JPS6345460B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6345460B2 JPS6345460B2 JP21594985A JP21594985A JPS6345460B2 JP S6345460 B2 JPS6345460 B2 JP S6345460B2 JP 21594985 A JP21594985 A JP 21594985A JP 21594985 A JP21594985 A JP 21594985A JP S6345460 B2 JPS6345460 B2 JP S6345460B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing liquid
- brush
- etching
- processing
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- 238000011176 pooling Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/068—Apparatus for etching printed circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
イ 発明の目的
ａ 産業上の利用分野
本発明は民生・産業用等に広く用いられている
プリント配線基板や、IC・LSIの如き電子部品の
リードフレーム等にパターンを形成処理する方法
に関するものである。
プリント配線基板や、IC・LSIの如き電子部品の
リードフレーム等にパターンを形成処理する方法
に関するものである。
ｂ 従来の技術
上記の如きプリント配線基板やリードフレーム
等へのパターン形成処理は、近年デバイスの高集
積化に対応して一層の微細化（高密度化）が要求
されている。この微細化したパターンの形成処理
のため多くはケミカルエツチング法がとられてお
り、それには被処理部分に新鮮な処理液を常時多
量に、かつムラなく供給されることが必要であ
る。
等へのパターン形成処理は、近年デバイスの高集
積化に対応して一層の微細化（高密度化）が要求
されている。この微細化したパターンの形成処理
のため多くはケミカルエツチング法がとられてお
り、それには被処理部分に新鮮な処理液を常時多
量に、かつムラなく供給されることが必要であ
る。
そこで従来は、処理液を供給するノズルの形状
やエツチング液その他の各種処理液等を改良する
ことにより、パターンの微細化に対応してきてい
る。
やエツチング液その他の各種処理液等を改良する
ことにより、パターンの微細化に対応してきてい
る。
ｃ 発明が解決しようとする問題点
しかしパターンの微細化が更に進み、パターン
を構成するラインの間隔が数10ミクロン単位のも
のになつてくると、従来技術では対応できない。
即ち、ラインの間隔が数10ミクロンに超微細化さ
れたものでは、従来技術で処理液を単にノズルか
ら吹付けるものは圧力が不充分であり、処理液が
間〓に溜つてしまう。そのため、新鮮な処理液を
常時多量にムラなく供給できず、均一で良好な仕
上りが得れない、という問題点があつた。
を構成するラインの間隔が数10ミクロン単位のも
のになつてくると、従来技術では対応できない。
即ち、ラインの間隔が数10ミクロンに超微細化さ
れたものでは、従来技術で処理液を単にノズルか
ら吹付けるものは圧力が不充分であり、処理液が
間〓に溜つてしまう。そのため、新鮮な処理液を
常時多量にムラなく供給できず、均一で良好な仕
上りが得れない、という問題点があつた。
本発明は従来の上記パターン形成処理技術が有
する問題点を解決しようとするものである。即ち
本発明の目的は、超微細化したパターンにおいて
も、その被処理部分へ常時新鮮な処理液を多量か
つムラなく供給可能にして、プリント配線基板や
リードフレーム等に超微細のパターンを良好な仕
上で得られるようにすることにある。
する問題点を解決しようとするものである。即ち
本発明の目的は、超微細化したパターンにおいて
も、その被処理部分へ常時新鮮な処理液を多量か
つムラなく供給可能にして、プリント配線基板や
リードフレーム等に超微細のパターンを良好な仕
上で得られるようにすることにある。
ロ 発明の構成
ａ 問題点を解決するための手段
本発明は、基材１のパターン用部２をレジスト
膜３で被覆し、除去すべき被処理部４を露出させ
て処理液５を供給し溶解除去させるパターン形成
処理おいて、処理中の被処理部４に溜つた処理液
６をブラシ状物７で排除させながら、新鮮な処略
液５を供給して超微細パターンを形成するように
したものである。
膜３で被覆し、除去すべき被処理部４を露出させ
て処理液５を供給し溶解除去させるパターン形成
処理おいて、処理中の被処理部４に溜つた処理液
６をブラシ状物７で排除させながら、新鮮な処略
液５を供給して超微細パターンを形成するように
したものである。
上記構成において、基材１とはプリント配線基
板や、IC・LSI等の電子部品用リードフレームを
形成するための母板のことであり、またパターン
用部２とは、他の部分が除去された際に残つてパ
ターンを構成する部分である。レジスト膜３と
は、エツチングレジストの膜や、感光性レジスト
（ドライフイルム）の膜をいい、また被処理部４
とは、その部分にレジスト膜３がなく溶解除去さ
れる部分のことである。
板や、IC・LSI等の電子部品用リードフレームを
形成するための母板のことであり、またパターン
用部２とは、他の部分が除去された際に残つてパ
ターンを構成する部分である。レジスト膜３と
は、エツチングレジストの膜や、感光性レジスト
（ドライフイルム）の膜をいい、また被処理部４
とは、その部分にレジスト膜３がなく溶解除去さ
れる部分のことである。
処理液の供給は、従来のようにノズル８による
吹付け、その他被処理部４へ処理液を供給できる
ものであればよい。被処理部４に溜つた処理液６
とは、処理中に一部が溶解除去された凹部に溜ま
り、あるいは供給される新しい処理液５に押され
て逃げられぬようになつた古い処理液をいう。
吹付け、その他被処理部４へ処理液を供給できる
ものであればよい。被処理部４に溜つた処理液６
とは、処理中に一部が溶解除去された凹部に溜ま
り、あるいは供給される新しい処理液５に押され
て逃げられぬようになつた古い処理液をいう。
ブラシ状物７で排除するとは、例えば直径が数
ミクロン程度の毛先をもつブラシを、被処理部４
に沿つて回転または直進運動させることにより、
被処理部４に溜つた古い処理液６を４方または側
方へ分散させることである。このブラシ状物７と
処理液を供給する手段例えばノズル８との関係
は、第１図の如くブラシ状物７をノズル８と別体
にしてもよいし、第２図の如く両者を一体化し
て、ノズル８のつけ根部分にブラシ状物７を取付
けてもよい。
ミクロン程度の毛先をもつブラシを、被処理部４
に沿つて回転または直進運動させることにより、
被処理部４に溜つた古い処理液６を４方または側
方へ分散させることである。このブラシ状物７と
処理液を供給する手段例えばノズル８との関係
は、第１図の如くブラシ状物７をノズル８と別体
にしてもよいし、第２図の如く両者を一体化し
て、ノズル８のつけ根部分にブラシ状物７を取付
けてもよい。
なお、上記方法は第１図で示すように基材１の
上・下面を同時に行なうことが望しい。図におい
て、９は処理液供給パイプ、１０はブラシ状物保
持部材である。
上・下面を同時に行なうことが望しい。図におい
て、９は処理液供給パイプ、１０はブラシ状物保
持部材である。
ｂ 作用
上記の如き本発明により超微細パターンを形成
処理すると、ブラシ状物７の先端が被処理部４に
おいて、その運動によりそこに溜つている古いエ
ツチング液６を４方または側方へ排除する。その
ため被処理部４には、新鮮な処理液５が常時ムラ
なく供給され、均一な処理が行われることにな
る。
処理すると、ブラシ状物７の先端が被処理部４に
おいて、その運動によりそこに溜つている古いエ
ツチング液６を４方または側方へ排除する。その
ため被処理部４には、新鮮な処理液５が常時ムラ
なく供給され、均一な処理が行われることにな
る。
それゆえ、例えば超微細パターンをエツチング
処理する場合では、エツチングムラがなくエツチ
ングフアクターが良好なものになり、また感光性
レジストの現像処理の場合にも、現像ムラのない
良好な現像を行なえることになる。
処理する場合では、エツチングムラがなくエツチ
ングフアクターが良好なものになり、また感光性
レジストの現像処理の場合にも、現像ムラのない
良好な現像を行なえることになる。
ｃ 実施例
実施例としては、上記の如くプリント配線基板
の超微細パターンをエツチングで形成する場合を
説明する。第１図の如く基材１の上・下面に、パ
ターン用銅膜を設けてその一部をパターン用部２
とし、そこをエツチングレジストの膜３で被覆し
ておく。そして露出した被エツチング部４に、ノ
ズル８からエツチング液５を吹付け供給するとと
もに、ブラシ状物７を、先端が被エツチング部４
に接触状になるようにし、それを直線往復運動す
るように構成してある。これにより被エツチング
部４から古いエツチング液６が排除され、新鮮な
エツチング液５が常時ムラなく当たることにな
る。したがつてエツチングムラがなく、エツチン
グフアクターの良好なエツチングがなされ、超微
細パターンが形成処理される。
の超微細パターンをエツチングで形成する場合を
説明する。第１図の如く基材１の上・下面に、パ
ターン用銅膜を設けてその一部をパターン用部２
とし、そこをエツチングレジストの膜３で被覆し
ておく。そして露出した被エツチング部４に、ノ
ズル８からエツチング液５を吹付け供給するとと
もに、ブラシ状物７を、先端が被エツチング部４
に接触状になるようにし、それを直線往復運動す
るように構成してある。これにより被エツチング
部４から古いエツチング液６が排除され、新鮮な
エツチング液５が常時ムラなく当たることにな
る。したがつてエツチングムラがなく、エツチン
グフアクターの良好なエツチングがなされ、超微
細パターンが形成処理される。
ハ 発明の効果
以上で明かな如く本発明によれば、従来技術と
異なり良好な仕上りの超微細パターンを形成処理
できる。即ち、従来の単にノズルから吹付けるも
のは、パターンが超微細化するとその圧力では被
処理部への被処理液の供給が不充分であり、また
被処理部に液が溜つて処理ムラが生じ、良好な仕
上りを得られなかつた。これに対して本発明で
は、回転または直進運動するブラシ状物にて、被
処理部に溜つた古い処理液を排除しながら、新鮮
な液を供給して処理するものである。そのため、
処理液溜りが防止でき、被処理部に新鮮な処理液
が常時当たつて、被処理部を溶解除去することに
なる。したがつて、処理メラがなく良好な仕上り
の超微細パターンを形成でき、歩留りと生産性を
大幅に向上できる、という有益な効果を奏するも
のである。
異なり良好な仕上りの超微細パターンを形成処理
できる。即ち、従来の単にノズルから吹付けるも
のは、パターンが超微細化するとその圧力では被
処理部への被処理液の供給が不充分であり、また
被処理部に液が溜つて処理ムラが生じ、良好な仕
上りを得られなかつた。これに対して本発明で
は、回転または直進運動するブラシ状物にて、被
処理部に溜つた古い処理液を排除しながら、新鮮
な液を供給して処理するものである。そのため、
処理液溜りが防止でき、被処理部に新鮮な処理液
が常時当たつて、被処理部を溶解除去することに
なる。したがつて、処理メラがなく良好な仕上り
の超微細パターンを形成でき、歩留りと生産性を
大幅に向上できる、という有益な効果を奏するも
のである。
図は本発明の実施例を示すもので、第１図は本
発明を用いた場合の一部拡大縦断斜視図、第２図
は他の実施例の一部拡大縦断正面図である。 図面符号、１……基材、２……パターン用部、
３……レジスト膜、４……被処理部、５……処理
液、６……処理液、７……ブラシ状物。
発明を用いた場合の一部拡大縦断斜視図、第２図
は他の実施例の一部拡大縦断正面図である。 図面符号、１……基材、２……パターン用部、
３……レジスト膜、４……被処理部、５……処理
液、６……処理液、７……ブラシ状物。
Claims (1)
- １ 基材１のパターン用部２をレジスト膜３で被
覆し、除去すべき被処理部４を露出させて処理液
５を供給し溶解除去させるパターン形成処理方法
において、処理中の被処理部４に溜つた処理液６
をブラシ状物７で排除させながら、新鮮な処理液
５を供給して溶解除去させるようにした、超微細
パターンの形成処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21594985A JPS6274088A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 超微細パタ−ンの形成処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21594985A JPS6274088A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 超微細パタ−ンの形成処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6274088A JPS6274088A (ja) | 1987-04-04 |
| JPS6345460B2 true JPS6345460B2 (ja) | 1988-09-09 |
Family
ID=16680921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21594985A Granted JPS6274088A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 超微細パタ−ンの形成処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6274088A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015021182A (ja) * | 2013-07-23 | 2015-02-02 | 大日本印刷株式会社 | 金属薄板の液処理装置 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP21594985A patent/JPS6274088A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6274088A (ja) | 1987-04-04 |
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