JPS634656A - 半導体装置用容器の接続用端子の半田付け前処理方法 - Google Patents
半導体装置用容器の接続用端子の半田付け前処理方法Info
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- JPS634656A JPS634656A JP14679686A JP14679686A JPS634656A JP S634656 A JPS634656 A JP S634656A JP 14679686 A JP14679686 A JP 14679686A JP 14679686 A JP14679686 A JP 14679686A JP S634656 A JPS634656 A JP S634656A
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Landscapes
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、ＰＧＡ（ピングリッドアレイ）、チップキャ
リア等の半導体装置用容器に、ピン及びリード等の接続
用端子を半田付けする際に使用される半田付は前処理方
法に関するものである。
リア等の半導体装置用容器に、ピン及びリード等の接続
用端子を半田付けする際に使用される半田付は前処理方
法に関するものである。
［従来技術］
従来、−般的な半導体装置用容器はセラミｌり材料によ
って形成された基体に接続用端子を銀ロー等によって半
田付けした構造を存している。
って形成された基体に接続用端子を銀ロー等によって半
田付けした構造を存している。
そして、このようにして製作された容器には、半導体装
置が取り付けられ、続いてワイヤボンディングにより半
導体装置及び接続用端子との間に配線が施される。以後
、キャップがガラスフリットを用いて基体上に取り付け
られる。
置が取り付けられ、続いてワイヤボンディングにより半
導体装置及び接続用端子との間に配線が施される。以後
、キャップがガラスフリットを用いて基体上に取り付け
られる。
上記した接続用端子は半田付けの際、半田濡れ性の良い
材料で形成されなければならない。
材料で形成されなければならない。
［発明が解決しようとする問題点コ
ところが、従来、半導体装置用容器の接続用端子として
用いられている「コバールＪ或はｒ４２合金」等は、ニ
ッケルを多量に含有しているためにガラス封止及びロー
付けの際、酸化してしまい半田濡れ性を大幅に失ってし
まうために高価な金等のメツキ処理を施さなければなら
ず、高価となると共に製作工程も煩わしい。
用いられている「コバールＪ或はｒ４２合金」等は、ニ
ッケルを多量に含有しているためにガラス封止及びロー
付けの際、酸化してしまい半田濡れ性を大幅に失ってし
まうために高価な金等のメツキ処理を施さなければなら
ず、高価となると共に製作工程も煩わしい。
また、比較的安価な材料でしかもメツキ処理を必要とし
ないものとして銅を使用することも考えられるが、銅は
耐折曲げ性等の機械的強度及び硬度の面で滴定のいく機
能が得られない。
ないものとして銅を使用することも考えられるが、銅は
耐折曲げ性等の機械的強度及び硬度の面で滴定のいく機
能が得られない。
［発明の目的コ
本発明の目的は半田濡れ性及び機械的強度の点で十分な
特性を有する半導体装置用容器の接続用端子の半田付は
前処理方法を提供することを目的とする。
特性を有する半導体装置用容器の接続用端子の半田付は
前処理方法を提供することを目的とする。
［発明の構成コ
本発明は、半導体装置を搭載するための基体に取付けた
複数の接続用端子を有する半導体装置用容器の製造方法
において、Ｓｉをマトリックス成分とし、銅（Ｃｕ）を
含む部材をロー付けした後、フッ化物水溶液でエツチン
グすることにより半導体装置用容器の半田濡れ性の良好
で且つ、Ｓｉをマトリックス成分とし且つ、銅を含む接
続用端子を基体に強固に取り付けることができる。
複数の接続用端子を有する半導体装置用容器の製造方法
において、Ｓｉをマトリックス成分とし、銅（Ｃｕ）を
含む部材をロー付けした後、フッ化物水溶液でエツチン
グすることにより半導体装置用容器の半田濡れ性の良好
で且つ、Ｓｉをマトリックス成分とし且つ、銅を含む接
続用端子を基体に強固に取り付けることができる。
［実施例コ
以下本発明を実施例に沿い説明する。
本発明ではピン或はリード等の接続用端子として、Ｓｔ
を含有（マトリックス成分）したＣｕ部材、即ち、Ｃｕ
合金を使用する。
を含有（マトリックス成分）したＣｕ部材、即ち、Ｃｕ
合金を使用する。
このマトリックス成分であるＳｔはＣｕの機械的強度を
高めるために析出効果を得る上で不可欠の成分であるが
、このＳｉはロー付は時に炉中の水分と反応（ＳＩ＋Ｏ
□）して５１０２となり表面に５１０２層を形成する。
高めるために析出効果を得る上で不可欠の成分であるが
、このＳｉはロー付は時に炉中の水分と反応（ＳＩ＋Ｏ
□）して５１０２となり表面に５１０２層を形成する。
そして、この５１０２の層は半田付は時の半田濡れ性を
悪化させる。
悪化させる。
しかし、このマトリックス成分としてのＳｉの酸化反応
は現在実用される銀ロー付は工程では、銀ロー付は温度
が８３０〜３００°Ｃである。また、Ｓｉ＋Ｏｘ→５Ｉ
０２の反応は自由エネルギーが低いため、炉中の露点（
Ｄｐ）の可能な管理レベルＤｐニー５０°Ｃにおいても
生じるため％ ５１０２の形成は実際上回避できない。
は現在実用される銀ロー付は工程では、銀ロー付は温度
が８３０〜３００°Ｃである。また、Ｓｉ＋Ｏｘ→５Ｉ
０２の反応は自由エネルギーが低いため、炉中の露点（
Ｄｐ）の可能な管理レベルＤｐニー５０°Ｃにおいても
生じるため％ ５１０２の形成は実際上回避できない。
そこで、本発明では、ロー付は工程で形成されたＳＩＯ
をロー付は後に他のＣｕ−Ａｇ等の金属のエツチングを
最小限に抑え、５１０２のみを除去するために、１０〜
３０℃のフッ化物水溶液、例えば５０〜２００ ｇＡ’
のフッ化アンモニア液を選択した。次に、このフッ化物
水溶液に１０〜２００秒浸漬した後、水洗し、乾燥させ
た。このような工程を経ることによって、ロー付は時に
形成された５ｆＯｚの層は完全に除去されて表面を清浄
化できることが判明した。この結果ピン、リードなどの
接続用端子の半田濡れ性を良好に維持できた。尚、この
エツチングの際、金属は殆んど溶解しないことが確認で
きる。
をロー付は後に他のＣｕ−Ａｇ等の金属のエツチングを
最小限に抑え、５１０２のみを除去するために、１０〜
３０℃のフッ化物水溶液、例えば５０〜２００ ｇＡ’
のフッ化アンモニア液を選択した。次に、このフッ化物
水溶液に１０〜２００秒浸漬した後、水洗し、乾燥させ
た。このような工程を経ることによって、ロー付は時に
形成された５ｆＯｚの層は完全に除去されて表面を清浄
化できることが判明した。この結果ピン、リードなどの
接続用端子の半田濡れ性を良好に維持できた。尚、この
エツチングの際、金属は殆んど溶解しないことが確認で
きる。
［発明の効果コ
本発明によれば、Ｓｉをマトリックス成分としたＣｕリ
ード或はピンのロー付は時に発生するＳ＋０２の層をロ
ー付は後に確実に除去して良好な半田濡れ性を維持でき
るので、十分な折曲げ強度等の機械的性質を何するピン
（リード）を比較的安価に提供することが可能となり、
半導体装置用容器の製作コストも低減できる効果を有す
る。
ード或はピンのロー付は時に発生するＳ＋０２の層をロ
ー付は後に確実に除去して良好な半田濡れ性を維持でき
るので、十分な折曲げ強度等の機械的性質を何するピン
（リード）を比較的安価に提供することが可能となり、
半導体装置用容器の製作コストも低減できる効果を有す
る。
〆′−一
Claims (1)
- （１）半導体装置を搭載するための基体及び該基体に取
り付けられた接続用端子とを有する半導体装置用容器に
おける前処理方法において、前記接続用端子として、Ｓ
ｉをマトリックス成分としたＣｕ部材を用い、該部材を
ロー付けした後、フッ化物水溶液でエッチングすること
を特徴とする半導体装置用容器の接続用端子の半田付け
前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14679686A JPS634656A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置用容器の接続用端子の半田付け前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14679686A JPS634656A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置用容器の接続用端子の半田付け前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS634656A true JPS634656A (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=15415729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14679686A Pending JPS634656A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置用容器の接続用端子の半田付け前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS634656A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5149802A (en) * | 1989-10-06 | 1992-09-22 | Mercian Corporation | Process for producing azetidinone derivatives |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP14679686A patent/JPS634656A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5149802A (en) * | 1989-10-06 | 1992-09-22 | Mercian Corporation | Process for producing azetidinone derivatives |
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