JPS6120486B2 - - Google Patents
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- JPS6120486B2 JPS6120486B2 JP2659678A JP2659678A JPS6120486B2 JP S6120486 B2 JPS6120486 B2 JP S6120486B2 JP 2659678 A JP2659678 A JP 2659678A JP 2659678 A JP2659678 A JP 2659678A JP S6120486 B2 JPS6120486 B2 JP S6120486B2
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は窒化ケイ素粉末の製造法に関するもの
であり、さらに詳しくはシリカ粉末、カーボン粉
末およびシリコンニトロゲンイミド粉末を一定割
合で混合し、加熱処理することを特徴とするα型
窒化ケイ素粉末の製造法に関するものである。 窒化ケイ素質焼結体は、特に耐熱性、高温にお
ける強度が優れていることから、近時益々その有
用性が認識され、耐熱高強度材料としてさかんに
開発研究が進められ、特に高温ガスタービン用部
材などの材料としての応用が注目されている。 窒化ケイ素粉末自体は、その焼結性が悪いた
め、通常酸化マグネシウム、酸化イツトリウム、
酸化アルミニウム、希土類元素の酸化物等の焼結
助剤を添加して焼結が行なわれている。得られる
焼結体の物性は、これらの助剤によつても左右さ
れるが、主として骨格の原料となる窒化ケイ素粉
末そのものの性質、それに含有される不純物によ
り大きな影響を受け、α型窒化ケイ素を多く含ん
でいることが要望されている。 窒化ケイ素粉末の製造法としては一般に、 (1) 金属ケイ素粉末を窒素ガスを用いて直接窒化
させる方法、 (2) 四塩化ケイ素やシランとアンモニアを気相で
反応させる方法、 (3) シリカ粉末をカーボンと窒素で還元・窒化す
る方法 が知られている。(1)の方法においては、反応が発
熱反応であるため、発熱制御のためプロセス上工
夫を要し、例えば金属ケイ素粉末としては、比較
的粗粒のものを選び、窒化後微粉砕して窒化ケイ
素粉末を得ている。この場合、微粉砕工程におけ
る不純物の混入が避けられず、不純物が混入した
ものは一般耐熱材料の原料としては使用できる
が、高温ガスタービン用部材などの原料としては
適さない。 (2)の方法は気相法であるため、例えば半導体素
子の表面を窒化ケイ素で被覆するため等には適す
るが、量産性を欠き、無機耐熱材料の工業的製造
法にはなり得ない。 (3)の方法は反応操作が簡単であるという利点を
有する反面、生成物はα型窒化ケイ素、β型窒化
ケイ素、シリコンオキシナイトライド
（Si2ON2）および炭化ケイ素（SiC）などの混合系
であり、α型窒化ケイ素の収率が低いという欠点
があつた。本発明者らは、(3)の方法の有する欠点
を解消する方法としてシリカ粉末をカーボンと窒
素を用いて還元・窒化する際に、カーボンをある
一定量、かつ微細な窒化ケイ素粉末を所定量共存
させ、反応温度を一定範囲に選んで反応する方法
を見出し、既に特許出願を行つた（特願昭52−
16037）。 本発明者らは、さらに検討を進めた結果、シリ
カ粉末をカーボンと窒素を用いて還元・窒化する
際に、反応の核として働く窒化ケイ素粉の代りに
その前駆体であるシリコンニトロゲンイミド
〔（SiN）2NH〕を用いることにより、さらに容易
に良質な窒化ケイ素粉末が得られることを見出し
本発明を完成するに至つた。 すなわち、本発明はシリカ粉末をカーボン粉末
と共に窒素を含む雰囲気中で還元・窒化するα型
窒化ケイ素粉末の製造法であつて、シリカ粉末、
カーボン粉末およびシリコンニトロゲンイミド粉
末を重量比でそれぞれ１：0.4〜４：0.005〜２混
合し、1350〜1500℃で処理し、要すればさらに酸
化性雰囲気下加熱処理を施すことを特徴とする方
法である。 本発明において出発原料として用いるシリカ−
カーボン−シリコンニトロゲンイミド混合系にお
いて、シリカ、カーボンおよびシリコンニトロゲ
ンイミドを重量比でそれぞれ１：0.4〜４：0.005
〜２に選ぶのは次の理由による。すなわちシリカ
１当りカーボンが0.4未満ではシリカが未反応物
として残留し、かつ、シリコンオキシナイトライ
ドの多量生成がみられる反面、α型窒化ケイ素の
生成量が少なく、また４を超えるとβ型窒化ケイ
素の生成がみられ結果的にはα型窒化ケイ素の純
度が低下するほか、とくに収率低下がみられるか
らである。 一方シリカ１に対するシリコンニトロゲンイミ
ドの比が0.005未満ではα型窒化ケイ素の高収率
化効果が少なく、逆に２を超えると酸化物還元で
得られる好ましい粉末特性を有する粉末が得られ
ず添加したシリコンニトロゲンイミド粉末の特性
が顕著となり本来の目的が達せられない。さらに
これらシリカ、カーボンおよびシリコンニトロゲ
ンイミドの各原料組成分はいずれも99％程度以上
の高純度のものが好ましく、また粒度については
シリカおよびカーボンは平均粒径0.1μｍ以下の
ものが、反応を促進する核として用いられるシリ
コンニトロゲンイミドはなるべく微粒、たとえば
0.2μｍ以下のものがそれぞれ好ましい。 シリコンニトロゲンイミドは、例えば四塩化ケ
イ素とアンモニアとの反応から600〜700℃で合成
され、さらに1200℃前後において加熱処理するこ
とにより、比較的安定で平均粒径0.1μｍ以下の
極めて微細な粉末として得られる。 本発明においてシリカ−カーボン−シリコンニ
トロゲンイミド混合物の加熱焼成に際し、その雰
囲気は窒素、アンモニア、窒素−水素、窒素−不
活性ガスなどの系が挙げられるが、主反応ガスは
窒素またはアンモニアでなければならない。その
理由は最終的に高純度のα型窒化ケイ素の生成に
大きく影響することが実験的に確認されたからで
ある。一方この窒素またはアンモニアを主反応ガ
スとする雰囲気中での加熱焼成温度は1350〜1500
℃の範囲内に選ばれる。その理由は1350℃未満で
は窒化ケイ素が生成し難く、また1500℃を超える
と炭化ケイ素の生成がみられ、結局所望の、耐熱
高強度材料用に適するα型窒化ケイ素系粉末が得
られないからである。 さらに上記窒素などを主反応ガスとした雰囲気
中での加熱焼成後、酸化性雰囲気下での加熱処理
は残存しているカーボンの除去を目的としたもの
であるが、その温度は600〜800℃の範囲に選ばれ
る。 上記の如くシリカの還元、窒化反応において過
剰のカーボンを用いる一方、特に所定量のシリコ
ンニトロゲンイミドを共存させる本発明によれば
シリカの還元が大いに促進され、生成される窒化
ケイ素が、あらかじめ添加されているシリコンニ
トロゲンイミドが分解して変化した、粒径が出発
時よりさらに微細な窒化ケイ素を核として円滑に
成長し、α型窒化ケイ素の含有率の高い高品位の
α型窒化ケイ素系粉末を収率よく得ることができ
る。 本発明により耐熱性および高温高強度が要求さ
れる窒化ケイ素質焼結体の製造に適するα型窒化
ケイ素系粉末が容易に得ることができるのは次の
ように考えられる。すなわち一次反応として
SiO2＋Ｃ→SiO＋COが進行する。この反応は固
相反応であり、カーボン／シリカ比が高いほど相
対的に速くなり、かつ生成した一酸化ケイ素は窒
素またはアンモニアと容易に反応する。この反応
においては一酸化ケイ素と窒素、アンモニアは気
相状態で存在できるのでカーボン蒸気の占める割
合が一酸化ケ素の還元、窒化反応を左右すると云
える。 しかしながら本発明においてはさらに所定量の
シリコンニトロゲンイミド粉末を反応系に共存せ
しめている。ところで酸化物還元反応による窒化
ケイ素合成は前述のようにシリカ、窒素、アンモ
ニア等が気相状態で存在するので最終的には固体
の窒化ケイ素を生成する場合、気相状態の窒化ケ
イ素の早期安定沈着化と、後の成長が反応速度、
収率に非常に影響する。これに対し、本発明にお
いてはあらかじめ共存させたシリコンニトロゲン
イミドが、窒素、アンモニア気流中1200〜1400℃
において、3SiO2＋6C＋2N2→Si3N4＋6COが進行
する前に、３〔（SiN）2NH〕2N22Si3N4が進行して
極めて微細な窒化ケイ素となり、上記気相状態の
窒化ケイ素が沈着、成長するため核として働く。
この窒化ケイ素の沈着、成長効果によつてカーボ
ン量が理論量近傍の少ないものでもさらに炭化ケ
イ素の生成が防止され、窒化ケイ素の純度向上に
大きく貢献するものである。 なお、この反応系中に鉄系化合物などが存在し
ても、本発明は原則的にさまたげられない。 このようにして本発明によればα型窒化ケイ素
の含有量率の高い、しかも炭化ケイ素など不純物
の含有量が著しく少なく高品位の、α型窒化ケイ
素系粉末を得ることができるので、本発明方法は
耐熱性および高温高強度が要求される窒化ケイ素
系焼結構造材料用原料窒化ケイ素系粉末の製造に
適するものと云える。 次に本発明の実施例を記載する。 実施例 １〜５ 平均粒径0.013μｍのシリカ粉末、平均粒径
0.029μｍのカーボンブラツク粉末および平均粒
径0.1μｍのシリコンニトロゲンイミド粉末を表
−１に示す組成比で（重量部）混合した粉末５種
類を調整した。 上記混合粉末を窒化雰囲気下、1350〜1450℃で
５時間、それぞれ加熱処理を施し還元、窒化反応
させた後、空気雰囲気下、700℃で３時間それぞ
れ加熱処理をして窒化ケイ素系粉末を得た。この
ようにして得たそれぞれの窒化ケイ素系粉末につ
いて平均粒径、窒素含有量率（重量％）、α型窒
化ケイ素の含有率（重量％）…Ｘ線回折図形で確
認…、炭化ケイ素含有率（重量％）および金属ケ
イ素など金属不純物量（重量％）をそれぞれ求め
た結果を表−１に併せて示した。 【表】
であり、さらに詳しくはシリカ粉末、カーボン粉
末およびシリコンニトロゲンイミド粉末を一定割
合で混合し、加熱処理することを特徴とするα型
窒化ケイ素粉末の製造法に関するものである。 窒化ケイ素質焼結体は、特に耐熱性、高温にお
ける強度が優れていることから、近時益々その有
用性が認識され、耐熱高強度材料としてさかんに
開発研究が進められ、特に高温ガスタービン用部
材などの材料としての応用が注目されている。 窒化ケイ素粉末自体は、その焼結性が悪いた
め、通常酸化マグネシウム、酸化イツトリウム、
酸化アルミニウム、希土類元素の酸化物等の焼結
助剤を添加して焼結が行なわれている。得られる
焼結体の物性は、これらの助剤によつても左右さ
れるが、主として骨格の原料となる窒化ケイ素粉
末そのものの性質、それに含有される不純物によ
り大きな影響を受け、α型窒化ケイ素を多く含ん
でいることが要望されている。 窒化ケイ素粉末の製造法としては一般に、 (1) 金属ケイ素粉末を窒素ガスを用いて直接窒化
させる方法、 (2) 四塩化ケイ素やシランとアンモニアを気相で
反応させる方法、 (3) シリカ粉末をカーボンと窒素で還元・窒化す
る方法 が知られている。(1)の方法においては、反応が発
熱反応であるため、発熱制御のためプロセス上工
夫を要し、例えば金属ケイ素粉末としては、比較
的粗粒のものを選び、窒化後微粉砕して窒化ケイ
素粉末を得ている。この場合、微粉砕工程におけ
る不純物の混入が避けられず、不純物が混入した
ものは一般耐熱材料の原料としては使用できる
が、高温ガスタービン用部材などの原料としては
適さない。 (2)の方法は気相法であるため、例えば半導体素
子の表面を窒化ケイ素で被覆するため等には適す
るが、量産性を欠き、無機耐熱材料の工業的製造
法にはなり得ない。 (3)の方法は反応操作が簡単であるという利点を
有する反面、生成物はα型窒化ケイ素、β型窒化
ケイ素、シリコンオキシナイトライド
（Si2ON2）および炭化ケイ素（SiC）などの混合系
であり、α型窒化ケイ素の収率が低いという欠点
があつた。本発明者らは、(3)の方法の有する欠点
を解消する方法としてシリカ粉末をカーボンと窒
素を用いて還元・窒化する際に、カーボンをある
一定量、かつ微細な窒化ケイ素粉末を所定量共存
させ、反応温度を一定範囲に選んで反応する方法
を見出し、既に特許出願を行つた（特願昭52−
16037）。 本発明者らは、さらに検討を進めた結果、シリ
カ粉末をカーボンと窒素を用いて還元・窒化する
際に、反応の核として働く窒化ケイ素粉の代りに
その前駆体であるシリコンニトロゲンイミド
〔（SiN）2NH〕を用いることにより、さらに容易
に良質な窒化ケイ素粉末が得られることを見出し
本発明を完成するに至つた。 すなわち、本発明はシリカ粉末をカーボン粉末
と共に窒素を含む雰囲気中で還元・窒化するα型
窒化ケイ素粉末の製造法であつて、シリカ粉末、
カーボン粉末およびシリコンニトロゲンイミド粉
末を重量比でそれぞれ１：0.4〜４：0.005〜２混
合し、1350〜1500℃で処理し、要すればさらに酸
化性雰囲気下加熱処理を施すことを特徴とする方
法である。 本発明において出発原料として用いるシリカ−
カーボン−シリコンニトロゲンイミド混合系にお
いて、シリカ、カーボンおよびシリコンニトロゲ
ンイミドを重量比でそれぞれ１：0.4〜４：0.005
〜２に選ぶのは次の理由による。すなわちシリカ
１当りカーボンが0.4未満ではシリカが未反応物
として残留し、かつ、シリコンオキシナイトライ
ドの多量生成がみられる反面、α型窒化ケイ素の
生成量が少なく、また４を超えるとβ型窒化ケイ
素の生成がみられ結果的にはα型窒化ケイ素の純
度が低下するほか、とくに収率低下がみられるか
らである。 一方シリカ１に対するシリコンニトロゲンイミ
ドの比が0.005未満ではα型窒化ケイ素の高収率
化効果が少なく、逆に２を超えると酸化物還元で
得られる好ましい粉末特性を有する粉末が得られ
ず添加したシリコンニトロゲンイミド粉末の特性
が顕著となり本来の目的が達せられない。さらに
これらシリカ、カーボンおよびシリコンニトロゲ
ンイミドの各原料組成分はいずれも99％程度以上
の高純度のものが好ましく、また粒度については
シリカおよびカーボンは平均粒径0.1μｍ以下の
ものが、反応を促進する核として用いられるシリ
コンニトロゲンイミドはなるべく微粒、たとえば
0.2μｍ以下のものがそれぞれ好ましい。 シリコンニトロゲンイミドは、例えば四塩化ケ
イ素とアンモニアとの反応から600〜700℃で合成
され、さらに1200℃前後において加熱処理するこ
とにより、比較的安定で平均粒径0.1μｍ以下の
極めて微細な粉末として得られる。 本発明においてシリカ−カーボン−シリコンニ
トロゲンイミド混合物の加熱焼成に際し、その雰
囲気は窒素、アンモニア、窒素−水素、窒素−不
活性ガスなどの系が挙げられるが、主反応ガスは
窒素またはアンモニアでなければならない。その
理由は最終的に高純度のα型窒化ケイ素の生成に
大きく影響することが実験的に確認されたからで
ある。一方この窒素またはアンモニアを主反応ガ
スとする雰囲気中での加熱焼成温度は1350〜1500
℃の範囲内に選ばれる。その理由は1350℃未満で
は窒化ケイ素が生成し難く、また1500℃を超える
と炭化ケイ素の生成がみられ、結局所望の、耐熱
高強度材料用に適するα型窒化ケイ素系粉末が得
られないからである。 さらに上記窒素などを主反応ガスとした雰囲気
中での加熱焼成後、酸化性雰囲気下での加熱処理
は残存しているカーボンの除去を目的としたもの
であるが、その温度は600〜800℃の範囲に選ばれ
る。 上記の如くシリカの還元、窒化反応において過
剰のカーボンを用いる一方、特に所定量のシリコ
ンニトロゲンイミドを共存させる本発明によれば
シリカの還元が大いに促進され、生成される窒化
ケイ素が、あらかじめ添加されているシリコンニ
トロゲンイミドが分解して変化した、粒径が出発
時よりさらに微細な窒化ケイ素を核として円滑に
成長し、α型窒化ケイ素の含有率の高い高品位の
α型窒化ケイ素系粉末を収率よく得ることができ
る。 本発明により耐熱性および高温高強度が要求さ
れる窒化ケイ素質焼結体の製造に適するα型窒化
ケイ素系粉末が容易に得ることができるのは次の
ように考えられる。すなわち一次反応として
SiO2＋Ｃ→SiO＋COが進行する。この反応は固
相反応であり、カーボン／シリカ比が高いほど相
対的に速くなり、かつ生成した一酸化ケイ素は窒
素またはアンモニアと容易に反応する。この反応
においては一酸化ケイ素と窒素、アンモニアは気
相状態で存在できるのでカーボン蒸気の占める割
合が一酸化ケ素の還元、窒化反応を左右すると云
える。 しかしながら本発明においてはさらに所定量の
シリコンニトロゲンイミド粉末を反応系に共存せ
しめている。ところで酸化物還元反応による窒化
ケイ素合成は前述のようにシリカ、窒素、アンモ
ニア等が気相状態で存在するので最終的には固体
の窒化ケイ素を生成する場合、気相状態の窒化ケ
イ素の早期安定沈着化と、後の成長が反応速度、
収率に非常に影響する。これに対し、本発明にお
いてはあらかじめ共存させたシリコンニトロゲン
イミドが、窒素、アンモニア気流中1200〜1400℃
において、3SiO2＋6C＋2N2→Si3N4＋6COが進行
する前に、３〔（SiN）2NH〕2N22Si3N4が進行して
極めて微細な窒化ケイ素となり、上記気相状態の
窒化ケイ素が沈着、成長するため核として働く。
この窒化ケイ素の沈着、成長効果によつてカーボ
ン量が理論量近傍の少ないものでもさらに炭化ケ
イ素の生成が防止され、窒化ケイ素の純度向上に
大きく貢献するものである。 なお、この反応系中に鉄系化合物などが存在し
ても、本発明は原則的にさまたげられない。 このようにして本発明によればα型窒化ケイ素
の含有量率の高い、しかも炭化ケイ素など不純物
の含有量が著しく少なく高品位の、α型窒化ケイ
素系粉末を得ることができるので、本発明方法は
耐熱性および高温高強度が要求される窒化ケイ素
系焼結構造材料用原料窒化ケイ素系粉末の製造に
適するものと云える。 次に本発明の実施例を記載する。 実施例 １〜５ 平均粒径0.013μｍのシリカ粉末、平均粒径
0.029μｍのカーボンブラツク粉末および平均粒
径0.1μｍのシリコンニトロゲンイミド粉末を表
−１に示す組成比で（重量部）混合した粉末５種
類を調整した。 上記混合粉末を窒化雰囲気下、1350〜1450℃で
５時間、それぞれ加熱処理を施し還元、窒化反応
させた後、空気雰囲気下、700℃で３時間それぞ
れ加熱処理をして窒化ケイ素系粉末を得た。この
ようにして得たそれぞれの窒化ケイ素系粉末につ
いて平均粒径、窒素含有量率（重量％）、α型窒
化ケイ素の含有率（重量％）…Ｘ線回折図形で確
認…、炭化ケイ素含有率（重量％）および金属ケ
イ素など金属不純物量（重量％）をそれぞれ求め
た結果を表−１に併せて示した。 【表】
Claims (1)
- １ シリカ粉末をカーボン粉末と共に窒素を含む
雰囲気中で還元・窒化するα型窒化ケイ素粉末の
製造法であつて、シリカ粉末、カーボン粉末およ
びシリコンニトロゲンイミド粉末を重量比でそれ
ぞれ１：0.4〜４：0.005〜２混合し、1350〜1500
℃で処理することを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2659678A JPS54126696A (en) | 1978-03-10 | 1978-03-10 | Production of silicon nitride powder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2659678A JPS54126696A (en) | 1978-03-10 | 1978-03-10 | Production of silicon nitride powder |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54126696A JPS54126696A (en) | 1979-10-02 |
| JPS6120486B2 true JPS6120486B2 (ja) | 1986-05-22 |
Family
ID=12197903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2659678A Granted JPS54126696A (en) | 1978-03-10 | 1978-03-10 | Production of silicon nitride powder |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54126696A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5913442B2 (ja) * | 1980-01-11 | 1984-03-29 | 東ソー株式会社 | 高純度の型窒化珪素の製造法 |
-
1978
- 1978-03-10 JP JP2659678A patent/JPS54126696A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54126696A (en) | 1979-10-02 |
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