JPS6359425B2 - - Google Patents
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- JPS6359425B2 JPS6359425B2 JP5623580A JP5623580A JPS6359425B2 JP S6359425 B2 JPS6359425 B2 JP S6359425B2 JP 5623580 A JP5623580 A JP 5623580A JP 5623580 A JP5623580 A JP 5623580A JP S6359425 B2 JPS6359425 B2 JP S6359425B2
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- -1 disazo compound Chemical class 0.000 claims description 21
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 49
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M sodium nitrite Chemical compound [Na+].[O-]N=O LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWTJRFCUTIHVPX-UHFFFAOYSA-N 2,7-diaminofluoren-9-one Chemical compound C1=C(N)C=C2C(=O)C3=CC(N)=CC=C3C2=C1 GWTJRFCUTIHVPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006193 diazotization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- GACNTLAEHODJKY-UHFFFAOYSA-N n,n-dibenzyl-4-[1-[4-(dibenzylamino)phenyl]propyl]aniline Chemical compound C=1C=C(N(CC=2C=CC=CC=2)CC=2C=CC=CC=2)C=CC=1C(CC)C(C=C1)=CC=C1N(CC=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 GACNTLAEHODJKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVWOVXMYTKOSGN-UHFFFAOYSA-N n-(2-bromophenyl)-3-hydroxynaphthalene-2-carboxamide Chemical compound OC1=CC2=CC=CC=C2C=C1C(=O)NC1=CC=CC=C1Br BVWOVXMYTKOSGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 2
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 2
- 235000010288 sodium nitrite Nutrition 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- BUZRWZOEPCLTRF-UHFFFAOYSA-N N-(4-chlorophenyl)-4-[[7-[[3-[(4-chlorophenyl)carbamoyl]-2-hydroxynaphthalen-1-yl]diazenyl]-9-oxofluoren-2-yl]diazenyl]-3-hydroxynaphthalene-2-carboxamide Chemical compound OC1=C(C(=O)NC=2C=CC(Cl)=CC=2)C=C2C=CC=CC2=C1N=NC(C=C1C(=O)C2=C3)=CC=C1C2=CC=C3N=NC(C1=CC=CC=C1C=1)=C(O)C=1C(=O)NC1=CC=C(Cl)C=C1 BUZRWZOEPCLTRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004419 Panlite Substances 0.000 description 1
- QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N [As].[Se] Chemical compound [As].[Se] QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- YVICOCFHIYFDJP-UHFFFAOYSA-N n-(2-bromophenyl)naphthalene-1-carboxamide Chemical compound BrC1=CC=CC=C1NC(=O)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 YVICOCFHIYFDJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
本発明は、新規なジスアゾ化合物に関する。
従来から、ジスアゾ化合物が、電子写真方式に
おいて使用される感光体の一つの形態である積層
型感光体の、電荷発生層に用いられる電荷発生顔
料として、有効であることが知られている。ここ
でいう積層型感光体とは、導電性支持体上に、光
によつて電荷担体を生成する能力を有する電荷発
生顔料を適切な方法、例えば真空蒸着、顔料溶液
の塗布あるいは樹脂溶液に顔料の微細粒子を分散
した分散液の塗布などにより薄層として電荷発生
層を形成せしめ、その上に電荷発生層で生成した
電荷担体を効率よく注入され得てしかもその移動
を行うところの電荷移動層（通常この電荷移動層
は電荷移動物質と結着樹脂とからなる。）を形成
せしめた感光体である。従来、この種の感光体に
使用されるジスアゾ化合物として、例えば特開昭
47―37543号公報あるいは、特開昭52―55643号公
報などに記載されているベンジジン系ジスアゾ顔
料あるいは特開昭54―22834号公報に開示されて
いるフルオレノン系ジスアゾ顔料などが公知であ
る。しかしながら従来のジスアゾ顔料を用いた積
層型の感光体は例えばヒ素セレン（As2Se3）合
金を用いた無機系の感光体と比較した場合感度が
低く、高速複写機の感光体として適切でないなど
の欠点を有している。 本発明の目的は、先に述べた積層型の感光体に
おいて有効な新規なジスアゾ化合物を提供するこ
とにある。本発明のジスアゾ化合物を用いた積層
型感光体は無機系の感光体と比較して感度の点で
も遜色のないものである。 すなわち、本発明は、式（） で表わされるジスアゾ化合物である。 この新規なジスアゾ化合物は常温において、紫
黒色の結晶体である。第１図には（）の赤外線
吸収スペクトル（KBr錠剤法）を第２図には熱
分析図（TG―DSC）を、また第３図にはＸ線回
折図を示した。 上記の本発明のジスアゾ化合物は下記のような
手段によつて製造することが出来る。すなわち本
発明の新規なジスアゾ化合物は式（）で表わさ
れる２，７―ジアミノ―９―フルオレノン をジアゾ化して、一般式（）で表わされるテト
ラゾニウム塩とし、 （但し、Ｘはアニオン官能基を表わす。）これ
と式（）で表わされる２―ヒドロキシ―３―
（２―ブロムフエニルカルバモイル）―ナフタレ
ン とを反応させることによつて製造することができ
る。 この製造方法にあつて、２，７―ジアミノ―９
―フルオレノンのジアゾ化は、これを希塩酸ある
いは希硫酸のような希薄無機酸中で亜硝酸ナトリ
ウム水溶液を−10℃ないし、10℃にて添加するこ
とにより行なわれる。このジアゾ化反応はおよそ
30分間から３時間で完結する。さらに反応混合物
に、例えばホウフツ化水素酸あるいは、ホウフツ
化ナトリウム水溶液などを加えてテトラゾニウム
塩として沈殿させ、結晶を取してから次の反応
に用いることが望ましい。次いでこのテトラゾニ
ウム塩に式（）の、２―ヒドロキシ―３―（２
―ブロムフエニルカルバモイル）ナフタレンを作
用して、カツプリング反応を起させることにより
行なわれる。実際にはこの反応は、Ｎ，Ｎ―ジメ
チルホルムアミド（DMF）や、ジメチルスルホ
キシドなどの有機溶媒にテトラゾニウム塩および
カツプラーを混合溶解しておき、これに約−10℃
ないし40℃にて酢酸ナトリウム水溶液などのアル
カリ水溶液を滴下することにより行なわれる。こ
の反応はおよそ５分間ないし３時間で完結する。
反応終了後析出している結晶を取し、適切な方
法により精製（例えば水あるいは／および有機溶
剤による洗浄、再結晶法など）することにより上
記ジスアゾ化合物の製造は完了する。 このようにして製造される本発明のジスアゾ化
合物の製造例を示せば次の通りである。 製造例 ２，７―ジアミノ―９―フルオレノン
〔Schmidt，Retzlaff.Haid；Ann.390 225
（1912）〕63.07ｇと６規定塩酸1.2の混合物に、
亜硝酸ナトリウム44.81grを水180mlに溶解した溶
液を０℃にて約１時間で滴下した。滴下終了後同
温度で、更に30分間撹拌したのち少量の未反応物
を別し、液に42％ホウフツ化水素酸400mlを
加えた。析出して来た結晶を取し、冷水で洗浄
後乾燥して、黄橙色の結晶として、９―フルオレ
ノン―２，７―ビスジアゾニウムビステトラフル
オロボレート108.2gr（88.4％）を得た。 分解点 約155℃ 赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法） νN2 2300cm-1 νco 1745cm-1 次に上記のようにして得たテトラゾニウム塩
2.04grおよび、２―ヒドロキシ―３―（２―ブロ
ムフエニルカルバモイル）ナフタレン3.42grを
DMF300mlに溶解し、これに酢酸ナトリウム
1.64grを水14mlに溶解した溶液を室温にて約15分
間で滴下し、滴下終了後、同温度で更に２時間撹
拌したのち析出している結晶を取した。得られ
た粗結晶ケーキを、DMF300mlに分散し80℃で２
時間撹拌したのち再び結晶を取し、更にこの操
作を２回くり返した。その後結晶を水洗して乾燥
し、本発明のジスアゾ化合物3.84ｇ（83.7％）を
得た。 紫黒色結晶 分解点300℃以上 元素分析値 実測値 計算値 Ｃ％ 61.35 61.59 Ｈ％ 2.93 3.08 Ｎ％ 8.99 9.17 赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法） νco（フルオレノン） 1725cm-1 νco（第２アシド） 1680cm-1 本発明のジスアゾ化合物は前述のとおり、積層
型感光体の電荷発生顔料として有効であり、その
点を明らかにするために以下に具体的な用途例を
示す。また本発明の進歩性を明らかにするため
に、従来からのジスアゾ化合物との比較あるいは
無機系の感光体との比較も同様に示す。 用途例 (1) 本発明のジスアゾ化合物76重量部、ポリエステ
ル樹脂（バイロン200株式会社東洋紡績製）のテ
トラヒドロフラン溶液（固形分濃度２％）1260重
量部、およびテトラヒドロフラン3700重量部をボ
ールミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアル
ミニウム蒸着したポリエステルベース（導電性支
持体）のアルミ面上にドクターブレードを用いて
塗布し、自然乾燥して、約1μmの電荷発生層を形
成した。一方１，１―ビス（４―ジベンジルアミ
ノフエニル）プロパン２重量部、ポリカーボネー
ト樹脂（パンライトK1300、株式会社帝人製）２
重量部およびテトラヒドロフラン16重量部混合溶
解して溶液としたのち、これを前記電荷発生層上
にドクターブレードで塗布し80℃で２分間、次い
で100℃で５分間乾燥して厚さ約20μmの電荷移動
層を形成せしめ、第４図に示した積層型の感光体
(A)を作成した。 また比較のために、上記の感光体作成手順に従
い、本発明のジスアゾ化合物のかわりに前述した
特開昭47―37543号公報あるいは、特開昭52―
55643に開示されているベンジジン系ジスアゾ顔
料である。４，4′―ビス（２―ヒドロキシ―３―
フエニルカルバモイル―１―ナフチルアゾ）―
３，3′ジクロルジフエニル〔比較顔料(1)〕、特開
昭54―22834号公報に開示されているフルオレノ
ン系ジスアゾ顔料である２，７―ビス〔２―ヒド
ロキシ―３―（４―クロルフエニルカルバモイ
ル）―１―ナフチルアゾ〕―９―フルオレノン
〔比較顔料(2)〕および２，７―ビス〔２―ヒドロ
キシ―３―（２―メチル―５―クロルフエニルカ
ルバモイル）―１―ナフチルアゾ〕―９―フルオ
レノン〔比較顔料(3)〕を用いた以外は全く同様に
感光体を作成しそれぞれ、比較用感光体として、
感光体(B)、(C)、(D)を得た。 次に上記のようにして作成した４種の感光体す
なわち、 １ 本発明のジスアゾ化合物を用いた積層型感光
体 …感光体(A) ２ 比較顔料(1)を用いた積層型感光体 …感光体(B) ３ 比較顔料(2)を用いた積層型感光体 …感光体(C) ４ 比較顔料(3)を用いた積層型感光体 …感光体(D) について市販の静電複写紙試験装置（川口電機製
作所製SP―428型）を用いてその静電特性を測定
した。 すなわち、まず感光体に−6KVのコロナ放電
を20秒間行なつて負帯電させ、その時の表面電位
を測定してVdo（ボルト）を求め、そのまま20秒
間暗所で、暗減衰させてその時の表面電位を測定
してVpo（ボルト）とした。ついでタングステン
ランプからその表面が照度20ルツクスになるよう
感光層に光照射を施し、その表面電位がVpoの1/
２になる迄の時間（秒）を求めて露光量Ｅ1/2ルツ
クス・秒）とした。 同様にVpoの1/5（ルツクス・秒）及びＥ1/10
（ルツクス・秒）を求めた。 表１に、感光体(A)〜(D)の測定結果を示した。
おいて使用される感光体の一つの形態である積層
型感光体の、電荷発生層に用いられる電荷発生顔
料として、有効であることが知られている。ここ
でいう積層型感光体とは、導電性支持体上に、光
によつて電荷担体を生成する能力を有する電荷発
生顔料を適切な方法、例えば真空蒸着、顔料溶液
の塗布あるいは樹脂溶液に顔料の微細粒子を分散
した分散液の塗布などにより薄層として電荷発生
層を形成せしめ、その上に電荷発生層で生成した
電荷担体を効率よく注入され得てしかもその移動
を行うところの電荷移動層（通常この電荷移動層
は電荷移動物質と結着樹脂とからなる。）を形成
せしめた感光体である。従来、この種の感光体に
使用されるジスアゾ化合物として、例えば特開昭
47―37543号公報あるいは、特開昭52―55643号公
報などに記載されているベンジジン系ジスアゾ顔
料あるいは特開昭54―22834号公報に開示されて
いるフルオレノン系ジスアゾ顔料などが公知であ
る。しかしながら従来のジスアゾ顔料を用いた積
層型の感光体は例えばヒ素セレン（As2Se3）合
金を用いた無機系の感光体と比較した場合感度が
低く、高速複写機の感光体として適切でないなど
の欠点を有している。 本発明の目的は、先に述べた積層型の感光体に
おいて有効な新規なジスアゾ化合物を提供するこ
とにある。本発明のジスアゾ化合物を用いた積層
型感光体は無機系の感光体と比較して感度の点で
も遜色のないものである。 すなわち、本発明は、式（） で表わされるジスアゾ化合物である。 この新規なジスアゾ化合物は常温において、紫
黒色の結晶体である。第１図には（）の赤外線
吸収スペクトル（KBr錠剤法）を第２図には熱
分析図（TG―DSC）を、また第３図にはＸ線回
折図を示した。 上記の本発明のジスアゾ化合物は下記のような
手段によつて製造することが出来る。すなわち本
発明の新規なジスアゾ化合物は式（）で表わさ
れる２，７―ジアミノ―９―フルオレノン をジアゾ化して、一般式（）で表わされるテト
ラゾニウム塩とし、 （但し、Ｘはアニオン官能基を表わす。）これ
と式（）で表わされる２―ヒドロキシ―３―
（２―ブロムフエニルカルバモイル）―ナフタレ
ン とを反応させることによつて製造することができ
る。 この製造方法にあつて、２，７―ジアミノ―９
―フルオレノンのジアゾ化は、これを希塩酸ある
いは希硫酸のような希薄無機酸中で亜硝酸ナトリ
ウム水溶液を−10℃ないし、10℃にて添加するこ
とにより行なわれる。このジアゾ化反応はおよそ
30分間から３時間で完結する。さらに反応混合物
に、例えばホウフツ化水素酸あるいは、ホウフツ
化ナトリウム水溶液などを加えてテトラゾニウム
塩として沈殿させ、結晶を取してから次の反応
に用いることが望ましい。次いでこのテトラゾニ
ウム塩に式（）の、２―ヒドロキシ―３―（２
―ブロムフエニルカルバモイル）ナフタレンを作
用して、カツプリング反応を起させることにより
行なわれる。実際にはこの反応は、Ｎ，Ｎ―ジメ
チルホルムアミド（DMF）や、ジメチルスルホ
キシドなどの有機溶媒にテトラゾニウム塩および
カツプラーを混合溶解しておき、これに約−10℃
ないし40℃にて酢酸ナトリウム水溶液などのアル
カリ水溶液を滴下することにより行なわれる。こ
の反応はおよそ５分間ないし３時間で完結する。
反応終了後析出している結晶を取し、適切な方
法により精製（例えば水あるいは／および有機溶
剤による洗浄、再結晶法など）することにより上
記ジスアゾ化合物の製造は完了する。 このようにして製造される本発明のジスアゾ化
合物の製造例を示せば次の通りである。 製造例 ２，７―ジアミノ―９―フルオレノン
〔Schmidt，Retzlaff.Haid；Ann.390 225
（1912）〕63.07ｇと６規定塩酸1.2の混合物に、
亜硝酸ナトリウム44.81grを水180mlに溶解した溶
液を０℃にて約１時間で滴下した。滴下終了後同
温度で、更に30分間撹拌したのち少量の未反応物
を別し、液に42％ホウフツ化水素酸400mlを
加えた。析出して来た結晶を取し、冷水で洗浄
後乾燥して、黄橙色の結晶として、９―フルオレ
ノン―２，７―ビスジアゾニウムビステトラフル
オロボレート108.2gr（88.4％）を得た。 分解点 約155℃ 赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法） νN2 2300cm-1 νco 1745cm-1 次に上記のようにして得たテトラゾニウム塩
2.04grおよび、２―ヒドロキシ―３―（２―ブロ
ムフエニルカルバモイル）ナフタレン3.42grを
DMF300mlに溶解し、これに酢酸ナトリウム
1.64grを水14mlに溶解した溶液を室温にて約15分
間で滴下し、滴下終了後、同温度で更に２時間撹
拌したのち析出している結晶を取した。得られ
た粗結晶ケーキを、DMF300mlに分散し80℃で２
時間撹拌したのち再び結晶を取し、更にこの操
作を２回くり返した。その後結晶を水洗して乾燥
し、本発明のジスアゾ化合物3.84ｇ（83.7％）を
得た。 紫黒色結晶 分解点300℃以上 元素分析値 実測値 計算値 Ｃ％ 61.35 61.59 Ｈ％ 2.93 3.08 Ｎ％ 8.99 9.17 赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法） νco（フルオレノン） 1725cm-1 νco（第２アシド） 1680cm-1 本発明のジスアゾ化合物は前述のとおり、積層
型感光体の電荷発生顔料として有効であり、その
点を明らかにするために以下に具体的な用途例を
示す。また本発明の進歩性を明らかにするため
に、従来からのジスアゾ化合物との比較あるいは
無機系の感光体との比較も同様に示す。 用途例 (1) 本発明のジスアゾ化合物76重量部、ポリエステ
ル樹脂（バイロン200株式会社東洋紡績製）のテ
トラヒドロフラン溶液（固形分濃度２％）1260重
量部、およびテトラヒドロフラン3700重量部をボ
ールミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアル
ミニウム蒸着したポリエステルベース（導電性支
持体）のアルミ面上にドクターブレードを用いて
塗布し、自然乾燥して、約1μmの電荷発生層を形
成した。一方１，１―ビス（４―ジベンジルアミ
ノフエニル）プロパン２重量部、ポリカーボネー
ト樹脂（パンライトK1300、株式会社帝人製）２
重量部およびテトラヒドロフラン16重量部混合溶
解して溶液としたのち、これを前記電荷発生層上
にドクターブレードで塗布し80℃で２分間、次い
で100℃で５分間乾燥して厚さ約20μmの電荷移動
層を形成せしめ、第４図に示した積層型の感光体
(A)を作成した。 また比較のために、上記の感光体作成手順に従
い、本発明のジスアゾ化合物のかわりに前述した
特開昭47―37543号公報あるいは、特開昭52―
55643に開示されているベンジジン系ジスアゾ顔
料である。４，4′―ビス（２―ヒドロキシ―３―
フエニルカルバモイル―１―ナフチルアゾ）―
３，3′ジクロルジフエニル〔比較顔料(1)〕、特開
昭54―22834号公報に開示されているフルオレノ
ン系ジスアゾ顔料である２，７―ビス〔２―ヒド
ロキシ―３―（４―クロルフエニルカルバモイ
ル）―１―ナフチルアゾ〕―９―フルオレノン
〔比較顔料(2)〕および２，７―ビス〔２―ヒドロ
キシ―３―（２―メチル―５―クロルフエニルカ
ルバモイル）―１―ナフチルアゾ〕―９―フルオ
レノン〔比較顔料(3)〕を用いた以外は全く同様に
感光体を作成しそれぞれ、比較用感光体として、
感光体(B)、(C)、(D)を得た。 次に上記のようにして作成した４種の感光体す
なわち、 １ 本発明のジスアゾ化合物を用いた積層型感光
体 …感光体(A) ２ 比較顔料(1)を用いた積層型感光体 …感光体(B) ３ 比較顔料(2)を用いた積層型感光体 …感光体(C) ４ 比較顔料(3)を用いた積層型感光体 …感光体(D) について市販の静電複写紙試験装置（川口電機製
作所製SP―428型）を用いてその静電特性を測定
した。 すなわち、まず感光体に−6KVのコロナ放電
を20秒間行なつて負帯電させ、その時の表面電位
を測定してVdo（ボルト）を求め、そのまま20秒
間暗所で、暗減衰させてその時の表面電位を測定
してVpo（ボルト）とした。ついでタングステン
ランプからその表面が照度20ルツクスになるよう
感光層に光照射を施し、その表面電位がVpoの1/
２になる迄の時間（秒）を求めて露光量Ｅ1/2ルツ
クス・秒）とした。 同様にVpoの1/5（ルツクス・秒）及びＥ1/10
（ルツクス・秒）を求めた。 表１に、感光体(A)〜(D)の測定結果を示した。
【表】
表１の結果より明らかのように、本発明にかか
わる感光体(A)は、他の感光体と比較してきわめて
感度が高いことが判り、また、暗減衰の小さいこ
とも判る。 このことから、本発明のジスアゾ化合物がきわ
めてすぐれた化合物であることが理解されよう。 用途例 (2) 用途例(1)における感光体(A)において、電荷移動
層に用いた１，１―ビス（４―ジベンジルアミノ
フエニル）プロパンの代りに９―エチル―３―カ
ルバゾールカルボキシアルデヒド１―メチル―１
―フエニルヒドラゾンを用いた以外は全く同様感
光体を作成して本発明の感光体(E)を得た。さらに
無機系の比較感光体として、As2Se3感光体を、
Se―As（40wt％）合金を蒸着原料として、アル
ミニウム基板上に、基板温度200℃、蒸着源温度
410〜415℃で10-6Torrの真空下に蒸着し、約
60μmの感光層を有する感光体を作成した。この
ようにして作成した、As2Se3感光体を比較用感
光体として感光体(F)とした。 次に上記感光体(E)及び(F)について、用途例(1)と
同様な測定を行い（ただし感光体(F)については＋
6KVのコロナ放電で帯電した。）表２の測定結果
を得た。
わる感光体(A)は、他の感光体と比較してきわめて
感度が高いことが判り、また、暗減衰の小さいこ
とも判る。 このことから、本発明のジスアゾ化合物がきわ
めてすぐれた化合物であることが理解されよう。 用途例 (2) 用途例(1)における感光体(A)において、電荷移動
層に用いた１，１―ビス（４―ジベンジルアミノ
フエニル）プロパンの代りに９―エチル―３―カ
ルバゾールカルボキシアルデヒド１―メチル―１
―フエニルヒドラゾンを用いた以外は全く同様感
光体を作成して本発明の感光体(E)を得た。さらに
無機系の比較感光体として、As2Se3感光体を、
Se―As（40wt％）合金を蒸着原料として、アル
ミニウム基板上に、基板温度200℃、蒸着源温度
410〜415℃で10-6Torrの真空下に蒸着し、約
60μmの感光層を有する感光体を作成した。この
ようにして作成した、As2Se3感光体を比較用感
光体として感光体(F)とした。 次に上記感光体(E)及び(F)について、用途例(1)と
同様な測定を行い（ただし感光体(F)については＋
6KVのコロナ放電で帯電した。）表２の測定結果
を得た。
【表】
表２の結果から明らかのように、本発明にかか
わる感光体(E)は無機系の感光体(F)と比較しても、
感度の点で遜色のないものであり、本発明のジス
アゾ化合物がすぐれた化合物であることが判る。
更にこの点を明らかにするために、(E)及び(F)の感
光体について、分光感度の測定を行つた。 分光感度の測定は次の手順によつて行つた。ま
ず感光体を暗所でコロナ放電によりその表面電位
が800ボルト以上になるように帯電し（感光体(E)
はマイナス帯電、感光体(F)はプラス帯電）、その
表面電位が800ボルトになるまで暗減衰させ、表
面電位が800Vになつたときにモノクロメーター
を用いて分光した1μm／cm2の単色光を感光体に照
射した。そしてその表面電位が400Vに減衰する
までの時間（秒）を求め（この時暗減衰による表
面電位の減衰分は補正した）露光量（μw・sec／
cm2）を求めて光光減衰速度（volt・cm2・μw-1・
sec-1）を算出し、その結果を第５図に示した。 第５図より本発明にかかわる感光体(E)は、その
感度ピークがおよそ640nmにあり、これはヘリウ
ム―ネオンレーザー光（6328Å）に対して比較感
光体(F)の約1.6倍の感度を有していることが判る。 以上述べて来たように、本発明のジスアゾ化合
物は電荷写真感光体用の素材料としてきわめて有
用な材料であり、また有機物であるがゆえの軽量
低コストなどの多くの利点を兼ね備なえており、
本発明のジスアゾ化合物がきわめてすぐれた材料
であることが良く理解出来るであろう。
わる感光体(E)は無機系の感光体(F)と比較しても、
感度の点で遜色のないものであり、本発明のジス
アゾ化合物がすぐれた化合物であることが判る。
更にこの点を明らかにするために、(E)及び(F)の感
光体について、分光感度の測定を行つた。 分光感度の測定は次の手順によつて行つた。ま
ず感光体を暗所でコロナ放電によりその表面電位
が800ボルト以上になるように帯電し（感光体(E)
はマイナス帯電、感光体(F)はプラス帯電）、その
表面電位が800ボルトになるまで暗減衰させ、表
面電位が800Vになつたときにモノクロメーター
を用いて分光した1μm／cm2の単色光を感光体に照
射した。そしてその表面電位が400Vに減衰する
までの時間（秒）を求め（この時暗減衰による表
面電位の減衰分は補正した）露光量（μw・sec／
cm2）を求めて光光減衰速度（volt・cm2・μw-1・
sec-1）を算出し、その結果を第５図に示した。 第５図より本発明にかかわる感光体(E)は、その
感度ピークがおよそ640nmにあり、これはヘリウ
ム―ネオンレーザー光（6328Å）に対して比較感
光体(F)の約1.6倍の感度を有していることが判る。 以上述べて来たように、本発明のジスアゾ化合
物は電荷写真感光体用の素材料としてきわめて有
用な材料であり、また有機物であるがゆえの軽量
低コストなどの多くの利点を兼ね備なえており、
本発明のジスアゾ化合物がきわめてすぐれた材料
であることが良く理解出来るであろう。
第１図は本発明のジスアゾ化合物の赤外線吸収
スペクトル、第２図は熱分析図、第３図はＸ線回
折図を示す。第４図は本発明のジスアゾ化合物の
用途例の感光体例であり、また第５図は分光感度
曲線を示す。 １…導電性支持体、２…ポリエステルベース、
３…アルミニウム蒸着膜、４…電荷発生層、５…
電荷移動層。
スペクトル、第２図は熱分析図、第３図はＸ線回
折図を示す。第４図は本発明のジスアゾ化合物の
用途例の感光体例であり、また第５図は分光感度
曲線を示す。 １…導電性支持体、２…ポリエステルベース、
３…アルミニウム蒸着膜、４…電荷発生層、５…
電荷移動層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 式（）で表わされるジスアゾ化合物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5623580A JPS56152868A (en) | 1980-04-30 | 1980-04-30 | New dis-azo compound and production thereof |
| US06/256,162 US4618672A (en) | 1980-04-30 | 1981-04-21 | Bisazo compounds useful as charge generating pigments in electrophotography |
| DE3117076A DE3117076C2 (de) | 1980-04-30 | 1981-04-29 | Neue Bisazoverbindungen |
| GB8113374A GB2076007B (en) | 1980-04-30 | 1981-04-30 | Disazo compounds |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5623580A JPS56152868A (en) | 1980-04-30 | 1980-04-30 | New dis-azo compound and production thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56152868A JPS56152868A (en) | 1981-11-26 |
| JPS6359425B2 true JPS6359425B2 (ja) | 1988-11-18 |
Family
ID=13021434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5623580A Granted JPS56152868A (en) | 1980-04-30 | 1980-04-30 | New dis-azo compound and production thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56152868A (ja) |
-
1980
- 1980-04-30 JP JP5623580A patent/JPS56152868A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56152868A (en) | 1981-11-26 |
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