JPS6359266B2 - - Google Patents
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- JPS6359266B2 JPS6359266B2 JP57135084A JP13508482A JPS6359266B2 JP S6359266 B2 JPS6359266 B2 JP S6359266B2 JP 57135084 A JP57135084 A JP 57135084A JP 13508482 A JP13508482 A JP 13508482A JP S6359266 B2 JPS6359266 B2 JP S6359266B2
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 43
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H01L29/78—
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57135084A JPS5927574A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | セルフアライメント形薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57135084A JPS5927574A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | セルフアライメント形薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5927574A JPS5927574A (ja) | 1984-02-14 |
| JPS6359266B2 true JPS6359266B2 (de) | 1988-11-18 |
Family
ID=15143451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57135084A Granted JPS5927574A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | セルフアライメント形薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927574A (de) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6190188A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 薄膜表示装置 |
| JPS61139069A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JPS61145531A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61156771A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | Fujitsu Ltd | 薄膜半導体装置の製造方法 |
| JPS61162048A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-22 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH0691105B2 (ja) * | 1985-02-15 | 1994-11-14 | 株式会社日立製作所 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPH07101742B2 (ja) * | 1985-04-09 | 1995-11-01 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPS62171160A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-28 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ |
| JPH0680685B2 (ja) * | 1986-12-29 | 1994-10-12 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタとその製造方法 |
| JPS644071A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Nippon Telegraph & Telephone | Thin film transistor and manufacture thereof |
| JPH01173650A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-10 | Seikosha Co Ltd | 非晶質シリコン薄膜トランジスタの製造方法 |
-
1982
- 1982-08-04 JP JP57135084A patent/JPS5927574A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5927574A (ja) | 1984-02-14 |
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