JPS634935B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS634935B2 JPS634935B2 JP57050351A JP5035182A JPS634935B2 JP S634935 B2 JPS634935 B2 JP S634935B2 JP 57050351 A JP57050351 A JP 57050351A JP 5035182 A JP5035182 A JP 5035182A JP S634935 B2 JPS634935 B2 JP S634935B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- glass
- molding
- mold
- voltage diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 24
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラスおよび樹脂により二重モールド
された例えばテレビなどに用いられる高圧ダイオ
ードの製造方法に関する。
された例えばテレビなどに用いられる高圧ダイオ
ードの製造方法に関する。
半導体素子をガラスモールドすることは耐湿性
の点ですぐれている。しかし外形寸法の精度の点
では十分でない。一方樹脂モールドすると耐湿性
の点では難があるが外形寸法の精度が出る点で有
利である。ガラスおよび樹脂による二重モールド
素子はこの両者の長所を兼ねたもので、先ず第１
図に示すように積層半導体素体１をガラス２でモ
ールドしその上に樹脂３でモールドすることによ
つて製造する。一方半導体素体１に接続されるリ
ード線４ろう付性の改善のためにすずめつきが行
なわれるが、樹脂モールドの後では均一なめつき
が困難なので、一般に樹脂モールドの前にめつき
する。この場合、ガラスがほう素ガラスで硫酸系
すずめつき液を使用すると第２図に示すようにガ
ラス２の表面が侵されて凹凸２１を生ずる。この
ガラス２の上にエポキシ樹脂をトランスフアモー
ルドすると、この凹凸２１が樹脂により充てんさ
れず空隙が生じる。10KV以上の高圧で使用され
るダイオードは、テレビのステツプアツプ試験の
際などにこの空隙の存在により電圧放電破壊不良
が発生する。
の点ですぐれている。しかし外形寸法の精度の点
では十分でない。一方樹脂モールドすると耐湿性
の点では難があるが外形寸法の精度が出る点で有
利である。ガラスおよび樹脂による二重モールド
素子はこの両者の長所を兼ねたもので、先ず第１
図に示すように積層半導体素体１をガラス２でモ
ールドしその上に樹脂３でモールドすることによ
つて製造する。一方半導体素体１に接続されるリ
ード線４ろう付性の改善のためにすずめつきが行
なわれるが、樹脂モールドの後では均一なめつき
が困難なので、一般に樹脂モールドの前にめつき
する。この場合、ガラスがほう素ガラスで硫酸系
すずめつき液を使用すると第２図に示すようにガ
ラス２の表面が侵されて凹凸２１を生ずる。この
ガラス２の上にエポキシ樹脂をトランスフアモー
ルドすると、この凹凸２１が樹脂により充てんさ
れず空隙が生じる。10KV以上の高圧で使用され
るダイオードは、テレビのステツプアツプ試験の
際などにこの空隙の存在により電圧放電破壊不良
が発生する。
本発明はこのような不良の発生を防止するた
め、ガラスと樹脂との界面の密着性を改善した高
圧ダイオードの製造方法を提供することを目的と
する。
め、ガラスと樹脂との界面の密着性を改善した高
圧ダイオードの製造方法を提供することを目的と
する。
この目的は半導体素体をガラスモールドした後
硫酸系めつき液によつて生じた凹凸を備えるガラ
スモールド素子を樹脂モールドする際に樹脂モー
ルド温度よりやや低い温度に予備加熱し高周波予
備加熱された樹脂タブレツトを使用して樹脂モー
ルドすることによつて達成される。
硫酸系めつき液によつて生じた凹凸を備えるガラ
スモールド素子を樹脂モールドする際に樹脂モー
ルド温度よりやや低い温度に予備加熱し高周波予
備加熱された樹脂タブレツトを使用して樹脂モー
ルドすることによつて達成される。
以下図を引用して本発明の実施例について説明
する。積層半導体にリード線を接続したのち、通
常の方法でガラスモールドし、例えば第３図に示
すようにこのガラスモールド体５をワークホルダ
６の上に並べて加熱器７に挿入し、100〜140℃の
温度に予備加熱し、一方第４図に示す高周波予熱
機８を用いてエポキシ樹脂タブレツト９を回転ロ
ーラ電極１０の上に載せ、上部電極１１の間に生
成される例えば62MHzの高周波電界で30秒加熱
し、この樹脂タブレツトを用いてトランスフアモ
ールド型にセツトしたガラスモールド体をさらに
予熱温度より高い150℃〜160℃で樹脂モールドす
る。このようにガラス面および樹脂を予備加熱す
ることによりガラス面の濡れ性、樹脂の流れ性が
改善されるため、第５図に示すように樹脂３のガ
ラス２の凹凸面２１に対するつきまわり性がよ
く、界面において強い密着力を示す。
する。積層半導体にリード線を接続したのち、通
常の方法でガラスモールドし、例えば第３図に示
すようにこのガラスモールド体５をワークホルダ
６の上に並べて加熱器７に挿入し、100〜140℃の
温度に予備加熱し、一方第４図に示す高周波予熱
機８を用いてエポキシ樹脂タブレツト９を回転ロ
ーラ電極１０の上に載せ、上部電極１１の間に生
成される例えば62MHzの高周波電界で30秒加熱
し、この樹脂タブレツトを用いてトランスフアモ
ールド型にセツトしたガラスモールド体をさらに
予熱温度より高い150℃〜160℃で樹脂モールドす
る。このようにガラス面および樹脂を予備加熱す
ることによりガラス面の濡れ性、樹脂の流れ性が
改善されるため、第５図に示すように樹脂３のガ
ラス２の凹凸面２１に対するつきまわり性がよ
く、界面において強い密着力を示す。
以上述べたように本発明は二重モールド高圧ダ
イオードを製造するに際しガラスモールド体を予
備加熱して表面の濡れ性を良くし、また樹脂タブ
レツトを高周波を用いて均一に予備加熱して樹脂
の流れ性を良くしてガラスと樹脂との界面におけ
る密着性を改良するもので、これにより凹凸を有
するガラスに対しても樹脂の間に空隙が生ずるこ
とがなくなり、電圧放電破壊不良を絶滅できるの
で信頼性の高い高圧ダイオードを得ることがで
き、その効果は極めて高い。
イオードを製造するに際しガラスモールド体を予
備加熱して表面の濡れ性を良くし、また樹脂タブ
レツトを高周波を用いて均一に予備加熱して樹脂
の流れ性を良くしてガラスと樹脂との界面におけ
る密着性を改良するもので、これにより凹凸を有
するガラスに対しても樹脂の間に空隙が生ずるこ
とがなくなり、電圧放電破壊不良を絶滅できるの
で信頼性の高い高圧ダイオードを得ることがで
き、その効果は極めて高い。
第１図は高圧ダイオードの断面図、第２図はガ
ラスモールド面の凹凸を示す断面図、第３図は本
発明の一実施例におけるガラスモールド体の予備
加熱装置を示す斜視図、第４図は同じく樹脂タブ
レツトの予備加熱装置を示す断面図、第５図は本
発明により得られる高圧ダイオードの一例の要部
断面図である。 １…半導体素体、２…ガラス、３…樹脂、７…
加熱器、８…高周波予熱機。
ラスモールド面の凹凸を示す断面図、第３図は本
発明の一実施例におけるガラスモールド体の予備
加熱装置を示す斜視図、第４図は同じく樹脂タブ
レツトの予備加熱装置を示す断面図、第５図は本
発明により得られる高圧ダイオードの一例の要部
断面図である。 １…半導体素体、２…ガラス、３…樹脂、７…
加熱器、８…高周波予熱機。
Claims (1)
- １ 半導体素子をガラスモールドした後、硫酸系
めつき液によつて生じた凹凸を備えるガラスモー
ルド素子を樹脂モールドする際に樹脂モールド温
度よりやや低い温度に予備加熱し、高周波予備加
熱された樹脂タブレツトを使用して樹脂モールド
することを特徴とする高圧ダイオードの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5035182A JPS58166729A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 高圧ダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5035182A JPS58166729A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 高圧ダイオ−ドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166729A JPS58166729A (ja) | 1983-10-01 |
| JPS634935B2 true JPS634935B2 (ja) | 1988-02-01 |
Family
ID=12856481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5035182A Granted JPS58166729A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 高圧ダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58166729A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50159265A (ja) * | 1974-06-11 | 1975-12-23 | ||
| JPS5337380A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-06 | Matsushita Electronics Corp | Schottky barrier type semiconductor |
| JPS634935A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 多層回路板の製造方法 |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP5035182A patent/JPS58166729A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50159265A (ja) * | 1974-06-11 | 1975-12-23 | ||
| JPS5337380A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-06 | Matsushita Electronics Corp | Schottky barrier type semiconductor |
| JPS634935A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 多層回路板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58166729A (ja) | 1983-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100202668B1 (ko) | 크랙 방지를 위한 반도체 패키지와 그 제조방법 및 제조장치 | |
| CN105405815A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| CN1271509A (zh) | 将半导体元件安装到电路板上的方法及半导体器件 | |
| US20150221578A1 (en) | Semiconductor package and method for producing a semiconductor | |
| JPS634935B2 (ja) | ||
| CA1206819A (en) | Resin-molded semiconductor device and a process for manufacturing the same | |
| US2883592A (en) | Encapsulated selenium rectifiers | |
| US3255393A (en) | Metal to semiconductor rectifying junction | |
| US3152293A (en) | Sealed semiconductor device and mounting means therefor | |
| JPS5790967A (en) | Semiconductor device sealed with resin | |
| CN108281398A (zh) | 半导体封装件及其制造方法 | |
| JP3099864B2 (ja) | 半導体素子を有する回路装置及びその製造方法 | |
| JP2000183081A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
| JPH05159758A (ja) | 密閉形鉛蓄電池の製造法 | |
| JPH0614467Y2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP3273556B2 (ja) | 機能素子の実装構造体とその製造方法 | |
| JPH0115124Y2 (ja) | ||
| US2836777A (en) | High voltage slug capacitor | |
| JPS60207340A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6160569B2 (ja) | ||
| JPS5853169A (ja) | 口出線装置及びその製造方法 | |
| JPS6333830A (ja) | 樹脂モ−ルド型半導体装置の製造方法 | |
| JPH085550Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS57145339A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS59108333A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |