JPH01159337A - 高力高導電性銅合金 - Google Patents

高力高導電性銅合金

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JPH01159337A
JPH01159337A JP31611187A JP31611187A JPH01159337A JP H01159337 A JPH01159337 A JP H01159337A JP 31611187 A JP31611187 A JP 31611187A JP 31611187 A JP31611187 A JP 31611187A JP H01159337 A JPH01159337 A JP H01159337A
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JP
Japan
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copper alloy
weight
alloy
less
electric conductive
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JP31611187A
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English (en)
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Tamio Toe
東江 民夫
Hidehiko So
宗 秀彦
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Eneos Corp
Original Assignee
Nippon Mining Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、トランジスタや集積回路(IC)などの半導
体機器のリード材およびコネクター、端子、リレー、ス
イッチ等の導電性ばね材に適する高力、高導電性の銅合
金に関するものである。
[従来の技術] 従来、半導体機器のリード材としては熱膨張係数が低く
、素子及びセラミックとの接着および封着性の良好なコ
バール(Pc−29Ni−16co)、42合金などの
高ニッケル合金が好んで使われてきた。しかし、近年、
半導体回路の集積度の向上に伴い消費電力の高いICが
多く使用されるようになってきたことと、封止材料とし
て樹脂が多く使用され、かつ素子とリードフレームの接
着も改良が加えられたことにより使用されるリード材も
放熱性の良い銅基合金が使われるようになってきた。
又、従来電気機器用ばね、計測器用ばね、スイッチ、コ
ネクター等に用いられるばね用材料としては、安価な黄
銅、優れたばね特性及び耐食性を有する洋白、あるいは
優れたばね特性を有するりん青銅が使用されていた。
[発明が解決しようとする問題点] 一般に半導体機器のリード材としては以下のような特性
が要求されている。
(1)リードが電気信号伝達部であるとともに、パッケ
ージング工程中及び回路使用中に発生する熱を外部に放
出する機能を併せ持つことを要求されるため、優れた熱
及び電気伝導性を示すもの。
(2)リードとモールドとの密着性が半導体素子保護の
観点から重要であるため、リード材とモールド材の熱膨
脹係数が近いこと。
(3)パッケージング時に種々の加熱工程が加わるため
、耐熱性が良好であること。
(4)リードはリードを打ち抜き加工し、また曲げ加工
して作製されるものがほとんどであるため、これらの加
工性が良好であること。
(5)リードは表面に貴金属のめっきを行うため、これ
ら貴金属とのめっき密着性が良好であること。
(6)パッケージング後に封止材の外に露出している、
いわゆるアウター・リード部に半田付けするものが多い
ので、良好な半田付は性を示すこと。
(7)機器の信頼性及び寿命の観点から耐食性が良好な
こと。
(8)価格が低置であること。
これら各種の要求特性に対し従来より使用されている無
酸素銅、錫入り銅、りん青銅、コバール、42合金はい
ずれも一長一短があり、これらの特性のすべてを必ずし
も満足しえるものではない。
又、バネ材として用いられている黄銅は強度、ばね特性
が劣っており、又強度、ばね特性の優れた洋白、りん青
銅も洋白は18重量%のNi。
りん青銅は8重量%のSnを含むため、原料の面及び製
造上熱間加工性が悪い等の加工上の制約も加わり高価な
合金であった。さらには電気機器用等に用いられる場合
、電気伝導度が低いという欠点を有していた。従って、
導電性が良好であり、ばね特性に優れた安価な合金の現
出が待たれていた。
本発明は、かかる従来の銅基合金のもつ欠点を改良し、
半導体機器のリード材及び導電性ばね材として好適な諸
特性を有する銅合金を提供しようとするものである。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、Crが0.1重量%以上2.0重量%以下、
Pが0.0HJfm%以上0.8重量%以下および重量
%でP / Crが0.6以下であり、あるいはさらに
Si、Zr、AI、Be、Co、Fe。
Hf5Mg、Ni、Sn、Ti、Zn、MO%Teから
なる群より選択された1種又は2種以上を総量で0.O
I重量%以上160重量%以下含み、残部Cu及び不可
避不純物からなり、CrとPの化合物あるいはCrとP
を主成分とする化合物がその銅合金中に分散してなるこ
とを特徴とする高力高導電性銅合金である。
すなわち、Cu−Cr系合金は時効処理により優れた導
電性とある程度の・強度を示すが、半導体機器のリード
材として強度が不十分であり、又、半導体機器のリード
材として充分な導電率を得るには、製造工程中に溶体化
処理や時効処理が必要となり、製造コストが高価になる
そこで、本発明者は鋭意研究を重ねた結果、Cu−Cr
系合金にPを添加することにより、鋳造時にCrとPの
化合物が析出し、これら通常針状の化合物が銅合金中に
分散することにより、溶体化処理、時効処理を行うこと
なく、優れた電気および熱伝導性、機械的性質、酸化膜
密着性、半田付は性、耐熱性、プレス成形性、曲げ加工
性等を有する合金が得られた。
又、本発明では必要に応じて歪取りや時効等の熱処理を
行ってもよく、当然これらのことも包含する。
以下に本発明合金を構成する合金成分の限定理由を説明
する。
Crの含有量を0.1重量%以上、2.0重量%以下と
するのは通常針状のCr−P化合物の分散による強度向
上が得られるためであり、0.1重量%未満では十分な
強度が得られず、逆にCrの含有量が2.0重量%を超
えると、Cr−P化合物が粗大化し、加工性、導電性の
低下が見られるようになるため7である。
Pの含有量を0.01重量%以上、0.8重量%以下と
するのは、Cr−P化合物の分散による強度向上が得ら
れるためであり、0.01重量%以下では十分な強度が
得られず、逆にPの含有量が0.8重量%を超えるとC
r−P化合物が粗大化し、加工性、導電率の低下が見ら
れるようになるためである。
CrとPの含有量の比が重量%のP / Crで0.6
以下とするのは、導電率を大きく低下させることなく、
Cr−P化合物の分散による強度向上が得られるためで
あり、P / Crが0.6を超えると銅合金の素地中
にCr−P化合物とならないPが増し、導電率の低下が
著しく、加工性も害するためである。
さらに、Si、Zr、AI、Be、Co。
Fe%  Hf% MgS NiS Sn、TLS Z
n、Mo、Teからなる群より選択された1種又は2種
以上を添加するのは、これらの添加により、Cr−P化
合物の分散の均一、緻密化、Cr−P化合物と結びつい
ての複合化合物の形成、素地中への固溶等により、導電
率を大きく低下させずに強度、耐熱性を向上させる効果
が期待できるためで、含有量を総量でo、oii量%以
上、■、0重量%以下とするのは0.01重量%未満で
は前述の効果が期待できず、1.0重量%を超えると導
電率が著しく低下するからである。次に本発明を実施例
により具体的に説明する。
[実施例コ 第1表に示す本発明合金に係る各柾成分組成のインゴッ
トを、電気銅あるいは無酸素銅を原料として高周波溶解
炉で、大気、又は不活性雰囲気、あるいは真空中で溶解
、鋳造を行った。
次にこれらのインゴットの面側を行った後、800℃で
1時間加熱し、熱間圧延で6111filの板とした。
この厚さ 6IIIIの板を面側後冷間圧延で0.3n
o+の板とした。
リード材の評価項目として強度、伸びを引張試験により
評価した。
電気伝導性(放熱性)は導電率(%IAC3)によって
示した。繰返し曲げ性は曲げ半径0.3IIIIIlの
折り曲げ治具を用い、90″往復曲げを行い、破断まで
の回数をi’1lll定した。
半田付は性は垂直式浸漬法によって230±5℃の半田
浴(Sn60%、Pb40%)に5秒間浸漬して、半田
のぬれの状態を目視観察することにより評価した。
めっき密着性は試料に厚さ 3μのAgめっきを施し、
450℃にて5分間加熱し、表面に発生するフクレの有
無を顕微鏡観察により評価した。
これらの結果を比較合金とともに第1表に示した。第1
表かられかる様に本発明例は優れた導電率、強度、折り
曲げ性、半田付は性、めっき密着性を示す。これに対し
比較合金(1)はC’rQが少く、強度が不充分である
。比較合金(2)はP量が少く、強度が不充分であり、
また、めっき密告性も悪い。比較合金(3)はP / 
Crが0.6を超えており、Crに対してPが過剰であ
り、導電率の低下が著しく、また折り曲げ性、半田付は
性、めっき密着性も悪い。比較合金(4)はCr5PQ
が多く、導電率が低下し、折り曲げ性、半田付は性、め
っき密着性も悪い。
[発明の効果〕 本発明によれば、溶体化処理、時効処理を行うことなく
、優れた電気および熱伝導性、機械的性質、酸化膜密着
性、半田付は性、耐熱性、プレス成形性、曲げ加工性等
を有する銅合金が得られる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)Crが0.1重量%以上2.0重量%以下、Pが
    0.01重量%以上0.8重量%以下、および重量%で
    P/Crが0.6以下であり、残部がCu及び不可避的
    不純物からなり、CrとPの化合物をその銅合金中に分
    散してなることを特徴とする高力高導電性銅合金。
  2. (2)Crが0.1重量%以上2.0重量%以下、Pが
    0.01重量%以上0.8重量%以下、および重量%で
    P/Crが0.6以下であり、さらにSi、Zr、Al
    、Be、Co、Fe、Hf、Mg、Ni、Sn、Ti、
    Zn、Mo、Teからなる群より選択された1種又は2
    種以上を総量で0.01重量%以上1.0重量%以下含
    み、残部がCu及び不可避的不純物からなり、 CrとPを主成分とする化合物がその銅合金中に分散し
    てなることを特徴とする高力高導電性銅合金。
JP31611187A 1987-12-16 1987-12-16 高力高導電性銅合金 Pending JPH01159337A (ja)

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