JPS6346735A - 薄膜の酸化方法 - Google Patents
薄膜の酸化方法Info
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- JPS6346735A JPS6346735A JP19091886A JP19091886A JPS6346735A JP S6346735 A JPS6346735 A JP S6346735A JP 19091886 A JP19091886 A JP 19091886A JP 19091886 A JP19091886 A JP 19091886A JP S6346735 A JPS6346735 A JP S6346735A
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- film
- polysilicon
- polysilicon film
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Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は薄膜の酸化方法に係わυ、特にポリシリコン乍
化膜の形成方法に関するもので、また特許ＦＲＯＭの絶
縁膜形成に使用されるものである。
化膜の形成方法に関するもので、また特許ＦＲＯＭの絶
縁膜形成に使用されるものである。
（従来の技術）
この種の従来技術を第２図に示す。罪ち第２図（、）に
示す如（Ｓｉ基板）上の下地酸化７嘆２上に燐ドープさ
れたポリシリコン膜３（・２ターニングしたもの）を形
成し、それを０２または希釈された０□雰囲気で酸化す
る。４がこれで醇化されたポリ酸化膜である。
示す如（Ｓｉ基板）上の下地酸化７嘆２上に燐ドープさ
れたポリシリコン膜３（・２ターニングしたもの）を形
成し、それを０２または希釈された０□雰囲気で酸化す
る。４がこれで醇化されたポリ酸化膜である。
従来技術では上面４と側面５の両方を一緒に酸化するた
め、酸化膜のリークは上面４と側面５でのリークの和に
なっていた。一般的に上面４と側面５では、側面５の方
がリーク電流密度は２〜３桁高い。従って側面のリーク
が支配的になり、（ＨＩ３面のリークで決まる高いリー
クしか得られなかった。これは、ポリシリコン３の側面
はエツチングのため面の凹凸が大きく、荒れた面である
ため、そこに形成さｎたポリ酸化膜４も凹凸して２９、
電界集中が起こりやすいからである。
め、酸化膜のリークは上面４と側面５でのリークの和に
なっていた。一般的に上面４と側面５では、側面５の方
がリーク電流密度は２〜３桁高い。従って側面のリーク
が支配的になり、（ＨＩ３面のリークで決まる高いリー
クしか得られなかった。これは、ポリシリコン３の側面
はエツチングのため面の凹凸が大きく、荒れた面である
ため、そこに形成さｎたポリ酸化膜４も凹凸して２９、
電界集中が起こりやすいからである。
（発明が解決しようとする間’ｊＡ Ａ、）上記高いリ
ークは、Ｆ ＲＯＭにおいては電荷の保持能力の低下に
つながり、即ち記憶保持の劣化につながるものである。
ークは、Ｆ ＲＯＭにおいては電荷の保持能力の低下に
つながり、即ち記憶保持の劣化につながるものである。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、側面でのリ
ークの少ない薄膜を形成することを目的とするものであ
る。
ークの少ない薄膜を形成することを目的とするものであ
る。
（問題点を解決するための手段と作用）本発明は第２図
（１）までは従来法と同じだが、その後もう一度薄い被
酸化膜を堆積し、この薄い被酸化膜を全部酸化する。こ
の２度目の堆積により、１度目の被酸化膜は側面も上面
と同様のなめらかな面になり、その酸化もなめらか々面
から進行していくため、これにより形成される酸化膜も
凹凸の影響の少ない膜となる。そうすることによって、
上面と側面を合わせた全体のリークを小さくおさえるこ
とができる。
（１）までは従来法と同じだが、その後もう一度薄い被
酸化膜を堆積し、この薄い被酸化膜を全部酸化する。こ
の２度目の堆積により、１度目の被酸化膜は側面も上面
と同様のなめらかな面になり、その酸化もなめらか々面
から進行していくため、これにより形成される酸化膜も
凹凸の影響の少ない膜となる。そうすることによって、
上面と側面を合わせた全体のリークを小さくおさえるこ
とができる。
なお一層目の被酸化膜（例えばポリシリコン）のなかっ
た部分に二層目の被酸化膜（例えばポリシリコン）が残
らないように、二層目の被酸化膜は全部酸化する必要が
ある。これは、二層目の被酸化膜に酸化しきれなかった
部分があると、この部分を介して他の部分とのシ舊−ト
の原因となるからである。
た部分に二層目の被酸化膜（例えばポリシリコン）が残
らないように、二層目の被酸化膜は全部酸化する必要が
ある。これは、二層目の被酸化膜に酸化しきれなかった
部分があると、この部分を介して他の部分とのシ舊−ト
の原因となるからである。
（実施例）
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第１
図は同実施例の工程図であるが、これは第２図のものと
対応させた場合の例であるから対応する個所には対応す
る符号を用いる。第１図（ａ）に示す如ぐＳｌ基板１に
１０００℃酸素雰囲気で約１０００にの熱酸化膜２を形
成した。その上にＣＶＤ法でポリシリコン膜３を約４０
００１堆積し、１０００℃の気相拡散で燐６を５Ｘ１０
ｃｍ の濃度でドープした。その後第１図（ｂ）
に示す如く、ポリシリコン膜３を通常のフォトリングラ
フィとリア、クチイブイオンエツチングを用いてツクタ
ーニングし、全面に約２００Ｘの燐ドープポリシリコン
膜７をＣＶＤ法で堆積した。次に１０００℃、酸素５０
チ、Ａｒ５０％の雰囲気で２０分酸化した。８がこの酸
化で得られたポリシリコン酸化膜である。その後第１図
（ｃ）の如く第３のポリシリコン膜９を形成した。以後
はＡｔ’ｌ［極などの通常工程にながした。
図は同実施例の工程図であるが、これは第２図のものと
対応させた場合の例であるから対応する個所には対応す
る符号を用いる。第１図（ａ）に示す如ぐＳｌ基板１に
１０００℃酸素雰囲気で約１０００にの熱酸化膜２を形
成した。その上にＣＶＤ法でポリシリコン膜３を約４０
００１堆積し、１０００℃の気相拡散で燐６を５Ｘ１０
ｃｍ の濃度でドープした。その後第１図（ｂ）
に示す如く、ポリシリコン膜３を通常のフォトリングラ
フィとリア、クチイブイオンエツチングを用いてツクタ
ーニングし、全面に約２００Ｘの燐ドープポリシリコン
膜７をＣＶＤ法で堆積した。次に１０００℃、酸素５０
チ、Ａｒ５０％の雰囲気で２０分酸化した。８がこの酸
化で得られたポリシリコン酸化膜である。その後第１図
（ｃ）の如く第３のポリシリコン膜９を形成した。以後
はＡｔ’ｌ［極などの通常工程にながした。
このようにすれば、ポリシリコン膜３の側面は一旦ポリ
シリコン膜７でなめらかにされ、外表面から一様に酸化
されるため、ポリシリコン酸化膜８とポリシリコン膜３
の間の凹凸が緩和され、かつポリシリコン酸化膜８とポ
リシリコン膜９の間の凹凸が緩和され、リークの原因が
防止できるものである。
シリコン膜７でなめらかにされ、外表面から一様に酸化
されるため、ポリシリコン酸化膜８とポリシリコン膜３
の間の凹凸が緩和され、かつポリシリコン酸化膜８とポ
リシリコン膜９の間の凹凸が緩和され、リークの原因が
防止できるものである。
［発明の効果］
以上説明した如く本発明によれば、従来側面からのリー
クが支配的であったが、側面からのリークを大幅におさ
えることができた。
クが支配的であったが、側面からのリークを大幅におさ
えることができた。
第１図は本発明の一実施例の工程説明図、第２図は従来
のポリシリコン酸化膜の形成法を示す工程図である。 １・・・Ｓｔ基板、２・・・酸化膜、３・・・ポリシリ
コン膜、７・・・第２のポリシリコン膜、８・・・ポリ
シリコン酸化膜、９・・・上部電極（第３のポリシリコ
ン膜）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦（ａ）
（Ｃ）ゝ１ （ｂ） 第１図 （ａ） 第２図
のポリシリコン酸化膜の形成法を示す工程図である。 １・・・Ｓｔ基板、２・・・酸化膜、３・・・ポリシリ
コン膜、７・・・第２のポリシリコン膜、８・・・ポリ
シリコン酸化膜、９・・・上部電極（第３のポリシリコ
ン膜）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦（ａ）
（Ｃ）ゝ１ （ｂ） 第１図 （ａ） 第２図
Claims (2)
- （１）半導体基板に下地の絶縁膜を形成する工程と、前
記絶縁膜上に第１の被酸化膜を形成する工程と、前記第
１の被酸化膜をパターニングする工程と、全面に第２の
被酸化膜を形成する工程と、前記第２の被酸化膜をすべ
て酸化してしまう工程とを具備したことを特徴とする薄
膜の酸化方法。 - （２）前記第１、第２の被酸化膜がポリシリコンである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の薄膜の
酸化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19091886A JPS6346735A (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | 薄膜の酸化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19091886A JPS6346735A (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | 薄膜の酸化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6346735A true JPS6346735A (ja) | 1988-02-27 |
Family
ID=16265868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19091886A Pending JPS6346735A (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | 薄膜の酸化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6346735A (ja) |
-
1986
- 1986-08-14 JP JP19091886A patent/JPS6346735A/ja active Pending
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