JPS607495Y2 - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPS607495Y2 JPS607495Y2 JP14565179U JP14565179U JPS607495Y2 JP S607495 Y2 JPS607495 Y2 JP S607495Y2 JP 14565179 U JP14565179 U JP 14565179U JP 14565179 U JP14565179 U JP 14565179U JP S607495 Y2 JPS607495 Y2 JP S607495Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating agent
- ring
- semiconductor element
- anode
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はアノード・カソード間の絶縁耐量を改善した半
導体素子に関する。
導体素子に関する。
従来から、ＰＮ接合を有する半導体素子では、ソノ接合
部ヲベベルし、そこへシリコンゴム等のコーティング剤
を塗布し、加硫、加熱を行ってその接合部面の保護を行
い、表面電界を弱める様にしている。
部ヲベベルし、そこへシリコンゴム等のコーティング剤
を塗布し、加硫、加熱を行ってその接合部面の保護を行
い、表面電界を弱める様にしている。
そしてそのシリコンゴムの塗布部の膜厚が２００μｍ程
度以上であれば、接合表面の電界強度を抑え、接合を充
分に保護できることが確認されている。
度以上であれば、接合表面の電界強度を抑え、接合を充
分に保護できることが確認されている。
一方、アノード・カソード間の絶縁破壊は、シリコンウ
ェーハ）内部での破壊を除けば、コーティング剤表面で
の主であり、これを防ぐためにはコーティング層を厚＜
シ、アノード・カソード間の沿面距離を大きくする必要
があった。
ェーハ）内部での破壊を除けば、コーティング剤表面で
の主であり、これを防ぐためにはコーティング層を厚＜
シ、アノード・カソード間の沿面距離を大きくする必要
があった。
しかるに、コーティング層を厚く形成する作業が難しく
、コーティング剤の重ね塗りなど煩雑な工程を要した。
、コーティング剤の重ね塗りなど煩雑な工程を要した。
本考案はかかる従来の問題点を改善するために威したも
のであり、従って、本考案の目的とするところは、ベベ
ル構造のウェハーにおいて、その露出している接合部面
のコーティング剤塗布部に絶縁リングを付加し、これを
コーティング剤とともに一体硬化させることに依り、ア
ノード・カソード間の沿面距離の最大化を図って、これ
らの間の絶縁耐量を大きく改善した半導体素子を提供す
るにある。
のであり、従って、本考案の目的とするところは、ベベ
ル構造のウェハーにおいて、その露出している接合部面
のコーティング剤塗布部に絶縁リングを付加し、これを
コーティング剤とともに一体硬化させることに依り、ア
ノード・カソード間の沿面距離の最大化を図って、これ
らの間の絶縁耐量を大きく改善した半導体素子を提供す
るにある。
以下、本考案の一実施例を図面について説明する。
第１図はサイリスタ等のＰＮ接合を有する半導体素子１
の断面図を示す。
の断面図を示す。
これはタングステンの合金からなる陽極基板２に、シリ
コンウェーハ３を接合し、これの上面にアルミニウムの
リング状の蔭極板４およびゲート電極５接合したものか
らなる。
コンウェーハ３を接合し、これの上面にアルミニウムの
リング状の蔭極板４およびゲート電極５接合したものか
らなる。
また、シリコンウェーハ３は図示に示す如きＰＮ接合領
域を持ち、その各接合部面ａ、ｂ。
域を持ち、その各接合部面ａ、ｂ。
Ｃが外周面にのぞんでいる。
かかる構成になる半導体素子では、この露出している接
合部面ａ、 ｂ、 ｃに、接合部面の電界強度を弱め接
合の保護を図るため、数１１００ｐの厚さのコーティン
グ剤６が第２図に示す如くコーティングされる。
合部面ａ、 ｂ、 ｃに、接合部面の電界強度を弱め接
合の保護を図るため、数１１００ｐの厚さのコーティン
グ剤６が第２図に示す如くコーティングされる。
続いて、このコーティングしたコーティング剤を６上に
前記接合部面を取り囲むようにリング状に予め成型加工
された固型絶縁物てしてのコーティング剤リング７が同
図の如く載置され、適当な加熱操作を加えられることに
依って、そのコーティング剤リング７をコーティング剤
６に対し、第３図に示す如く一体固化せさめる。
前記接合部面を取り囲むようにリング状に予め成型加工
された固型絶縁物てしてのコーティング剤リング７が同
図の如く載置され、適当な加熱操作を加えられることに
依って、そのコーティング剤リング７をコーティング剤
６に対し、第３図に示す如く一体固化せさめる。
尚、かかるコーティング剤リング７はシリコンゴムの他
適当な絶縁部材を用いても良く、アノード・カソード間
の沿面距離を長くするため、その絶縁部材の外周面に複
数の凹凸面を形成することもできる。
適当な絶縁部材を用いても良く、アノード・カソード間
の沿面距離を長くするため、その絶縁部材の外周面に複
数の凹凸面を形成することもできる。
この場合に於いて、コーティング剤リングおよびコーテ
ィング剤は同系統同材質のゴム状絶縁物とすることに依
り、互いになじんで一体固化が確実となる。
ィング剤は同系統同材質のゴム状絶縁物とすることに依
り、互いになじんで一体固化が確実となる。
さらに、ゴム状絶縁物は硬いプラスチックなどに比較し
て誘電率が高いので電界緩和効果が大きく、破損やヒー
トサイクルに依る剥離ん生じない。
て誘電率が高いので電界緩和効果が大きく、破損やヒー
トサイクルに依る剥離ん生じない。
また、その貫通耐電圧ｌ ＱＫＶ／μｍと大きい。
上記構成になる設計耐圧５０００Ｖのサイリストを用い
て絶縁耐量試験を行ったところ、従来のコーティング剤
リングを用いないものでは、２０００Ｖの電圧でアノー
ド・カソードの電極間で表面放電が生じたのに対し、４
５００Ｖ以上の電圧を印加しても表面放電は何ら生じず
、はぼ設計通り絶縁耐量特性を得ることができ、上記コ
ーティング剤リングを使用する場合に於ける半導体素子
の上記特性改善が確認された。
て絶縁耐量試験を行ったところ、従来のコーティング剤
リングを用いないものでは、２０００Ｖの電圧でアノー
ド・カソードの電極間で表面放電が生じたのに対し、４
５００Ｖ以上の電圧を印加しても表面放電は何ら生じず
、はぼ設計通り絶縁耐量特性を得ることができ、上記コ
ーティング剤リングを使用する場合に於ける半導体素子
の上記特性改善が確認された。
第４図および第５図は本考案の他の実施例を示す。
これは上記した半導体素子１の接合部面ａ。ｂ、 ｃに
示す如く、この接合部面ａ、 ｂ９ Ｃを覆う接合面
８ａと沿面距離を長くするための凹凸面８ｂとを有する
軟多孔質リング８を載置し、加熱処理時にそのリング８
に予め滲み込ませたコーティング剤に依って、第５図に
示す如く、そのリング８を接合面ａ、 ｂ、 Ｃに密着
固化して形成される。
示す如く、この接合部面ａ、 ｂ９ Ｃを覆う接合面
８ａと沿面距離を長くするための凹凸面８ｂとを有する
軟多孔質リング８を載置し、加熱処理時にそのリング８
に予め滲み込ませたコーティング剤に依って、第５図に
示す如く、そのリング８を接合面ａ、 ｂ、 Ｃに密着
固化して形成される。
すなわち、かかる軟多孔質リング８を用いたものでも、
沿面距離の拡大に依る上記絶縁耐量の向上が図れる。
沿面距離の拡大に依る上記絶縁耐量の向上が図れる。
以上要するに、本考案に依れば、保護すべきＰＮ接合部
面に、リング状に予め成型加工された固形絶縁物をコー
ティング剤を用いて接着したことに依り、アノード・カ
ソード間の沿面距離を長くしてこれらの間の線耐量が大
きく改善されるとともに、各接合部面の電界強度を減少
させ、接合面の保護を図ることができる。
面に、リング状に予め成型加工された固形絶縁物をコー
ティング剤を用いて接着したことに依り、アノード・カ
ソード間の沿面距離を長くしてこれらの間の線耐量が大
きく改善されるとともに、各接合部面の電界強度を減少
させ、接合面の保護を図ることができる。
かくした、コーティング剤を重ね塗りするなどの煩雑な
手間、工程が省け、半導体素子全体のローコスト化並び
に大量生産に寄与する。
手間、工程が省け、半導体素子全体のローコスト化並び
に大量生産に寄与する。
第１図乃至第３図は本考案に係る半導体素子の猛威順序
を示す断面図、第４図および第５図は同じく他の実施例
の猛威順序を示す断面図である。 １・・・・・・半導体素子、６・・・・・・コーティン
グ剤、７、訃・・・・・固形絶縁物。
を示す断面図、第４図および第５図は同じく他の実施例
の猛威順序を示す断面図である。 １・・・・・・半導体素子、６・・・・・・コーティン
グ剤、７、訃・・・・・固形絶縁物。
Claims (1)
- 互いに異る導通型で交互に積層された少くとも２つの層
間に、少なとも１つ接合を形成するベベル構造のウェハ
ーに於いて、その露出している接合部面に、当該接合部
面を取り囲むようにリング状に予め成型加工された固形
絶縁物をコーティング剤を用いて接着してなる半導体素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14565179U JPS607495Y2 (ja) | 1979-10-20 | 1979-10-20 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14565179U JPS607495Y2 (ja) | 1979-10-20 | 1979-10-20 | 半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5663051U JPS5663051U (ja) | 1981-05-27 |
| JPS607495Y2 true JPS607495Y2 (ja) | 1985-03-13 |
Family
ID=29376821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14565179U Expired JPS607495Y2 (ja) | 1979-10-20 | 1979-10-20 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607495Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-10-20 JP JP14565179U patent/JPS607495Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5663051U (ja) | 1981-05-27 |
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