JPH0218310A - ジルコニウム系セラミック粉末の製造方法 - Google Patents
ジルコニウム系セラミック粉末の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、ジルコニウム系セラミック粉末の製造方法
に関し、特に炭化ジルコニウム(ZrC)粉末や炭化ジ
ルコニウム・−酸化ジルコニウム固溶体(ZrC−Zr
0)粉末などの炭化ジルコニウム系セラミック粉末、並
びに窒化ジルコニウム(ZrN) FA末や窒化ジルコ
ニウム・−酸化ジルコニウム固溶体(ZrN −Zr0
)粉末な、どの窒化ジルコニウム系セラミック粉末をジ
ルコン粉末から簡便かつ効率よく製造しようとするもの
である。
に関し、特に炭化ジルコニウム(ZrC)粉末や炭化ジ
ルコニウム・−酸化ジルコニウム固溶体(ZrC−Zr
0)粉末などの炭化ジルコニウム系セラミック粉末、並
びに窒化ジルコニウム(ZrN) FA末や窒化ジルコ
ニウム・−酸化ジルコニウム固溶体(ZrN −Zr0
)粉末な、どの窒化ジルコニウム系セラミック粉末をジ
ルコン粉末から簡便かつ効率よく製造しようとするもの
である。
炭化ジルコニウムや窒化ジルコニウムはそれぞれ、融点
が約3400℃、約3000℃と高いだけでなく、硬度
も微小硬度テ2000kg/閤”以上、1500kg/
閤”以上と高(、さらには耐熱性や化学的安定性にも優
れているため、各種切削工具材料として、また高温用特
殊セラミックスとして使用されている。
が約3400℃、約3000℃と高いだけでなく、硬度
も微小硬度テ2000kg/閤”以上、1500kg/
閤”以上と高(、さらには耐熱性や化学的安定性にも優
れているため、各種切削工具材料として、また高温用特
殊セラミックスとして使用されている。
(従来の技術)
一般的な炭化ジルコニウムの製造方法としては、■金属
ジルコニウム(Zr)や水素化ジルコニウム(ZrHz
)を炭化する方法、 ■四塩化ジルコニウム(ZrC1n)と水素−炭化水素
混合気体とを加熱反応させる方法、 ■酸化ジルコニウム(ZrOz)と炭素とを混合し、黒
鉛ボートに入れてタンマン炉又は高周波誘導炉で240
0°C程度に加熱する方法、 ■ジルコニウム含有鉱、例えばジルコン(ZrSiOa
)に理論量よりも過剰の炭素を混合し、アーク溶解炉で
還元性雰囲気中2000″C以上の温度で溶融する方法
、 等がある。
ジルコニウム(Zr)や水素化ジルコニウム(ZrHz
)を炭化する方法、 ■四塩化ジルコニウム(ZrC1n)と水素−炭化水素
混合気体とを加熱反応させる方法、 ■酸化ジルコニウム(ZrOz)と炭素とを混合し、黒
鉛ボートに入れてタンマン炉又は高周波誘導炉で240
0°C程度に加熱する方法、 ■ジルコニウム含有鉱、例えばジルコン(ZrSiOa
)に理論量よりも過剰の炭素を混合し、アーク溶解炉で
還元性雰囲気中2000″C以上の温度で溶融する方法
、 等がある。
しかし■、■の方法を実施するには、原料となルZr、
ZrL又はZrC1aを製造することから始める必要
があるためコストがかさむ。
ZrL又はZrC1aを製造することから始める必要
があるためコストがかさむ。
また■、■の方法では、処理温度が2000°C以上と
高温であるため多大なエネルギーを必要とするばかりで
なく、固くなった生成物を粉砕するにも多大の労力を要
するので、省エネルギーの観点から問題があった。
高温であるため多大なエネルギーを必要とするばかりで
なく、固くなった生成物を粉砕するにも多大の労力を要
するので、省エネルギーの観点から問題があった。
そこで■の改善策として特開昭55−51713号公報
に、けい酸ジルコニウムを主成分とする原料たとえばジ
ルコンサンドに理論量よりも過剰の炭素を配合し、アチ
ソン炉等にて加熱することによりZrCおよびSiCを
生成させ、これらを比重差により分離して炭化ジルコニ
ウムを得る方法が提案された。
に、けい酸ジルコニウムを主成分とする原料たとえばジ
ルコンサンドに理論量よりも過剰の炭素を配合し、アチ
ソン炉等にて加熱することによりZrCおよびSiCを
生成させ、これらを比重差により分離して炭化ジルコニ
ウムを得る方法が提案された。
この方法は、原料が安価であるだけでなく大量生産が可
能であり、またアーク溶解炉を用いる方法に比べてより
低温で製造できるために、粉砕の労力が少なくてすむと
、いうメリットがあるが、反面ZrCとSiCとを分離
するという手間がかかり、純度的にも高純度のものを得
ることは困難であった。
能であり、またアーク溶解炉を用いる方法に比べてより
低温で製造できるために、粉砕の労力が少なくてすむと
、いうメリットがあるが、反面ZrCとSiCとを分離
するという手間がかかり、純度的にも高純度のものを得
ることは困難であった。
次に窒化ジルコニウムの一般的な製造方法としては、
(1)金属ジルコニウム又は水素化ジルコニウムを窒化
する方法、 (2)四塩化ジルコニウムに還元剤として(A1. M
gなと)の金属を加え、窒素ガス流通下で熱処理する方
法、 (3)酸化ジルコニウムを炭素共存下で窒化する方法、
等がある。
する方法、 (2)四塩化ジルコニウムに還元剤として(A1. M
gなと)の金属を加え、窒素ガス流通下で熱処理する方
法、 (3)酸化ジルコニウムを炭素共存下で窒化する方法、
等がある。
しかしく1)の方法では、原料となる金属ジルコニウム
を製造するのに多大なエネルギーを必要とするため工業
的でない。またとくに、水素化ジルコニウムの窒化は微
粉の窒化ジルコニウムを得るのに適しているとはいえ、
水素化ジルコニウムと窒素との反応は発熱反応でありか
つ反応中に多量の水素を発生するので爆発の危険性があ
る。さらに(1)、 (2)の方法では、原料として高
゛価なZr、 ZrHt又はZrC1mが必要なためコ
ストが高くなるという不利が加わる。
を製造するのに多大なエネルギーを必要とするため工業
的でない。またとくに、水素化ジルコニウムの窒化は微
粉の窒化ジルコニウムを得るのに適しているとはいえ、
水素化ジルコニウムと窒素との反応は発熱反応でありか
つ反応中に多量の水素を発生するので爆発の危険性があ
る。さらに(1)、 (2)の方法では、原料として高
゛価なZr、 ZrHt又はZrC1mが必要なためコ
ストが高くなるという不利が加わる。
また(3)の方法では、原料は比較的安価なZr0zで
あるためコスト的な問題はないが、処理温度が2000
℃以上と高温であるため、多大なエネルギーを必要とし
、しかも窒化反応中に窒化ジルコニウム粉末や原料の酸
化ジルコニウム粉末が焼結して窒化反応が阻害されて生
成される窒化ジルコニウム粉末中に酸化ジルコニウムが
残ってしまう不利がある他、生成物を粉砕するのに多大
の労力を必要とするなどの問題もあった。
あるためコスト的な問題はないが、処理温度が2000
℃以上と高温であるため、多大なエネルギーを必要とし
、しかも窒化反応中に窒化ジルコニウム粉末や原料の酸
化ジルコニウム粉末が焼結して窒化反応が阻害されて生
成される窒化ジルコニウム粉末中に酸化ジルコニウムが
残ってしまう不利がある他、生成物を粉砕するのに多大
の労力を必要とするなどの問題もあった。
そこで、特開昭60−186407号公報においては、
(3)の方法に属する窒化ジルコニウム粉末の製造方法
に関し、酸化ジルコニウムをアルカリ土類金属(例えば
Mg)の1種以上の存在下で窒素気流中で加熱すること
によりZrNと例えばMgO,MgzN3との混合粉末
を製造し、これらを酸処理して水洗後、遠心分離等を行
うことによりZrN粉末を得る方法が提案された。
(3)の方法に属する窒化ジルコニウム粉末の製造方法
に関し、酸化ジルコニウムをアルカリ土類金属(例えば
Mg)の1種以上の存在下で窒素気流中で加熱すること
によりZrNと例えばMgO,MgzN3との混合粉末
を製造し、これらを酸処理して水洗後、遠心分離等を行
うことによりZrN粉末を得る方法が提案された。
この方法は、比較的皮価なZr01を原料として用い、
かつ低温でZrNを製造することができるけれども、酸
処理等などZrNを分離する余分の工程が必要であった
。
かつ低温でZrNを製造することができるけれども、酸
処理等などZrNを分離する余分の工程が必要であった
。
(発明が解決しようとする課B)
この発明は、上述した諸問題を有利に解決して炭化ジル
コニウム粉末や窒化ジルコニウム粉末を粉末分離工程を
必要とせず、安価に効率良く大量生産し得る製造方法を
提案することを第1の目的とする。
コニウム粉末や窒化ジルコニウム粉末を粉末分離工程を
必要とせず、安価に効率良く大量生産し得る製造方法を
提案することを第1の目的とする。
また、この発明は、炭化ジルコニウム・−酸化ジルコニ
ウム固溶体粉末や窒化ジルコニウム・−酸化ジルコニウ
ム固溶体粉末を、粉末分離工程を必要とせず、安価に効
率よく大量生産し得る製造方法を提案することを第2の
目的とする。
ウム固溶体粉末や窒化ジルコニウム・−酸化ジルコニウ
ム固溶体粉末を、粉末分離工程を必要とせず、安価に効
率よく大量生産し得る製造方法を提案することを第2の
目的とする。
(課題を解決するための手段)
さて発明者らは、粉末分離工程の必要なしに高純度の炭
化ジルコニウム粉末や窒化ジルコニウム粉末を製造でき
る方法について鋭意研究を重ねた結果、原料としてジル
コンを用い、これに炭素を適正割合で配合した後、減圧
下で熱処理を施すことによりジルコン中のSiO□成分
がSiO蒸気として効率よく除去され、かくして上記の
目的を有利に解決されることの知見を得た。
化ジルコニウム粉末や窒化ジルコニウム粉末を製造でき
る方法について鋭意研究を重ねた結果、原料としてジル
コンを用い、これに炭素を適正割合で配合した後、減圧
下で熱処理を施すことによりジルコン中のSiO□成分
がSiO蒸気として効率よく除去され、かくして上記の
目的を有利に解決されることの知見を得た。
また炭化ジルコニウム粉末や窒化ジルコニウム粉末を得
る上記の研究中、ジルコンと炭素との配合割合を変えて
やれば炭化ジルコニウム・−酸化ジルコニウム固溶体粉
末や窒化ジルコニウム・−酸化ジルコニウム固溶体粉末
が同じく分離工程の必要なしに有利に得られることも併
せて突き止めた。
る上記の研究中、ジルコンと炭素との配合割合を変えて
やれば炭化ジルコニウム・−酸化ジルコニウム固溶体粉
末や窒化ジルコニウム・−酸化ジルコニウム固溶体粉末
が同じく分離工程の必要なしに有利に得られることも併
せて突き止めた。
ここに、炭化ジルコニウム・−酸化ジルコニウム固溶体
粉末や窒化ジルコニウム・−酸化ジルコニウム固溶体粉
末は、炭化ジルコニウム、窒化ジルコニウムと同様高融
点、高硬度であり、耐熱性、化学的安定性にも優れてい
る等の性質を備えていて、上記粉末を用いて製造した焼
結体は各種切削工具、高温用特殊セラミックなどの用途
に極めて有用なものである。
粉末や窒化ジルコニウム・−酸化ジルコニウム固溶体粉
末は、炭化ジルコニウム、窒化ジルコニウムと同様高融
点、高硬度であり、耐熱性、化学的安定性にも優れてい
る等の性質を備えていて、上記粉末を用いて製造した焼
結体は各種切削工具、高温用特殊セラミックなどの用途
に極めて有用なものである。
なお上記の製造工程中、原料にSin、成分が残留して
いる初期の脱珪締には、ジルコニウムのけい化物(Zr
Si、 Zr5Six等)の生成する領域より低温、高
圧側で減圧熱処理することがより有利であることも判明
した。
いる初期の脱珪締には、ジルコニウムのけい化物(Zr
Si、 Zr5Six等)の生成する領域より低温、高
圧側で減圧熱処理することがより有利であることも判明
した。
この発明は、上記の知見に立脚するものである。
すなわちこの発明は、ジルコン粉末と炭素含有物とを、
ジルコン粉末中のSiO2に対する炭素含有物中の炭素
のモル比(C/5iOz)が2.3〜4.5を満足する
割合にて混合し、得られた混合物をそのまま又は成形体
にしたのち、減圧下の非酸化性雰囲気中において120
0〜2000°Cの温度範囲で熱処理を施し、しかるの
ち粉砕することを特徴とする炭化ジルコニウム系セラミ
ック粉末の製造方法である。
ジルコン粉末中のSiO2に対する炭素含有物中の炭素
のモル比(C/5iOz)が2.3〜4.5を満足する
割合にて混合し、得られた混合物をそのまま又は成形体
にしたのち、減圧下の非酸化性雰囲気中において120
0〜2000°Cの温度範囲で熱処理を施し、しかるの
ち粉砕することを特徴とする炭化ジルコニウム系セラミ
ック粉末の製造方法である。
またジルコン粉末と炭素含有物とを、ジルコン粉末中の
SiO2に対する炭素含有物中の炭素のモル比(C/5
iOz)が2.3〜3.5を満足する割合にて混合し、
得られた混合物をそのまま又は成形体にしたのち、減圧
下の窒化性雰囲気中において1200〜2000°Cの
温度範囲で熱処理を施し、しかるのち粉砕することを特
徴とする窒化ジルコニウム系セラミック粉末の製造方法
である。
SiO2に対する炭素含有物中の炭素のモル比(C/5
iOz)が2.3〜3.5を満足する割合にて混合し、
得られた混合物をそのまま又は成形体にしたのち、減圧
下の窒化性雰囲気中において1200〜2000°Cの
温度範囲で熱処理を施し、しかるのち粉砕することを特
徴とする窒化ジルコニウム系セラミック粉末の製造方法
である。
ここに上記の製造工程中、熱処理は、0.O1〜0.6
気圧下における、1350〜1550″Cの温度での第
1段熱処理と、1550〜2000’Cの温度での第2
段熱処理とからなることがとりわけ好ましい。
気圧下における、1350〜1550″Cの温度での第
1段熱処理と、1550〜2000’Cの温度での第2
段熱処理とからなることがとりわけ好ましい。
(作 用)
この発明に従い減圧下にて熱処理を行うことにより、ジ
ルコン中のSin、成分をSiO蒸気として揮散させる
ことが容易となる。このため炭化ジルコニウム系セラミ
ック粉末では、前掲特開昭5B−51713号公報に開
示の方法のように5iOz成分をSiCまで還元・炭化
する必要がなくなるのでC/5iOz比を4.5以下に
することができ、ひいてはZrCとSiCとの分離とい
う工程も不要となるのである。
ルコン中のSin、成分をSiO蒸気として揮散させる
ことが容易となる。このため炭化ジルコニウム系セラミ
ック粉末では、前掲特開昭5B−51713号公報に開
示の方法のように5iOz成分をSiCまで還元・炭化
する必要がなくなるのでC/5iOz比を4.5以下に
することができ、ひいてはZrCとSiCとの分離とい
う工程も不要となるのである。
また窒化ジルコニウム系セラミック粉末では、前掲特開
昭60−186407号公報に開示の方法のような特別
な添加剤は不要となるので、副生成物が生成されること
はなく、したがって分離工程も不要となるのである。
昭60−186407号公報に開示の方法のような特別
な添加剤は不要となるので、副生成物が生成されること
はなく、したがって分離工程も不要となるのである。
さらに反応時間が短、縮される。熱処理時間は、処理量
によっても変化するが、2時間程度で十分反応が終了す
る。
によっても変化するが、2時間程度で十分反応が終了す
る。
この発明で使用するジルコン粉末としては、高純度であ
ってZrO,とSiO□成分以外の不純物成分はなるべ
く少ないものが好ましく、例えば通常のジルコンサンド
を粉砕したものが有利に適合する。
ってZrO,とSiO□成分以外の不純物成分はなるべ
く少ないものが好ましく、例えば通常のジルコンサンド
を粉砕したものが有利に適合する。
またジルコン粉末の粒径については、炭素との反応を速
やかに進行させる上で細かい方が望ましい、具体的には
Zr0z + Singが98.5wt%以上の純度で
、粒度が44μ−以下のジルコン粉末が好適である。
やかに進行させる上で細かい方が望ましい、具体的には
Zr0z + Singが98.5wt%以上の純度で
、粒度が44μ−以下のジルコン粉末が好適である。
次にジルコン粉末と混合する炭素含有物としては、生成
粉末の純度を高く保つために、減圧熱処理後に得られる
粉末中に残留する灰分はなるぺ(少ないほうが望ましく
、例えば石油コークス、石油ピッチ、石炭ピッチ又はカ
ーボンブラックなどが有利に適合するけれども、フェノ
ール樹脂やポリエチレンなどのように加熱により炭素を
生成する有機樹脂などを使用することもできる。
粉末の純度を高く保つために、減圧熱処理後に得られる
粉末中に残留する灰分はなるぺ(少ないほうが望ましく
、例えば石油コークス、石油ピッチ、石炭ピッチ又はカ
ーボンブラックなどが有利に適合するけれども、フェノ
ール樹脂やポリエチレンなどのように加熱により炭素を
生成する有機樹脂などを使用することもできる。
さてジルコン粉末中のSiO2に対する炭素含有物中の
炭素の配合割合は、モル比で炭化ジルコニウム系セラミ
ック粉末では2.3〜4.5、窒化ジルコニウム系セラ
ミック粉末では2.3〜3.5の範囲とする必要がある
が、その理由は次のとおりである。
炭素の配合割合は、モル比で炭化ジルコニウム系セラミ
ック粉末では2.3〜4.5、窒化ジルコニウム系セラ
ミック粉末では2.3〜3.5の範囲とする必要がある
が、その理由は次のとおりである。
ジルコンと炭素との反応は次式に従う。
%式%()
炭化ジルコニウム系セラミック粉末に関し、ZrCを生
成させるためには(4)式の反応を進める必要がある。
成させるためには(4)式の反応を進める必要がある。
またZrO,の生成なしにZrOを生成させるためには
(2)式の反応を進める必要がある。したがってZrO
,の生成を抑制しつつ炭化ジルコニウム粉末又は炭化ジ
ルコニウム・−酸化ジルコニウム固溶体粉末を製造する
ため7には化学量論比でC/5iOzを2.0以上にす
る必要がある。しかしながら実製造においてモル比が2
.3に満たないとZr0gが生成粉末中に混入するので
、この発明ではモル比の下限を2.3に限定した。同じ
く実製造においてC/5iOzが4.5を超えると炭素
が過剰となって生成粉末中に余分な炭素が残留するので
C/5t(hの上限は4.5に限定した。
(2)式の反応を進める必要がある。したがってZrO
,の生成を抑制しつつ炭化ジルコニウム粉末又は炭化ジ
ルコニウム・−酸化ジルコニウム固溶体粉末を製造する
ため7には化学量論比でC/5iOzを2.0以上にす
る必要がある。しかしながら実製造においてモル比が2
.3に満たないとZr0gが生成粉末中に混入するので
、この発明ではモル比の下限を2.3に限定した。同じ
く実製造においてC/5iOzが4.5を超えると炭素
が過剰となって生成粉末中に余分な炭素が残留するので
C/5t(hの上限は4.5に限定した。
ところで玉揚特開昭55−51713号公報においては
C/Stowを6〜8にする必要があった。それ故Si
Cの混入を免れ得す、その後に分離工程を必要としたの
である。炭素の配合割合は、できるだけZrCの生成理
論値に近いほうが過剰の炭素が残りにくく有利である。
C/Stowを6〜8にする必要があった。それ故Si
Cの混入を免れ得す、その後に分離工程を必要としたの
である。炭素の配合割合は、できるだけZrCの生成理
論値に近いほうが過剰の炭素が残りにくく有利である。
この点この発明ではC/Stowが理論値近傍で十分Z
rCを製造できるため、より高純度の粉末を容易に得る
ことができるわけである。
rCを製造できるため、より高純度の粉末を容易に得る
ことができるわけである。
窒化ジルコニウム系セラミック粉末に関しても同様であ
り、ZrNを生成させるためには玉揚(3)式の反応を
進める必要がある。またZrO,の生成なしにZrOを
生成させるためには(2)式の反応を進める必要がある
。そこでZr0gの生成を抑制しつつ窒化ジルコニウム
粉末又は窒化ジルコニウム・−酸化ジルコニウム固溶体
粉末を製造するために、C/510gの下限は2.3と
した。一方C/510gが3.5を超えると(3)の反
応を進めるため以上の炭素量となるために生成粉末中に
過剰の炭素が混入しく4)の反応によってZrCが生成
されて生成粉末中に混じってしまう、したがってこの発
明では高純度の粉末を得るためにC/510gを2.3
〜3.5の範囲に限定したのである。
り、ZrNを生成させるためには玉揚(3)式の反応を
進める必要がある。またZrO,の生成なしにZrOを
生成させるためには(2)式の反応を進める必要がある
。そこでZr0gの生成を抑制しつつ窒化ジルコニウム
粉末又は窒化ジルコニウム・−酸化ジルコニウム固溶体
粉末を製造するために、C/510gの下限は2.3と
した。一方C/510gが3.5を超えると(3)の反
応を進めるため以上の炭素量となるために生成粉末中に
過剰の炭素が混入しく4)の反応によってZrCが生成
されて生成粉末中に混じってしまう、したがってこの発
明では高純度の粉末を得るためにC/510gを2.3
〜3.5の範囲に限定したのである。
なおここでいう炭素含有物中の炭素とは、1000℃以
下で揮発する成分を除去した、脱珪反応(脱SiO2反
応)に関与する固定炭素のことである。
下で揮発する成分を除去した、脱珪反応(脱SiO2反
応)に関与する固定炭素のことである。
ついでかかる混合物をそのまま、又は成形したのち、減
圧雰囲気下において熱処理するわけであるが、この熱処
理は以下の条件で行うことが肝要である。
圧雰囲気下において熱処理するわけであるが、この熱処
理は以下の条件で行うことが肝要である。
まず熱処理温度は、1200〜2000°Cの温度範囲
とする。というのは、1200℃に満たないと脱珪反応
に長時間を要するために生産性が悪くなり、一方200
0℃を超えると熱処理のためのエネルギーコストが高く
なるばかりでなく、反応中に粒成長、焼結が進むからで
ある。
とする。というのは、1200℃に満たないと脱珪反応
に長時間を要するために生産性が悪くなり、一方200
0℃を超えると熱処理のためのエネルギーコストが高く
なるばかりでなく、反応中に粒成長、焼結が進むからで
ある。
減圧雰囲気は、炭素含有物の酸化による焼損を避けるた
めに非酸化性であることが必要であり、炭化ジルコニウ
ム系セラミック粉末の場合は、N2、アンモニア等の窒
化性ガスを除<Ar等の不活性ガス雰囲気又はメタンガ
ス、ブタンガス等の還元性ガスが、一方窒化ジルコニウ
ム系セラミック粉末の場合は、窒化を進行させるために
窒化性ガス雰囲気でなくてはならず例えばN8ガス、ア
ンモニア分解ガス等がそれぞれ好適である。
めに非酸化性であることが必要であり、炭化ジルコニウ
ム系セラミック粉末の場合は、N2、アンモニア等の窒
化性ガスを除<Ar等の不活性ガス雰囲気又はメタンガ
ス、ブタンガス等の還元性ガスが、一方窒化ジルコニウ
ム系セラミック粉末の場合は、窒化を進行させるために
窒化性ガス雰囲気でなくてはならず例えばN8ガス、ア
ンモニア分解ガス等がそれぞれ好適である。
この発明で特に好適な熱処理条件は次のとおりである。
この発明では熱処理時に減圧下とするが、好ましくは0
.01〜0.6気圧の範囲とする。というのは圧力が0
.6気圧より高いとSiO蒸気の効果的な揮散除去が難
しく、得られる生成粉末中に5iain SiCが残留
して高純度の粉末が得難いからである。また、0.O1
気圧よりも高真空であると、ジルコンの解離によって生
じたZrO□、 SiO□が、還元剤としての炭素が十
分に存在することもあってZr+ stの状態まで直ち
に還元されてしまい、ZrS i等の化合物を生成する
ので、SiO蒸気状態でのSiO□成分の除去が阻げら
れるからである。したがって0.01気圧を超える高真
空にしないでジルコニウムのけい化物の生成領域よりも
低温、かつ高圧側で脱珪反応の処理を行うことが望まし
い。
.01〜0.6気圧の範囲とする。というのは圧力が0
.6気圧より高いとSiO蒸気の効果的な揮散除去が難
しく、得られる生成粉末中に5iain SiCが残留
して高純度の粉末が得難いからである。また、0.O1
気圧よりも高真空であると、ジルコンの解離によって生
じたZrO□、 SiO□が、還元剤としての炭素が十
分に存在することもあってZr+ stの状態まで直ち
に還元されてしまい、ZrS i等の化合物を生成する
ので、SiO蒸気状態でのSiO□成分の除去が阻げら
れるからである。したがって0.01気圧を超える高真
空にしないでジルコニウムのけい化物の生成領域よりも
低温、かつ高圧側で脱珪反応の処理を行うことが望まし
い。
なお窒化ジルコニウム系セラミック粉末の場合は、窒化
反応を効率良〈実施するためにはできるだけ窒素分圧を
高くすることが望ましく 、0.01気圧以上とするこ
とが好ましい。
反応を効率良〈実施するためにはできるだけ窒素分圧を
高くすることが望ましく 、0.01気圧以上とするこ
とが好ましい。
さらに熱処理温度も初め1350〜1550’Cの温度
で処理し、5i(h成分が系外に揮散してから1550
〜2000℃に昇温してZrC又はZrNの製造の高純
度を進めることが好ましい。
で処理し、5i(h成分が系外に揮散してから1550
〜2000℃に昇温してZrC又はZrNの製造の高純
度を進めることが好ましい。
(実施例)
実施例l
Zr0gと5t(hとの合計含有量が99.Owtχと
なる平均粒径1.5 amのジルコン粉末と、平均粒径
500人のカーボンブラック7(固定炭素99−tχ、
灰分0.1wtχ)とを、ジルコン粉末中のSin、に
対するカーボンブラック中の固定炭素のモル比(C/S
10w)を種々の割合になるように配合し、十分混合し
た後、金型成形機を用いて10■φX20mHの円筒状
の試料を多数作製した。
なる平均粒径1.5 amのジルコン粉末と、平均粒径
500人のカーボンブラック7(固定炭素99−tχ、
灰分0.1wtχ)とを、ジルコン粉末中のSin、に
対するカーボンブラック中の固定炭素のモル比(C/S
10w)を種々の割合になるように配合し、十分混合し
た後、金型成形機を用いて10■φX20mHの円筒状
の試料を多数作製した。
これらの成形体に表1に示す種々の熱処理条件で減圧脱
珪炭化処理を施し、得られた粉末にX線回折及び化学分
析を行った。これらの結果も表1に示す。
珪炭化処理を施し、得られた粉末にX線回折及び化学分
析を行った。これらの結果も表1に示す。
表1から明らかように、1気圧で処理した比較例4は、
SiC等のシリコン化合物が存在するばかりでなく、未
反応のZrO,・Sin、も残存した。また低温で脱珪
処理した比較例3も未反応のZrO2・5ift粉末が
残存した。炭素量が適切でない比較例1及び2も、Zr
O□が生成したり(比較例1)、炭素が残存したり(比
較例2)した。
SiC等のシリコン化合物が存在するばかりでなく、未
反応のZrO,・Sin、も残存した。また低温で脱珪
処理した比較例3も未反応のZrO2・5ift粉末が
残存した。炭素量が適切でない比較例1及び2も、Zr
O□が生成したり(比較例1)、炭素が残存したり(比
較例2)した。
これに対し、この発明に従う条件で処理した適合例1〜
7はいずれも炭化ジルコニウム粉末又は炭化ジルコニウ
ム・−酸化ジルコニウム固溶体粉末を高純度で製造する
ことができた。
7はいずれも炭化ジルコニウム粉末又は炭化ジルコニウ
ム・−酸化ジルコニウム固溶体粉末を高純度で製造する
ことができた。
実施例2
ZrOzとSiO□との合計含有量が99.Owtχと
なる平均粒径1.5μmのジルコン粉末と、平均粒径5
00人のカーボンブラック7(固定炭素99w tχ、
灰分0.■−tχ)とを、ジルコン粉末中のSiO2に
対するカーボンブラック中の固定炭素のモル比(C/5
iOz)を種々の割合になるように配合し、十分混合し
た後、金型成形機を用いて10mmφ×2011III
IHの円筒状の試料を多数作製した。
なる平均粒径1.5μmのジルコン粉末と、平均粒径5
00人のカーボンブラック7(固定炭素99w tχ、
灰分0.■−tχ)とを、ジルコン粉末中のSiO2に
対するカーボンブラック中の固定炭素のモル比(C/5
iOz)を種々の割合になるように配合し、十分混合し
た後、金型成形機を用いて10mmφ×2011III
IHの円筒状の試料を多数作製した。
これらの成形体に表2に示す種々の熱処理条件で減圧脱
珪窒化処理を施し、得られた粉末にX線回折及び化学分
析を行った。これらの結果も表2に示す。
珪窒化処理を施し、得られた粉末にX線回折及び化学分
析を行った。これらの結果も表2に示す。
表2
表2から明らかように、1気圧で処理した比較例9は、
SiC等のシリコン化合物が存在するばかりでなく、未
反応のZrO□・SiO□も残存した。また低温で脱珪
処理した比較例8も未反応のZr0z・5iOz粉末が
残存した。炭素量が適切でない比較例5゜6及び7も、
ZrO□が生成したり(比較例5)、炭素が残存したり
(比較例6.7)した。
SiC等のシリコン化合物が存在するばかりでなく、未
反応のZrO□・SiO□も残存した。また低温で脱珪
処理した比較例8も未反応のZr0z・5iOz粉末が
残存した。炭素量が適切でない比較例5゜6及び7も、
ZrO□が生成したり(比較例5)、炭素が残存したり
(比較例6.7)した。
これに対し、この発明に従う条件で処理した適合例8〜
13はいずれも窒化ジルコニウム粉末又は窒化ジルコニ
ウム・−酸化ジルコニウム固溶体粉末を高純度で製造す
ることができた。
13はいずれも窒化ジルコニウム粉末又は窒化ジルコニ
ウム・−酸化ジルコニウム固溶体粉末を高純度で製造す
ることができた。
(発明の効果)
か(してこの発明によれば、高純度の炭化ジルコニウム
粉末及び窒化ジルコニウム粉末を分離工程の必要なしに
簡便かつ効率良(大量生産することができる。
粉末及び窒化ジルコニウム粉末を分離工程の必要なしに
簡便かつ効率良(大量生産することができる。
またこの発明では、炭化ジルコニウム・−酸化ジルコニ
ウム固溶体粉末及び窒化ジルコニウム・−酸化ジルコニ
ウム固溶体粉末も、炭化ジルコニウム粉末、窒化ジルコ
ニウム粉末同様に分離工程の必要なしに簡便かつ効率良
く大量生産することができる。
ウム固溶体粉末及び窒化ジルコニウム・−酸化ジルコニ
ウム固溶体粉末も、炭化ジルコニウム粉末、窒化ジルコ
ニウム粉末同様に分離工程の必要なしに簡便かつ効率良
く大量生産することができる。
さらにこの発明では、上記の固溶体粉末を製造する場合
に、ジルコン粉末と炭素含有物との配合割合を変化させ
ることによって炭化ジルコニウム又は窒化ジルコニウム
と一酸化ジルコニウムとの比率を容易に変更することが
できる。
に、ジルコン粉末と炭素含有物との配合割合を変化させ
ることによって炭化ジルコニウム又は窒化ジルコニウム
と一酸化ジルコニウムとの比率を容易に変更することが
できる。
特
許
出
願
人
川
崎
製
鉄
株
式
%式%
Claims (3)
- 1.ジルコン粉末と炭素含有物とを、ジルコン粉末中の
SiO_2に対する炭素含有物中の炭素のモル比(C/
SiO_2)が2.3〜4.5を満足する割合にて混合
し、得られた混合物をそのまま又は成形体にしたのち、
減圧下の非酸化性雰囲気中において1200〜2000
℃の温度範囲で熱処理を施し、しかるのち粉砕すること
を特徴とする炭化ジルコニウム系セラミック粉末の製造
方法。 - 2.ジルコン粉末と炭素含有物とを、ジルコン粉末中の
SiO_2に対する炭素含有物中の炭素のモル比(C/
SiO_2)が2.3〜3.5を満足する割合にて混合
し、得られた混合物をそのまま又は成形体にしたのち、
減圧下の窒化性雰囲気中において1200〜2000℃
の温度範囲で熱処理を施し、しかるのち粉砕することを
特徴とする窒化ジルコニウム系セラミック粉末の製造方
法。 - 3.熱処理が、0.01〜0.6気圧下における、13
50〜1550℃の温度での第1段熱処理及び1550
〜2000℃の温度での第2段熱処理とからなる請求項
1又は2記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63165930A JPH0218310A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | ジルコニウム系セラミック粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63165930A JPH0218310A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | ジルコニウム系セラミック粉末の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0218310A true JPH0218310A (ja) | 1990-01-22 |
Family
ID=15821713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63165930A Pending JPH0218310A (ja) | 1988-07-05 | 1988-07-05 | ジルコニウム系セラミック粉末の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0218310A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011059020A1 (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-19 | 株式会社タンガロイ | 立方晶窒化硼素焼結体および被覆立方晶窒化硼素焼結体並びにそれらの製造方法 |
CN104227010A (zh) * | 2013-06-14 | 2014-12-24 | 铜仁学院 | 一种固相反应合成碳化锆纳米粉的制备方法 |
WO2015045547A1 (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-02 | 第一稀元素化学工業株式会社 | 炭化ジルコニウムのインゴット及び粉末の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-05 JP JP63165930A patent/JPH0218310A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011059020A1 (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-19 | 株式会社タンガロイ | 立方晶窒化硼素焼結体および被覆立方晶窒化硼素焼結体並びにそれらの製造方法 |
US8814965B2 (en) | 2009-11-11 | 2014-08-26 | Tungaloy Corporation | Cubic boron nitride sintered body and coated cubic boron nitride sintered body and preparation processes thereof |
CN104227010A (zh) * | 2013-06-14 | 2014-12-24 | 铜仁学院 | 一种固相反应合成碳化锆纳米粉的制备方法 |
WO2015045547A1 (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-02 | 第一稀元素化学工業株式会社 | 炭化ジルコニウムのインゴット及び粉末の製造方法 |
JP2015063414A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 第一稀元素化学工業株式会社 | 炭化ジルコニウムのインゴット及び粉末の製造方法 |
CN105555737A (zh) * | 2013-09-24 | 2016-05-04 | 第一稀元素化学工业株式会社 | 碳化锆的锭及粉末的制造方法 |
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