JPS6357845B2 - - Google Patents
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- JPS6357845B2 JPS6357845B2 JP14618880A JP14618880A JPS6357845B2 JP S6357845 B2 JPS6357845 B2 JP S6357845B2 JP 14618880 A JP14618880 A JP 14618880A JP 14618880 A JP14618880 A JP 14618880A JP S6357845 B2 JPS6357845 B2 JP S6357845B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- etching
- core block
- forming
- magnetic head
- Prior art date
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1272—Assembling or shaping of elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/133—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores composed of particles, e.g. with dust cores, with ferrite cores with cores composed of isolated magnetic particles
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/1871—Shaping or contouring of the transducing or guiding surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気ヘツド、特にビデオテープレコー
ダ等に有用な狭トラツク幅の磁気ヘツドの製造方
法に関するものである。
ダ等に有用な狭トラツク幅の磁気ヘツドの製造方
法に関するものである。
最近の磁気記録分野における記録密度の高密度
化は、めざましく、特に、トラツク幅を狭くして
単位面積当りの記録密度を上げる方向での技術は
著るしく進歩し、例えば、ビデオテープレコーダ
用磁気ヘツドでは、この10年間に磁気ヘツドのト
ラツクピツチは１桁近く狭くなつており現在では
20μｍを切るものが実用化されている。
化は、めざましく、特に、トラツク幅を狭くして
単位面積当りの記録密度を上げる方向での技術は
著るしく進歩し、例えば、ビデオテープレコーダ
用磁気ヘツドでは、この10年間に磁気ヘツドのト
ラツクピツチは１桁近く狭くなつており現在では
20μｍを切るものが実用化されている。
このような狭トラツク化に対応してビデオテー
プレコーダ用磁気ヘツドに対する要求も極めてき
びしいものになつてきており、例えばトラツク幅
の精度では±2μｍあるいはそれ以上の精度が要
求されるようになつてきている。
プレコーダ用磁気ヘツドに対する要求も極めてき
びしいものになつてきており、例えばトラツク幅
の精度では±2μｍあるいはそれ以上の精度が要
求されるようになつてきている。
従来のビデオテープレコーダ用磁気ヘツドの製
造方法は、第１図ａに示すような一対の強磁性体
からなるコアブロツク１，１′を準備し、第１図
ｂに示すように、高いコア能率を得るために空〓
形成面の前部のみにトラツク幅規制用の溝２をカ
ツターやダイシングソー等を用いて形成した後、
第１図ｃに示すようにガラス等の非磁性材３を溝
２に充てんし、磁気ヘツドに仕上がつたとき空〓
形成面となる面を鏡面に仕上げた後、このように
して仕上げた鏡面の上に非磁性材からなる空〓長
規制用薄膜４を形成し、次に第１図ｄに示すよう
に一対のコアブロツク１，１′を突合わせて、低
融点ガラス５等を用いて接合することにより磁気
ヘツド集合体を形成した後、破線で示すように所
定の厚さに切断することにより、第２図に示すよ
うな単体の磁気ヘツドを製造するものであつた。
造方法は、第１図ａに示すような一対の強磁性体
からなるコアブロツク１，１′を準備し、第１図
ｂに示すように、高いコア能率を得るために空〓
形成面の前部のみにトラツク幅規制用の溝２をカ
ツターやダイシングソー等を用いて形成した後、
第１図ｃに示すようにガラス等の非磁性材３を溝
２に充てんし、磁気ヘツドに仕上がつたとき空〓
形成面となる面を鏡面に仕上げた後、このように
して仕上げた鏡面の上に非磁性材からなる空〓長
規制用薄膜４を形成し、次に第１図ｄに示すよう
に一対のコアブロツク１，１′を突合わせて、低
融点ガラス５等を用いて接合することにより磁気
ヘツド集合体を形成した後、破線で示すように所
定の厚さに切断することにより、第２図に示すよ
うな単体の磁気ヘツドを製造するものであつた。
この方法はトラツク幅の規制を砥石等を用いた
機械加工によつて行なつているため、機械加工の
寸法精度の向上が限界に近づきつつある現在、量
産レベルで±1μｍ程度の寸法精度及びピツチ精
度を得るのは極めて困難な事である。もし、この
様な高精度加工を機械加工で確保するためには極
めて厳重な温度、湿度等の環境制御が必要であ
り、この点からも量産レベルでの精度の確保は困
難である。この様なことから最近は写真技術を応
用したトラツクの加工が提案されている。しか
し、この加工法においても大きな加工量と高精度
との両方を同時に達成する事はなかなか難しく、
例えばエツチング技術だけで数10μｍオーダーの
加工をした場合、加工精度として±1μｍ以上の
精度を得ることは極めて困難である。又、機械加
工と写真加工とを併用した加工法による場合は前
述の様に機械加工のピツチ等の精度が直接影響し
てくる為高精度にトラツクの加工を行なうことは
困難であつた。
機械加工によつて行なつているため、機械加工の
寸法精度の向上が限界に近づきつつある現在、量
産レベルで±1μｍ程度の寸法精度及びピツチ精
度を得るのは極めて困難な事である。もし、この
様な高精度加工を機械加工で確保するためには極
めて厳重な温度、湿度等の環境制御が必要であ
り、この点からも量産レベルでの精度の確保は困
難である。この様なことから最近は写真技術を応
用したトラツクの加工が提案されている。しか
し、この加工法においても大きな加工量と高精度
との両方を同時に達成する事はなかなか難しく、
例えばエツチング技術だけで数10μｍオーダーの
加工をした場合、加工精度として±1μｍ以上の
精度を得ることは極めて困難である。又、機械加
工と写真加工とを併用した加工法による場合は前
述の様に機械加工のピツチ等の精度が直接影響し
てくる為高精度にトラツクの加工を行なうことは
困難であつた。
本発明は、上述のような問題点を解決するもの
であり、エツチング工程を２度以上行なう事によ
り極めて高精度の狭トラツク幅を有する磁気ヘツ
ドを高歩留りで製造する方法を提供するものであ
る。
であり、エツチング工程を２度以上行なう事によ
り極めて高精度の狭トラツク幅を有する磁気ヘツ
ドを高歩留りで製造する方法を提供するものであ
る。
以下に本発明の一実施例を第３図を用いて説明
する。
する。
第３図ａに示すように空〓形成面を鏡面に仕上
げた１対の例えばMn−Znフエライト等の強磁性
体よりなるコアブロツク１ａの空〓形成面となる
一面上にフエライトに対してスパツタ率の小さな
材料例えばクロムやチタン等からなる薄膜６を形
成し、次に第３図ｂに示すように薄膜６をフオト
エツチングすることによつてトラツク幅と第２の
エツチングによるアンダカツト量とを見込んだ寸
法および幅をもつ第１のマスク６ａを形成する。
げた１対の例えばMn−Znフエライト等の強磁性
体よりなるコアブロツク１ａの空〓形成面となる
一面上にフエライトに対してスパツタ率の小さな
材料例えばクロムやチタン等からなる薄膜６を形
成し、次に第３図ｂに示すように薄膜６をフオト
エツチングすることによつてトラツク幅と第２の
エツチングによるアンダカツト量とを見込んだ寸
法および幅をもつ第１のマスク６ａを形成する。
次に第３図ｃに示すようにSiO2よりなる第２
のマスク７を前記パターン形成面の上に第１のマ
スク６ａを覆い且つ第１のマスク６ａより幅広に
なるように形成し、その後第３図ｄに示すように
第２のマスク７を使用して電解エツチングにより
20〜30μｍの深い第１のエツチングを行ない第１
の溝８を形成し、第３図ｅに示すように第２のマ
スク７を弗化アンモニウムで除去した後、第３図
ｆに示すように第１のマスク６ａを使用してスパ
ツタエツチングあるいはイオンエツチングにより
２〜3μｍの微少量第２のエツチングを行なうこ
とにより第２の溝９を形成した後、第１のマスク
６ａを硝酸セリウムアンモンで除去する。次に第
３図ｇに示すように多数の凹部を前記方法で形成
した２コのコアブロツク１ａ，１ｂを高融点ガラ
スよりなる空〓長規制材４を介して接合し、低融
点ガラス等の非磁性材からなる補強部３を溝８，
９に充てんした後、加熱融解することにより接着
し、第３図ｇに示すように破線に沿つて切断する
ことにより、第３図ｈに示すような磁気ヘツドを
製造することができる。
のマスク７を前記パターン形成面の上に第１のマ
スク６ａを覆い且つ第１のマスク６ａより幅広に
なるように形成し、その後第３図ｄに示すように
第２のマスク７を使用して電解エツチングにより
20〜30μｍの深い第１のエツチングを行ない第１
の溝８を形成し、第３図ｅに示すように第２のマ
スク７を弗化アンモニウムで除去した後、第３図
ｆに示すように第１のマスク６ａを使用してスパ
ツタエツチングあるいはイオンエツチングにより
２〜3μｍの微少量第２のエツチングを行なうこ
とにより第２の溝９を形成した後、第１のマスク
６ａを硝酸セリウムアンモンで除去する。次に第
３図ｇに示すように多数の凹部を前記方法で形成
した２コのコアブロツク１ａ，１ｂを高融点ガラ
スよりなる空〓長規制材４を介して接合し、低融
点ガラス等の非磁性材からなる補強部３を溝８，
９に充てんした後、加熱融解することにより接着
し、第３図ｇに示すように破線に沿つて切断する
ことにより、第３図ｈに示すような磁気ヘツドを
製造することができる。
尚、第２のエツチングにおいて、スパツタエツ
チングあるいはイオンエツチングを用いたのはア
ンダカツト量を極めて小さく押える事が可能であ
り、高精度な加工が可能だからである。
チングあるいはイオンエツチングを用いたのはア
ンダカツト量を極めて小さく押える事が可能であ
り、高精度な加工が可能だからである。
上記第１のエツチング加工は第２図に示すよう
な形状を得る為にある程度深く加工する必要があ
るが寸法精度はそれ程きびしくする必要はなく、
逆に第２のエツチング加工は微小量でよい為、極
めて高精度の加工が可能である。又、どちらのエ
ツチング加工もフオトエツチング技術などを使用
することができる為、第１のエツチング加工と第
２のエツチング加工のピツチ精度を極めて高精度
に且つ安定して一致させる事が可能である。
な形状を得る為にある程度深く加工する必要があ
るが寸法精度はそれ程きびしくする必要はなく、
逆に第２のエツチング加工は微小量でよい為、極
めて高精度の加工が可能である。又、どちらのエ
ツチング加工もフオトエツチング技術などを使用
することができる為、第１のエツチング加工と第
２のエツチング加工のピツチ精度を極めて高精度
に且つ安定して一致させる事が可能である。
上記エツチング加工方法としては電解エツチン
グ、スパツタエツチングなど、種々のエツチング
技術の応用が可能であるが、特に電解エツチング
法を用いる事によつて、より安定な高精度加工を
行なうことができる。電解エツチングは被加工物
の材料や結晶構造に依存することが少なく、深い
エツチング加工でも若干の精度劣化はあるものの
極めて安定した加工ができ、また、微少量加工に
おいては、アンダカツト量が安定しているので、
この量を見込んだ寸法のマスクを形成しておくこ
とにより所望のトラツク幅が高精度で実現でき
る。さらに、第１、第２のエツチング加工を共に
電解エツチングを用いる事により、製造工程の簡
略化ができる。
グ、スパツタエツチングなど、種々のエツチング
技術の応用が可能であるが、特に電解エツチング
法を用いる事によつて、より安定な高精度加工を
行なうことができる。電解エツチングは被加工物
の材料や結晶構造に依存することが少なく、深い
エツチング加工でも若干の精度劣化はあるものの
極めて安定した加工ができ、また、微少量加工に
おいては、アンダカツト量が安定しているので、
この量を見込んだ寸法のマスクを形成しておくこ
とにより所望のトラツク幅が高精度で実現でき
る。さらに、第１、第２のエツチング加工を共に
電解エツチングを用いる事により、製造工程の簡
略化ができる。
又、電解エツチング法を用いる場合はコアブロ
ツク上に直接フオトレジスト膜を塗布し、所定の
パターンを形成させることにより前記フオトレジ
ストをそのままマスクとして使用する事が可能で
ある。従つて工程数が大幅に簡略化できると同時
にレジストパターンからチタンやクロムからなる
薄膜パターンを形成する工程が無くなる為、この
工程で生じる精度劣化を無くすることができるの
で精度をより向上させることができる。例えば第
１のマスクとして高解像度のポジ型レジストを用
い、第２のマスクとして深いエツチングに耐えら
れるような密着性の良いネガ型レジストを用いる
事によつて極めて高精度なトラツク幅を有する磁
気ヘツドの加工が可能である。
ツク上に直接フオトレジスト膜を塗布し、所定の
パターンを形成させることにより前記フオトレジ
ストをそのままマスクとして使用する事が可能で
ある。従つて工程数が大幅に簡略化できると同時
にレジストパターンからチタンやクロムからなる
薄膜パターンを形成する工程が無くなる為、この
工程で生じる精度劣化を無くすることができるの
で精度をより向上させることができる。例えば第
１のマスクとして高解像度のポジ型レジストを用
い、第２のマスクとして深いエツチングに耐えら
れるような密着性の良いネガ型レジストを用いる
事によつて極めて高精度なトラツク幅を有する磁
気ヘツドの加工が可能である。
さらに、第１のマスク材に絶縁性が高く高融点
の非磁性材を所定の厚さに形成する事によりこれ
を空〓長規制材としてそのまま使用する事ができ
る。例えば、所望の厚さのSiO2薄膜をスパツタ
でコアブロツクの上に形成し、これをフオトエツ
チングにて所定幅のパターンとし、この上にフオ
トレジストで第２のマスクを形成し、第１、第２
のエツチング加工を電解エツチングにより行な
い、上記SiO2よりなる第１のマスクを除去せず
そのまま空〓長規制材として用い、一対のコアブ
ロツクではさむようにして突き合わせて低融点ガ
ラスで接合する事によりSiO2の膜厚を空〓長と
する磁気ヘツドを製造することができ、工程も簡
略化できる。
の非磁性材を所定の厚さに形成する事によりこれ
を空〓長規制材としてそのまま使用する事ができ
る。例えば、所望の厚さのSiO2薄膜をスパツタ
でコアブロツクの上に形成し、これをフオトエツ
チングにて所定幅のパターンとし、この上にフオ
トレジストで第２のマスクを形成し、第１、第２
のエツチング加工を電解エツチングにより行な
い、上記SiO2よりなる第１のマスクを除去せず
そのまま空〓長規制材として用い、一対のコアブ
ロツクではさむようにして突き合わせて低融点ガ
ラスで接合する事によりSiO2の膜厚を空〓長と
する磁気ヘツドを製造することができ、工程も簡
略化できる。
更に、マスクのパターン形状として後部空〓形
成面には前記エツチング加工が施されないように
設計する事により特にコア能率の高い狭トラツク
幅の磁気ヘツドを得る事ができる。
成面には前記エツチング加工が施されないように
設計する事により特にコア能率の高い狭トラツク
幅の磁気ヘツドを得る事ができる。
以上、本発明によれば、コアブロツク上に個別
に除去可能なマスクを少なくとも２層以上形成し
た後順次外側のマスクから除去しつつ各マスクに
応じたエツチング加工を段階的に行なうことによ
り、特にビデオテープレコーダに好適な高精度の
狭トラツク幅磁気ヘツドを高歩留りで量産するこ
とができる。また、特性面でもトラツク幅の規制
をエツチングで行なつている為、加工変質による
影響が無く、高性能の磁気ヘツドを提供すること
ができる。
に除去可能なマスクを少なくとも２層以上形成し
た後順次外側のマスクから除去しつつ各マスクに
応じたエツチング加工を段階的に行なうことによ
り、特にビデオテープレコーダに好適な高精度の
狭トラツク幅磁気ヘツドを高歩留りで量産するこ
とができる。また、特性面でもトラツク幅の規制
をエツチングで行なつている為、加工変質による
影響が無く、高性能の磁気ヘツドを提供すること
ができる。
第１図ａ〜ｄは従来の方法による磁気ヘツド製
造工程を示す工程図、第２図は従来の磁気ヘツド
の一部分を示す正面図、第３図ａ〜ｈは本発明の
方法による磁気ヘツド製造工程を示す工程図であ
る。 １ａ，１ｂ……コアブロツク、３……非磁性材
からなる補強部、４……空〓長規制用薄膜、６…
…薄膜、６ａ……第１のマスク、７……第２のマ
スク、８……第１の溝、９……第２の溝。
造工程を示す工程図、第２図は従来の磁気ヘツド
の一部分を示す正面図、第３図ａ〜ｈは本発明の
方法による磁気ヘツド製造工程を示す工程図であ
る。 １ａ，１ｂ……コアブロツク、３……非磁性材
からなる補強部、４……空〓長規制用薄膜、６…
…薄膜、６ａ……第１のマスク、７……第２のマ
スク、８……第１の溝、９……第２の溝。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 強磁性体よりなるコアブロツク上に個別に除
去可能なマスクを少なくとも２層以上、外側のマ
スクが内側のマスクを覆いかつ幅広になるように
形成した後、前記コアブロツク上に形成されたマ
スク層を順次外側から除去しつつ前記各マスク層
に応じたエツチング加工を行なうことにより前記
コアブロツクに凹部を形成した後、空〓長規制用
部材を介して前記コアブロツクと強磁性部材とを
接合することを特徴とする磁気ヘツドの製造方
法。 ２ 強磁性体よりなるコアブロツク上に絶縁性の
高い高融点の非磁性材料よりなる第１のマスクを
形成し、前記第１のマスクの上に個別に除去可能
なマスクを少なくとも１層以上、外側のマスクが
内側のマスクを覆いかつ幅広になるように形成し
た後、前記コアブロツク上に形成されたマスク層
を第１のマスクを残して順次外側から除去しつつ
前記各マスク層に応じたエツチング加工を行なう
ことにより前記コアブロツクに凹部を形成した
後、前記第１のマスクを介して前記コアブロツク
と強磁性部材とを接合することを特徴とする磁気
ヘツドの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14618880A JPS5769523A (en) | 1980-10-17 | 1980-10-17 | Manufacture of magnetic head |
| US06/310,114 US4425701A (en) | 1980-10-17 | 1981-10-09 | Methods of making magnetic recording heads |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14618880A JPS5769523A (en) | 1980-10-17 | 1980-10-17 | Manufacture of magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5769523A JPS5769523A (en) | 1982-04-28 |
| JPS6357845B2 true JPS6357845B2 (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=15402119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14618880A Granted JPS5769523A (en) | 1980-10-17 | 1980-10-17 | Manufacture of magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5769523A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8501773A (nl) * | 1985-06-20 | 1987-01-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen. |
-
1980
- 1980-10-17 JP JP14618880A patent/JPS5769523A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5769523A (en) | 1982-04-28 |
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