JPH02224215A - 高圧用貫通形コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は高圧用貫通形コンデンサ及びその製造方法に関
するものであり、更に詳説すると、電子レンジに使用す
るマグネトロンのノイズフィルターとして使用して好適
な高圧用貫通形コンデンサの改良とその製造方法に関す
るものである。

（ロ）従来の技術 従来、電子レンジに使用するマグネトロンから漏洩する
電波雑音を防止するための貫通形コンデンサとしては実
公昭５５−３５８０３号（ＨＯＩＧ　　４／４２）や実
公昭５５−５２６６５号（ＨｏｌＧ　　４／４２）に示
されている如きコンデンサがある。

次に従来例について第２８図および第２９図と共に説明
する。（１）は貫通形のセラミックスよりなる円筒状誘
電体、（２）（３）は筒状誘電体（１）の両端面に配設
されたそれぞれ第１および第２電極であり、粉末状の銀
（Ａｇ）とガラスの混合したベースト状Ａｇを約７００
〜８００℃で誘電体（１）の端面に焼きつけて形成した
厚膜電極である。（４）は貫通導電体であり、筒状誘電
体（１）の内側を貫通して配設され且つ接続金具（５）
により第１１電極（２）と半田付等で電気的に接続され
ている。（６）は接地用拡大金属板であり、透孔（６ａ
）の設けられた上方折曲部（６ｂ）により第２電極（３
）と当接して接続されている。（７）は貫通導電体（６
）が貫挿されるシリコーンの絶縁チューブ、（８）（８
″）はエポキシ四指等の絶縁樹脂であり、接続金具（５
）および貫通導体（４）等のまわりを被覆し、絶縁する
と共に筒状誘電体（１）の絶縁性や耐湿性等を確保する
ために充填される。（９）はポリブチレン・テレフタレ
ート（ＰＢＴ）よりなる合成樹脂製の外装ケース、（１
０）は絶縁カバーである。

従来、絶縁用充填材として用いられてきたエポキシ樹脂
は、硬化時に第２９図（ａ）（ｂ）図における矢印にて
示す方向に硬化収縮が起こるため、貫通形コンデンサの
円筒状誘電体（１）内の内壁（１ａ）と充填用エポキシ
樹脂の界面との間に隙間が発生する。このことについて
更に詳説すると、貫通形磁器コンデンサにおいて、セラ
ミックス（１）の線膨張係数は１〜１０×１０−＠／℃
であるのに対し、エポキシ樹脂（８）（８’）のそれは
１〜１０　Ｘ　１０−’／”Ｃであり、その差が大きい
ため、熱衝撃試験を行なうと、残留応力によりセラミッ
クス（１）とエポキシ樹脂（８）との界面（１ａ）に隙
間や亀裂が発生し、電荷集中が起こり、耐電圧の低下が
起こる。このような状態では耐湿試験で貫通コンデンサ
の内部に湿気が進入することになる。

これを防止するためシリコーン等の弾性の絶縁チューブ
（７）を配設している。

このように構成された貫通コンデンサは、マグネトロン
のシールドケース内に取り付けられるため、常に高温に
さらされることとなる。また、電子レンジでは冷却ファ
ンによりマグネトロン本体の冷却フィンに送風し、さら
に貫通コンデンサにも風を送り、冷却する構造になって
いる。それにもかかわらず、マグネトロンのアノード付
近は約３００℃の高温になり、貫通コンデンサも常に１
００〜１２０℃の高温にさらされ、ときには１５０℃ま
で上昇することもある　。また、異常時には１８０〜２
００℃に達することも考えられる。

さらに、最近では、電子レンジとオーブンを一体にした
タイプが商品化されていることや電子レンジのコストダ
ウンのため冷却能力が低下していることもあり、貫通コ
ンデンサに対する耐熱性の要求はますます厳しくなって
いる。しかし乍ら、例えば１５０℃ではエポキシ樹脂は
軟化し、劣化は急速に進行し、界面剥離が起こるため、
従来の貫通コンデンサでは限界状態にある。

このような問題を解決するため、最近、２００℃前後の
耐熱性をもつ樹脂が開発されているが、硬度が高く、そ
のため硬化収縮と熱衝撃時の残留応力により素体にクラ
ックや破れが起こり、また、界面でガ隙間や剥離等によ
り充分な耐圧と信頼性が得られない。

また、一般にシリコーンゴムは耐熱性が２００℃前後あ
り、弾性があることは知られているが、接着性がないた
め、これを貫通形磁器コンデンサの絶縁用の充填材とし
て使用すると、磁器（１）とシリコーンゴムとの間から
湿気が入り、絶縁不良を起こす欠点があるので、充填材
として使用されていない。これを解決するために被着体
にブライマーを塗布する方法があるが、ブライマー塗布
の煩わしさやブライマー層の管理が難しく安定した絶縁
性及び耐湿性が得られなかった。

また、マグネトロン駆動時には貫通コンデンサに７〜８
ｋＶの高電圧がかかるため十数ｋＶの耐電圧が必要であ
る。

このように、貫通コンデンサは、（ｉ）耐電圧性、（ｉ
ｉ）耐熱性、（ｉｉｉ）耐熱衝撃性等の点で極めて厳し
い特性及び信頼性が求められているが、従来のコンデン
サはこれらの要求を完全に満足するものではない。更に
また、（ｉｖ）貫通コンデンサに要求される重要な特性
の一つとして耐トラツキング特性がある。これは、急激
な温度変化によって、貫通コンデンサの表面に水分が結
露した場合の耐電圧性を評価するものである。従来の有
機高分子から成る絶縁ケース（９）や絶縁カバー（１ｏ
）では、耐トラツキング性があまり良くなく、−度、ケ
ースの外泊をリークすると、有機高分子が炭化するので
、ショート状態になってしまうという問題があった。

（ハ）発明が解決しようとする課題 従来、絶縁チューブ（７）としてはシリコーンが用いら
れるので、非常に高価であり、貫通導体（４）に挿通す
るため作業に手間もかかり、コスト高、となっていた。

また、絶縁材としてエポキシ樹脂を使用する場合には使
用限界は１５０℃であり、これより高温では絶縁特性が
急激に劣化してしまう。

このような問題を解決するため本発明においては絶縁材
として自己接着性シリコーンゴムを使用する貫通形コン
デンサを提案している。この自己接着性シリコーンゴム
を使用する高圧用貫通形コンデンサの破壊電圧は２６〜
４０　ｋＶ　（ＡＣ）に分布しているが、本発明はこの
分布を高圧側に集中するようにして該コンデンサの歩留
まりを上げ、更に信頼性を向上させることを目的とする
ものである。

また、従来のコンデンサにおける外装絶縁ケース（９）
や絶縁カバー（１０）表面における耐トラツキング性の
問題があるが、これも解決するものである。

また、第１９図および第２０図に示す如く、筒状誘電体
の両端面に設けられたそれぞれ第１電極および第２電極
とそれらに半田付接続される金属板との接合部における
半田トンネルの間隔からシリコーンゴムが漏れ、そのこ
とによ昏引きおこされる絶縁不良の問題がある。

更にまた、第２５図に示す如く貫通導体（４）のファス
トンタブ（４ａ）に外力が加って筒状貫通導体（４）に
ヒビ割れ（クラック）が発生し、絶縁不良をひき起こす
という問題がある。本発明はこのような問題を解決でき
る絶縁材、被覆材および貫通形コンデンサの製造方法を
提供することを目的とするものである。

（ニ）課題を解決するための手段 本発明は円筒状誘電体の内側に充填する絶縁材として非
常によく伸縮するシリコーンゲルを使用するか或は自己
接着性シリコーンゴムを使用するものである。

また、他の実施例では貫通形コンデンサにおける筒状誘
電体の内周面に対向する貫通導体の周囲にテフロンコー
ティング、シリコーングリースを塗布したり、或はシリ
コーンチューブ、やテフロンチューブ［例えば、ポリテ
トラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）　、テトラフルオロ
エチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合
体８　（ＰＦＡ）　、また、テトラフルオロエチレン−
ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）等のチュ
ーブ］等の自己接着性シリコーンゴムと接着し難い離型
層を設けた後、或いは貫通導体の外周を絶縁樹脂との結
合力が比較的弱い金属でメ・ツキ処理を施した後、筒状
誘電体と貫通導体との間に自己接着性シリコーンゴムを
絶縁材として充填する。また、他の実施例においては筒
状誘電体および貫通導体を被覆する絶縁材として自己接
着性シリコーンゴムを使用する際、８０℃以下の低温で
硬化反応を行なわせた後、加熱して１００℃以上の高温
で接着性付与の反応を行なわせる二段階の所謂ステップ
キュアーを行ない、貫通形誘電体の貫通孔内油と自己接
着性シリコーンゴムとの接着のバラツキをなくすること
により、高耐圧で且つ耐電圧性のバラツキを少なくして
いる。

更に、他の実施例においては、自己接着性シリコーンゴ
ムよりなる絶縁樹脂を充填硬化した後、その外表面に沿
面放電処理を行なう。

尚、更に他の実施例においては筒状誘電体の両端面の電
極とそれらに電気的に接続するため半田接続する際、半
田トンネルにより引きおこされる耐圧不良を解決するた
め筒状誘電体の端面の電極とそれらに半田付接合される
金属板の接合部の当接面積を小さくし、線接触するよう
にする。

更に、本発明の他の実施例（第２６図）においては貫通
導体（４）のタブ（４ａ）の面に強度的に弱い凹部（２
６）（２６°）を設けると共にタブ（４ａ）と鍔部（１
３）との間で且つタブ面と直交する方向にも凹部（２７
）（２７°）を設け、タブ（４ａ）に外力が加わる際、
筒状誘１を体（１）にクラ、ツクが入る前にファストン
タブ（４ａ）が曲がるようにして、ここで外力を吸収さ
せる。

（ホ）作　用 シリコーン樹脂の中でも完全な架橋構造を持たないシリ
コーンゲルは粘着性が良い上に、伸び率が非常に大きい
ので、硬化収縮がなく、円筒状誘電体（１）や貫通導体
（４）の熱膨張による応力を吸収し緩和するので、耐熱
性やヒートショックにも強い。また、自己接着性シリコ
ーンゴムはシランカップリング剤の如き接着性付与成分
をシリコーンゴム組成物に添加し、自己接着性を付与し
たもであり、セラミック、金属、プラスチック等に対す
る接着性が非常に良好であり、而も絶縁性が極めて高く
、更に熱膨張による応力を吸収し、耐熱性やヒートショ
ックにも強い。

また、本発明の他の実施例（第４図および第１１図）で
はシリコンやテフロンの如く自己接着性シリコーンゴム
と接着し難い材料よりなるチューブで貫通導体の適所を
被覆して貫通導体上に離型層を設け、或は第１２図に示
す如く自己接着性シフコーンゴムとの結合力が比較的弱
いニッケル等で貫通導体の所望の外周面をメッキ処理し
て貫通導体の筒状誘電体の内周面と対応する部分に非接
着領域を設け、貫通導体の両端部においては、貫通導体
と自己接着性シリコーンゴムが接着し隙間が発生しない
ようにしている。

更に本発明の他の実施例（第１０図および第１１図）で
は外装絶縁ケース（９）及び絶縁カバー（１０）を使用
せず、自己接着性シリコーンゴムが直接裸出する構造に
なっている。そしてシリコーンゴムは水をはじく所謂撓
水性を有しているので、仮に自己接着性シリコーンゴム
の表面に水分が結露しても、水滴はすぐに流れ落ちるの
で、耐トラツキング性は良くなる。更にまた、シリコー
ンゴムは従来の絶縁ケース等に使用している有機高分子
とは異なり、カーボンを含んでおらず、難燃性であり、
仮に放電して貫通コンデンサの外泊で沿面リークが起こ
っても炭化することがないので、すぐに元の絶縁状態に
復帰する。

前述の如く、自己接着性シリコーンゴムは本来接着性の
ないシリコーンゴムにシランカップリング剤の如き接着
性付与成分を添加し、自己接着性を付与したものである
。そして、一般に１００℃以上の温度をかけると、硬化
反応と接着反応が１〜２時同で起こる。この二つの反応
の内、接着反応にはどうしても１００℃以上の温度が必
要であるが、硬化反応は長時間かければ、室温でも起こ
る。一般に、自己接着性シリコーンゴムを注型に使用す
る場合、１００℃以上に加熱し、前記の二つの反応を同
時に行なわせるのが作業上便利であるため、通常そのよ
うになっている。本発明は、前記の二つの反応をあえて
分けて行なう。つま９、低温で硬化反応を十分に行なわ
せ、硬化が終了した後に接着反応を行なわせるのである
。このようにすることにより硬化時の貫通導体の膨張電
極力抑えることができる。

更に本発明の他の実施例においては、加熱硬化タイプの
自己接着性シリコーンゴムは接着性が良いため隙間が発
生せず、絶縁性も耐湿性も向上するので、これを使用し
、更に第１０図および第１１図における硬化した絶縁御
脂の外表面に沿面放電処理を施すことにより絶縁樹脂の
外表面を滑らかにし、外表面に付着した埃や塵埃が炭化
したり、水滴が付着することにより発生する沿面り−ク
を抑える。

更に本発明の実施例（第２１図、第２２図及び第２３図
）においては、筒状誘電体の両端縁に設けられる第１電
極および第２電極にそれぞれ当接される貫通導体の鍔部
の当接部の形状および接地用金属板の接合部の形状を線
状に狭くしであるので、各当接部の当接面積が狭く、当
接する部分は路線接触することになり、当接部での隙間
が発生しにくい。そのためクリーム半田中の溶剤及びフ
ラックスが溶出しやすく、ボイドが発生しにくい。また
、半田トンネルも発生しにくい。

本発明の他の実施例（第２６図）においては、ファスト
ンタブ（４ａ）に外力が加わる際、筒状誘電体（１）の
クラックが入る前にファストンタブ（４ａ）が凹部（２
６）（２６’）或いは（２７）（２７’）で曲がるよう
にして、ここで外力を吸収させ、筒状誘電体（１）の破
損を防止する。

（へ）実施例 第１図は本発明の実施例を示し、図番は第２８図および
第２９図と対応するものには同一符号をつけて示す。こ
の実施例では円筒状誘電体（１）の内側に、ＪＩＳ規格
による針入度６０、伸び率８５０％のシリコーンゲル（
１１）を注入充填する。また、筒状誘電体（１）の外側
にはＪＩＳ規格によるショア硬度Ｄ−９０のエポキシ樹
脂（１２）を充填して硬化させ、貫通導体（４）の軸方
向に１５ｋｇ−ｆの強度を持たせる。

第２図には本発明の他の実施例を示し、筒状誘電体（１
）の内外とも針入度６０、伸び率８５０％のシリコーン
ゲル（１１）を充填し、シリコーンゲル（１１）の上に
ショア硬度Ｄ−９０のエポキシ樹脂層（１２）（１２’
）を形成する。このような二層構造にすることにより耐
湿性はさらに良くなり、また、貫通導体（４）の軸方向
に１５ｋｇ−ｆの強度を持たせることができる。

このようにして耐熱試験やヒートショック試験の際の外
装ケース（９）と円筒状誘電体（１）の熱膨張による応
力を吸収し、緩和することができる。

このようなシリコーンゲルを筒状誘電体に充填すると、
シリコーンゲルは余りにも硬度が足らな過ぎるという場
合には、これよりも遥かに硬度の高い自己接着性シリコ
ーンゴムを使用してもよい。

次に自己接着性シリコーンゴムを使用する実施例につい
て第３図と共に説明する。第１図と同一部品については
同一符号をつけて示す。

第３図においては、貫通誘電体（４）と鍔状接続金具（
１３）はヘッダー加工により一本の金属棒を使って一体
成形にて作られている。鍔状接続金具（１３）と電極（
２）の接続及び接地用拡大金属板（６）と電極（３］の
接続は錫と銀（Ｓｎ−Ａｇ）共晶半田を用いる。この溶
融温度は２２０℃であり、５ｎ−Ｐｂ共共生半田溶融温
度１８３℃よりも高いので、耐熱性が良い。また、外装
ケース（９）や絶縁カバー（１０）は耐熱性の良好なｐ
ｐｓ　（ポリフェニレン・サルファイド）樹脂やＰＢＴ
（ポリブチレンテレフタレート）樹脂等を用いる。この
ＰＢＴ樹脂の熱変形温度は約２１０℃、ｐｐｓｔｉｉ？
脂のそれは２６０℃である。

絶縁材として使用される自己接着性シリコーンゴム（１
４）としては、例えば来夏シリコーン（株）製自己接着
性シリコーンＴＳＥ３３３１を用いる。このＴＳＥ３３
３１は２液タイプの加熱硬化型シリコーンゴムであり、
加熱することにより硬化する。この２液タイプとは主剤
（Ａ）と硬化剤（Ｂ）とを混合してできる。

次に本発明の貫通形コンデンサの製造方法について説明
する。

■　粉末状セラミックス（例えばチタン酸バリウム）を
円筒状誘電体（１）に成形 ■　焼結 ■　電極（２）（３）形成（円筒状誘電体の両端縁にベ
ースト状Ａｇまたはペースト状Ａｇ−Ｐａを印刷後、焼
成する） ■　両電極（２）（３）表面にクリーム半田印刷■　組
立（筒状誘電体（１）と貫通導電体（４）と接地用拡大
金属板（６）とを治具を使って組立てる） ■　半田付（リフロー炉により両電極（２）（３）と接
続金具（１３）や金属板（６）との半田接続）■　洗浄
（フロン液、トリクロロエタン液等で洗浄） ■　絶縁樹脂（１４）注型 次にこのようにして製造した第３図に示す如き貫通形コ
ンデンサの特性について述べる。

第５図は貫通形コンデンサの温度と破壊電圧（Ｂ、Ｄ、
　　Ｖ、：　Ｂｒｅａｋ　Ｄｏｗｎ　Ｖｏｌｔａｇｅ）
との関係を示す特性図であり、同図（ａ）は絶縁材とし
てエポキシ樹脂を使用した第２８図に示す如き従来例の
特性を示し、同図（ｂ）は本発明の特性図を示す。

尚、この測定は次のようにして行なっている。

即ち、第５図（ａ）においては同一ロットのサンプルの
中から任意に数個を抽出し、高絶縁材であるシリコーン
オイル中に入れて、シリコーンオイルを加熱し、例えば
１２０℃に１０〜１５分間保持した後、シリコーンオイ
ル中で貫通形コンデンサの接地用拡大金属板（６）と貫
通導電体（４）間に交流高電圧を印加すると、このサン
プル数個の平均破壊電圧は２６．５　ｋＶ　（Ａ、Ｃ）
であったことを示している。他のデータも同様にして測
定している。

この第５図（ａ）の従来例では１５０℃において絶縁破
壊電圧がようや（１０ｋＶ　（Ａ、Ｃ）を越える程度ま
で急速に降下しており、破壊電圧は通常１０　ｋＶ　（
Ａ、　Ｃ）以上必要であるから、１５０℃が使用限界で
あることが判る。これに対し、本発明の貫通形コンデン
サは同図（ｂ）に示す如く２００℃においても３０　ｋ
Ｖ　（Ａ、　Ｃ）の破壊電圧を示しており、従来例より
も遥かに破壊電圧が高いことが判かる。

第６図は同一ロットから任意に取り出したサンプル２０
個について、常温（２０℃）における従来例と本発明の
初期の破壊電圧（ＢＤＶ）の度数分布を示す図である。

この図から従来例よりも耐電圧性が向上していることが
判る。第７図は耐熱性の比較を行なうために、１５０℃
の恒温槽中に１０００時間放置後の破壊電圧（ＢＤＶ）
の度、数分布を示す図である。この第７図から従来例で
は１、５０℃においては全て１０ｋＶ以下で絶縁破壊を
起こしているが、本発明の例においては第６図における
初期の分布と殆ど変らない特性を示している。第８図は
一４０℃の恒温槽の中に３０分間、次に１５０℃の恒温
槽の中に３０分間交互に入れ換える熱衝撃試験を２００
サイクル繰り返した後の常温（２０℃）における資料１
０個の破壊電圧の度数分布を示す。この図と第６図を比
較してみれば判かる如く、従来例では熱衝撃試験後には
絶縁破壊電圧が非常に低下しているが、本発明の例では
初期の状態と変わらない分布を示している。

次に本発明の他の実施例を第４図に示す。この実施例に
おいては筒状誘電体（１）の内周面に対向する貫通導体
（４）の周囲に、テフロンコーティング、シリコーング
リース、或はシリコーンチューブやテフロンチューブ［
例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）　、
テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニル
エーテル共重合体（ＰＦＡ）、　　またテトラフルオロ
エチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ
）のチューブ］等の自己接着性シリコーンゴム（例えば
来夏シリコーン（株）！！ＴＳＥ　　３３３１）と接着
し難い離型層（１５）を、前記内周面に対向する誘電体
（１）の軸方向の長さよりも少し長く設けることを特徴
とするものである。このような離型層（１５）を設けた
後、筒状誘電体（１）と貫通導体（８）との間に自己接
着性シリコーンゴム（例えばＴＳＥ　３３３１　）　（
１４）を絶縁材として充填する。

このようにすれば、貫通導体（４）と注型された自己接
着性シリコーンゴム（１４）とは接着しないが、筒状誘
電体（１）と自己接着性シリコーンゴム（１４）とはよ
く付着しているので、熱衝撃試験の如き熱衝撃が加えら
れた際の残留応力によっても筒状誘電体（１）と自己接
着性シリコーンゴム（１４）との剥離は全く起こらない
し、離型層（１５）から離れた部分の貫通導体（４）は
自己接着性シリコーンゴム（１４）により強固に接着さ
れているので、耐湿性、耐温性、耐電圧特性ともに極め
て良好となる。尚、この際、使用するシリコーンチュー
ブは単なる離型層を設けるためのものである故、°従来
例である第２８図に使用するシリコーンチューブの肉厚
（約０．５ｍｍ）よりも遥かに肉薄（例えば約０　、　
］　ｒｒｍ　）で、而も弾性のとぼしいものでよい 更に次に本発明の他の実施例について説明する。これは
第４図の実施例におけるテフロンコーティング等による
離型層（１５）の代りに、筒状誘電体（１）に対向する
貫通導体（４）の周囲に自己接着性シリコーンゴムと接
着し難いニッケルメッキを、対向する誘電体（１）の軸
方向の長さよりも長く設けることを特徴とするものであ
る。このように自己接着性シリコーンゴム（１４）と接
着し難いメッキを施しても第３図における効果と同様の
効果を得ることができる。

さて、マグネトロン等の電源供給ラインに接続して使用
する高圧用貫通形コンデンサにおいては、貫通導体（４
）はΦｅの２本必要であるので、実際の貫通形コンデン
サは第９図に示す如く、円筒状誘電体（１）（１°）、
ヘッダー加工により一本の金属棒から鍔状接続金具（１
３）（１３’）を設けた貫通導体（４）（４’）、接地
用拡大金属板（６）、外装ケース（図示せず）および絶
縁カバー（図示せず）と組合わせ、前述のような方法に
より自己接着性シリコーンゴム（図示せず）をそ中に充
填して作る。（４ａ）（４ａ’）はファストンタブであ
り、コネクター金具の雄型端子の役割をなし、電子レン
ジ側の雌型端子ソケット（ファストン・リセプタクル）
に挿入して接続される。

次に本発明の他の実施例について第１Ｏ図と共に説明す
る。この実施例の高圧用貫通形コンデンサにおいては、
外装絶縁ケース（９）及び絶縁カバー（１０）を使用せ
ず、自己接着性シリコーンゴムが直接裸出する構造にな
っている。

この実施例の製造方法について説明すると、前述の第３
図の実施例の製造方法における工程■の後に、■型（テ
フロン）をはずすという工程がある。

尚、■の注型にはテフロンの型を用いる。テフロンはシ
リコーンと接着しないので、型を簡単に取りはずすこと
ができる。この場合にも第６図、第７図および第８図に
示したのと同様の特性が得られる。

次に耐トラツキング特性については次のような試験を行
なった。即ち、縦３０ｃｍ、横３０ｃｍ１高さ４０ｃｍ
の甜脂製の箱の天板に貫通コンデンサを吊り下げ、下方
から超音波加湿器により水を噴霧する。この状態で貫通
コンデンサの貫通導体（４）と接地用金属板（６）との
間に５ｋｖ（ＡＣ）を印加する。そして、カットオフ電
流として１０ｍＡを選び、放電が始まって貫通導体（４
）と金属板（６）との間に１０ｍＡの電流が流れ始める
までの時間を測定すると共にその次点で一旦、電圧の印
加を中止する。そして放電後のコンデンサ素子の表面を
乾いた布でふきとり、第２回目の試験を行なう。以下第
３回、第４回と同様にして測定する。任意に取り出した
サンプル３個についてその試験結果を第１表に示す。尚
、この表において本発明の実施例第１０図の第４回目の
試験においては２００分測定しても放電しないので、そ
れ以降は測位を途中で終了した。

以下余白 第　　１　　表 第１表から判る如く、従来例（第２８図）では−旦放電
すると、外装ケース（９）や絶縁ケース（ｌＯ）が炭化
し、通電路ができて、ケース表面に短絡路が完成するの
で、−旦放電すると、不良品となって使用できなくなる
。これに対し本発明では通電路ができないので、何度で
も元の状態に復帰し、耐トラツキング性が向上する。

次に本発明の他の実施例を第１１図に示す。この実施例
においては第１Ｏ図における前状誘電体（１）に対向す
る貫通導体（４）の周囲に、第４図の場合と同様にテフ
ロンコーティング、シリコーングリース或はシリコーン
チューブ等の自己接着性シリコーンゴム（例えば来夏シ
リコーン（株）！！！！ＴＳＥ３３３１）と接着し難い
離型層（１５）を、対向する誘電体（１）の軸方向の長
さよりも少し長く設けている。このような離型層（１５
）を設けた後、節状誘電体（１）と貫通導体（４）との
間に自己接着性シリコーンゴム（例えばＴＳＥ３３３１
）　（１４）を絶縁剤として充填する。従って第４図の
場合と同様の特徴が得られる。

更に他の実施例について第１２図と共に説明する。この
実施例の特徴は、貫通導体（４）の表面をニッケル等の
自己接着性シリコーンゴム（１４）との接着力が比較的
弱い金属でメッキされた層（１６）を設け、貫通導体（
４）の中央部に非接着領域を形成した点である。

以下、第１２図および第１３図を参照しながら非接着領
域（１７）の形成方法を説明する。コンデンサ素子の組
立ては第１０図と同様であり、貫通導体（４）は筒状誘
電体（１）の内部を貫通しており、貫通導体（４）と一
体に設けられた接続片と筒状誘電体（１）上の第１１電
極（２）を半田付等で電気的（こ接続する。また、筒状
誘電体（１）の他方の第２電極（３）は、接地用拡大金
属板（６）に設けられた上方折曲部（６ｂ）に接続され
る。そして、自己接着性シリコーンゴム（１４）を充填
硬化することにより高圧用貫通形コンデンサが形成され
る。

ここで、第１３図に示すように自己接着性シリコーンゴ
ム（１４）を充填硬化したとき、貫通導体（４）の表面
のなかで外側に筒状誘電体（１）が配設されている中央
部分においては筒状誘電体（１）の内壁（１ａ）へ自己
接着性シリコーンゴム（１４）が接着しようとする力（
Ｆ、）と貫通導体（４）へ自己接着性シリコーンゴム（
１４）が接着しようとする力（Ｆ、）が相反して働く。

そして、一般に筒状誘電体（１）の内壁（１ａ）と自己
接着性シリコーンゴムのせん断接着強さが約１５ｋｇ／
ｃｍ”と高いのに対し、貫通導体（４）と自己接着性シ
リコーンゴム（１４）のせん断接着強さは約７　ｋｇ　
／　ｃｍ　’と比較的弱い。従って、全体として（Ｆｌ
−Ｆｌ）の力が外向きに働き、自己接着性シリコーンゴ
ム（１４）が筒状誘電体（１）の内壁側に引張られ、貫
通導体（４）上に非接着領域（１７）が形成される。

また、貫通導体（４）のその他の部分については筒状誘
電体（１）が配設されていないため、貫通導体（４）へ
自己接着性シリコーンゴム（１４）が接着シようとする
力（Ｆ、）のみが働き、貫通導体（４）に結合される。

この結果、貫通導体（４）の両端部においては貫通導体
と自己接着性シリコーンゴム（１４）が結合され、また
、貫通導体（４）の中央部においては、非接着領域（１
７）を形成し、貫通導体（４）と自己接着性シリコーン
ゴム（１４）は離れた状態となる。従って、急激な温度
変化等による貫通導体（４）の膨張が極力押えることが
でき、自己接着性シリコーンゴム（１４）に温度変化に
よる応力電極力押えることができ、自己接着性シリコー
ンゴム（１４）の劣化を押えることができる。

次に本発明の他の実施例である自己接着性シリコーンゴ
ムの硬化反応を行なわせる方法に関して第１Ｏ図と共に
説明する。

実施例（１） 絶縁材として使用される自己接着性シリコーンゴム（１
４）としては、例えば来夏シリコーン（株）製自己接着
性シリコーンＴＳＥ３３３１を用いる。このＴＳＥ３３
３１は２掖タイプの加熱硬化型シリコーンゴムである。

この２液タイプとは主剤（Ａ）と硬化剤（Ｂ）とを混合
してできる。この実施例では外装ケース（９）や絶縁カ
バー（１０）は用いず、自己接着性シリコーン（１４）
が直接裸出する構成となっている。

次に本発明の作用について詳細に説明する。その前に先
ず、１００℃以上の高温で硬化反応と接着反応を同時に
行なわせる従来の製造方法で、絶縁材として自己接着性
シリコーンゴムを使用した高圧用貫通形コンデンサの絶
縁破壊電圧（Ｂ。

Ｄ、Ｖ　；　Ｂｒｅａｋ　Ｄｏｗｎ　Ｖｏｌｔａｇｅ）
特性について述べる。従来の製造方法で製造した貫通形
コンデンサの絶縁破壊試験後、それを解析してみると、
低い電圧（２６〜３２　ｋＶＡＣ位）で破壊した素子は
、貫通形誘電体（１）の貫通孔内油とシリコーンゴムの
界面の放電であり、一方高い電圧（３４〜４０　ｋＶＡ
Ｃ位）で破壊した素子は、貫通形誘電体がバラバラに破
壊されていた。このように二種類の破壊モードが現われ
た原因は、貫通形誘電体の貫通化内湯とシリコーンゴム
の接着のバラツキが考えられる。

第１４図は高温で硬化反応と接着反応を同時に行なう従
来の製造方法の特性を示す。即ち、第１４図（ａ）は１
００℃以上の高温加熱時を示し、この状態では硬化反応
と接着反応が同時に進行する。そして硬化時に１００℃
以上の温度がかかつていると、貫通導体が膨張した状態
で自己接着性シリコーンゴムが硬化し、接着する。その
際、金属の貫通導体（４）は太線矢印の方向に熱膨張し
て太くなっている。第１４図（ｂ）は室温状態を示し、
このように室温状態になると、貫通導体（４）は収縮す
るので、自己接着性シリコーンゴム層は貫通導体に引張
られて、残留応力は破線矢印の如くなる。

第１５図は本発明の二段階のステップキュアーを行なっ
て製造した場合の特性を示す。第１５図（ａ）は硬化反
応のみが進行する低温加熱時を示し、貫通導体（４）の
膨張は小さい。第１５図（ｂ）は高温加熱で而も接着反
応のみが進行しており、自己接着性シリコーンゴム（１
４）は接着反応時に貫通導体（４）の太線矢印方向への
膨張により細い破線矢印方向に押されている。しかし、
第１５図（ｃ）の室温に戻れば、貫通導体（４）による
応力は受けない。

このように、従来の製造方法ではシリコーンゴム層は引
張られ、接着をはがす方向に応力を受けるのに対して、
本発明の製造方法によればシリコーンゴム層は押される
だけで、接着をはがす方向の応力は受けない。また、シ
リコーンゴムの強度も引張られよりは押される方が強い
。

また、貫通導体（４）の膨張の影響を抑えるため、線膨
張係数の小さい金属材料を貫通導体に用いる方が好まし
い。即ち、第１４図および第１５図の説明かられかるよ
うに、貫通導体（４）の熱膨張は極力抑える方が望まし
いので、線膨張係数の小さい金属材料を用いる。例えば
、アンバー（３６Ｎｉ−Ｆｅ、２．０Ｘ１０−’）、４
２アロイ（４２Ｎ　１−Ｆｅ、６．５−７．ＯＸｌ　０
−’）　、Ｆｅ　（１１，５Ｘ　１０−’）等を用いる
とよい。

次に本発明の貫通形コンデンサの製造方法について説明
する。次のステップ■〜■までは第３図の実施例と全く
同じであり、本発明の実施例第１０図の特徴はステップ
■以降にある。すなわち、 ■　粉末状セラミックス（例えばチタン酸バリウム）を
円筒状誘電体（１）に成形 ■　焼結 ＆ ■　電極形成（円筒状誘電体の両端縁にペースト状Ａｇ
またはペースト状Ａｇ−Ｐａを印刷後、焼成する） ■　両電極（２）（３）表面にクリーム半田印刷■　組
立（筒状誘電体（１）と貫通導電体（４）と接地用拡大
金属板（６）とを治具を使って組立てる） ■　半田付（リフロー炉により両電極（２）（３）と接
続金具（１３）や金属板（６）との半田接続）■　洗浄
（フロン液、トリクロロエタン液等で洗浄） ■　自己接着性シリコーンゴムの秤量と混合■　脱泡（
１）（１０ｍｍＨｇ以下） 呑 Ｏテフロン製型にシリコーンゴム注入 具 ■　脱泡（２）（１０ｍｍＨｇ以下） ■　５０℃、４８時間（硬化反応） ０１２０℃、１〜２時間（接着反応） ■　反転（接地用金属板（６）に関して反対側に注入の
ため） ■　■〜＠繰り返す ［株］　テフロン製型からはずす 尚、テフロン製型はシリコーンゴムと接着しないので、
簡単に取りはずすことができる。また、絶縁ケースや絶
縁カバーを用いても、貫通形誘電体の貫通孔内油とシリ
コーンゴムの接着には影響を与えないので、かまわない
。

実施例（２） 実施例（１）で用いたＴＳＥ３３３１は、前記説明の硬
化反応と接着反応を同時に行なわせる使われ方が一般で
あるため、低温での硬化反応の速度が非常に遅く、作業
性が悪い。これはポットライフ（作業可能時間・・・初
期粘度が倍になるまでの時間）を長くする（８時間）た
めに、反応遅延剤が多く含まれているからである。そこ
で、実施例（２）では、貫通型コンデンサの構造、製造
方法は実施例（１）と全く同じで、使用する自己接着性
シリコーンのみをかえる。

即ち、低温で硬化反応が速く進むように、反応遅延剤を
少なくした自己接着性シリコーンゴムを用いる。例えば
来夏シリコーン製ＸＥ１４−８０４を用いる。このシリ
コーンゴムは５０℃、２時間で硬化し、１２０℃、１時
間で接着するので、作業時間が短くなる。但し、ポット
ライフがＴＳＥ３３３１よりも短い（１時間）。このよ
うに作成された貫通形コンデンサの耐圧性の評価のため
、初期破壊電圧分布を第１６図および第１７図に示す。

第１６図は従来の製造方法による場合の度数分布を示し
、低い電圧から高い電圧にわたって広く分布している。

第１７図は本発明の製造方法による場合の度数分布を示
し、高電圧に集中して分布していることが判る。尚、第
１６図および第１７図は同一ロットから任意に取り出し
たサンプル２０個について、常温（２０℃）における初
期の破壊電圧（ＢＤＶ）の度数分布を示す図である。

更に、本発明の他の実施例（例えば第１０図）は上述の
如く構成された高圧用貫通形コンデンサに沿面放電処理
を施こすことを特徴とする。

以下、沿面放電処理方法について詳細に説明する。まず
、自己接着性シリコーンゴムを充填硬化した高圧用貫通
形コンデンサを多湿状態の密閉筐体内に配置する。尚、
多湿状態の形成方法としては、超音波加湿器等を密閉筐
体内に配設し、水を噴霧することにより行なう。次にこ
の多湿状態の筐体中にて高圧用貫通形コンデンサの両端
子間にカットオフ電流を１０ｍＡに設定し、５ＫＶの交
流電圧を印加する。そして、コンデンサ素子の外表面に
第１回目の放電が発生するまで、この状態を維持する。

この後再度沿面放電処理を繰り返し行なう。

以下、第２表に各サンプル（Ａ、Ｂ、Ｃ）毎に放電回数
および放電するまでの時間を記載する。

第　　２　　表　　　　　　　（単位二分）（尚、「放
電せず」の状態は２００分試験したが、放電しなかった
ため測定を中止した。）第２表からも明らかなように沿
面放電処理を２回行なっただけでは各サンプルＡ、Ｂ、
Ｃはすべて１時間以内に再度放電をしていた。これに対
し、沿面放電処理を３回行なったものは３時間経過して
も放電することはなかった。

これは次の理由による。即ち、（イ）粗い表面をしてい
る自己接着性シリコーンゴムに沿面放電処理を施こすこ
とにより、自己接着性シリコーンゴムの外表面に絶縁物
質（Ｓｉｎ、）が発生し、（ロ）一般にシリコーンゴム
は静電気が帯電しやすいので、その表面に塵埃がつきや
すいが、絶縁物質（Ｓｉｎ、）は帯電しにくいので、塵
埃が付着しにくい、更に（ハ）この絶縁物質が自己接着
性シリコーンゴムの外表面に発生することにより、自己
接着性シリコーンゴムの外表面が滑らかになり、従来の
外表面が粗い自己接着性シリコーンゴムにおいては、そ
の外表面にホコリ、水滴等が付着しやすく、ホコリの炭
化および水滴による短絡が起こりやすいが、本実施例に
おいてはシリコーンゴムの外表面が滑らかであるため、
たとえ水分が露結してもすぐに流れ落ち、塵埃もたまり
にくい。このようなことが和動いて沿面リークの発生が
抑制される。

次に本発明の更に他の実施例を説明するが、その前に高
圧用貫通形コンデンサにおけるセラミックスの筒状誘電
体上の第１電極（２）と接続金属板（５）の接合部およ
び筒状誘電体の第２電極（３）と接地金属板（６）との
接合部に半田の欠落部やボイドが発生しやすいという問
題について説明する。

即ち、第１８図に示す如くセラミックスの筒状誘電体（
１）の上下端面は銀（Ａ、ｇ）或はＡｇ−Ｐａの焼き付
は電極（２）（３）が形成されており、この電極（２）
の接続金属板（１３）との接合部（１８）及び電極（３
）と接地金属板（６）との接合部（１９）はクリーム半
田（１８ａ　）（１９ａ　）で接続されている。このク
リーム半田は印刷しやすくするため多量の溶剤を含んで
おり、ペースト状になっている。この溶剤や半田フラッ
クスは通常は半田溶融時に完全に外部に溶出したり、或
は空気中に揮発してしまうのであるが、クリーム半田の
塗布量、加熱温度、加熱温度の時間の具合により半田層
中に残り、半田層中に泡状の空隙ボイド（１８ｂ）　（
１９ｂ）が発生する。これは電極（２）と接続金属板（
１５）および電極（３）と接地金属板（６）との当接面
積が広く、面接触となっているためである。接合部（１
８）（１９）にボイドが多量に発生すると、それぞれ電
極（２）および（３）の金属板（１３）および（６）と
の接合強度が低下する。

而もこれら半田の付着後洗浄を行なっても残留フラック
スが残りやすく、この残留フラックスは絶縁樹脂（１４
）（１４’）として本発明の実施例であるシリコーンゴ
ムを使用した際、シリコーンゴムの接着反応に悪影響を
及ぼす。なぜならば、フラックスは付加型シリコーンゴ
ムに硬化阻害を及ぼすからである。また、面接触で接合
する場合、それぞれの平面度の精度が良くないと隙間が
発生し、半田トンネルが発生する。半田トンネルが発生
した場合、第１９図に示すように樹脂漏れ（２０）が起
こり、耐圧不良を引きおこす。その理由は次の通りであ
る。即ち、第１９図に示す如く筒状誘電体（１）の外周
と所定間隔をあけてテフロン製型（２１）を装着し、矢
印（Ａ）方向からシリコーンゴム（１４）を注入すると
、シリコーンゴムが半田トンネル（１８ｃ）（１９ｃ）
の間隔を通過してセラミック素体（１）の貫通孔の内周
面及び接地用金属板（６）の内側に漏洩する。この状態
でシリコーンゴムを硬化させ、次に第２０図に示す如く
反転し、テフロン製型（２２）を装着して今度は反対側
から矢印（Ｂ）方向にシリコーンゴム（１４°）を注入
すると、先に漏れて硬化したシリコーンゴム（２０）と
後から注入したシリコーンゴム（１４’）とは接着しな
いし、また、先に漏れたシリコーンゴムの周辺も接着し
にくくなる。このような接着不良が発生すると、耐圧不
良を引きおこす。

次にこのような問題を解決できる本発明の他の実施例を
第２１図〜第２３図に示す。これは筒状誘電体（１）の
両端面に設けられたそれぞれ第１？＄電極（２）および
第２電極（３）に当接される貫通導体（４）の鍔部（１
３）の当接部（２３）の形状および接地用金属板（６）
の接合部（２４）の形状を線状に狭くするものである。

即ち、第２１図においては当接部（２３）の形状を鋭く
尖った形状とすると共に接地用金属板（６）の接合部（
２４）の形状を板厚骨とするよう接地用金属板（６）を
立ち上げ形状にしている。また、第２２図においては、
貫通導体（４）の鍔（１３）側の形状は第２１図と同じ
であるが、接地用金属板（６）の接合部（２４）の形状
を第２１図よりも更に尖鋭にするため接地用金属板（６
）の端縁部を第２電極（３）の面に対し略４５°に立ち
上げ、且つ先端の側断面を第２電極（３）の面に対し垂
直となるように切断している。

第２３図は接地用金属板（６）の接合部（２４）の形状
をプレス時のパリの影響をなくすために折り曲げ形状に
している。この場合の半田付（２３ａ）（２４ａ）の状
態を第２４図に示す。

そして、これら第２１図〜第２４図のいずれの実施例に
おいてもクリーム半田（２３ａ　）（２４ａ　）中の溶
剤は加熱溶融する半田付着時に揮発し乍ら半田の外方に
溶出し、半田層中には全く残らなくなり、従ってボイド
は発生しない。それは当接部（２３）および接合部（２
４）の接合面積が極めて狭く、路線接触になっているか
らである。また、この場合、従来の面接触の場合と比較
して接合部での隙間が発生しにくく、従って半田トンネ
ルも発生しにくい。このように、これらの実施例におい
ては半田層のボイド及び半田トンネルが発生しにくいの
で、半田トンネルを通過してシリコーンゴムが筒状誘電
体（１）の他の側へ漏出する現象は起こらず、従って耐
圧不良も減少し、且つ接合強度も向上して信頼性が向上
する。

次に貫通導体に外力が加えられても、筒状誘電体（１）
にクラック等が起らないようにした本発明の他の実施例
について説明する。

即ち、第９図に示す如き実施例において、ファストンタ
ブ（４ａ）に第２５図に示す如き矢印（Ａ）或は（Ａ′
）方向の一定値以上の力、或は矢印（Ａ）（Ａ′）に対
し垂直方向、即ちファストンタブ（４ａ）の面に垂直方
向（Ｂ　）（Ｂ　’）の成る値以上の力が加わえられる
と、貫通導体（４）の鍔部（１３）と筒状誘導体（１）
上の第１電極（２）とを接合している半田接合部（１８
）周辺で筒状誘導体（１）にヒビ割れ（クラック）　（
２５）が発生することがある。即ち、ファストンタブ（
４ａ）の先端に矢印（Ａ）又は（Ａ′）、或は（Ｂ）又
は（Ｂ゛）に４ｋｇ以上の力を加わえると、クラック（
２５）が入る。この状態で高電圧が印加されると、絶縁
不良となる。ファストンタブ（４ａ）に力が加わるのは
電子レンジのマグネトロン（図示せず）へ高電圧貫通コ
ンデンサを取り付ける時と、その後のマグネトロンの検
査工程と、マグネトロンを電子レンジに取り付ける時と
である。通常の取り扱いでは筒状誘電体（１）の半田接
合部（１８）付近での破壊は起らない。しかし乍ら、電
子レンジの取付部に無理に取り付けようとしたり、また
、−旦、取りつけたファストンタブ（４ａ）を抜き取ろ
うとしたり、また、落下等のためファストンタブに無理
な力が加わる場合に破壊につながることがある。仮に、
半田接合部（１８）の周辺にクラックが発生した場合、
その部分は、シリコーンゴムで覆われているため、外観
上不良と判断できない。このため、最終検査で耐圧不良
となる。

このような筒状誘電体のクラック発生による絶縁不良と
いう問題がある。

次にこのような筒状誘電体のクラックを防止できる本発
明の他の実施例について第２６図と共に説明する。第２
６図において、鍔部（１３）は鉄製の貫通導体（４）と
一体にヘッダープレス加工により成形される。次にファ
ストンタブ（４ａ）の両面に互いに並行な凹部（２６）
（２６’）を設けると共にファストンタブ（４ａ）と鍔
部（１３）との間においてタブ（４ａ）の面と直交する
方向に且つ互に平行な凹部（２７）（２７°）を設ける
。そしてこのタブ表面にはニッケル或はスズ等でメッキ
を施す。

さて、凹部（２７）（２７’）間の肉厚（ｔｌ）と、力
（Ｆ、）のタブ（４ａ）先端への印加によりタブが凹部
（２７）（２７′）において曲がり始める時の力の大き
さとの関係は第３表に示す通りである。尚、Ｌ、＝１７
ｍｍ％　Ｌ＊＝＝８．５ｍｍ５　Ｌ＋＝１９ｍｍ％ＶＢ
＝Ｗｓ＝１ｍｍである。

第　　３　　表 また、凹部（２６）（２６°）間の肉厚（（１）と、力
（Ｆ、）のタブ（４ａ）先端への印加によりタブが凹部
（２６）（２６″）において曲がり始める時の力の大き
さとの関係は第４表に示す通りである。

第　　４　　表 本発明者の実験によると、筒状誘電体（１）の第１電極
（２）の半田接合部近辺での誘電体の破損は（Ｆ、）お
よび（Ｆ、）とも４−で起こるので、第３表および第４
表から判かる如く、凹部（２７）（２７°）の肉厚（（
１）はＱ、９ｍｍ以下、また凹部（２６）（２６゛）の
肉厚（ｔハは０．６ミリ以下でなければ効果がない。し
かし乍ら肉＊（１＋）および（ｔ、）を余り薄くすると
、この貫通形コンデンサをマグネトロン及び電子レンジ
に取り付ける作業中や検査工程中で少しの外力によりタ
ブ（４ａ）が曲がってしまい、外観不良となる。

また、電子レンジの動作時には貫通導体（４）に約１０
（Ａ）の電流が流れるので、肉厚（１＋）（１１）が薄
過ぎると、ジュール熱による発熱が大きくなる。更にま
た、各国における規格からの制限があり、例えば、Ｌ、
はＢＳ規格ではＬ　ｔ　”　７　、９　ｍｍ、ＤＩＮ規
格ではり、＝８−であるから、これらを満足させるため
、Ｌ、は８Ｍ以上となる。

このように凹部（２７）（２７’）および（２６）（２
６’）を設けることにより外力（Ｆ、）（Ｆ、）が加わ
る際、筒状誘重体（１）が破損する前に凹部（２７）（
２７’）或は（２６）（２６’）でタブが曲がることに
より外力を吸収し、誘電体の破損を防止する。

第２７図は第２６図の貫通導体（４）を２本使用して組
立てた本発明の実際の高圧貫通形コンデンサである。

（ト）発明の効果 このように本発明の高圧用貫通形コンデンサによれば、
耐電圧性、耐熱性、耐熱衝撃性の特性が従来例より大幅
に向上し、特に耐熱特性においては１５０℃で連続して
も何ら問題はないという大きな効果が得られる。

また、実施例第１０図および第１１図の如き実施例にお
いては筒状誘電体（１）の外周を自己接着性シリコーン
よりなる絶縁樹脂のみにて被覆しており、耐トラツキン
グ性の特性が大幅に向上する。

更に、第４に示す如き実施例においては、筒状誘電体（
１）の内周面に対向する貫通導体（４）の周囲にテフロ
ンコーティング、シリコーングリース或はシリコーンチ
ューブテフロンチューブ等の自己接着性シリコーンゴム
と接着し難い離型層（１５）を設けているので、貫通導
体（４）と自己接着性シリコーンゴム（１４）とは接着
しないが、筒状誘電体（１）の内周面と自己接着性シリ
コーンゴム（１４）とはよく接着しているので、熱衝撃
によっても自己接着性シリコーンゴムの剥離は全く起こ
らない。

そして、この場合は貫通導体に絶縁チューブを貫挿する
ようなことをしないので、作業性がよくコストダウンが
計れるばかりが、耐湿性、耐熱性、耐電圧性の安定且つ
優れた貫通形コンデンサが得られる。更に、第１２図に
示す如き実施例においては貫通導体の表面を比較的結合
力の弱い金属にてメッキ処理を施すことにより、貫通導
体の中央部に非接着領域を形成することができ、温度変
化による自己接着性シリコーンゴムの劣化を防ぎ、より
耐熱性に優れた貫通形コンデンサを得ることができる。

本発明の他の実施例においては自己接着性シリコーンゴ
ムよりなる絶縁樹脂にて被覆する際、低温で硬化反応を
行なわせた後、加熱して高温で接着付与の反応を行なわ
せるので、耐電圧性のバラツキを小さくすることができ
、そして耐電圧特性が向上し５、全体として信頼性の高
い貫通形コンデンサが得られる。

更に、また、他の実施例においては自己接着性シリコー
ンゴムの外表面に沿面放電処理を行なうため、沿面リー
クを抑えることができる。

更にまた、第２１図、第２２図および第２３図に示す如
き実施例においては貫通導体の第１電極および／或は第
２電極に当接される接合部の形状が路線状に狭くなって
いるので、半田層のボイド及び半田トンネルが減少し、
それに伴い自己接着性ゴムの漏出もなくなるので、耐圧
不良も減少し、接合強度が向上し、全体の信頼性が向上
する。また、第２６図に示す如き実施例においては貫通
導体に外部抑圧吸収用の凹部が設けられているので、貫
通導体に外部から力が加っても前記凹部の部分で押圧力
が吸収され、筒状誘電体が破損する虞れがなく、更にこ
の凹部での曲りにより外観から不良を判断することもで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図および第４図はいずれも本発明
の高圧用貫通形コンデンサの断面図、第５図、第６図、
第７図および第８図は本発明のコンデンサと従来例との
特性の比較図、第９図は本発明の具体的構成の分解斜視
図、第１０図、第１１図および第１２図はいずれも本発
明の他の実施例である高圧用貫通形コンデンサの断面図
、第１３図は本発明の自己接着性シリコーンゴムの接着
方向を示す図面であり、同図（ａ）は第１２図の要部拡
大図、同図（ｂ）は第１２図におけるＹ−Ｙ’断面図、
第１４図および第１５図はそれぞれ従来方法と本発明の
製造方法の内部作用を説明する図面。第１６図および第
１７図はそれぞれ従来方法と本発明の製造方法による場
合の破壊電圧の度数分布図、第、１８図、第１９図およ
び第２０図は筒状誘電体の第１電極に当接される貫通導
体の鍔部の形状と第２電極に当接される接地用金属板の
形状を広い面接触にした時の欠点を説明するための要部
断面図、第２１図、第２２図および第２３図は筒状誘電
体の両端面の第１電極および第２１電極にそれぞれ当接
される鍔部の当接部および接地用金属板の接合部の形状
を路線状にした本発明の他の実施例を示す要部断面図、
第２４図は第２３図の要部拡大断面図、第２５図は貫通
導体のファストンタブに外力が加わり、筒状誘電体にク
ラックが入った状態を対断面図、第２６図は貫通導体の
ファストンタブおよび鍔部の少許上方に四部を設けた本
発明の他の実施例を示す図面、第２７図は第２６図の貫
通導体を使用した本発明の組立完成図の断面図、第２８
図は従来の高圧用貫通形コンデンサを説明するための断
面図、第２９５Ａは同コンデンサに使用しているエポキ
シ樹脂の硬化収縮方向を示す図面であり、同図（ａ）は
第２８図の要部拡大図、同図（ｂ）は第２８図における
（Ｘ−ｘ’）方向の断面図である。 （１）・・・筒状誘導体、（２）（３）・・・第１およ
び第２電極、（４）・・・貫通導体、（６）・・・接地
用金属板、（１１）・・・シリコーンゲル、（１３）・
・・鍔部、（１４）・・・自己接着性シリコーンゴム、
（１５）・・・離型層、（１６）・・・ニッケルメッキ
層、（１７）・・・非接着領域、（１８）（１９）・・
・接合部、（２３）・・・当接部、（２４）・・・接合
部、（２５）・・・クラック、（２６）（２６’）（２
７）（２７°）・・・凹部。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）筒状誘電体と、該誘電体の両端面に配設される第
   １電極および第２電極と、前記筒状誘電体の内側を貫通
   して配設され且つ前記第１電極に接続される貫通導体と
   を備え、少くとも前記筒状誘電体の内周面と前記貫通導
   体との間に自己接着性シリコーンゴムよりなる絶縁樹脂
   或いは弾性シリコーンゲルを充填してなる高圧用貫通形
   コンデンサ。
2. （２）筒状誘電体と、該誘電体の両端面に配設される第
   １電極および第２電極と、前記筒状誘電体の内側を貫通
   して配設され且つ前記第１電極に接続される貫通導体と
   を備え、前記筒状誘電体の内周面に対向する前記貫通導
   体の周囲にテフロンコーティング、シリコーングリース
   或はシリコーンチューブ、テフロンチューブ等の自己接
   着性シリコーンゴムと接着し難い離型層を設け、少くと
   も前記筒状誘電体と前記貫通導体との間に自己接着性シ
   リコーンゴムを充填してなる高圧用貫通形コンデンサ。
3. （３）筒状誘電体と、該誘電体の両端面に配設される第
   １電極および第２電極と、前記筒状誘電体の内側を貫通
   して配設され且つ前記第１電極に接続される貫通導体と
   を備え、前記筒状誘電体の内周面に対向する前記貫通導
   体の周囲に自己接着性シリコーンゴム等の絶縁樹脂との
   結合力の弱い金属メッキ層よりなる非接着領域を設け、
   前記筒状誘電体の内周および外周、前記貫通導体の一部
   、および前記接地用金属板の一部を絶縁樹脂にて充填被
   覆してなる高圧用貫通形コンデンサ。
4. （４）筒状誘電体と、該誘電体の両端面に配設される第
   １電極および第２電極と、前記筒状誘電体の内側を貫通
   して配設され且つ前記第１電極に接続される貫通導体と
   、前記第２電極に接続される接地用金属板とを備え、前
   記筒状誘電体の内周面と前記貫通導体との間に自己接着
   性シリコーンゴムよりなる絶縁樹脂を充填すると共に前
   記貫通導体、前記接地用金属板の一部および前記筒状誘
   電体の外周を前記自己接着性シリコーンゴムよりなる絶
   縁樹脂のみにて被覆してなる高圧用貫通形コンデンサ。
5. （５）筒状誘電体と、該誘電体の両端面に配設される第
   １電極および第２電極と、前記筒状誘電体の内側を貫通
   して配設され且つ前記第１電極に接続される貫通導体と
   、前記第２電極に接続される接地用導体とを備え、前記
   筒状誘電体および前記貫通導体を自己接着性シリコーン
   ゴムよりなる絶縁樹脂にて被覆する際、低温で硬化反応
   を行なわせた後、加熱して高温で接着性付与の反応を行
   なわせることを特徴とする高圧用貫通形コンデンサの製
   造方法。
6. （６）筒状誘電体と、該誘電体の両端面に配設される第
   １電極および第２電極と、前記筒状誘電体の内側を貫通
   して配設され且つ前記第１電極に接続される貫通導体と
   、前記第２電極に接続される接地用金属板とを備え、前
   記筒状誘電体の内周面と前記貫通導体との間に自己接着
   性シリコーンゴムよりなる絶縁樹脂を充填すると共に前
   記貫通導体、前記接地用金属板の一部および前記筒状誘
   電体の外周を前記自己接着性シリコーンゴムよりなる絶
   縁樹脂にて被覆して硬化するとともに前記硬化された絶
   縁樹脂の外表面に沿面放電処理を施こしてなる高圧用貫
   通形コンデンサ。
7. （７）筒状誘電体と、該誘電体の両端面に配設される第
   １電極および第２電極と、前記筒状誘電体の内側を貫通
   して配設され且つ前記第１電極に接続される貫通導体と
   、前記第２電極に接続される接地用金属板とを備え、前
   記貫通導体の前記第１電極に当接される鍔部の当接部の
   形状或は前記接地用金属板の前記第２電極に当接される
   接合部の形状を路線状に狭くし、前記筒状誘電体の内外
   周、前記貫通導体の一部、および前記接地用金属板の一
   部を絶縁樹脂にて充填被覆してなる高圧用貫通形コンデ
   ンサ。
8. （８）筒状誘電体と、該誘電体の両端面に配設される第
   １電極および第２電極と、前記筒状誘電体の内側を貫通
   して配設され且つ前記第１電極に接続される貫通導体と
   、前記第２電極に接続される接地用金属板とを備え、前
   記貫通導体の第１電極の当接部よりも外方に外部押圧吸
   収用の凹部を設け、前記筒状誘電体の内周および外周、
   前記貫通導体の一部、および前記接地用金属板の一部を
   絶縁樹脂にて充填被覆してなる高圧用貫通形コンデンサ
   。