JPS6359254B2 - - Google Patents
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- JPS6359254B2 JPS6359254B2 JP780783A JP780783A JPS6359254B2 JP S6359254 B2 JPS6359254 B2 JP S6359254B2 JP 780783 A JP780783 A JP 780783A JP 780783 A JP780783 A JP 780783A JP S6359254 B2 JPS6359254 B2 JP S6359254B2
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- Japan
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- switching element
- metal heat
- heat radiation
- radiation fin
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- Expired
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/585—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries comprising conductive layers or plates or strips or rods or rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘導加熱調理器等に用いるスイツチン
グ素子の保持装置に関するものである。
グ素子の保持装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、誘導加熱調理器の半導体スイツチング素
子（以下、“スイツチング素子”と呼ぶ）は、第
１図に示す様に、発熱ロスの放熱のために、スイ
ツチング素子１に大型の金属放熱フイン２を設け
る必要があつた。ところが、スイツチング素子１
の外ケースとスイツチング素子１の高圧部が同一
電位にあるため、スイツチング素子１の外ケース
に直付された金属放熱フイン２も同電位となり、
スイツチング素子１がスイツチング時に発する輻
射ノイズは金属放熱フイン２からの輻射され、そ
の輻射ノイズを防ぐため、放熱フインの外に金属
放熱フイン２をさらに囲つて、金属シールド板を
設けていた。
子（以下、“スイツチング素子”と呼ぶ）は、第
１図に示す様に、発熱ロスの放熱のために、スイ
ツチング素子１に大型の金属放熱フイン２を設け
る必要があつた。ところが、スイツチング素子１
の外ケースとスイツチング素子１の高圧部が同一
電位にあるため、スイツチング素子１の外ケース
に直付された金属放熱フイン２も同電位となり、
スイツチング素子１がスイツチング時に発する輻
射ノイズは金属放熱フイン２からの輻射され、そ
の輻射ノイズを防ぐため、放熱フインの外に金属
放熱フイン２をさらに囲つて、金属シールド板を
設けていた。
発明の目的
本発明は、スイツチング素子から発する輻射ノ
イズを抑制する導電性シールド板を金属放熱フイ
ンで止着し、導電性シールド板をできるだけ少な
くし、コストダウンと作業の手間を省くことを目
的とする。
イズを抑制する導電性シールド板を金属放熱フイ
ンで止着し、導電性シールド板をできるだけ少な
くし、コストダウンと作業の手間を省くことを目
的とする。
発明の構成
本発明は、スイツチング素子と、スイツチング
素子の金属放熱フインを電気的に絶縁させ、金属
放熱フインに導電性シールド板を取付けてスイツ
チング素子の周囲を覆つたものであり、雑音源は
スイツチング素子のみとし、金属放熱フインをシ
ールド板の一部の構成としたものである。
素子の金属放熱フインを電気的に絶縁させ、金属
放熱フインに導電性シールド板を取付けてスイツ
チング素子の周囲を覆つたものであり、雑音源は
スイツチング素子のみとし、金属放熱フインをシ
ールド板の一部の構成としたものである。
実施例の説明
本発明の一実施例を第２図に従い説明する。
１はスイツチング素子、２はスイツチング素子
１を取付けた金属放熱フイン、３はスイツチング
素子１と金属放熱フイン２間を絶縁した絶縁シー
ト、４，５は金属放熱フイン２に取付けた導電性
シールド板で、金属放熱フイン２とともにスイツ
チング素子１の全周を囲んでいる。スイツチング
素子１と金属放熱フイン２は電気的に絶縁されて
いるため、スイツチング時に発する輻射ノイズは
スイツチング素子１のみから生じる。ところが、
その輻射ノイズは、電気的に同電位の金属放熱フ
イン２と導電性シールド板４，５によりまわりが
囲まれており、外部に出る時、ノイズが低減され
る。
１を取付けた金属放熱フイン、３はスイツチング
素子１と金属放熱フイン２間を絶縁した絶縁シー
ト、４，５は金属放熱フイン２に取付けた導電性
シールド板で、金属放熱フイン２とともにスイツ
チング素子１の全周を囲んでいる。スイツチング
素子１と金属放熱フイン２は電気的に絶縁されて
いるため、スイツチング時に発する輻射ノイズは
スイツチング素子１のみから生じる。ところが、
その輻射ノイズは、電気的に同電位の金属放熱フ
イン２と導電性シールド板４，５によりまわりが
囲まれており、外部に出る時、ノイズが低減され
る。
そして、上記したスイツチング素子１は第３図
に示すような回路に組み込まれている。すなわ
ち、この回路は、交流電源９にスイツチ１０が接
続され、交流は整流ブリツジ１２で全波整流後、
雑防用チヨークコイル１４と電源安定化コンデン
サ１５で電圧が安定化され、加熱コイル１６と共
振用コンデンサ１７及びスイツチング素子１で構
成されるインバータ回路を電源回路１９とスイツ
チング素子１の発振制御回路２０に接続してい
る。そして、スイツチング素子１を取付けた金属
放熱フイン２にはコンデンサ１８の一端をつな
ぎ、コンデンサ１８の他端を電源線に接続してい
る。この回路構成では交流的にシヨートされたこ
とになり、金属放熱フイン２に吸収されたノイズ
は電位の安定した電源に逃げ、スイツチング素子
１から輻射されるノイズは減衰される。さらに、
金属放熱フイン２に取付ける金属シールド板４，
５に第４図に示す様に小さなスリツトもしくは円
孔等の孔２１をあけておけば、スイツチング素子
１の放熱効果の向上とノイズの低減に効果があ
る。
に示すような回路に組み込まれている。すなわ
ち、この回路は、交流電源９にスイツチ１０が接
続され、交流は整流ブリツジ１２で全波整流後、
雑防用チヨークコイル１４と電源安定化コンデン
サ１５で電圧が安定化され、加熱コイル１６と共
振用コンデンサ１７及びスイツチング素子１で構
成されるインバータ回路を電源回路１９とスイツ
チング素子１の発振制御回路２０に接続してい
る。そして、スイツチング素子１を取付けた金属
放熱フイン２にはコンデンサ１８の一端をつな
ぎ、コンデンサ１８の他端を電源線に接続してい
る。この回路構成では交流的にシヨートされたこ
とになり、金属放熱フイン２に吸収されたノイズ
は電位の安定した電源に逃げ、スイツチング素子
１から輻射されるノイズは減衰される。さらに、
金属放熱フイン２に取付ける金属シールド板４，
５に第４図に示す様に小さなスリツトもしくは円
孔等の孔２１をあけておけば、スイツチング素子
１の放熱効果の向上とノイズの低減に効果があ
る。
また、第５図に示す金属放熱フイン６の形状で
も、第２図に示した場合と全く同一作用を行う。
さらに第６図に示す金属放熱フイン８の形状の場
合、導電性シールド板７は箱形状となるが、この
場合も第２図の場合と全く同一作用を行う。
も、第２図に示した場合と全く同一作用を行う。
さらに第６図に示す金属放熱フイン８の形状の場
合、導電性シールド板７は箱形状となるが、この
場合も第２図の場合と全く同一作用を行う。
発明の効果
この様に本発明のスイツチング素子の保持装置
は、従来の放熱フインが、放熱兼ノイズのシール
ド板の役目を果しているため、従来のようなノイ
ズ対策の金属シールド板が不必要となり、作業
性、コスト面で大幅な向上となり、その効果はき
わめて大きい。
は、従来の放熱フインが、放熱兼ノイズのシール
ド板の役目を果しているため、従来のようなノイ
ズ対策の金属シールド板が不必要となり、作業
性、コスト面で大幅な向上となり、その効果はき
わめて大きい。
第１図は従来のスイツチング素子の保持装置を
示す断面図、第２図は本発明の一実施例装置の断
面図、第３図は同回路図、第４図は同装置に用い
る導電性シールド板の実施例を示す斜視図、第５
図、第６図はそれぞれ本発明の他の実施例を示す
断面図である。 １……スイツチング素子、２，８，６……放熱
フイン、４，５，７……導電性シールド板。
示す断面図、第２図は本発明の一実施例装置の断
面図、第３図は同回路図、第４図は同装置に用い
る導電性シールド板の実施例を示す斜視図、第５
図、第６図はそれぞれ本発明の他の実施例を示す
断面図である。 １……スイツチング素子、２，８，６……放熱
フイン、４，５，７……導電性シールド板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体スイツチング素子を金属放熱フインに
取付け、前記スイツチング素子と金属放熱フイン
の間を電気的に絶縁すると共に、金属放熱フイン
に導電性シールド板を取付けて半導体スイツチン
グ素子の周囲を覆つたスイツチング素子の保持装
置。 ２ 金属放熱フインはコンデンサを介して電源線
に接続した特許請求の範囲第１項記載のスイツチ
ング素子の保持装置。 ３ 導電性シールド板は放熱用の孔を有する特許
請求の範囲第１項記載のスイツチング素子の保持
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP780783A JPS59132638A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | スイツチング素子の保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP780783A JPS59132638A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | スイツチング素子の保持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59132638A JPS59132638A (ja) | 1984-07-30 |
| JPS6359254B2 true JPS6359254B2 (ja) | 1988-11-18 |
Family
ID=11675882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP780783A Granted JPS59132638A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | スイツチング素子の保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59132638A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61260585A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | シャープ株式会社 | 電磁調理器のノイズフイルタ |
| JPS62135395U (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-26 |
-
1983
- 1983-01-19 JP JP780783A patent/JPS59132638A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59132638A (ja) | 1984-07-30 |
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