JPS63501B2 - - Google Patents
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- JPS63501B2 JPS63501B2 JP17116879A JP17116879A JPS63501B2 JP S63501 B2 JPS63501 B2 JP S63501B2 JP 17116879 A JP17116879 A JP 17116879A JP 17116879 A JP17116879 A JP 17116879A JP S63501 B2 JPS63501 B2 JP S63501B2
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Landscapes
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Description
本発明は、耐蝕性に優れたコバルト（Co）−ニ
ツケル（Ni）合金磁性薄膜に関する。 本発明のCo−Ni合金磁性薄膜は、高分子フイ
ルム等の基板上に、Co−Ni合金を一般に斜め蒸
着法といわれる方法によつて蒸着することにより
形成されるものである。第１図にその斜め蒸着法
の概略を示した。図において、１は巻出しロー
ル、２は巻取りロール、３は基板フイルム、４は
円筒状キヤン、５はマスク、６はCo−Ni合金の
蒸発源であり、θは斜め蒸着する場合の入射角で
ある。そして全体は真空容器（図示せず）内に収
納されている。このような装置によつて連続的に
長尺物にCo−Ni合金を蒸着することができ、蒸
着時の雰囲気ガスとして、必要時に酸素ガスを真
空容器内に導入して斜め蒸着をすることができ
る。 そして第１図のθは上記で説明したように蒸気
線の入射角を示し、0゜≦θ＜90゜の範囲の値を有
するものである。導入酸素ガスの量を変えたり、
マスク５を動かしたりして種々の入射角によつて
製膜条件を変えることができる。ここで、磁性薄
膜は多層構成、非磁性層との重ね合わせからなる
膜構成等、種々の膜構成をとつてもよいものであ
る。 例えば、Co−Ni合金層をB1、B2、B3………と
し、非磁性層をA1、A2、A3、………とした場合
の多層薄膜構成の例として、基板／A1／B1、基
板／A1／A2／B1、基板／A1／B1／A2／B2、基
板／B1／A1／B2………等である。 この場合、最外層をCo−Ni合金磁性薄膜以外
の金属または適当な材料で被覆してもよい。しか
し、この場合には、Co−Ni合金面の自然電極電
位を測定できない。このような場合には、最外層
をCo−Ni合金磁性薄膜以外の材料で被覆する前
に熱処理して、その後、自然電極電位を測定した
場合、−0.30Vより正の自然電極電位（浸漬後３
分値、飽和甘汞電極に対して）を示す時は、この
ような磁性薄膜も本発明に含むものである。 Co−Ni合金の組成は、Ni含量が多すぎると磁
気特性が低下することから重量百分率でCo成分
の混合比が60≦Co＜100（重量％）、Ni成分の混合
比が０＜Ni≦40（重量％）である。NiはCoに対
して混合している合金元素として主たる成分であ
り、さらに必要ならば、あるいは精製時の残留不
純物として、他の元素成分が含まれていてもよい
ものである。 このように、斜め蒸着法によつて高分子フイル
ム上にCo−Ni合金磁性薄膜を形成させた場合、
その中のある種のものが蒸着後、熱処理すること
によつてその耐蝕性が向上することを見出した。
この熱処理することによつて耐蝕性が向上する
Co−Ni合金磁性薄膜は、主に導入酸素量と蒸気
線の入射角θに依存することがわかり、導入酸素
量が多い程、また蒸気線の入射角が大きい程、耐
蝕性がよくなることを見出した。さらに熱処理す
ることによつて耐蝕性が向上するCo−Ni合金磁
性薄膜は、上の２つの要因以外に例えば蒸着膜の
成膜速度等を変えると耐蝕性が変わることから
種々の要因がさらに重なつて耐蝕性を支配してい
るものと思われる。 本発明は、このようにその製造条件によつてそ
の耐蝕性が異なるため、酸素導入下あるいは酸素
未導入下の斜め蒸着法で得られたCo−Ni合金磁
性薄膜の中で、ホウ砂0.02M／とホウ酸
0.1M／を含む30℃の水溶液に被熱処理Co−Ni
合金磁性薄膜を浸漬した時に、浸漬してから３分
経過後の被熱処理Co−Ni合金磁性薄膜の示す自
然電極電位が飽和甘汞電極に対して（以後、これ
をVS.SCEと記す）−0.30Vより正の電位を示すCo
−Ni合金磁性薄膜を耐蝕性に優れた薄膜である
として請求するものである。 このような−0.30Vより正の電位を示すCo−
Ni合金磁性薄膜は、Co−Ni合金板を適当な電解
質溶液中で陽極酸化することによつて得られるこ
とは公知である。またCoやNiより、より正の電
位を示すCoとNiの酸化物を直接蒸着しても、よ
り正の電位を示す薄膜が得られる可能性も考えら
れる。しかしながら、このことに対し、本発明の
ように蒸着法で作製したCo−Ni合金磁性薄膜は、
膜の厚さが数100〜数1000Åであるので電解処理
を行うと、電解質溶液中に溶解して薄膜形状を維
持することが困難になること、またCoとNiの酸
化物を直接蒸着する方法は、本発明のようにCo
とNiの合金を蒸着してCo−Ni合金磁性薄膜を形
成する方法とはまつたく異なるものである。それ
故、本発明のCo−Ni合金磁性薄膜は、陽極酸化
のような公知の方法を使わずに、陽極酸化で作製
したと同様の自然電極電位の高い（より正の）膜
を得ることができたものである。 すなわち、Ni含量が40重量％であるCo−Ni合
金板が本発明の電解質液中で示す30℃における自
然電極電位は約−0.4V（VS.SCE）より低い値で
あることから、この値より、より正の値を有する
薄膜ほど耐蝕性に優れていることがわかるが、本
発明の斜め蒸着法により作製した合金磁性薄膜の
一部がその高い電位を有する特性をもつものであ
る。 本発明者等は、酸素の導入条件、斜め入射角条
件等を変えて種々の薄膜を製作して耐蝕性を検討
した結果、熱処理をしたCo−Ni合金磁性薄膜で
電解質に浸漬後３分値の自然電極電位が−0.30V
（VS.SCE）より正の電位を示す被熱処理Co−Ni
合金磁性薄膜が実用上満足する耐蝕性を示すこと
を知つた。 特に、熱処理前に−0.30V（VS.SCE）より正の
電位を示すCo−Ni合金磁性薄膜は、熱処理する
ことによつて耐蝕性は一段と向上した。もちろ
ん、熱処理前に−0.30V（VS.SCE）より低い電位
を示していても、熱処理後、−0.30V（VS.SCE）
より高い電位を示すCo−Ni合金磁性薄膜は本発
明に含まれるものである。 本発明のCo−Ni合金磁性薄膜の熱処理条件は
薄膜の製造条件、基板の厚さ等に依存するが、約
90℃以上で熱処理した場合、耐蝕性がよくなるこ
とから、熱処理は90℃以上で行うものとする。 一方、電解質溶液は、１の蒸留水に0.02M
（モル）のホウ砂と0.1M（モル）のホウ酸を含む
水溶液であり、窒素ガスで10分間程バブリング処
理して水溶液中に溶解している酸素を窒素で置換
した溶液である。電解質溶液は磁性薄膜を浸漬し
ている間撹拌せずに静置しておくものとする。薄
膜の電位を測定する場合は、リード線として金線
の用い、導電性塗料で薄膜上に接触固定させ、常
温硬化樹脂で金線を固定して測定した。蒸着フイ
ルムをガラスプレパラート上に常温硬化樹脂で数
ケ所固定して試料が特かないようにした。 実用上の耐蝕性は、40℃、90％RHあるいは60
℃、90％RHの湿度条件下で評価した。自然電極
電位が−0.30V（VS.SCE）より正の電位を示す被
熱処理Co−Ni合金磁性薄膜は、40℃、90％RH
の環境下に巻回して一週間放置しても、目に見え
る錆を発生せず実用上満足のいくものであつた。
60℃、90％RHの湿度条件は、短時間評価法とし
て用いた。−0.30V（VS.SCE）より正の電位を示
す被熱処理Co−Ni合金磁性薄膜は、60℃、90％
RH、３時間の放置環境下で−0.30V付近のもの
はわずか着色変化を起こすが、電位の高いものは
まつたく変化せず良好であつた。第２図に一例と
して、ポリエチレンテレフタレートフイルム上に
第１層、第３層としてアルミニウムを、第２層、
第４層としてCo−Ni合金磁性薄膜（Ni含量25重
量％）を形成させたものを120℃で熱処理した後、
電解質溶液中で測定した自然電極電位の時間依存
性を示した。この磁性薄膜の浸漬後３分値の電位
は−0.13V（VS.SCE）であつた。 以下本発明の実施例を示す。 実施例 １ 厚さ9μｍ、長さ500ｍのポリエステルテープ上
にマスクを用いず、アルミニウムを約300Åの厚
さに連続的に蒸着した。このアルミニウム上に、
加速電圧10KVの電子ビームにより、Co−Ni合
金（Ni含量25重量％）を約500Åの厚さに蒸着し
た。この蒸着薄膜をＡと呼ぶ。 次に上と同様に約300Åのアルミニウムを蒸着
したテープのアルミニウム上に、斜め蒸着の入射
角θ＝35゜で、酸素を導入しないでCo−Ni合金磁
性薄膜を形成した。この薄膜をＢと呼ぶ。 この薄膜Ａ、Ｂを110℃一定に保持した熱ロー
ルによりフイルム走行速度20ｍ／minの速度で熱
処理した。以下、各実施例で作製した薄膜の評価
は後述の表にまとめて記す。 実施例 ２ 厚さ6μｍ、長さ500ｍのポリエステルフイルム
上に、斜め蒸着の入射角θ＝20゜、導入酸素ガス
量0.1／minの条件でアルミニウムを約400Åの
厚さに蒸着した。 次にこのアルミニウムの上に、入射角θ＝30゜、
導入酸素量0.15／min、加速電圧10KVの電子
ビーム加熱条件下で蒸着を行い、約100ｍの長さ
にCo−Ni合金（Ni含量35重量％）を約300Å厚
さに蒸着した。このCo−Ni合金磁性薄膜の上に
さらにアルミニウム、さらにCo−Ni合金磁性薄
膜層を第１層、第２層とまつたく同一の手順で形
成させ、結局アルミニウム層とCo−Ni合金磁性
薄膜層が交互に存在して全部で４層の蒸着薄膜層
を形成した。この薄膜を実施例１と同様に120℃
の熱ロールで熱処理した。この熱処理薄膜をＣと
呼ぶ。 実施例 ３ 実施例２と同様にポリエステルフイルム上にア
ルミニウムの蒸着層を約300Åの厚さに形成した。 次にこのアルミニウムの上に、入射角θ＝25゜
導入酸素量1.2／min、加速電圧20KVの電子ビ
ームによりCo−Ni合金（Ni含量25重量％）を約
400Åの厚さに蒸着した。この酸素をD′とする。 次に、先に形成したポリエステルフイルム上の
アルミニウムの上に、条件を少し変えて、入射角
θ＝20゜、導入酸素量0.1／minの条件で上記と
同様にCo−Ni合金磁性薄膜（Ni含量25重量％）
を約500Åの厚さに形成した。この薄膜をE′とす
る。 これらの薄膜D′、E′を110℃の如熱ロールで、
実施例１と同様に熱処理した。この熱処理された
薄膜D′、E′をそれぞれＤ、Ｅと呼ぶ。 実施例 ４ 厚さ6μｍ、長さ500ｍのポリエステルフイルム
上に、アルミニウムを約400Åの厚さに蒸着した。 このアルミニウムの上に、マスクを用いず、酸
素も導入しないでCo−Ni合金（Ni含量20重量
％）を加速電圧10KVの電子ビーム加熱により約
500Åの厚さに蒸着形成した。この薄膜を実施例
１と同様に110℃の熱ロールで熱処理した。この
薄膜をＦと呼ぶ。 実施例 ５ 厚さ6μｍ、長さ500ｍのポリエステルフイルム
上に斜め蒸着の入射角θ＝20゜、導入酸素ガス量
0.20／min、加速電圧10KVの電子ビーム加熱
条件で蒸着を行い、Co−Ni合金（Ni含量30重量
％）を約400Åの厚さに蒸着した。この薄膜を105
℃の熱ロールで実施例１と同様に熱処理した。こ
の薄膜をＧと呼ぶ。 実施例 ６ 厚さ6μｍ、長さ500ｍのポリエステルフイルム
上に斜め蒸着の入射角θ＝20゜、導入酸素ガス量
0.1／min、加速電圧10KVの電子ビーム加熱条
件下で蒸着を行い、Tiを蒸着した。この蒸着層
を第１層とする。第２層には、Co−Ni合金（Ni
含量25重量％）を入射角θ＝25゜導入酸素ガス量
0.15／minで、第３層にはアルミニウムを第１
層のTiと同じ条件で、第４層には、第３層と同
じCo−Ni合金をまつたく同じ条件で、それぞれ
10KVの電子ビーム加熱で蒸着した。この薄膜を
120℃の熱ロールで実施例１と同様に熱処理した。
この薄膜をＨと呼ぶ。 以上、実施例１〜６で作製した蒸着磁性薄膜サ
ンプル、Ａ〜Ｈをそれぞれガラスプレパラート上
にエポキシ樹脂で保持し、薄膜表面に金線を導電
性塗料で付着させて乾燥後、30℃一定に保持した
電解質溶液中に浸漬して、浸漬してから３分経過
後の自動電極電位（VS.SCE）を測定した。また
各薄膜を60℃、90％RHの湿度雰囲気下に３時間
放置してその耐蝕性を試験した。 以下表にて示す。
ツケル（Ni）合金磁性薄膜に関する。 本発明のCo−Ni合金磁性薄膜は、高分子フイ
ルム等の基板上に、Co−Ni合金を一般に斜め蒸
着法といわれる方法によつて蒸着することにより
形成されるものである。第１図にその斜め蒸着法
の概略を示した。図において、１は巻出しロー
ル、２は巻取りロール、３は基板フイルム、４は
円筒状キヤン、５はマスク、６はCo−Ni合金の
蒸発源であり、θは斜め蒸着する場合の入射角で
ある。そして全体は真空容器（図示せず）内に収
納されている。このような装置によつて連続的に
長尺物にCo−Ni合金を蒸着することができ、蒸
着時の雰囲気ガスとして、必要時に酸素ガスを真
空容器内に導入して斜め蒸着をすることができ
る。 そして第１図のθは上記で説明したように蒸気
線の入射角を示し、0゜≦θ＜90゜の範囲の値を有
するものである。導入酸素ガスの量を変えたり、
マスク５を動かしたりして種々の入射角によつて
製膜条件を変えることができる。ここで、磁性薄
膜は多層構成、非磁性層との重ね合わせからなる
膜構成等、種々の膜構成をとつてもよいものであ
る。 例えば、Co−Ni合金層をB1、B2、B3………と
し、非磁性層をA1、A2、A3、………とした場合
の多層薄膜構成の例として、基板／A1／B1、基
板／A1／A2／B1、基板／A1／B1／A2／B2、基
板／B1／A1／B2………等である。 この場合、最外層をCo−Ni合金磁性薄膜以外
の金属または適当な材料で被覆してもよい。しか
し、この場合には、Co−Ni合金面の自然電極電
位を測定できない。このような場合には、最外層
をCo−Ni合金磁性薄膜以外の材料で被覆する前
に熱処理して、その後、自然電極電位を測定した
場合、−0.30Vより正の自然電極電位（浸漬後３
分値、飽和甘汞電極に対して）を示す時は、この
ような磁性薄膜も本発明に含むものである。 Co−Ni合金の組成は、Ni含量が多すぎると磁
気特性が低下することから重量百分率でCo成分
の混合比が60≦Co＜100（重量％）、Ni成分の混合
比が０＜Ni≦40（重量％）である。NiはCoに対
して混合している合金元素として主たる成分であ
り、さらに必要ならば、あるいは精製時の残留不
純物として、他の元素成分が含まれていてもよい
ものである。 このように、斜め蒸着法によつて高分子フイル
ム上にCo−Ni合金磁性薄膜を形成させた場合、
その中のある種のものが蒸着後、熱処理すること
によつてその耐蝕性が向上することを見出した。
この熱処理することによつて耐蝕性が向上する
Co−Ni合金磁性薄膜は、主に導入酸素量と蒸気
線の入射角θに依存することがわかり、導入酸素
量が多い程、また蒸気線の入射角が大きい程、耐
蝕性がよくなることを見出した。さらに熱処理す
ることによつて耐蝕性が向上するCo−Ni合金磁
性薄膜は、上の２つの要因以外に例えば蒸着膜の
成膜速度等を変えると耐蝕性が変わることから
種々の要因がさらに重なつて耐蝕性を支配してい
るものと思われる。 本発明は、このようにその製造条件によつてそ
の耐蝕性が異なるため、酸素導入下あるいは酸素
未導入下の斜め蒸着法で得られたCo−Ni合金磁
性薄膜の中で、ホウ砂0.02M／とホウ酸
0.1M／を含む30℃の水溶液に被熱処理Co−Ni
合金磁性薄膜を浸漬した時に、浸漬してから３分
経過後の被熱処理Co−Ni合金磁性薄膜の示す自
然電極電位が飽和甘汞電極に対して（以後、これ
をVS.SCEと記す）−0.30Vより正の電位を示すCo
−Ni合金磁性薄膜を耐蝕性に優れた薄膜である
として請求するものである。 このような−0.30Vより正の電位を示すCo−
Ni合金磁性薄膜は、Co−Ni合金板を適当な電解
質溶液中で陽極酸化することによつて得られるこ
とは公知である。またCoやNiより、より正の電
位を示すCoとNiの酸化物を直接蒸着しても、よ
り正の電位を示す薄膜が得られる可能性も考えら
れる。しかしながら、このことに対し、本発明の
ように蒸着法で作製したCo−Ni合金磁性薄膜は、
膜の厚さが数100〜数1000Åであるので電解処理
を行うと、電解質溶液中に溶解して薄膜形状を維
持することが困難になること、またCoとNiの酸
化物を直接蒸着する方法は、本発明のようにCo
とNiの合金を蒸着してCo−Ni合金磁性薄膜を形
成する方法とはまつたく異なるものである。それ
故、本発明のCo−Ni合金磁性薄膜は、陽極酸化
のような公知の方法を使わずに、陽極酸化で作製
したと同様の自然電極電位の高い（より正の）膜
を得ることができたものである。 すなわち、Ni含量が40重量％であるCo−Ni合
金板が本発明の電解質液中で示す30℃における自
然電極電位は約−0.4V（VS.SCE）より低い値で
あることから、この値より、より正の値を有する
薄膜ほど耐蝕性に優れていることがわかるが、本
発明の斜め蒸着法により作製した合金磁性薄膜の
一部がその高い電位を有する特性をもつものであ
る。 本発明者等は、酸素の導入条件、斜め入射角条
件等を変えて種々の薄膜を製作して耐蝕性を検討
した結果、熱処理をしたCo−Ni合金磁性薄膜で
電解質に浸漬後３分値の自然電極電位が−0.30V
（VS.SCE）より正の電位を示す被熱処理Co−Ni
合金磁性薄膜が実用上満足する耐蝕性を示すこと
を知つた。 特に、熱処理前に−0.30V（VS.SCE）より正の
電位を示すCo−Ni合金磁性薄膜は、熱処理する
ことによつて耐蝕性は一段と向上した。もちろ
ん、熱処理前に−0.30V（VS.SCE）より低い電位
を示していても、熱処理後、−0.30V（VS.SCE）
より高い電位を示すCo−Ni合金磁性薄膜は本発
明に含まれるものである。 本発明のCo−Ni合金磁性薄膜の熱処理条件は
薄膜の製造条件、基板の厚さ等に依存するが、約
90℃以上で熱処理した場合、耐蝕性がよくなるこ
とから、熱処理は90℃以上で行うものとする。 一方、電解質溶液は、１の蒸留水に0.02M
（モル）のホウ砂と0.1M（モル）のホウ酸を含む
水溶液であり、窒素ガスで10分間程バブリング処
理して水溶液中に溶解している酸素を窒素で置換
した溶液である。電解質溶液は磁性薄膜を浸漬し
ている間撹拌せずに静置しておくものとする。薄
膜の電位を測定する場合は、リード線として金線
の用い、導電性塗料で薄膜上に接触固定させ、常
温硬化樹脂で金線を固定して測定した。蒸着フイ
ルムをガラスプレパラート上に常温硬化樹脂で数
ケ所固定して試料が特かないようにした。 実用上の耐蝕性は、40℃、90％RHあるいは60
℃、90％RHの湿度条件下で評価した。自然電極
電位が−0.30V（VS.SCE）より正の電位を示す被
熱処理Co−Ni合金磁性薄膜は、40℃、90％RH
の環境下に巻回して一週間放置しても、目に見え
る錆を発生せず実用上満足のいくものであつた。
60℃、90％RHの湿度条件は、短時間評価法とし
て用いた。−0.30V（VS.SCE）より正の電位を示
す被熱処理Co−Ni合金磁性薄膜は、60℃、90％
RH、３時間の放置環境下で−0.30V付近のもの
はわずか着色変化を起こすが、電位の高いものは
まつたく変化せず良好であつた。第２図に一例と
して、ポリエチレンテレフタレートフイルム上に
第１層、第３層としてアルミニウムを、第２層、
第４層としてCo−Ni合金磁性薄膜（Ni含量25重
量％）を形成させたものを120℃で熱処理した後、
電解質溶液中で測定した自然電極電位の時間依存
性を示した。この磁性薄膜の浸漬後３分値の電位
は−0.13V（VS.SCE）であつた。 以下本発明の実施例を示す。 実施例 １ 厚さ9μｍ、長さ500ｍのポリエステルテープ上
にマスクを用いず、アルミニウムを約300Åの厚
さに連続的に蒸着した。このアルミニウム上に、
加速電圧10KVの電子ビームにより、Co−Ni合
金（Ni含量25重量％）を約500Åの厚さに蒸着し
た。この蒸着薄膜をＡと呼ぶ。 次に上と同様に約300Åのアルミニウムを蒸着
したテープのアルミニウム上に、斜め蒸着の入射
角θ＝35゜で、酸素を導入しないでCo−Ni合金磁
性薄膜を形成した。この薄膜をＢと呼ぶ。 この薄膜Ａ、Ｂを110℃一定に保持した熱ロー
ルによりフイルム走行速度20ｍ／minの速度で熱
処理した。以下、各実施例で作製した薄膜の評価
は後述の表にまとめて記す。 実施例 ２ 厚さ6μｍ、長さ500ｍのポリエステルフイルム
上に、斜め蒸着の入射角θ＝20゜、導入酸素ガス
量0.1／minの条件でアルミニウムを約400Åの
厚さに蒸着した。 次にこのアルミニウムの上に、入射角θ＝30゜、
導入酸素量0.15／min、加速電圧10KVの電子
ビーム加熱条件下で蒸着を行い、約100ｍの長さ
にCo−Ni合金（Ni含量35重量％）を約300Å厚
さに蒸着した。このCo−Ni合金磁性薄膜の上に
さらにアルミニウム、さらにCo−Ni合金磁性薄
膜層を第１層、第２層とまつたく同一の手順で形
成させ、結局アルミニウム層とCo−Ni合金磁性
薄膜層が交互に存在して全部で４層の蒸着薄膜層
を形成した。この薄膜を実施例１と同様に120℃
の熱ロールで熱処理した。この熱処理薄膜をＣと
呼ぶ。 実施例 ３ 実施例２と同様にポリエステルフイルム上にア
ルミニウムの蒸着層を約300Åの厚さに形成した。 次にこのアルミニウムの上に、入射角θ＝25゜
導入酸素量1.2／min、加速電圧20KVの電子ビ
ームによりCo−Ni合金（Ni含量25重量％）を約
400Åの厚さに蒸着した。この酸素をD′とする。 次に、先に形成したポリエステルフイルム上の
アルミニウムの上に、条件を少し変えて、入射角
θ＝20゜、導入酸素量0.1／minの条件で上記と
同様にCo−Ni合金磁性薄膜（Ni含量25重量％）
を約500Åの厚さに形成した。この薄膜をE′とす
る。 これらの薄膜D′、E′を110℃の如熱ロールで、
実施例１と同様に熱処理した。この熱処理された
薄膜D′、E′をそれぞれＤ、Ｅと呼ぶ。 実施例 ４ 厚さ6μｍ、長さ500ｍのポリエステルフイルム
上に、アルミニウムを約400Åの厚さに蒸着した。 このアルミニウムの上に、マスクを用いず、酸
素も導入しないでCo−Ni合金（Ni含量20重量
％）を加速電圧10KVの電子ビーム加熱により約
500Åの厚さに蒸着形成した。この薄膜を実施例
１と同様に110℃の熱ロールで熱処理した。この
薄膜をＦと呼ぶ。 実施例 ５ 厚さ6μｍ、長さ500ｍのポリエステルフイルム
上に斜め蒸着の入射角θ＝20゜、導入酸素ガス量
0.20／min、加速電圧10KVの電子ビーム加熱
条件で蒸着を行い、Co−Ni合金（Ni含量30重量
％）を約400Åの厚さに蒸着した。この薄膜を105
℃の熱ロールで実施例１と同様に熱処理した。こ
の薄膜をＧと呼ぶ。 実施例 ６ 厚さ6μｍ、長さ500ｍのポリエステルフイルム
上に斜め蒸着の入射角θ＝20゜、導入酸素ガス量
0.1／min、加速電圧10KVの電子ビーム加熱条
件下で蒸着を行い、Tiを蒸着した。この蒸着層
を第１層とする。第２層には、Co−Ni合金（Ni
含量25重量％）を入射角θ＝25゜導入酸素ガス量
0.15／minで、第３層にはアルミニウムを第１
層のTiと同じ条件で、第４層には、第３層と同
じCo−Ni合金をまつたく同じ条件で、それぞれ
10KVの電子ビーム加熱で蒸着した。この薄膜を
120℃の熱ロールで実施例１と同様に熱処理した。
この薄膜をＨと呼ぶ。 以上、実施例１〜６で作製した蒸着磁性薄膜サ
ンプル、Ａ〜Ｈをそれぞれガラスプレパラート上
にエポキシ樹脂で保持し、薄膜表面に金線を導電
性塗料で付着させて乾燥後、30℃一定に保持した
電解質溶液中に浸漬して、浸漬してから３分経過
後の自動電極電位（VS.SCE）を測定した。また
各薄膜を60℃、90％RHの湿度雰囲気下に３時間
放置してその耐蝕性を試験した。 以下表にて示す。
【表】
×印：耐蝕性不良のもの
△印：同中間的なもの
以上のように、CoとNiの合金を蒸発させて得
られるCo−Ni合金磁性薄膜の中で自然電極電位
が、蒸着前のCo−Ni合金板の示す自然電極電位
より正のいろいろな電位を示すものが得られた。
この中でCo−Ni合金磁性薄膜の示す自然電極電
位（浸漬後３分値、VS.SCE）が−0.30Vより正
の電位を示す薄膜がほぼ実用上の耐蝕性を満足す
るものであつた。例えば、録音等の磁気テープと
して用いる場合には、この磁性薄膜の上にさらに
オーバコート層を設ける場合があるので、さらに
耐蝕性はよくなるものと考えられる。このよう
に、Co−Ni合金を蒸着して得られる本発明のCo
−Ni合金磁性薄膜は、元のCo−Ni合金より正の
電位を示し、耐蝕性に優れた磁性薄膜として実用
上、重要な特性を有するものである。
△印：同中間的なもの
以上のように、CoとNiの合金を蒸発させて得
られるCo−Ni合金磁性薄膜の中で自然電極電位
が、蒸着前のCo−Ni合金板の示す自然電極電位
より正のいろいろな電位を示すものが得られた。
この中でCo−Ni合金磁性薄膜の示す自然電極電
位（浸漬後３分値、VS.SCE）が−0.30Vより正
の電位を示す薄膜がほぼ実用上の耐蝕性を満足す
るものであつた。例えば、録音等の磁気テープと
して用いる場合には、この磁性薄膜の上にさらに
オーバコート層を設ける場合があるので、さらに
耐蝕性はよくなるものと考えられる。このよう
に、Co−Ni合金を蒸着して得られる本発明のCo
−Ni合金磁性薄膜は、元のCo−Ni合金より正の
電位を示し、耐蝕性に優れた磁性薄膜として実用
上、重要な特性を有するものである。
第１図は本発明のコバルト−ニツケル合金磁性
薄膜が得られた蒸着装置の概略構成図、第２図は
耐蝕性に優れた代表的な被熱処理コバルト−ニツ
ケル合金磁性薄膜の一つで、電解質溶液中で示す
自然電極電位の時間依存特性図である。 ３……基板フイルム、６……Co−Ni合金の蒸
発源。
薄膜が得られた蒸着装置の概略構成図、第２図は
耐蝕性に優れた代表的な被熱処理コバルト−ニツ
ケル合金磁性薄膜の一つで、電解質溶液中で示す
自然電極電位の時間依存特性図である。 ３……基板フイルム、６……Co−Ni合金の蒸
発源。
Claims (1)
- １ 酸素存在下の真空斜め蒸着により形成され、
その後に熱処理が施された被熱処理コバルト・ニ
ツケル合金磁性薄膜であつて、ホウ砂0.02M／
とホウ酸0.1M／を含む30℃の水溶液にコバル
ト−ニツケル合金磁性薄膜を浸漬した時に、浸漬
してから３分経過後のコバルト−ニツケル合金磁
性薄膜の示す自然電極電位が飽和甘汞電極に対し
て−0.30Vより正の電位を示すことを特微とした
コバルト−ニツケル合金磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17116879A JPS5696061A (en) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Cobalt-nickel alloy magnetic thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17116879A JPS5696061A (en) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Cobalt-nickel alloy magnetic thin film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5696061A JPS5696061A (en) | 1981-08-03 |
| JPS63501B2 true JPS63501B2 (ja) | 1988-01-07 |
Family
ID=15918250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17116879A Granted JPS5696061A (en) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | Cobalt-nickel alloy magnetic thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5696061A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5729595A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-17 | Mitsubishi Alum Co Ltd | Formation of colored film of aluminum |
| DE3819906C1 (ja) * | 1988-06-11 | 1989-08-03 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De |
-
1979
- 1979-12-28 JP JP17116879A patent/JPS5696061A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5696061A (en) | 1981-08-03 |
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