JPH03295238A - 基板の処理装置 - Google Patents

基板の処理装置

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JPH03295238A
JPH03295238A JP9834390A JP9834390A JPH03295238A JP H03295238 A JPH03295238 A JP H03295238A JP 9834390 A JP9834390 A JP 9834390A JP 9834390 A JP9834390 A JP 9834390A JP H03295238 A JPH03295238 A JP H03295238A
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JP
Japan
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substrate
liquid
processing
etching
holes
Prior art date
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Pending
Application number
JP9834390A
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English (en)
Inventor
Yasuhito Takahashi
康仁 高橋
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 基板をエンチング液、或いは現像液等の処理液で処理を
する基板の処理装置に関し、 基板面に処理液が均一に作用するような処理装置の提供
を目的とし、 処理すべき基板と、 該基板に対向して配置され、前記基板へ処理液を噴射す
るノズル孔をマトリンクス状に備えた配管とを設け、 前記ノズル孔と前記基板とが相対的に上下、或いは/お
よび左右の方向に揺動するようにして構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明はエンチング液、或いは現像液等の処理液を用い
て基板の処理をする処理装置に関する。
プリント配線基板を製造する際、例えばセラミック基板
上に導体層を形成した後、該導体層上にレジストパター
ンを形成し、該レジスト、jターンを露光後、現像して
所定パターンのレジスト膜とした後、該現像したレジス
ト膜をマスクとして前記導体層を所定のバターハこ工・
ノチングして形成する工程が採られている。
〔従来の技術〕
従来のこのようなエツチング液、或いは現像液を用いて
基板上のレジスト膜の現像、或いは導体層をエツチング
処理する処理装置について第6図および第7図を用いて
説明する。
第6図に示すようにエツチングの処理装置として、エツ
チング液lを収容した容器2内に、前記導体層上に所定
のレジストパターンを設けたセラミック等のプリント配
線基板形成用の基板3を設置し、該基板をモータおよび
カムを用いて矢印Aに示すように上下に移動させながら
エツチングしている。
また現像のような処理装置としては、第7図に示すよう
に導体層上に露光後のレジスト膜を形成した基板3を、
コンベアベルト4上に載せ、該基板と対向する位置に所
定のピッチで多数設けたノズル孔5より現像液IAを噴
射させ、基板の導体層上の露光後のレジスト膜を所定の
レジストパターンに現像処理している。
〔発明が解決しようとする課題〕 然し、上記した第6図のエツチング装置のような処理装
置では、エツチング液の攪拌が充分でなく、基板の周辺
部と中心部ではエツチング速度が異なり、特にプリント
基板のような大面積の基板上に形成した導体層をエツチ
ングする際には、このエツチングむらが問題になる。
また後者の現像装置のような処理装置では、第7図に示
すようにノズル孔5より噴射される現像液IAが円錐状
に拡がって噴射するために、基板上の点Pの位置で現像
液が基板上の露光後のレジスト膜に充分接触しなく成る
ので、現像むらが発生する等の問題が生じる。
本発明は上記した問題点を解決し、基板の全面にわたっ
てエツチング液、或いは現像液等の処理液が均一な力で
当たるようにした処理装置を目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成する本発明の処理装置は第1図の原理図
に示すように、処理すべき基板13と、該基板13に対
向して配置され、前記基板13へ処理液11を噴射する
ノズル孔15をマトリックス状に備えた配管とを設け、 前記ノズル孔15と前記基板13の面とが相対的に上下
、或いは/および左右の方向に揺動可能と成るようにし
て構成する。
更に前記基板13とノズル孔15を備えた配管16とは
処理液内に浸漬するように、或いは前記基板13とノズ
ル孔15を備えた配管16とは、処理液に浸漬せずに対
向配置し、処理液を基板13にノズル孔15より噴射す
るようにする。
〔作 用〕
本発明の装置のようにすると、処理液は処理すべき基板
の面に対して従来の方法より均一に当たるようになり、
基板が処理液で均一に処理される。
そして基板上に形成した導体層をエツチングする際には
、基板とノズル孔を備えた配管とを処理液内に設置して
エツチング液が均一に基板に当たるように成る。また基
板上に形成した露光後のレジスト膜を現像する場合には
、基板とノズル孔を備えた配管とを対向配置して現像液
を噴射して現像後の剥がれたレジスト膜によってレジス
6・膜の現像むらが発生しないように成る。
〔実 施 例〕
以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳細に説明す
る。
第2図は本発明の第1実施例の説明図、第3図は第2図
の要部の正面図である。
図示するようにエツチング液のような処理液11を収容
した容器12内には前記した導体層を形成し、その上に
レジストパターンを形成したプリント配線基板形成用の
セラミック等の基板13が支持具14によって支持され
て処理液内に浸漬されている。
一方、上記基板13に対向してノズル孔15をマトリッ
クス状に設け、該ノズル孔15より処理液を噴射する配
管16が設置されている。
第3図に示すようにこの配管16は横方向に分岐後、多
数列状に延長して形成され、この配管列の各々の配管1
6A、 16B、 16C・・・には、千鳥状に前記基
板13の縦、および横方向に対向して前記したノズル孔
15が形成されている。
このような装置に於いて基板13を上下方向にモータ、
およびカムを用いて揺動させ、また上記ノズル孔15よ
りポンプ等で加圧されたエツチング液を噴射させて基板
に当てると、基板上にエツチング液が従来の装置より均
一に当たるように成る。
図のノズル孔15の周囲に設けた点線Bはノズル孔15
より噴射する処理液の軌跡である。
またこの逆に基板13を固定して配管16を支持する支
持具18によって上下方向にモータおよびカム等を用い
て揺動しても良い。
また本実施例の変形例として第2図の矢印Cに示すよう
に上記基板13を上下方向に揺動させ、この基板13の
揺動方向に対して紙面に垂直方向に、矢印りに示すよう
に基板13に対して配管16を左右の方向に揺動させて
も良い。
また前記ノズル孔15の配管に表出した開口部が基板表
面に対して、所定の角度を持って揺動するようにしても
良い。
第4図は本発明の第2実施例の説明図、第5図は第4図
の要部平面図である。
第2実施例は、現像液のような処理液を用いて露光後の
レジスト膜を有する基板を現像する場合を示し、このよ
うな現像液で基板を処理する場合は上記現像液内に基板
を設置して露光後のレジスト膜を現像すると、剥離され
たレジスト膜により現像むらが発生するので、これを防
止するために基板を処理液に浸漬せずに、処理液を基板
に噴射する装置である。
第4図に示すように前記した基板13が基板設置台17
上に設置され、該基板設置台17は紙面に対して垂直方
向に往復移動する。上記基板13上には該基板に対向し
てノズル孔15を有する配管16が設置されている。
この配管16は第5図に示すように縮方向に所定のピッ
チで列状に分岐され、その分岐されて延長された列状の
配管16A、 16B、 16C・・・にはノズル孔1
5が基板13の面に対し千鳥状に配置されている。
このような基板13を固定して基板13の面に対して前
記ノズル孔15を左右両方向に揺動させる。
或いは、このような基板13を紙面に垂直方向に往復移
動させながら、前記ノズル孔15を第4図の矢印已に示
すように左右両方向に揺動するように配管16をモータ
、およびカムを用いて移動させると前記ノズル孔15よ
り噴射した現像液が、切れ目の無い状態で基板上に噴射
するようになるので、現像むらを発生しない均一な現像
が可能となる。
このようにすれば、基板上に形成された導体膜、或いは
レジスト膜等を処理する処理液が、従来の装置に比較し
て均一に当たるようになるので、基板が均一に処理され
る。
また本発明の装置は、処理すべき基板がプリント配線基
板の形成用基板の必要はなく、IC等の半導体装置を形
成する半導体基板で有っても良く、また処理液がメツキ
液であっても同様な効果がある。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように本発明によれば、基板に
エツチング液、或いは現像液等の処理液が均一に作用す
るために、プリント基板上に形成した導体膜、或いは露
光後のレジスト膜のような処理膜が均一に処理される効
果があり、プリント配線基板の製造工程に於いて、或い
は半導体装置の製造工程に於いて、本発明の装置を用い
れば極めて効果的である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の装置の原理図、 第2図は本発明の第1実施例の説明図、第3図は第1実
施例の要部正面図、 第4図は本発明の第2実施例の説明図、第5図は本発明
の第2実施例の要部平面図、第6図および第7図は従来
の装置の説明図である。 図において、 11は処理液、 12は容器、 13は基板、 14、18 は支 持具、 15はノズル孔、 16、16A、 16B、 16C・・・は配管、17
は基板設置台を示す。 条発明の褒in虎、哩図 第1図 −16、

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)処理すべき基板(13)と、 該基板(13)に対向して配置され、前記基板(13)
    へ処理液(11)を噴射するノズル孔(15)をマトリ
    ックス状に備えた配管(16)とを設け、 前記ノズル孔(15)と前記基板(13)とが相対的に
    上下、或いは/および左右の方向に揺動するようにした
    ことを特徴とする基板の処理装置。
  2. (2)前記処理すべき基板(13)と前記ノズル孔(1
    5)を備えた配管(16)とを、処理液(11)内に浸
    漬したことを特徴とする請求項(1)記載の基板の処理
    装置。
JP9834390A 1990-04-12 1990-04-12 基板の処理装置 Pending JPH03295238A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002129360A (ja) * 2000-10-23 2002-05-09 Asahi Giken Kk エッチング処理装置
JP2011009247A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Sharp Corp 太陽電池の製造方法及び湿式エッチング装置
WO2017217468A1 (ja) * 2016-06-15 2017-12-21 株式会社ダルトン 洗浄方法及び洗浄装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62261126A (ja) * 1986-05-08 1987-11-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 表面処理装置

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