JPS58166729A - 高圧ダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
高圧ダイオ−ドの製造方法Info
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- JPS58166729A JPS58166729A JP5035182A JP5035182A JPS58166729A JP S58166729 A JPS58166729 A JP S58166729A JP 5035182 A JP5035182 A JP 5035182A JP 5035182 A JP5035182 A JP 5035182A JP S58166729 A JPS58166729 A JP S58166729A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラスおよび樹脂（こより二重モールドされた
例えはテレビなどに用いられる高圧タイオードの製造方
法に関する。
例えはテレビなどに用いられる高圧タイオードの製造方
法に関する。
半導体素子をガラスモールドすることはｌｉｆ湿性の点
ですぐれている。しかし外形寸法のｙ／％度の点では十
分でない。一方樹脂モールドすると１湿性の点では難か
あるか外形寸法の精度が出る点で有利である。カラスお
よび樹脂による二１モールド集子はこの両省の！ｆｅ７
９ｒを飯ねたもので、先す第１図に示すように棟盾半導
体嵩体ｌをガラス２でモールドしその上に樹脂３でモー
ルドすることによって製造する。−男手導体素体ｌに接
続されるリード線４ろう付性の改善のためにすずめつき
が行なオ）れるが、樹脂モールドの後では均一なめっき
が回部なので、一般に樹脂モールドの前にめっきする。
ですぐれている。しかし外形寸法のｙ／％度の点では十
分でない。一方樹脂モールドすると１湿性の点では難か
あるか外形寸法の精度が出る点で有利である。カラスお
よび樹脂による二１モールド集子はこの両省の！ｆｅ７
９ｒを飯ねたもので、先す第１図に示すように棟盾半導
体嵩体ｌをガラス２でモールドしその上に樹脂３でモー
ルドすることによって製造する。−男手導体素体ｌに接
続されるリード線４ろう付性の改善のためにすずめつき
が行なオ）れるが、樹脂モールドの後では均一なめっき
が回部なので、一般に樹脂モールドの前にめっきする。
この場合、ガラスがほう素ガラスで硫酸系すずめつき液
を使用するとｆｓ２図多こ示すようにガラス２のｉｔが
侵されて凹凸２１を生ずる。この方ラス２の上にエポキ
シ樹脂をトランスファモールドすると、この凹凸２１が
樹脂により充てんされず空隙が生じる。ｌｏｘ、ｙ以上
の高圧で使用されるダイオードは、テレビのステップア
ップ試験の際などにこの空隙の存在により電圧放電破壊
不良が発生する。
を使用するとｆｓ２図多こ示すようにガラス２のｉｔが
侵されて凹凸２１を生ずる。この方ラス２の上にエポキ
シ樹脂をトランスファモールドすると、この凹凸２１が
樹脂により充てんされず空隙が生じる。ｌｏｘ、ｙ以上
の高圧で使用されるダイオードは、テレビのステップア
ップ試験の際などにこの空隙の存在により電圧放電破壊
不良が発生する。
本発明はこのような不良の発生を防止するため、ガラス
と樹脂との界面の密着性を改善した高圧ダイオードの製
造方法を提供することを目的とする。
と樹脂との界面の密着性を改善した高圧ダイオードの製
造方法を提供することを目的とする。
この目的は半導体素体をガラスモールドした後樹脂モー
ルドする際にガラスモールド体を樹脂モールド温度より
やや低い温度に予備加熱し高周波予備加熱された樹脂タ
ブレットを使用して樹脂モールドするこ碌によって達成
される。
ルドする際にガラスモールド体を樹脂モールド温度より
やや低い温度に予備加熱し高周波予備加熱された樹脂タ
ブレットを使用して樹脂モールドするこ碌によって達成
される。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。積
層半導体にリード線を接続したのち、通常の方法でガラ
スモールドし、例えば第３図に示すようにこのガラスモ
ールド体５をワークホルダ６の上に並べて加熱器７に挿
入し、１００〜１４０°Ｃの温度に予備加熱し、一方第
４図に示す高周波予熱機８を用いてエポキシ樹脂タブレ
ット９を（ロ）転ローラ電極１０の上に載せ、上部電極
１１の間に生成される例えば６２ＭＨｚの高周波電界で
３０秒加熱し、この樹脂タブレットを用いてトランスフ
ァモールド型にセットしたガラスモールド体をさらに予
熱温度より高い１５０ Ｃ〜１６０ Ｃで樹脂モール
ドする。このようにガラス面および樹脂を予備加熱する
ことによりガラス面の櫓れ性、樹脂の流れ性が改善され
るため、第５図に示すように樹脂３のガラス２の凹凸［
２１に対するつきまわり性がよく、界面において強い密
着力を示す。
層半導体にリード線を接続したのち、通常の方法でガラ
スモールドし、例えば第３図に示すようにこのガラスモ
ールド体５をワークホルダ６の上に並べて加熱器７に挿
入し、１００〜１４０°Ｃの温度に予備加熱し、一方第
４図に示す高周波予熱機８を用いてエポキシ樹脂タブレ
ット９を（ロ）転ローラ電極１０の上に載せ、上部電極
１１の間に生成される例えば６２ＭＨｚの高周波電界で
３０秒加熱し、この樹脂タブレットを用いてトランスフ
ァモールド型にセットしたガラスモールド体をさらに予
熱温度より高い１５０ Ｃ〜１６０ Ｃで樹脂モール
ドする。このようにガラス面および樹脂を予備加熱する
ことによりガラス面の櫓れ性、樹脂の流れ性が改善され
るため、第５図に示すように樹脂３のガラス２の凹凸［
２１に対するつきまわり性がよく、界面において強い密
着力を示す。
以上述べたように本発明は二重モールド高圧ダイオード
を製造するに際しガラスモールド体を予備加熱して表面
の１幣れ性を良くシ、また樹脂タブレットを高周波を用
いて均一に予備加熱して樹脂の流れ性を良くしてガラス
と樹脂との界面における密着性を改良するもので、これ
により凹凸を有するガラスに対しても樹脂の間に空隙が
生ずることがなくなり、電圧放電破壊不良を絶滅できる
ので信頼性の高い高圧ダイオードを得ることができ、そ
の効果は極めて高い。
を製造するに際しガラスモールド体を予備加熱して表面
の１幣れ性を良くシ、また樹脂タブレットを高周波を用
いて均一に予備加熱して樹脂の流れ性を良くしてガラス
と樹脂との界面における密着性を改良するもので、これ
により凹凸を有するガラスに対しても樹脂の間に空隙が
生ずることがなくなり、電圧放電破壊不良を絶滅できる
ので信頼性の高い高圧ダイオードを得ることができ、そ
の効果は極めて高い。
第１図は高圧ダイオードの断面図、第２図はガラスモー
ルド面の凹凸を示す断面図、第３図は本発明の一実施例
におけるガラスモールド体の予備加熱装置を示す桝視図
、第４図は同じく樹脂タブレットの予備加熱装置を示す
断面図、第５図は本発明により得られる高圧ダイオード
の一例の要部断面図である。
ルド面の凹凸を示す断面図、第３図は本発明の一実施例
におけるガラスモールド体の予備加熱装置を示す桝視図
、第４図は同じく樹脂タブレットの予備加熱装置を示す
断面図、第５図は本発明により得られる高圧ダイオード
の一例の要部断面図である。
Claims (1)
- ｌ）半導体素体をガラスモールドした後樹脂モールドす
る際に、ガラスモールド体を樹脂モールド温度よりやや
低い温度に予備加熱し、高周波予備加熱された樹脂タフ
レットを使用して樹脂モールドすることを特徴とする高
圧ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5035182A JPS58166729A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 高圧ダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5035182A JPS58166729A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 高圧ダイオ−ドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166729A true JPS58166729A (ja) | 1983-10-01 |
| JPS634935B2 JPS634935B2 (ja) | 1988-02-01 |
Family
ID=12856481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5035182A Granted JPS58166729A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 高圧ダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58166729A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50159265A (ja) * | 1974-06-11 | 1975-12-23 | ||
| JPS5337380A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-06 | Matsushita Electronics Corp | Schottky barrier type semiconductor |
| JPS634935A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 多層回路板の製造方法 |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP5035182A patent/JPS58166729A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50159265A (ja) * | 1974-06-11 | 1975-12-23 | ||
| JPS5337380A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-06 | Matsushita Electronics Corp | Schottky barrier type semiconductor |
| JPS634935A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 多層回路板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS634935B2 (ja) | 1988-02-01 |
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