JPS6350307A - 窒化けい素微粉末の製造方法 - Google Patents

窒化けい素微粉末の製造方法

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JPS6350307A
JPS6350307A JP19217686A JP19217686A JPS6350307A JP S6350307 A JPS6350307 A JP S6350307A JP 19217686 A JP19217686 A JP 19217686A JP 19217686 A JP19217686 A JP 19217686A JP S6350307 A JPS6350307 A JP S6350307A
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JP
Japan
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powder
sio
carbon
fine
heat
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JP19217686A
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Toshihiko Funabashi
敏彦 船橋
Satoshi Uenosono
聡 上ノ薗
Ryoji Uchimura
良治 内村
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JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/068Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
    • C01B21/0685Preparation by carboreductive nitridation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
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    • C01B21/068Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
    • C01B21/0682Preparation by direct nitridation of silicon

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は窒化けい素微粉末の製造方法;とくにα型窒化
けい素(以下は単に「α−3i3N、Jと略記する)の
含有率が高くかつ微細で、粒径の揃った高純度な窒化け
い素(以下は単にrsi3N4Jと略記する)粉末を製
造する方法についての提案である。なお、この窒化けい
素にはα型およびβ型とよばれるものがあるが、なかで
もα−5i3N4を原料とした焼結体は、高温強度が高
(耐熱性にも優れていることから、高温下において用い
られる構造用セラミックスの原料粉末としておおいに期
待されている材料である。
(従来の技術) Si3N4粉末の製造方法(合成法)としては、下記(
1)〜(4)に説明するような方法が知られている。
(1)金属けいS粉末を窒素中で長時間加熱し次式のよ
うな反応を導いて窒化する方法。
(3Si+2N、→513N4) (2)四塩化けい素とアンモニアとを次式にもとづいて
反応させる気相反応法。
(3SiCβ4 + 4NH3−3I3N4 +12H
c l )(3)  S i 02を反応量論比程度の
カーボン(C)で還元して得たSiOを次式のような反
応を導いて窒化する方法。
(3SiO7+6C+2N2 →Si3N、 +5CO
)(4)イミド分解法と云われている方法で、下記式に
示すような反応、すなわち有機溶媒に溶かしたSac 
I24溶液と液化アンモニアとを反応させ、シリコンジ
イミド(S+ (NH) 2)を生成させ、それを熱処
理してSI3N4を得る方法。
(Sac 124+ 6NH3→5l(NH) 2 +
 4NH<Cβ。
3S+ (NH) 2→Si3N4 +2NH3)上述
したSi3N4粉末合成法のうち、上記(1)の方法は
、Siの窒化が発熱反応で、その発熱制御のためプロセ
ス上かなりの工夫を必要とする。例えば、Siとしては
比較的粗粒のものを選ぶことが必要で、窒化後に粉砕し
なければならないので、このとき不純物の混入が避けら
れないという問題点があった。
上記(2)の方法の場合、半導体素子の表面被覆などに
は適するが、無機耐熱材料用の原料粉末の製造としては
量産的な製造法とはいえず工業的製造には不向きである
上記(3)の方法は、原料として充分に精製された二酸
化けい素粉末、および炭素粉末を用いる必要があるばか
りでなく、生成物はα−513N4、β−313N、、
シリコンオキシナイトライド(Si。0N2)およびS
iCの混合系になりやすいためにα−3i3N4の収率
が低いという欠点があった。
上記(4)のイミド分解法は、高純度のSi3N4粉末
を得ることはできるが、高価なSiCβ、を使用するた
めに、本質的に経済的な方法とは云えない。
(発明が解決しようとする問題点) 上述の如き窒化けい素粉末の製造に関する従来技術に対
し本発明者らは、先に特願昭60−135876号や特
願昭60−212632号および特願昭60−2427
28号などで、SiO粉末と炭素含有材料、必要により
Si、N4粉末、Si粉を配合した混合物を加圧窒化性
雰囲気中で熱処理するという新規技術を開発し提案した
。これらの発明により、α化率の高い微細なSi3N、
粉末が製造できることが確かめられた。
ところが、本発明者らがこの発明に先行して提案した上
記各発明の場合、製造量を増加させるケースでは、原料
の配合組成や混合条件、熱処理条件などの選択の如何に
よっては、Si、N、粉末中にわずかにSi2ON2.
 SiCが生成したり、またβ−3i。
N4が増加して結果的にα化率の低いSi3N4粉末し
か得られないこともあるという点でなお解決すべき余地
があった。
本発明者らは、こうした実情に鑑みさらに鋭意究明を重
ねた結果、原料として用いるSiO粉末についてもっと
微細なものを用いれば製造量を増加してもα化率の高い
微細な313N4扮末が得られることを見出した。
これに対し従来、本発明法に近い技術として、特開昭5
9−13611号公報に開示された技術があり、この技
術によればSi[12と炭素もしくは金属けい素の混合
物を熱処理してSiO蒸気を発生させ、断熱膨張により
SiQ超微粉を製造し、得られたそのSiO超微粉をN
H3などの還元窒化性雰囲気中で熱処理してSi3N、
超微粉を製造できるとしている。
しかしながら、SiO蒸気を還元窒化雰囲気内または還
元窒化雰囲気内に断熱膨張で噴射させるというSiO微
粉末の従来製造技術は、少量生産の場合であれば良いが
、多量に製造しようとすると、SiO蒸気を搬送するた
めのパイプが凝縮したSiOよって閉塞したりする。し
かも、断熱膨張で噴射させるためのノズルがSiO蒸気
によって侵食されてノズルとしての役割を果たさなくな
ったり、反応物がノズルの部分に蓄積して閉鎖してしま
う場合もあり、本発明が目指すような真に工業化・量産
化に適した製造方法とは言えない。
本発明はこうした従来技術が抱えている問題点を克服す
ることを目的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明の着想の特徴は、原料として用いるSiO粉末に
ついての生成過程まで遡って究明したところにあり、い
わゆるSin、粉末もしくはムライト(3八ft 20
3 ・2SiO2)、ワラストナイト(CaD I 5
102)、ジルコン(ZrO2・5ill。)などの5
in2を含む酸化物粉末と炭素含有物もしくは炭素含有
物の代わりに金属けい素粉末とからなる混合粉末、ある
いはその成形体を減圧下で熱処理し、その際に発生した
SiO蒸気から気相凝縮によりSiO粉末を得るこあと
した点にある。こうして得たSiO粉末は一次粒子が、
0.1μm(1000人)以下の非常に微細な超微粉末
である。
第2の特徴は、前記SiO超微粉末と炭素含有物とを、
SiO超微粉末と炭素含有物中の炭素との混合比をモル
比(C/5iO)で表して、0.7〜2.0の範囲内と
なるように混合するかさら必要に応じて種子結晶として
S+3N4粉末を配合した混合粉末あるいはその成形体
を、N2分圧1気圧以上、好ましくは2気圧以上の窒化
性雰囲気中で熱処理することにある。こうした方法の採
用により、α化率の高い微細な513N4粉末を量産化
した場合でも安定して製造できるのであ。
上述した第1の特徴である本発明のなかで採用するSi
O超微粉末の製造は、前述の従来製造方法における断熱
膨張で噴射させるという製造技術上の繁雑さや困難さな
しに容易に0.1μm以下のSiO超微粉末が得られる
。すなわち、前記混合原料粉末等を減圧下で熱処理して
SiO蒸気を発生させ、そのSIO蒸気を非酸化性ガス
を用いて気相中で凝縮搬送させることにより、0.1μ
m以下の極めて微細なSiO粉末を安定して量産化でき
る。
いわゆる、止揚の特開昭59−13611号公報におい
て開示されている方法によって得られる3i3N、粉末
については、少量の製造であればガスとの接触が十分に
確保され、Si3N、単味のものが得られる場合もある
。しかし、製造量が多くなってくると還元ガスが不足し
てガスとの接触が不十分となって熱処理条件によっては
かなりのSi2ON2を含んだSi3N4粉末しか得ら
れないことが多い。この点、本発明は微細なSiO粉末
と炭素含有物とを混合したものを窒化性雰囲気中で熱処
理するので、混合さえ十分におこなえば大量の製造の場
合でも還元不十分になってSi2ON2が生成するとい
うような問題をなくすことができる。しかも、得られる
5L3N4の粉末も、原料として0.1μm以下の非常
に微細なSiO超微粉を使用するのでIAtm以下の微
細なものを安定的に製造することが可能である。
(作  用) 以下に本発明製造方法で採用する条件について具体的に
説明する。
はじめに、本発明製造方法において用いる原料のうち5
102扮末については、市販のものが使用可能である。
また、5iO7を含む酸化物粉末としては、ジルコン(
ZrL I sio。)、ムライト(3A n 203
−2siO,)、ワラストナイト(CaO−5iO2)
などといった各種の市販の8102を含む酸化物粉末で
よい。 とくに、ジルコン(Zr02・5IO2> 粉
末を用いた場合には、良質のジルコニア粉末を製造する
ことができると同時に途中でSiO超微粉が得られ、本
発明にはとりわけ好適である。
次に本発明においては、上記5in2系原料に対して炭
素含有物を混合するが、炭素含有物としては石油コーク
スや石炭ピッチ、カーボンブラック、各種有機樹脂など
いずれを用いても本発明の目的は達成される。
また、炭素含有物のかわりに金属けい素粉末を用いても
同様であり、さらには炭素含有物と金属けい素粉末を同
時に混合しても同様である。
次に、SiO微粉末を得る方法について説明する。
この段階では、上記5102系原料と炭素含有物および
/または金属けい素粉末とを十分に混合し、混合粉末の
ままあるいはそれを成形体にして、減圧下で熱処理を行
うことによってSiO蒸気を発生させる。好適な減圧熱
処理の条件は、0.1気圧以下で1300〜2000℃
の温度範囲である。また、減圧熱処理の際の雰囲気とし
ては、原料混合物中の炭素あるいは金属けい素の酸化防
止のために、N2. Ar。
CDなどの非酸化性ガス気を採用することが望ましい。
このような減圧熱処理条件下でSiO蒸気を発生させ、
気相凝縮させてSiO超微粉末を回収する。
こうして得たSiO超微粉末は、粒径が0゜1μm以下
という非常に微細なもので、大気中に取り出した場合に
は、表面のみが酸化した状態になる。
次に本発明は、上述のようにして得られた810超微粉
末に対し、炭素含有物を混合し、それらの混合粉末ある
いはその成形体を窒化性雰囲気中にて熱処理して5L3
N4微粉末を得る。SiO超微粉末と混合する炭素含有
物としては、特に限定しないが、前述のSiO□系原料
と混合した炭素含有物と同種のものを用いる。なお、こ
の処理において採用する窒化性雰囲気としては、N2や
N2−Ar、 N2−H,。
N2−CD系の雰囲気が好適であり、さらにはNH3な
どのように分解して窒素を発生させる雰囲気でもよい。
また、熱処理温度範囲としては、1400〜1800℃
が好適である。
本発明においてSIO微粉末と炭素含有物中の炭素との
混合比をモル比(C/5iO)で表して0.7〜2.0
の範囲内とするのが好ましい。混合比を限定する理由は
、0.7よりも小さいとSiOを還元するのに炭素量が
不足しSiOの不均化反応によって生成したSiO□が
残留したり、St、N、中に3t2NO□が生成したり
して好ましくないし、一方2,0よりも大きいと過還元
となってSiCが生成してSi3N、粉末の純度を低下
させるからである。
さて、本発明において、α−313N4の生成器をさら
に上げるためには、上記SiO超微粉末と炭素含有物中
の混合粉末に対し、さらにSi、N、粉末を混合すると
よい。このSi3N4粉末としては、好ましくは、純度
の高い均一なSi3N4粉末が望ましい。
そして、得られる生成物中のα−3i3N4粉末の比率
を高くするためには主としてα−313N4粉末を配合
するのが好適である。
本発明において原料粉末中に含有させる主としてα−3
i3N4粉末の量は、SiO超微粉末とC含有粉末の総
重量100重量部に対して0.1〜100重量部の範囲
内とするのが好ましい。SiユN4粉末が0.1重量部
未満の場合は、少量のβ−3iC,Si□DN2等が生
成するため、結果としてα−3i3N4粉末の生成量が
減少する。逆に100重量部よりも多いと、必要以上配
合することになり、経済的でなくなるからである。
本発明において、混合粉末を焼成する際には窒化性ガス
雰囲気のN2分圧を1気圧以上、好ましくは2気圧以上
に保つ。その理由は、1気圧未満ではSiCの生成量が
多くなり、低温のとき特にその傾向が著しく、その結果
として5iJ4の生成量が減少するからである。
また、本発明において、SIO粉末を含む混合物を窒化
処理する際に、単に混合した状態ではなく、成形体した
場合、特にその嵩密度を0.85g/cm3以下とした
成形体を処理することにより、高収率で513N4の微
粉末が得られる。また成形体の方がハンドリングが容易
であり量産化技術として優れている。このかさ密度が0
.85g/cm3よりも大きい場合には、成形体内部に
おけるN2分圧が充分に上がらす5I2ON2. SI
C等の共存が認められ好ましくない。
本発明において、原料の配合(C/5iO)が大きい場
合、焼成後、炭素が残留することがある。そうした場合
、さらに、酸化性雰囲気中で焼成し、残留した炭素を燃
焼させることにより除去することができる。酸化性雰囲
気中での焼成温度は、生成した513N4 の微粉が酸
化しないようにするために低温度で行うことが好ましく
、600℃程度が好適である。
(実施例) 以下、本発明実施例について比較例の記述にあわせ説明
する。
(1)SiO製造(第1表) 第1表に示す5in2系酸化物と還元剤からなる各種混
合粉末から調製した混合成形体約10kgを、同じく第
1表に示す減圧条件により真空炉を用いて熱処理を行い
、SiO蒸気を発生させ、その後気相凝縮法によりSi
O超微粉末とし、この超RIをバグフィルタ−を用いて
回収した。得られたSiO超微粉末の量は、原料混合物
の種類によって2〜7kgの範囲内で変動した。
以上の方法によって得られたSiO超微粉末の透過電子
顕微鏡写真の例を第1図に示す。この第1図から明らか
なように大部分が100〜300人程度の非常に微細な
超微粉となっていた。なお、これについては、黄土色の
状態の粉末が大気中で焼成することにより、純白色の粉
末に変化し、その時の重量増加量と、純白色の粉末の赤
外線吸収スペクトルを測定した結果、非晶質シリカと全
く同一の吸収スペクトルを与えることから、かかる超微
粉末がSiO粉末であることが確認できた。また、第1
表の各種原料から得られた粉末はいずれも、第1図の電
子顕微鏡写真とほぼ同等の粉末が得られたので、以下の
513N4粉末の合成については第1表の方法Nα6で
得られたSiO粉末で行った。
(2)St、N4合成 第2表に示す混合比でSiO粉末とカーボンブラック等
からなる混合粉末とから、各々約1kgの混合成形体を
調整し、1600℃N2中で熱処理を行った。この熱処
理を経て得られた生成物について、粉末X線回折による
同定結界、513N4生成率α化率および50%平均粒
径をしらべたので、それらを同じ第2表に示す。
また、比較例4として、特開昭59−13611号公報
に示された方法、すなわち、第1表方法Nα6でBられ
たと同じSiO粉末を1400℃NH3中で熱処理した
結果も第2表に併せて示す。
この第2表かられかるように本発明によれば、α化率の
高い0.6μm以下の非常に微’6’FEな513N4
粉末が得られる。これに対し、比較例として示した特開
昭59−13611号公報に示される方法よっては、還
元、窒化が不十分であり、512ON2. SiO□ヲ
含ンだS ] 3 N 489末しか得られなかった。
(発明の効果) 以上説明したように本発明によれば、5iO7含有酸化
物を減圧下で炭素もしくは金属けい素によって還元し発
生させたSiO蒸気を、気相凝縮することで得たSiO
の超微粉を原料とすることにより、α化率の高い微細な
Si、N4粉末を工業的にしかも大単生産することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、SiO超微粉末の粒子構造を示す透過電子顕
微鏡写真である。 Qコμツ瞠

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、SiO_2粉末またはSiO_2を含む酸化物粉末
    と炭素含有物および/または金属けい素粉末とからなる
    混合物またはその成形体を、減圧下で熱処理して得たS
    iO蒸気からSiO微粉末を回収し、該SiO微粉末と
    炭素含有物とからなる混合物またはその成形体を、窒化
    性雰囲気中において熱処理することを特徴とする窒化け
    い素微粉末の製造方法。 2、SiO_2粉末またはSiO_2を含む酸化物粉末
    と炭素含有物および/または金属けい素粉末とからなる
    混合物またはその成形体を、減圧下で熱処理して得たS
    iO蒸気からSiO微粉末を回収し、該SiO微粉末、
    炭素含有物およびSi_3N_4粉末とからなる混合物
    またはその成形体を、窒化性雰囲気中において熱処理す
    ることを特徴とする窒化けい素微粉末の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100753114B1 (ko) 2005-07-26 2007-08-29 한국원자력연구원 실리카 분말의 열적 반응을 이용한 실리콘계 세라믹나노와이어의 제조방법

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KR100753114B1 (ko) 2005-07-26 2007-08-29 한국원자력연구원 실리카 분말의 열적 반응을 이용한 실리콘계 세라믹나노와이어의 제조방법

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