆動信号が供給される。増幅器16の出
力端子は、出力トランジスタT、のベースに結合されて
いる。V/I変換器9の出力電流I2 の方向は、V/
I変換器6からの電流11 の方向とは反対である。し
たがって、これら出力電流の間の差電流I。−11〜1
2が、共通点13に寿られる。この電流IM は、電流
源14によって供給される電流In と比較される。電
流lxが電流ID より小さいならば、保護回路は動作
しない。この場合、電流1.と■。との間の差電流は、
保護回路が動作するとすぐにスイッチオフされる電流供
給手段(図面を簡単にするために図示していない)によ
って供給される。電流IM が電流ID よりも大きく
なると、保護回路は動作する。
この場合、これら電流間の差電流は、制御増幅器16の
反転入力端子17を経て流れる。この制御増幅器16は
、電流1.が電流I。と等しくなるように出力トランジ
スタT1 を制御する。この場合、Vci<VB +:
対して lD= al= −b(VKN−Vct) (la)と
なり、 vcE′2v11Nニ対シテ In = alE(Ib) となる。このことから、コレクターエミッタ電圧Vci
の関数としての電流1.は、 VCE < V++* に対して となり、 vCεンVXNに対して となる。
第2図は、式2aおよび2bによって決定されるIp、
 /Vcp特性を示している。非常に小さいVCEに対
して、電流IE は最大電流 a に制限される。電流1.の制限値は、vciが増加する
につれて直線状に減少する。ニー電圧V KNを超える
と、式2bによって定められる小さい残留電流が、トラ
ンジスタT1 を流れ続ける。この残留電流は、電源が
スイッチオンされる際の零入力設定に必要な電流を供給
できるようにする。このためには、電源電圧がスイッチ
オンしたときに、小さい電流が流れて、コンデンサ3(
第1図参照)を充電することが特に必要である。また、
大電圧揺動の場合に、トランジスタT、が無電流になる
という事実によって生じる歪みを防止するために、小さ
い残留電流が流れなければならない。残留電流は、従来
の保護回路のように2つの比較的大きい電流の間の差に
よって形成されず、しきい値電流ID によって直接に
決定される。したがって、残留電流の大きさは変化依存
度がかなり小さく、その結果出力トランジスタT1 が
高いコレクターエミッタ電圧での過負荷によって損傷を
受けるという可能性がかなり減少する。
次に、特定の保護回路を、第3図に基づいてより詳細に
説明する。ここに、′rI は保護すべきトランジスタ
であり、そのコレクタは出力端子2に接続され、そのエ
ミッタは抵抗R1を経て接地されている。抵抗R1は、
第1電圧〜電流変換器を形成する電流ミラー回路の一部
を形成している。
電流ミラー回路は、電流源20とダイオード接続トラン
ジスタT2 とトランジスタ1゛3 と抵抗R1とを含
む第1電流路と、トランジスタT4. T、と抵抗R2
とを含む第2電流路とを具えている。トランジスタT2
 およびT、は共通ベースを有し、トランジスタT3 
のベースはトランジスタT5 のコレクタに接続され、
トランジスタT5 のベースはトランジスタT3 のコ
レクタに接続されている。
トランジスタT4 のコレクタ電流はトランジスタT、
のコレクタ電流にほぼ等しく、トランジスタT2 のコ
レクタ電流はトランジスタT3 のコレクタ電流にほぼ
等しいので、トランジスタT3 のべ一スーエミック電
圧とトランジスタT、のベース−エミッタ電圧との和は
、トランジスタ゛r2 のベース−エミッタ電圧とトラ
ンジスタT5 のベース−エミッタ電圧との和に等しい
。したがって、トランジスタT4 のコレクタ電流は、
抵抗R1の両端間電圧と抵抗R2の両端間電圧とがほぼ
等しくなるような電流である。電流源20による設定直
流電流成分を無視し、およびトランジスタT9 のコレ
クタ電流を無視すると、トランジスタT、のエミッタ電
流1.に応じて、 R。
□・ IE 2 に等しい電流がトランジスタT4 のコレクタ回路に流
れる。前記直流電流成分は、電流源25によって供給さ
れる電流中の同様に大きい直流成分によって補償される
が、保護回路の動作には関与せず、したがって後述する
計算からは省略されている。
トランジスタT、のコレクタは、抵抗R3およびダイオ
ード21を経て、トランジスタT、’、TeおよびTe
 によって形成される電流ミラー回路の入力端子に結合
されている。さらに、電流 kl。
を供給する電流源22が、電流ミラーの入力端子に結合
されている。トランジスタT7. Te の共通エミッ
タは、トランジスタ′「1o のエミッタに接続されて
おり、トランジスタTIOのベースには基準電圧v2が
供給される。電流ミラー回路T7.T、。
T、の出力電流は、抵抗R2に供給される。
ダイオード21のカソードの電圧は、はぼシアー3 V
np、である。ここに、VIIBはトランジスタTe。
Te およびTl+)のベース−エミッタ電圧である。
したがって、ダイオード21は、Vz 2 VB□より
小さい入力端子2の電圧に対して非導通となる。
このような場合、電流ミラー回路Tt 、To 、Ts
から抵抗R2に供給される電流は、電流源22によって
供給される電流 klD に正確に等しくなる。
したがって、トランジスタT、の全コレクタ電流1、は
、 R3 IM−−・ IE −klD 2 に等しくなる。この電流は、初めに、トランジスタT1
1 およびTI2 を具える電流ミラー回路によって再
生され、その後に電流源25によって供給される電流l
。と比較される。電流源25は、本実施例では、ダイオ
ード26を経て制御増幅器27にさらに結合されている
。電流1.Iが電流1.よりも大きくなると、保護回路
が動作し、制御増幅器27は電流I。が電流I、に等し
くなるように出力トランジスタT1 を流れる電流I6
 を制御する。これにより電流IE は最大値 2 Ip max−(1+k) i。
1 に制限される。
V 22 Veiより大きい出力端子2の電圧に対して
、ダイオード21が導通し始め、トランジスタT1のコ
レクターエミッタ電圧V。Eが増加すると、電流 kl
Il の一部が抵抗R3を経て流れる。その結果、エミ
ッタ電流I6 の制限値は、コレクターエミッタ電圧V
Caが増加するに従って直線的に減少する。
出力端子2の電圧がニー電圧v、1N=v2−2vBE
+klaLO値に達すると、電流源22によって供給さ
れる電流 kln の全部が抵抗R3を経て流れ、電流
ミラー回路T、 、T、 、T9 は無電流になる。
このとき、電流1.は、 1 1M−一・ IE 2 に等しくなり、その結果、電流Il: は、2 1B =−・ In R3 に等しい残留値に制限される。
以キの説明の理解を助けるために、第4図には、関連す
るIt Vci特性を特性値と共に示している。
第5図は、本発明保護回路を具える増幅器回路を示す。
この増幅器は、電圧−電流変換器の特性を示す初段30
を具え、1対のトランジスタTI5およびTI6を具え
ている。これらトランジスタは、差動増幅器として接続
され、これらトランジスタのベース電極は、反転入力端
子および非反転入力端子を構成している。トランジスタ
TI5 およびTI6 のエミッタは、電流源31を経
て正の電源端子32に接続されている。トランジスタT
 +51 T+6 のコレクタは、トランジスタT+7
+T18 1T+9 、抵抗33.34および電流源3
5を具える電流ミラー回路を経て初段30の出力端子3
ひに接続されている。出力端子36は、同時に、電流−
電圧変換器の特性を有するミラ一段40の入力端子36
を形成している。
入力端子36は、さらに、補償コンデンサ46を経て、
出力端子2に接続されている。このミラ一段40は、エ
ミッタ抵抗42を有する制御トランジスタT2G を具
えている。この制御トランジスタは、トランジスタT2
+ および電流源41によって形成されるエミッタホロ
ワ構造によって駆動される。制御トランジスタToo 
のコレクタは、ダイオード42.43’、 44と電流
源45とを経て正の電源端子32に接続されている。こ
の出力段は、NPN出力トランジスタT1およびT2S
 を有する準相袖出力段として構成されている。NPN
出力トランジスタT1 およびT25 は、それぞれ、
NPN )ランジスクT26 およびT27 とダーリ
ントントランジスタを形成している。準相補動作は、第
5図に示すように、PNPトランジスタT26 および
T211 を付加することによって得られる。出力トラ
ンジスタT、は、第3図の保護回路と完全に同一の回路
50によって保護される。この回路50において、第3
図の保護回路の要素と同一の要素には同じ番号を付して
示している。
電流源25によって供給される電流Ifl と比較され
る前に、電流1.が、トランジスタ730.T31およ
び抵抗51.52を具える電流ミラー回路によって再生
される。電流1つ とII] との間の差電流は、抵抗
53とコンデンサ54との直列回路に供給される。
この直列回路の両端間の電圧は、エミッタホロワとして
接続されるトランジスタT32 を経て抵抗55に供給
される。トランジスタT、を駆動するためには、トラン
ジスタT32 のエミッタ電流は、制御段の入力端子3
6へ供給される前に反転されなければならない。これは
、電流ミラー回路Ti1. T+e+Tl1l の入力
端子に抵抗55を接続し、この電流ミラー回路が、入力
端子36にトランジスタT32 のエミッタ電流が供給
される前に、このエミッタ電流を反転させることによっ
て達成される。
保護回路50において、トランジスタT3□のベースは
、基準電圧V、が供給される点にトランジスタT33 
によってクランプされる。この手段の目的は、保護回路
50を動作させる必要のないときに、保護回路が動作す
るのを防止することである。この場合、電流IM は、
電流源25によって供給される電流I。よりも小さい。
このとき、トランジスタT33 は電流源25からの余
分の電流によって導通状態に保持される。したがって、
基準電圧V8 は、保護回路が動作しないときにトラン
ジスタT32 が導通しないような電圧である。トラン
ジスタT3Gは、保護回路が動作し、トランジスタT3
2 が導通し始める瞬間に非導通にされる。
出力トランジスタ゛1゛25 は、保護回路50A に
よって、同じように保護される。この保護回路5〇八は
、保護回路50とほとんど同一であり、同一の要素には
添字Aを付した同一の番号を用いている。回路50Aの
動作モードは、電流ミラー回路のトランジスタT 2A
 ”’−TSA およびTEA −TIOAが反対導電
形であるという点を除いて、回路50の動作モードと同
一である。その結果、電流1.は、トランジスタT32
Aのベースに供給される前に、電流ミラー回路によって
反転されてはならない。トランジスタT2S の相補駆
動のために、抵抗55Aは、制御増幅器720.T21
 の入力端子36に直接に接続される。
本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく本
発明の範囲内で所望の機能を実現することのできる多く
の実施例が可能であることは明らかである。したがって
、当業者であれば、第1および第2電圧−電流変換器お
よび可変利得増幅器について多くの変形例を考えること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明トランジスタ保護回路の一実施例の基
本的回路を示す図、 第2図は、第1図の保護回路のコレクタ電流/コレクタ
ーエミック電圧特性を示す図、第3図は、本発明による
特定の保護回路の詳細な構造を示す図、 第4図は、第3図に示された回路に関連するコレクタ電
流/コレクターエミ・ンク電圧特性を示す図、 第5図は、本発明保護回路を具える増幅器回路を示す図
である。 2・・・トランジスタ保護回路の出力端子3・・・コン
デンサ 4・・・負荷インピーダンス 5・・・負電源端子 6.9・・・電圧−電流変換器 7.11.18・・・非反転入力端子 8.10.17・・・反転入力端子 12、15・・・ダイオード 13・・・共通点 14・・・電流源 16・・・制御増幅器 30・・・初段 40・・・ミラー役 50.50八・・・トランジスタ保護回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、トランジスタを過負荷から保護する保護回路であっ
    て、 前記トランジスタのコレクタ電流を表ず第1信号を発生
    する第1手段と、 前記トランジスタのコレクターエミッタ電圧を表し、か
    つ、ニー電圧と称される一定のコレクターエミッタ電圧
    より大きい一定値を有する第2信号を発生ずる第2手段
    と、前記第1信号と前記第2信号との組合せが一定のし
    きい値を超えると、前記トランジスタのコレクタ電流を
    制限する第3手段と、を具えるトランジスタ保護回路に
    おいて、前記第2信号が前記ニー電圧と前記コレクター
    エミッタ電圧との間の差を表し、 前記第1信号と前記第2信号との組合せを、前記第1信
    号と前記第2信号との間の差によって形成するようにし
    た、 ことを特徴とするトランジスタ保護回路。 2、特許請求の範囲第1項に記載のトランジスタ保護回
    路において、前記第1手段が、前記トランジスタのコレ
    クタあるいはエミッタのリード線に含まれる第1抵抗と
    、この第1抵抗の両端間の電圧をこの電圧に比例する電
    流に変換する第1電圧−電流変換器とを具え、前記第2
    手段が、前記コレクターエミッタ電圧と前記ニー電圧と
    の間の差をこの差に比例する電流に変換する第2電圧−
    電流変換器を具え、前記第3手段が、前記第1電圧−電
    流変換器の出力電流と前記第2電圧−電流変換器の出力
    電流との間の差が電流源によって供給されるしきい値電
    流に等しくなるように前記トランジスタを流れる電流を
    制限する制御増幅器を具えることを特徴とするトランジ
    スタ保護回路。 3、 特許請求の範囲第2項に記載のトランジスタ保護
    回路において、前記第1電圧−電流変換器を、少なくと
    も電流源、第2トランジスタおよび前記第1抵抗の直列
    回路を具える入力回路と、少なくとも第3トランジスタ
    および第2抵抗の直列回路を具える出力回路とを有する
    第1電流ミラー回路によって形成し、前記第2電圧−電
    流変換器を、少なくとも電流源および第4トランジスタ
    の直列回路を具える入力回路と、少なくとも第5トラン
    ジスタを具える出力回路とを有する第2電流ミラー回路
    によって形成し、前記第2電流ミラー回路の入力回路お
    よび出力回路は、制御電極に基準電圧が供給される共通
    の第6トランジスタを有し、前記第2電流ミラー回路の
    入力回路を、さらに、ダイオードおよび第3抵抗の直列
    回路を経て、保護すべきトランジスタのコレクタあるい
    はエミッタに結合し、前記第2電流ミラー回路の出力回
    路を、さらに前記第1電流ミラー回路の出力回路の前記
    第2抵抗に結合したことを特徴とするトランジスタ保護
    回路。
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SG (1) SG50490G (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5560380A (en) * 1993-10-18 1996-10-01 Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha Method and apparatus for processing hollow bodies filled with metallic sodium

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1214614B (it) * 1985-06-12 1990-01-18 Ates Componenti Elettron Dispositivo di protezione contro i cortocircuiti dello stadio finale di un amplificatore di potenza.
EP0406967B1 (en) * 1989-07-06 1995-11-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Amplifier arrangement
IT1244209B (it) * 1990-12-20 1994-07-08 Sgs Thomson Microelectronics Circuito di controllo di caratteristiche tensione/corrente particolarmente per la protezione di transistori di potenza
DE69431521T2 (de) * 1994-10-27 2003-06-05 Cons Ric Microelettronica Verfahren und Schaltungsanordnung zum Transistorschutz gegen Ausschaltung und Spannungsregler der dieses Verfahren anwendet
DE69902889D1 (de) 1999-06-15 2002-10-17 St Microelectronics Srl Spannungsgesteuerte Treiberstufe mit geregeltem Strom
FR2815196B1 (fr) 2000-10-06 2003-03-21 St Microelectronics Sa Amplificateur d'erreur integre
SE532467C2 (sv) * 2007-12-27 2010-01-26 Numat As Implantatrengöringsverktyg för rengöring av ett metalliskt implantat
US8841888B2 (en) * 2011-06-16 2014-09-23 02Micro, Inc. Individual cell voltage detection circuit for charge and discharge control in a battery pack

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57191112U (ja) * 1981-05-29 1982-12-03

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1222118B (de) * 1965-02-20 1966-08-04 Licentia Gmbh Begrenzungsregelung der Ausgangsleistung von Leistungstransistoren
DE2637270C2 (de) * 1976-08-19 1978-05-03 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Überlastungsschutzeinrichtung
NL8001116A (nl) * 1980-02-25 1981-09-16 Philips Nv Versterkerschakeling.
US4355341A (en) * 1980-06-30 1982-10-19 Rca Corporation Power protection circuit for transistors

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57191112U (ja) * 1981-05-29 1982-12-03

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5560380A (en) * 1993-10-18 1996-10-01 Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha Method and apparatus for processing hollow bodies filled with metallic sodium

Also Published As

Publication number Publication date
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