JPS6362833A - 半導体リ−ド用銅合金 - Google Patents
半導体リ−ド用銅合金Info
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- JPS6362833A JPS6362833A JP20521186A JP20521186A JPS6362833A JP S6362833 A JPS6362833 A JP S6362833A JP 20521186 A JP20521186 A JP 20521186A JP 20521186 A JP20521186 A JP 20521186A JP S6362833 A JPS6362833 A JP S6362833A
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Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子のパッケージにリードフレームやリ
ード線として用いる半導体リード用銅合金に関するもの
でおる。
ード線として用いる半導体リード用銅合金に関するもの
でおる。
トランジスター、ダイオード、IC,LSI。
磁気センサー等の半導体は、Siなどの素子をレジン、
セラミック、メタル缶体などで封止しており、外部又は
内部配線としてリードフレーム、リード線、テープキャ
リヤー等が用いられている。特に近年パッケージの小型
化・高密度化と共に素子の高集積化が強く志向され、放
熱性、成型加工性及び強度の優れたCu合金がNr−F
6合金、Nt−Fe−Co合金に代って大量に使用され
るようになった。
セラミック、メタル缶体などで封止しており、外部又は
内部配線としてリードフレーム、リード線、テープキャ
リヤー等が用いられている。特に近年パッケージの小型
化・高密度化と共に素子の高集積化が強く志向され、放
熱性、成型加工性及び強度の優れたCu合金がNr−F
6合金、Nt−Fe−Co合金に代って大量に使用され
るようになった。
このようなCu合金の代表としては、CU−2,4wt
%Fe−0,2wt%Zr−P合金(以下wt%を%と
略記)やCu−1,5%Fe−0,8%Go−0.6%
5n−P合金が知られているが、多量のFe−P化合物
粒子を含むため、メッキ性、ボンディング性、半田付は
性等が劣る。リン青銅は強度や加工性が優れているも、
導電率が20%lAC3以下と低く、半田付は性や応力
腐食割れ性が劣る。このため3n含有母を1〜2%に抑
えてCr、Fe、’Ni等を少量、例えば0.1〜0.
3%添加した強度50〜60/(g/si、導電率30
〜40%lAC3とした改良合金が用いられているが、
これらも半田付は性やメッキ性が劣るものである。
%Fe−0,2wt%Zr−P合金(以下wt%を%と
略記)やCu−1,5%Fe−0,8%Go−0.6%
5n−P合金が知られているが、多量のFe−P化合物
粒子を含むため、メッキ性、ボンディング性、半田付は
性等が劣る。リン青銅は強度や加工性が優れているも、
導電率が20%lAC3以下と低く、半田付は性や応力
腐食割れ性が劣る。このため3n含有母を1〜2%に抑
えてCr、Fe、’Ni等を少量、例えば0.1〜0.
3%添加した強度50〜60/(g/si、導電率30
〜40%lAC3とした改良合金が用いられているが、
これらも半田付は性やメッキ性が劣るものである。
[発明が解決しようとする問題点]
近年半導体の進歩と共にリード材として高精密加工され
、かつ強度及び導電率が優れ、更にメッキ性、半田付は
性、酸化スケール密着性の優れたものが必要となりつつ
あり、小型・高密パッケージ、特に面実装パッケージで
はこの傾向が顕著である。即ち面実装パッケージはスル
ーホール実装と異なってプリント基盤上に半田付は実装
されるので、リード部に予め施すSnや5n−Pb合金
メッキの密着性や長期にわたる半田付は強度が重要視さ
れる。またパッケージの小型化と共にレジンモールドと
リード界面との密着性が半導体の耐湿信頼性に大きく影
響するところから酸化スケールの密着性が重要視されて
いる。更に小型精密なリードフレームの成型に耐える優
れた曲げ加工性が要求されている。
、かつ強度及び導電率が優れ、更にメッキ性、半田付は
性、酸化スケール密着性の優れたものが必要となりつつ
あり、小型・高密パッケージ、特に面実装パッケージで
はこの傾向が顕著である。即ち面実装パッケージはスル
ーホール実装と異なってプリント基盤上に半田付は実装
されるので、リード部に予め施すSnや5n−Pb合金
メッキの密着性や長期にわたる半田付は強度が重要視さ
れる。またパッケージの小型化と共にレジンモールドと
リード界面との密着性が半導体の耐湿信頼性に大きく影
響するところから酸化スケールの密着性が重要視されて
いる。更に小型精密なリードフレームの成型に耐える優
れた曲げ加工性が要求されている。
また内部配線、即ちワイヤーボンディングの信頼性のた
めには、AUヤA9メッキ性と共に、材料組織の均一性
が強く求められている。特に金属中の介在物や晶出物は
それ自体直接又はメッキ性を介してボンディングの障害
となる。
めには、AUヤA9メッキ性と共に、材料組織の均一性
が強く求められている。特に金属中の介在物や晶出物は
それ自体直接又はメッキ性を介してボンディングの障害
となる。
本発明はこれに鑑み種々研究の結果、近時要求が高まり
つつある小型・高密な面実装型パッケージ、高集積度の
高信頼性を要求されるLSIやVLSIなとのパッケー
ジに好適な特性を有する半導体リード用銅合金を開発し
たものでおる。
つつある小型・高密な面実装型パッケージ、高集積度の
高信頼性を要求されるLSIやVLSIなとのパッケー
ジに好適な特性を有する半導体リード用銅合金を開発し
たものでおる。
本発明銅合金の一つは、Sn0.1〜0.4%、N i
0.05〜0.5%と、Zn、Mn、M9.Go。
0.05〜0.5%と、Zn、Mn、M9.Go。
希土類元素(RE>、Ti、Si、Bの内の少なくとも
1種以上を合計o、ooi〜Q、2%とを含み、P含有
量をo、 oi%以下、S含有量を0.002%以下、
O2含有量を0.002%以下に制限し、残部CUと不
可避的不純物からなることを特徴とするものである。
1種以上を合計o、ooi〜Q、2%とを含み、P含有
量をo、 oi%以下、S含有量を0.002%以下、
O2含有量を0.002%以下に制限し、残部CUと不
可避的不純物からなることを特徴とするものである。
また本発明合金の他の一つは、3n0.1〜0.4%、
N i O,05〜0.5%と、Zn、 Mn。
N i O,05〜0.5%と、Zn、 Mn。
Mg、Go、8土類元素(RE)、Ti、Si。
Bの内の少なくとも1種以上を合計o、 ooi〜0.
2%と、更にCr、Zr、Feの内の少なくとも1種以
上を合計0.1%以下とを含み、P含有量をo、 oi
%以下、S含有量を0.002%以下、O2含有量を0
.002%以下に制限し、残部Cuと不可避的不純物か
らなることを特徴とするものである。
2%と、更にCr、Zr、Feの内の少なくとも1種以
上を合計0.1%以下とを含み、P含有量をo、 oi
%以下、S含有量を0.002%以下、O2含有量を0
.002%以下に制限し、残部Cuと不可避的不純物か
らなることを特徴とするものである。
即ち本発明合金は上記組成からなり、特に粒径が3μを
越える析出物を1000個/mtA以下とするもので、
精選された原料を用い、クリーンな環境・設備を用いて
製造され、製造工程・条件は既存の技術を活用する。即
ち所望配合された原料を溶解鋳造し、熱間加工を施すか
又は直接冷間加工により所定の寸法に仕上げる。途中焼
鈍を必要に応じて施し、テンションアニーラ−、テンシ
ョンレベラー、スリッター等を適宜組合せる。
越える析出物を1000個/mtA以下とするもので、
精選された原料を用い、クリーンな環境・設備を用いて
製造され、製造工程・条件は既存の技術を活用する。即
ち所望配合された原料を溶解鋳造し、熱間加工を施すか
又は直接冷間加工により所定の寸法に仕上げる。途中焼
鈍を必要に応じて施し、テンションアニーラ−、テンシ
ョンレベラー、スリッター等を適宜組合せる。
〔作 用〕
Sn含有量を1.0〜4.0%と限定したのは、snは
Cu中に原子的に固溶して合金の強度を向上するも、含
有量が1.0%未満では効果が薄く、4.0%を越える
過剰では導電率、熱伝導率を低下する。Ni含有mを0
.05〜0.5%と限定したのは、Niはcu−sn固
溶体の強度を向上するも、含有量が0.005%未満で
は効果が薄く、0.5%を越える過剰では導電率、熱伝
導率を低下するもので、実用上はNi含有量を0.05
〜0.3%とすることが望ましい。
Cu中に原子的に固溶して合金の強度を向上するも、含
有量が1.0%未満では効果が薄く、4.0%を越える
過剰では導電率、熱伝導率を低下する。Ni含有mを0
.05〜0.5%と限定したのは、Niはcu−sn固
溶体の強度を向上するも、含有量が0.005%未満で
は効果が薄く、0.5%を越える過剰では導電率、熱伝
導率を低下するもので、実用上はNi含有量を0.05
〜0.3%とすることが望ましい。
Zn、Mn、VI9.Ca、RE、Ti、Si。
B等(以下第1副成分)の内の少なくとも1種以上の合
計含有量をo、 ooi〜0.2%と限定したのは、こ
れ等は近時強く求められている各種実用特性を付与する
不可欠の成分であり、半田付は性、メッキ性、ボンディ
ング性、酸化スケール密着性等を改善する。これ等の作
用は明らかではないが、一部は脱酸・脱硫作用と関係し
ているものと考えられる。しかして含有量が0.001
%未満では効果が薄く、0.2%を越えると導電率や加
工性を損なう。
計含有量をo、 ooi〜0.2%と限定したのは、こ
れ等は近時強く求められている各種実用特性を付与する
不可欠の成分であり、半田付は性、メッキ性、ボンディ
ング性、酸化スケール密着性等を改善する。これ等の作
用は明らかではないが、一部は脱酸・脱硫作用と関係し
ているものと考えられる。しかして含有量が0.001
%未満では効果が薄く、0.2%を越えると導電率や加
工性を損なう。
Fe、Cr’、Zr等(以下第2副成分)の内の少なく
とも1種以上の合計含有量を0.1%以下と限定したの
は、これ等は応力腐食割れを改善すると共に強度及び耐
熱性を向上する。しかして含有量が0.1%を越えると
晶出物が過剰となって実用特性を損なう。
とも1種以上の合計含有量を0.1%以下と限定したの
は、これ等は応力腐食割れを改善すると共に強度及び耐
熱性を向上する。しかして含有量が0.1%を越えると
晶出物が過剰となって実用特性を損なう。
本発明合金は上記組成からなり、特に不可避的不純物中
P含有量を0.01%以下、S含有量を0.002%以
下、O2含有量を0.002%以下に制限したのは、こ
れを越えて含有すると合金の実用特性を著しく損なうた
めである。即ちPは導電率を著しく低下せしめると同時
に半田付は性。
P含有量を0.01%以下、S含有量を0.002%以
下、O2含有量を0.002%以下に制限したのは、こ
れを越えて含有すると合金の実用特性を著しく損なうた
めである。即ちPは導電率を著しく低下せしめると同時
に半田付は性。
メッキ性、酸化スケールの密着性に有害に動く。
更に合金成分であるNi、第1副成分、第2副成分と結
合して粗大品出物となり、合金の実用特性を損なう。S
も同様に晶出物となって合金の実用特性を損なう。Qも
添加成分と結合して合金成分の有効作用を阻害し、かつ
組織の均一性を劣化する。
合して粗大品出物となり、合金の実用特性を損なう。S
も同様に晶出物となって合金の実用特性を損なう。Qも
添加成分と結合して合金成分の有効作用を阻害し、かつ
組織の均一性を劣化する。
本発明合金は上記の組成条件と共にマトリックス中の粒
径3μ以上の析出物をi ooo個/−以下に制限する
ことにより、半導体の内部結線の信頼性を大きく向上す
ることができる。即ちリードフレームと素子電極とのワ
イヤーボンディングでは線径15〜30μのAu、Al
t、Cu線が超音波接合させるので、晶出物のサイズが
3μ以上で有害となる場合が多く、粗大な晶出物はボン
ディング性を損なう。
径3μ以上の析出物をi ooo個/−以下に制限する
ことにより、半導体の内部結線の信頼性を大きく向上す
ることができる。即ちリードフレームと素子電極とのワ
イヤーボンディングでは線径15〜30μのAu、Al
t、Cu線が超音波接合させるので、晶出物のサイズが
3μ以上で有害となる場合が多く、粗大な晶出物はボン
ディング性を損なう。
本発明合金の晶出物は上記の如く第1副成分と第2副成
分、更にはNi、第1副成分、第2副成分とp、S、0
2との化合物である場合が多く、上記組成範囲に制限す
ることにより、粗大晶出物を大幅に低減することができ
る。また製造条件のコントロールも有効である。たとえ
ば鋳造時の冷却速度により、鋳塊晶出物を微細化すると
共に均一に分散できる。また加工・熱処理条件を適正化
したり、溶体化処理などを行なうことも有効である。
分、更にはNi、第1副成分、第2副成分とp、S、0
2との化合物である場合が多く、上記組成範囲に制限す
ることにより、粗大晶出物を大幅に低減することができ
る。また製造条件のコントロールも有効である。たとえ
ば鋳造時の冷却速度により、鋳塊晶出物を微細化すると
共に均一に分散できる。また加工・熱処理条件を適正化
したり、溶体化処理などを行なうことも有効である。
尚本発明合金において、/’1.Au、Be。
Li、Na、V、Pd、Y、AI、T1.Ge。
Pb、Sb等の少量添加も有効である。
(実施例〕
木炭被覆した黒鉛ルツボ中で第1表に示す配合合金を溶
解してから金型に水冷鋳造し、外削して100a角、長
ざ300 trttsとした鋳塊を850℃に加熱して
熱間圧延により厚さ8履の板とした。
解してから金型に水冷鋳造し、外削して100a角、長
ざ300 trttsとした鋳塊を850℃に加熱して
熱間圧延により厚さ8履の板とした。
これを酸洗してから厚さ0.25Mまで冷間圧延した。
途中厚さ1.5 amと0.607111で550℃、
0.5時間の熱処理を施し、厚さ0.25mの板につい
て250〜300℃、1時間の熱処理を施した。これ等
について引張強ざ、伸び、導電率、晶出物の密度、ワイ
ヤーボンド収率、半田接合強度、酸化スケールの密着限
界厚さを調べた。その結果を第2表に示す。
0.5時間の熱処理を施し、厚さ0.25mの板につい
て250〜300℃、1時間の熱処理を施した。これ等
について引張強ざ、伸び、導電率、晶出物の密度、ワイ
ヤーボンド収率、半田接合強度、酸化スケールの密着限
界厚さを調べた。その結果を第2表に示す。
晶出物の密度については、圧延面をNH40H−H20
2混液によりエツチングしてSEMで観察し、粒径3μ
以上の粗大晶出物の密度を求めた。ワイヤーボンド収率
については、上記エツチング面を1%KGNにデツプし
てからA9CN浴を用いて厚さ3μのA9メッキを施し
、450℃で5分加熱してから線径23μのALJ線を
用い、自動式超音波併用熱圧着ボンダーにより第1ボン
ドと第2ボンドを行ない、ループ長さ277111の2
000個のループを形成し、プル試験を行なってボンデ
ィング収率を求めた。尚ボンド部の剥離等、ワイヤー切
れ以外は不良とした。
2混液によりエツチングしてSEMで観察し、粒径3μ
以上の粗大晶出物の密度を求めた。ワイヤーボンド収率
については、上記エツチング面を1%KGNにデツプし
てからA9CN浴を用いて厚さ3μのA9メッキを施し
、450℃で5分加熱してから線径23μのALJ線を
用い、自動式超音波併用熱圧着ボンダーにより第1ボン
ドと第2ボンドを行ない、ループ長さ277111の2
000個のループを形成し、プル試験を行なってボンデ
ィング収率を求めた。尚ボンド部の剥離等、ワイヤー切
れ以外は不良とした。
半田接合強度は、上記エツチング面の4m角部にCu線
を共晶半田付けし、150℃で300時間保持してから
プル試験を行なって接合強度を求めた。また酸化スケー
ルの密着性については、上記エツチング後、大気中45
0℃で10秒〜5分加熱してからテープ剥離テストを行
ない、剥離が始まる限界のスケール厚さを求めた。
を共晶半田付けし、150℃で300時間保持してから
プル試験を行なって接合強度を求めた。また酸化スケー
ルの密着性については、上記エツチング後、大気中45
0℃で10秒〜5分加熱してからテープ剥離テストを行
ない、剥離が始まる限界のスケール厚さを求めた。
第1表及び第2表から明らかなように、本発明合金Nα
1〜7は何れも強度、伸び、導電率が優れ、3μを越え
る晶出物が1000個/mrA以下に抑えられ、そのた
め、ワイヤーボンド収率、半田接合強度、M化スケール
密着性等の実用的特性が満足できる結果を示している。
1〜7は何れも強度、伸び、導電率が優れ、3μを越え
る晶出物が1000個/mrA以下に抑えられ、そのた
め、ワイヤーボンド収率、半田接合強度、M化スケール
密着性等の実用的特性が満足できる結果を示している。
これに対し第1副成分を含まない比較合金Nα8ではP
含有量が多く、晶出物も多いため、ワイヤーボンド収率
、半田接合強度1M化スケール密着性等の実用的特性が
不十分である。第1副成分を含むも、P含有量の多い比
較合金Nα9では、第1副成分の添加により上記実用的
特性が幾分改善されているもなお不十分でおる。S含有
量の多い比較合金Nα10及びQ含有量の多い比較合金
Nα11では、何れも晶出物が多く、上記実用的特性が
劣る。また第2副成分の含有量が多い比較合金Nα12
では導電率の低下が著しいことが判る。
含有量が多く、晶出物も多いため、ワイヤーボンド収率
、半田接合強度1M化スケール密着性等の実用的特性が
不十分である。第1副成分を含むも、P含有量の多い比
較合金Nα9では、第1副成分の添加により上記実用的
特性が幾分改善されているもなお不十分でおる。S含有
量の多い比較合金Nα10及びQ含有量の多い比較合金
Nα11では、何れも晶出物が多く、上記実用的特性が
劣る。また第2副成分の含有量が多い比較合金Nα12
では導電率の低下が著しいことが判る。
(発明の効果)
このように本発明は、半導体リード、特に近時要求が高
まりつつある小型高密な面実装型パッケージ及び高集積
度の高信頼性を要求されるLSIやVLSIなとのパッ
ケージに好適な特性を有する半導体リード用銅合金を提
供するもので、Fe−42%Ni合金やコバールなどの
高価で、かつ熱・電気伝導性の低い合金に代って利用で
きる等工業上顕著な効果を奏するものである。
まりつつある小型高密な面実装型パッケージ及び高集積
度の高信頼性を要求されるLSIやVLSIなとのパッ
ケージに好適な特性を有する半導体リード用銅合金を提
供するもので、Fe−42%Ni合金やコバールなどの
高価で、かつ熱・電気伝導性の低い合金に代って利用で
きる等工業上顕著な効果を奏するものである。
Claims (4)
- (1)Sn1.0〜4.0wt%、Ni0.05〜0.
5wt%と、Zn、Mn、Mg、Ca、希土類元素、T
i、Si、Bの内の少なくとも1種以上を合計0.00
1〜0.2wt%とを含み、P含有量を0.01wt%
以下、S含有量を0.002wt%以下、O_2含有量
を0.002wt%以下に制限し、残部Cuと不可避的
不純物からなる半導体リード用銅合金。 - (2)粒径が3μを越える析出物を1000個/mm^
2以下とする特許請求の範囲第1項記載の半導体リード
用銅合金。 - (3)Sn1.0〜4.0wt%、Ni0.05〜0.
5wt%と、Zn、Mn、Mg、Ca、希土類元素、T
i、Si、Bの内の少なくとも1種以上を合計0.00
1〜0.2wt%と、更にCr、Zr、Feの内の少な
くとも1種以上を合計0.1wt%以下とを含み、P含
有量を0.01wt%以下、S含有量を0.002wt
%以下、O_2含有量を0.002wt%以下に制限し
、残部Cuと不可避的不純物からなる半導体リード用銅
合金。 - (4)粒径が3μを越える析出物を1000個/mm^
2以下とする特許請求の範囲第3項記載の半導体リード
用銅合金。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20521186A JPS6362833A (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 半導体リ−ド用銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20521186A JPS6362833A (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 半導体リ−ド用銅合金 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6362833A true JPS6362833A (ja) | 1988-03-19 |
Family
ID=16503240
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20521186A Pending JPS6362833A (ja) | 1986-09-02 | 1986-09-02 | 半導体リ−ド用銅合金 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6362833A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6425929A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-27 | Furukawa Electric Co Ltd | Copper alloy for electronic equipment |
JP2013258355A (ja) * | 2012-06-14 | 2013-12-26 | Denso Corp | 電子装置 |
-
1986
- 1986-09-02 JP JP20521186A patent/JPS6362833A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6425929A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-27 | Furukawa Electric Co Ltd | Copper alloy for electronic equipment |
JPH0425338B2 (ja) * | 1987-07-20 | 1992-04-30 | Furukawa Electric Co Ltd | |
JP2013258355A (ja) * | 2012-06-14 | 2013-12-26 | Denso Corp | 電子装置 |
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