JPS6364962A - 強誘電性圧電磁器組成物 - Google Patents
強誘電性圧電磁器組成物Info
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- JPS6364962A JPS6364962A JP61207175A JP20717586A JPS6364962A JP S6364962 A JPS6364962 A JP S6364962A JP 61207175 A JP61207175 A JP 61207175A JP 20717586 A JP20717586 A JP 20717586A JP S6364962 A JPS6364962 A JP S6364962A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は例えば電気的エネルギーを機械的エネルギーに
、また機械的エネルギーを電気的エネルギーに変換する
素子の材料として用いる強誘電性圧電磁器組成物に関す
る。
、また機械的エネルギーを電気的エネルギーに変換する
素子の材料として用いる強誘電性圧電磁器組成物に関す
る。
（従来の技術）
ＰｂＺｒＯ３−ＰｂＴｉＯ３の固溶体（ＰＺＴ）にはモ
ルフオドピック相転移（ＭＰＢ）が存在し、このＭＰＢ
付近で圧電性が極大を示すことが明らかにされてから、
セラミクスの圧電材料としての利用範囲は大幅に広がっ
た。
ルフオドピック相転移（ＭＰＢ）が存在し、このＭＰＢ
付近で圧電性が極大を示すことが明らかにされてから、
セラミクスの圧電材料としての利用範囲は大幅に広がっ
た。
この後、上記ＰＺＴに代わるものとして３成分系のＰｂ
（Ｍｇ局Ｎｂ％）０３−ＰｂＴｉＯｓ −ＰｂＺｒＯｚ
（ＰＣＭ：商品名）が開発され、こ（７）ＰＣＭは
ＭＰＢが点から線に拡張されるため更に用途が広くなっ
た。そして、上記３成分系のセラミクス組成物に対し各
種の特性改善が試みられた。
（Ｍｇ局Ｎｂ％）０３−ＰｂＴｉＯｓ −ＰｂＺｒＯｚ
（ＰＣＭ：商品名）が開発され、こ（７）ＰＣＭは
ＭＰＢが点から線に拡張されるため更に用途が広くなっ
た。そして、上記３成分系のセラミクス組成物に対し各
種の特性改善が試みられた。
例えば特公昭４４−１７１０３号に開示される強誘電性
圧？ｔＩｊｉ器組成物はｐｂＣＫｇ尾Ｎｂ％）０２−Ｐ
ｂＺｒＯ３−ＰｂＴｉＯ３におけるＰｂ原子の一部をＳ
ｒで置換したものであり、斯る組成とすることで、電気
機械結合係数及び誘電率が大で、共振抵抗が小さい電気
機械変換素子を得ることができるというものである。
圧？ｔＩｊｉ器組成物はｐｂＣＫｇ尾Ｎｂ％）０２−Ｐ
ｂＺｒＯ３−ＰｂＴｉＯ３におけるＰｂ原子の一部をＳ
ｒで置換したものであり、斯る組成とすることで、電気
機械結合係数及び誘電率が大で、共振抵抗が小さい電気
機械変換素子を得ることができるというものである。
（発明が解決しようとする問題点）
上述した強誘電性圧電磁器組成物によれば使用目的に応
じて選択できる諸定数の幅が広くなり、圧電セラミクス
の用途は更に広がるのであるが、用途によっては上記組
成物では十分な圧電特性が得られない。
じて選択できる諸定数の幅が広くなり、圧電セラミクス
の用途は更に広がるのであるが、用途によっては上記組
成物では十分な圧電特性が得られない。
例えば、アクチュエータとして圧電セラミクスを使用す
る場合、上述した組成物を焼成することよって得られる
圧電セラミクスよりも更に高いＲＤ（相対密度）、ε（
誘電率）、Ｋｐ（径方向結合係数）及びｄ３＋（電圧印
加に伴なうひずみ）が要求され、また将来的には圧電セ
ラミクスを積層することが予想され、この場合には現在
よりも低温で焼成することが必要となる。
る場合、上述した組成物を焼成することよって得られる
圧電セラミクスよりも更に高いＲＤ（相対密度）、ε（
誘電率）、Ｋｐ（径方向結合係数）及びｄ３＋（電圧印
加に伴なうひずみ）が要求され、また将来的には圧電セ
ラミクスを積層することが予想され、この場合には現在
よりも低温で焼成することが必要となる。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決すべく本発明は、Ｐｂ（Ｍｇ％ＮｂＨ
）０３−ＰｂＴｉＯｘ−ＰｂＺｒＯｓ系磁器組成物のＰ
ｂ原子の一部をＳｒで置換した磁器組成物に対し、更に
ＳｎＯを単独で、又はＳｎＯとＺｎＯを、若しくは５ｎ
Ｏ２ＺｎＯとＢｉ２Ｏ３又はＮｉＯを添加した。
）０３−ＰｂＴｉＯｘ−ＰｂＺｒＯｓ系磁器組成物のＰ
ｂ原子の一部をＳｒで置換した磁器組成物に対し、更に
ＳｎＯを単独で、又はＳｎＯとＺｎＯを、若しくは５ｎ
Ｏ２ＺｎＯとＢｉ２Ｏ３又はＮｉＯを添加した。
（作用）
Ｐｂ（Ｍｇ尾ＮｂＨ）０３−ＰｂＴｉＯｘ −ＰｂＺｒ
Ｏ３系磁器組成物のＰｂ原子の一部をＳｒで置換すると
ともにＳｎＯ等を添加した組成物を焼成した後、これに
直流電圧を印加することで、ＲＤ、ε、ＫＰ又はｄ３１
の特性が優れた素子が得られる。
Ｏ３系磁器組成物のＰｂ原子の一部をＳｒで置換すると
ともにＳｎＯ等を添加した組成物を焼成した後、これに
直流電圧を印加することで、ＲＤ、ε、ＫＰ又はｄ３１
の特性が優れた素子が得られる。
（実施例）
本発明は第１乃至第４の発明に分けられ、第１発明はＳ
ｎＯを添加した組成物、第２発明はＺｎＯとＳｎＯを添
加した組成物、第３発明はＺｎＯ，ＢｉｚＯ３及びＳｎ
Ｏを添加した組成物、第４発明はＺｎＯ１ＮｉＯ及びＳ
ｎＯを添加した組成物であり、実施例にあっては５ｎＯ
１ＺｎＯ，Ｂｉ２Ｏ３及びＮｉＯ以外の組成ニラいては
固定したものとし、これらについて実験を行った。
ｎＯを添加した組成物、第２発明はＺｎＯとＳｎＯを添
加した組成物、第３発明はＺｎＯ，ＢｉｚＯ３及びＳｎ
Ｏを添加した組成物、第４発明はＺｎＯ１ＮｉＯ及びＳ
ｎＯを添加した組成物であり、実施例にあっては５ｎＯ
１ＺｎＯ，Ｂｉ２Ｏ３及びＮｉＯ以外の組成ニラいては
固定したものとし、これらについて実験を行った。
即ち第１発明については。
３７．５Ｐ ｂ （Ｍｇ月ＮｂＨ） ０３ ＋３２．５
Ｐ ｂ Ｔ ｉ ０３＋２５．０Ｐ ｂ Ｚ ｒｏ３＋
５ Ｓ ｒＴ ｉ ０３ ＋ＸＳ ｎ。
Ｐ ｂ Ｔ ｉ ０３＋２５．０Ｐ ｂ Ｚ ｒｏ３＋
５ Ｓ ｒＴ ｉ ０３ ＋ＸＳ ｎ。
・・・・・・・・・・・・■
ただし、Ｘ＝０．０．２． Ｑ、５．１．Ｑ、 ２．０
．３．０゜４．０．５．０．８．０．７．０．８．０．
９．０゜１０．０ 。
．３．０゜４．０．５．０．８．０．７．０．８．０．
９．０゜１０．０ 。
第２発明については。
３７．５Ｐ ｂ （ＭｇＨＮｂＨ）０３ ＋３２．
５Ｐ ｂ Ｔ ｉ ０３＋２５．ＯＰ ｂｚ ｒ０
３ ＋ｓ Ｓ ｒＴｉ ０３ ＋ｙｚ ｎ
。
５Ｐ ｂ Ｔ ｉ ０３＋２５．ＯＰ ｂｚ ｒ０
３ ＋ｓ Ｓ ｒＴｉ ０３ ＋ｙｚ ｎ
。
＋Ｘ５ｎＯ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・■ただし、Ｙ ＝ １．０．２．０．３．０Ｘ＝
０． ０．２． ０．５． １．０，２．０． ３．０
゜４．０．５．０，８．０，７．０，８．０，９．０゜
１０．０゜ 第３発明については、 ３７．５Ｐ ｂ （ＭｇＨＮｂＨ） ０３＋３２．５Ｐ
ｂ Ｔ ｉ Ｏ３＋２５．０ＰｂＺｒ０３＋５５ｒＴ
ｉ０３ ＋ＺＺｎＯ＋ＹＢ ｉｚ ０３ ＋Ｘ５ｒＬＯ
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・■ただし、Ｚ ＝ １．０．２．０．３．０Ｙ ＝
０．５．１．０．２．０ Ｘ 、＝ ０．０．２． Ｑ、５．１．０．２．０．３
．０゜４．０．５．０．８．０．７．０．８．０．９．
０゜１０．０゜ 第４発明については、 ３７．５Ｐ ｂ （ＭｇＨＮｂＨ） Ｏｓ ＋３２．５
Ｐ ｂ Ｔ ｔ Ｏ３＋２５．０ＰｂＺｒ０３ ＋ｓ
５ｒＴｉ０３ ＋ＺＺｎＯ＋ＹＮｉＯ＋Ｘ５ｎＯ・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・■ただし、Ｚ ＝ １．０．２．０．３．０
Ｙ ＝０．５，１．０，２．０ Ｘ＝０． ０．２． ０．５． １．０． ２．０．
３．０゜４．０．５．０，８．０，７．０，８．０，９
．０゜１０．０゜ 以上の組成からなる組成物から磁器（素子）を作成する
には以下の手順で行う。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・■ただし、Ｙ ＝ １．０．２．０．３．０Ｘ＝
０． ０．２． ０．５． １．０，２．０． ３．０
゜４．０．５．０，８．０，７．０，８．０，９．０゜
１０．０゜ 第３発明については、 ３７．５Ｐ ｂ （ＭｇＨＮｂＨ） ０３＋３２．５Ｐ
ｂ Ｔ ｉ Ｏ３＋２５．０ＰｂＺｒ０３＋５５ｒＴ
ｉ０３ ＋ＺＺｎＯ＋ＹＢ ｉｚ ０３ ＋Ｘ５ｒＬＯ
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・■ただし、Ｚ ＝ １．０．２．０．３．０Ｙ ＝
０．５．１．０．２．０ Ｘ 、＝ ０．０．２． Ｑ、５．１．０．２．０．３
．０゜４．０．５．０．８．０．７．０．８．０．９．
０゜１０．０゜ 第４発明については、 ３７．５Ｐ ｂ （ＭｇＨＮｂＨ） Ｏｓ ＋３２．５
Ｐ ｂ Ｔ ｔ Ｏ３＋２５．０ＰｂＺｒ０３ ＋ｓ
５ｒＴｉ０３ ＋ＺＺｎＯ＋ＹＮｉＯ＋Ｘ５ｎＯ・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・■ただし、Ｚ ＝ １．０．２．０．３．０
Ｙ ＝０．５，１．０，２．０ Ｘ＝０． ０．２． ０．５． １．０． ２．０．
３．０゜４．０．５．０，８．０，７．０，８．０，９
．０゜１０．０゜ 以上の組成からなる組成物から磁器（素子）を作成する
には以下の手順で行う。
先ず化学的純度９８％以上の酸化物又は炭酸塩を用意し
、これを原料として上記各式の配合組成となるように秤
量しゴム内張りをしたボールミルにて１２時時間式混合
を行って均一な混合物とする。そしてこの混合物を乾燥
せしめた後１０２０℃で２時間予備焼成を行い、次いで
ボールミルにて１２時時間式粉砕する。この後粉砕物を
乾燥せしめ、少量の有機バインダーを加えて整粒したも
のを圧力１０００ ｋｇ／ ｃゴで直径２２ｍ１＋厚さ
２■の円板に成形し、この円板をアルミナルツボの密閉
容器内で所定の温度で２時間保持し焼成する。ここで所
定の温度とは本実施例にあっては、１２１０℃、１２２
０℃、１２３０℃、１２４０℃及び１２５０℃の５水準
とする。
、これを原料として上記各式の配合組成となるように秤
量しゴム内張りをしたボールミルにて１２時時間式混合
を行って均一な混合物とする。そしてこの混合物を乾燥
せしめた後１０２０℃で２時間予備焼成を行い、次いで
ボールミルにて１２時時間式粉砕する。この後粉砕物を
乾燥せしめ、少量の有機バインダーを加えて整粒したも
のを圧力１０００ ｋｇ／ ｃゴで直径２２ｍ１＋厚さ
２■の円板に成形し、この円板をアルミナルツボの密閉
容器内で所定の温度で２時間保持し焼成する。ここで所
定の温度とは本実施例にあっては、１２１０℃、１２２
０℃、１２３０℃、１２４０℃及び１２５０℃の５水準
とする。
次いで焼成した円板を研摩した後、円板の両面に銀電極
を塗布して焼付け、更にシリコンオイル中に浸漬し常温
で１．８〜１．８にマ／１１３の直流電界を２０分間印
加し分極を行うことで目的とする磁器を得る。
を塗布して焼付け、更にシリコンオイル中に浸漬し常温
で１．８〜１．８にマ／１１３の直流電界を２０分間印
加し分極を行うことで目的とする磁器を得る。
添付した図面は以上の如くして得られた磁器の緒特性を
示すものであり、各図の（Ａ）がＳｎＯのｍ０９．％と
緒特性の関係を示す図表であり、各図のＣＢ）はＳｎＯ
のｍｏｓＬ％と緒特性の関係を示すグラフである。尚、
測定値は同一条件で作成した試料（４個以上）のうち平
均値に近いものの値を。
示すものであり、各図の（Ａ）がＳｎＯのｍ０９．％と
緒特性の関係を示す図表であり、各図のＣＢ）はＳｎＯ
のｍｏｓＬ％と緒特性の関係を示すグラフである。尚、
測定値は同一条件で作成した試料（４個以上）のうち平
均値に近いものの値を。
採用し、また図中の記号の意味は以下の通りである。
ＲＤ（％）：相対密度、この値が大きくなる程抗折強度
が向上する。
が向上する。
ε：誘電率、この値が大きい方が圧−型素子としての特
性に優れる。
性に優れる。
Ｋｐ：径方向結合係数、誘電率と同様に値は大きい方が
優れる。
優れる。
ｄ３１：素子に電圧を印加した場合に印加力向に対して
直交する方向のひずみ、この値が大きければアクチュエ
ータとして用いる場合の特性が優れる。
直交する方向のひずみ、この値が大きければアクチュエ
ータとして用いる場合の特性が優れる。
Ｑｍ：電気機械品質係数、この値は大きい方が好ましい
。
。
ｔａｎδ：誘電損失、この値は小さい方が好ましい。
第１図（Ａ）、ＣＢ）乃至第５図（Ａ）、ＣＢ）は第１
発明に包含される実験例の結果を示し、これらの図から
明らかなように、ＳｎＯを添加することにより、ＲＤ、
ε、ＫＰ及びｄ３１が増加する。そして上記傾向は２ｍ
ｏＪ１％及び３ｍｏ文％添加付近で最高値を示す、また
、ＳｎＯの添加によりＱｍが若干低下しｔａｎδは若干
上昇する。これらＱｍの低下及びｔａｎδの上昇と前記
ＲＤ、ε、ＫＰ及びｄ ３１の増加を考慮した場合、Ｓ
ｎＯの添加割合としては０．２〜８．０ｍｏｕ％が適当
である。
発明に包含される実験例の結果を示し、これらの図から
明らかなように、ＳｎＯを添加することにより、ＲＤ、
ε、ＫＰ及びｄ３１が増加する。そして上記傾向は２ｍ
ｏＪ１％及び３ｍｏ文％添加付近で最高値を示す、また
、ＳｎＯの添加によりＱｍが若干低下しｔａｎδは若干
上昇する。これらＱｍの低下及びｔａｎδの上昇と前記
ＲＤ、ε、ＫＰ及びｄ ３１の増加を考慮した場合、Ｓ
ｎＯの添加割合としては０．２〜８．０ｍｏｕ％が適当
である。
第６図（Ａ）、（Ｂ）乃至第２０図（Ａ）、（Ｂ）は第
２発明に包含される実験例の結果を示し、これらの図か
ら明らかなように、ＳｎＯの添加により前記同様、ＲＤ
、ε、ＫＰ、ｄ３１が増加し、特にこの第２発明にあっ
てはＺｎＯを添加することにより、焼成温度の低下に伴
ってＳｎＯの添加の効果が顕著に現れることが分る。し
たがって、焼結性の面においてＺｎＯの添加による効果
が発揮される。
２発明に包含される実験例の結果を示し、これらの図か
ら明らかなように、ＳｎＯの添加により前記同様、ＲＤ
、ε、ＫＰ、ｄ３１が増加し、特にこの第２発明にあっ
てはＺｎＯを添加することにより、焼成温度の低下に伴
ってＳｎＯの添加の効果が顕著に現れることが分る。し
たがって、焼結性の面においてＺｎＯの添加による効果
が発揮される。
尚、ＺｎＯの添加割合としては１．０〜３．Ｏｍｏ文％
が適当であった。
が適当であった。
第２１図（Ａ）、ＣＢ）乃至第３５図（＾）、（Ｂ）は
第３発明に包含される実験例の結果を示し、これらの図
から、ＳｎＯの添加量の増加に伴って、εが大幅に増加
し、ＲＤに関しては低温においてＳｎＯの添加の効果が
顕著に現れることが分る。また、Ｂ１２ｏ３の添加を多
くすると、Ｑｍ、Ｋｐ及びｄ３１が低下する傾向が生じ
るため、ＢｉｔＯ３の添加割合としては０．５〜２．０
ｍｏｕ％が適当である。
第３発明に包含される実験例の結果を示し、これらの図
から、ＳｎＯの添加量の増加に伴って、εが大幅に増加
し、ＲＤに関しては低温においてＳｎＯの添加の効果が
顕著に現れることが分る。また、Ｂ１２ｏ３の添加を多
くすると、Ｑｍ、Ｋｐ及びｄ３１が低下する傾向が生じ
るため、ＢｉｔＯ３の添加割合としては０．５〜２．０
ｍｏｕ％が適当である。
第３６図（Ａ） 、 （Ｂ）乃至５０図（Ａ）、（Ｂ）
は第４発明に包含される実験例の結果を示し、これらの
図から、ＳｎＯを添加することによりεが増大し、特に
Ｋｐ、ｄ３！についてはＮｉＯを １．０〜２．０ｍｏ
１％、ＳｎＯを１．０〜３．０ ａ ｍ Ｏ１％とした
場合、Ｋｐ、ｄ３．が大幅に増加する傾向を示す。
は第４発明に包含される実験例の結果を示し、これらの
図から、ＳｎＯを添加することによりεが増大し、特に
Ｋｐ、ｄ３！についてはＮｉＯを １．０〜２．０ｍｏ
１％、ＳｎＯを１．０〜３．０ ａ ｍ Ｏ１％とした
場合、Ｋｐ、ｄ３．が大幅に増加する傾向を示す。
第５１図乃至６０図は前記実験に供した試料の抗折強度
とヤング等を示す図表であり、これらの図から、ＳｎＯ
を添加することにより、機械的強度を大幅に向上するこ
とが分る。
とヤング等を示す図表であり、これらの図から、ＳｎＯ
を添加することにより、機械的強度を大幅に向上するこ
とが分る。
（発明の効果）
以上に説明したように本発明によれば、ｐｂ（Ｍｇ３’
ａＮｂＨ）０３−ＰｂＴｉＯ３−ＰｂＺ ｒｏ３系磁器
組成物のＰｂ原子の一部をＳｒで置換するともに、これ
にＳｎＯを単独で、又はＳｎＯとＺｎＯ更ＬｊｆＢｉｚ
Ｏ３，ＮｉＯを複合Ｌ−ｔ”添加することにより、得
られる磁器の誘電率（ε）。
ａＮｂＨ）０３−ＰｂＴｉＯ３−ＰｂＺ ｒｏ３系磁器
組成物のＰｂ原子の一部をＳｒで置換するともに、これ
にＳｎＯを単独で、又はＳｎＯとＺｎＯ更ＬｊｆＢｉｚ
Ｏ３，ＮｉＯを複合Ｌ−ｔ”添加することにより、得
られる磁器の誘電率（ε）。
相対密度（ＲＤ）及びひずみ特性（ｄ３＋）を大幅に向
上することができ、圧電素子としての利用価値を高める
ことができる。而も従来の強誘電体組成物より焼成温度
を低下することが出来、工業的には極めて有利となり、
更には強度の向上と合せて積層アクチュエーター等とし
て用いる場合優れた効果を発揮する。
上することができ、圧電素子としての利用価値を高める
ことができる。而も従来の強誘電体組成物より焼成温度
を低下することが出来、工業的には極めて有利となり、
更には強度の向上と合せて積層アクチュエーター等とし
て用いる場合優れた効果を発揮する。
第１図乃至第５０図゛における各図の（Ａ）はＳｎＯの
添加ｍｏ文％と緒特性の関係を示す図表、第１図乃至第
５０図における各図の（Ｂ）はＳｎＯの添加１０文％と
緒特性の関係を示すグラフ、第５１図乃至第６０図は抗
折強度及びヤング率を示す図表である。 尚、図面中、ＲＤは相対密度、εはＸＡ誘電率Ｋｐは径
方向結合係数、ｄ ３１はひずみ、Ｑｍは電気機械品質
係数、ｔａｎδは銹電損失である。 特 許 出 願 人 東陶機器株式会社代 理 人 弁
理士 下 １） 容一部間 弁理士
大 橋 邦 部同 弁理士 小
山 南回 弁理士 野 １）
及第１ （Ａ） （Ｂ） ＳｎＯｍｄツ。 １２１０°Ｃ−２ｈ ■ＲＤ ・ε ＯＫｐ 口ｄ３１ ４０ｍ ムｔａｒ＋８ 図 （Ｂ） １２２０°Ｃ，ｈ５ｎＯｍｏｌ″ 図 （Ｂ） ＳｎＯｒｎｏＬ ’４ １２３０°Ｃ−２ｈ 図 （Ｂ） １２４ｏ′Ｃ−２ｈＣ−２ｈＳｎＯ 第 （Ａ） 図 （Ｂ） １２１０°Ｃ−ンｈ 図 １２２０”Ｃ−Ｚｈ 図 （Ｂ） １２３０−Ｃ−ンｈ 第９ （Ａ） 図 （Ｂ） １２４０’Ｃ−２ｈ Ｓ″ｏｍｄツ・図 （Ｂ） 図 図 （Ｂ） １２２０”Ｃ−２ｈ Ｓｎ０ｍ０’％図 （Ｂ） 、２３ｏ’ｃ −２ｈ ＳｎＯｍｏ１％第 （Ａ） １４図 （Ｂ） １２４０”Ｃ−２ｈ Ｓｎｏｍｏ”第１よ （Ａ） ５図 （Ｂ） １２５０°Ｃ−２ｈ ＳｎＯｍｏｌ’／。 図 （Ｂ） ＼、 （Ａ） 図 （Ｂ） ゝ、 ＳｎＯｍｄｏ／。 １２２０＠Ｃ−２ｈ 図 （Ｂ） １２３０−（、： −Ｚｆｉ 図 １２４０−Ｃ−：ｊｌ−１ 第 （Ａ） ２０図 （Ｂ） １２５０°Ｃ−２ｈ Ｓ″○ｍｄ ″。 第 ２２図 （Ｂ） １２２０°Ｃ−２ｈ ＳｎＯｍｏ１％（Ｂ） １２３０・Ｃ−２Ｃ−２ｈＳｎＯ％ 図 （Ｂ） １２４０”Ｃ−２ｈ ＳｎｏｍＯ１’第２５： （Ａ） （Ｂ） １２５０’Ｃ−２ｈ ＳｎＯｍｄ”図 （Ｂ） 第２７ （Ａ） 図 （Ｂ） ＳｎＯｍｄｌ。 １２２０’Ｃ−２ｈ （Ｂ） １２３０”Ｃ−２ｈ Ｓｎ０ｍ０’％第２９図 （Ａ） （Ｂ） ＳｎＯｍｏｌ ％ １２５０°Ｃ−２ｈ 図 第 ３２図 （Ｂ） １２２ｏ”ｃ −２ｈ ＳｎＯｍｏｌ”／ｓ図 （Ｂ） つ 図 （Ｂ） １２５０”Ｃ−２ｈ Ｓｎ０ｍ”″／−図 （Ｂ） 仝 １２１０’Ｃ−２ｈ ５°０“ハ 図 （Ｂ） １２２ｏ’ｃ −２ｈ ５ｎＯｒｎｏｌ ’Ａ図 （Ｂ） １２３０”Ｃ−２ｈ Ｓｎ０ｍ０’％図 （Ｂ） １２５０°Ｃ−ｚｈ ＳｎＯｍｏｌ ’ｌ。 図 図 （Ｂ） １２２０−Ｃ−Ｚｔｌ 一 ・図 図 （Ｂ） １２、ｆ、ｏ”ｃ −２ｈ ５ｎ０”’″Ａ図 ＣＢ） １２５０”Ｃ−２ｈ Ｓｎ０ｍ””図 （Ｂ） ― 図 （Ｂ） ＳｎＯｍｏ１％ １２２０°Ｃ−２ｈ 第 （Ａ） ４８図 （Ｂ） １２３０”Ｃ−２ｈ Ｓｎ０ｍ””第 （Ａ） 図 （Ｂ） ５ｎＯｍｏ１％ １２５０＠Ｃ−２ｈ
添加ｍｏ文％と緒特性の関係を示す図表、第１図乃至第
５０図における各図の（Ｂ）はＳｎＯの添加１０文％と
緒特性の関係を示すグラフ、第５１図乃至第６０図は抗
折強度及びヤング率を示す図表である。 尚、図面中、ＲＤは相対密度、εはＸＡ誘電率Ｋｐは径
方向結合係数、ｄ ３１はひずみ、Ｑｍは電気機械品質
係数、ｔａｎδは銹電損失である。 特 許 出 願 人 東陶機器株式会社代 理 人 弁
理士 下 １） 容一部間 弁理士
大 橋 邦 部同 弁理士 小
山 南回 弁理士 野 １）
及第１ （Ａ） （Ｂ） ＳｎＯｍｄツ。 １２１０°Ｃ−２ｈ ■ＲＤ ・ε ＯＫｐ 口ｄ３１ ４０ｍ ムｔａｒ＋８ 図 （Ｂ） １２２０°Ｃ，ｈ５ｎＯｍｏｌ″ 図 （Ｂ） ＳｎＯｒｎｏＬ ’４ １２３０°Ｃ−２ｈ 図 （Ｂ） １２４ｏ′Ｃ−２ｈＣ−２ｈＳｎＯ 第 （Ａ） 図 （Ｂ） １２１０°Ｃ−ンｈ 図 １２２０”Ｃ−Ｚｈ 図 （Ｂ） １２３０−Ｃ−ンｈ 第９ （Ａ） 図 （Ｂ） １２４０’Ｃ−２ｈ Ｓ″ｏｍｄツ・図 （Ｂ） 図 図 （Ｂ） １２２０”Ｃ−２ｈ Ｓｎ０ｍ０’％図 （Ｂ） 、２３ｏ’ｃ −２ｈ ＳｎＯｍｏ１％第 （Ａ） １４図 （Ｂ） １２４０”Ｃ−２ｈ Ｓｎｏｍｏ”第１よ （Ａ） ５図 （Ｂ） １２５０°Ｃ−２ｈ ＳｎＯｍｏｌ’／。 図 （Ｂ） ＼、 （Ａ） 図 （Ｂ） ゝ、 ＳｎＯｍｄｏ／。 １２２０＠Ｃ−２ｈ 図 （Ｂ） １２３０−（、： −Ｚｆｉ 図 １２４０−Ｃ−：ｊｌ−１ 第 （Ａ） ２０図 （Ｂ） １２５０°Ｃ−２ｈ Ｓ″○ｍｄ ″。 第 ２２図 （Ｂ） １２２０°Ｃ−２ｈ ＳｎＯｍｏ１％（Ｂ） １２３０・Ｃ−２Ｃ−２ｈＳｎＯ％ 図 （Ｂ） １２４０”Ｃ−２ｈ ＳｎｏｍＯ１’第２５： （Ａ） （Ｂ） １２５０’Ｃ−２ｈ ＳｎＯｍｄ”図 （Ｂ） 第２７ （Ａ） 図 （Ｂ） ＳｎＯｍｄｌ。 １２２０’Ｃ−２ｈ （Ｂ） １２３０”Ｃ−２ｈ Ｓｎ０ｍ０’％第２９図 （Ａ） （Ｂ） ＳｎＯｍｏｌ ％ １２５０°Ｃ−２ｈ 図 第 ３２図 （Ｂ） １２２ｏ”ｃ −２ｈ ＳｎＯｍｏｌ”／ｓ図 （Ｂ） つ 図 （Ｂ） １２５０”Ｃ−２ｈ Ｓｎ０ｍ”″／−図 （Ｂ） 仝 １２１０’Ｃ−２ｈ ５°０“ハ 図 （Ｂ） １２２ｏ’ｃ −２ｈ ５ｎＯｒｎｏｌ ’Ａ図 （Ｂ） １２３０”Ｃ−２ｈ Ｓｎ０ｍ０’％図 （Ｂ） １２５０°Ｃ−ｚｈ ＳｎＯｍｏｌ ’ｌ。 図 図 （Ｂ） １２２０−Ｃ−Ｚｔｌ 一 ・図 図 （Ｂ） １２、ｆ、ｏ”ｃ −２ｈ ５ｎ０”’″Ａ図 ＣＢ） １２５０”Ｃ−２ｈ Ｓｎ０ｍ””図 （Ｂ） ― 図 （Ｂ） ＳｎＯｍｏ１％ １２２０°Ｃ−２ｈ 第 （Ａ） ４８図 （Ｂ） １２３０”Ｃ−２ｈ Ｓｎ０ｍ””第 （Ａ） 図 （Ｂ） ５ｎＯｍｏ１％ １２５０＠Ｃ−２ｈ
Claims (4)
- （１）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ＿３−ＰｂＴｉ
Ｏ＿３−ＰｂＺｒＯ＿３系磁器組成物のＰｂ原子の一部
をＳｒで置換してなる磁器組成物に対し、ＳｎＯを０．
２〜８．０ｍｏｌ％添加したことを特徴とする強誘電性
圧電磁器組成物。 - （２）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ＿３−ＰｂＴｉ
Ｏ＿３−ＰｂＺｒＯ＿３系磁器組成物のＰｂ原子の一部
をＳｒで置換してなる磁器組成物に対し、ＺｎＯをＹｍ
ｏｌ％、ＳｎＯをＸｍｏｌ％添加したことを特徴とする
強誘電性圧電磁器組成物。ただし、Ｙ＝１．０〜３．０
、Ｘ＝０．２〜８．０とする。 - （３）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ＿３−ＰｂＴｉ
Ｏ＿３−ＰｂＺｒＯ＿３系磁器組成物のＰｂ原子の一部
をＳｒで置換してなる磁器組成物に対し、ＺｎＯをＺｍ
ｏｌ％、Ｂｉ＿２Ｏ＿３をＹｍｏｌ％、ＳｎＯをＸｍｏ
ｌ％添加したことを特徴とする強誘電性圧電磁器組成物
。ただし、Ｚ＝１．０〜３．０、Ｙ＝０．５〜２．０、
Ｘ＝０．２〜８．０とする。 - （４）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ＿３−ＰｂＴｉ
Ｏ＿３−ＰｂＺｒＯ＿３系磁器組成物のＰｂ原子の一部
をＳｒで置換してなる磁器組成物に対し、ＺｎＯをＺｍ
ｏｌ％、ＮｉＯをＹｍｏｌ％、ＳｎＯをＸｍｏｌ％添加
したことを特徴とする強誘電性圧電磁器組成物。ただし
、Ｚ＝１．０〜３．０、Ｙ＝０．５〜２．０、Ｘ＝０．
２〜８．０とする。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61207175A JPS6364962A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 強誘電性圧電磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61207175A JPS6364962A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 強誘電性圧電磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6364962A true JPS6364962A (ja) | 1988-03-23 |
| JPH0220588B2 JPH0220588B2 (ja) | 1990-05-09 |
Family
ID=16535476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61207175A Granted JPS6364962A (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | 強誘電性圧電磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6364962A (ja) |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP61207175A patent/JPS6364962A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0220588B2 (ja) | 1990-05-09 |
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