JPH11204585A - Ｔａｂテープキャリアの製造方法 - Google Patents
Ｔａｂテープキャリアの製造方法Info
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- JPH11204585A JPH11204585A JP560098A JP560098A JPH11204585A JP H11204585 A JPH11204585 A JP H11204585A JP 560098 A JP560098 A JP 560098A JP 560098 A JP560098 A JP 560098A JP H11204585 A JPH11204585 A JP H11204585A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/187—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating means therefor, e.g. baths, apparatus
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
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- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリアの凹部となる直
径０．２８〜０．４５mmのパンプ搭載用のランド孔のめ
っき処理において、テープキャリアがめっき液に浸漬さ
れる際に気泡を巻き込み、めっき液がランド孔に濡れず
不めっきが生じるのを防ぐことにある。 【解決手段】ＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリアのテープ凹
部となる直径０．２８〜０．４５mmのバンプ電極搭載用
のランド孔をめっきする際、超音波振動を当てつつめっ
き処理を行うことにより不めっきを防止する。
径０．２８〜０．４５mmのパンプ搭載用のランド孔のめ
っき処理において、テープキャリアがめっき液に浸漬さ
れる際に気泡を巻き込み、めっき液がランド孔に濡れず
不めっきが生じるのを防ぐことにある。 【解決手段】ＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリアのテープ凹
部となる直径０．２８〜０．４５mmのバンプ電極搭載用
のランド孔をめっきする際、超音波振動を当てつつめっ
き処理を行うことにより不めっきを防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
用のＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープキャリ
ア、特に、多ピン化、高密度化に対応したＢＧＡパッケ
ージ用として適したＴＡＢテープキャリアの製造方法に
関するものである。
用のＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープキャリ
ア、特に、多ピン化、高密度化に対応したＢＧＡパッケ
ージ用として適したＴＡＢテープキャリアの製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、高機能化が進
展し、これを支えるためＬＳＩの高機能化に伴うパッケ
ージの高密度化、多ピン化が進んでいる。これに対応し
て、実装基板とパッケージとの接続リードとしてバンプ
電極を用いるべく、パッケージ裏面に格子状にボールバ
ンプを配置したＢＧＡ（Ball Grid Array ）パッケージ
がある。このＢＧＡパッケージを扱う場合の実装材料と
しては、薄い、軽い、多ピン化対応といった特徴からＴ
ＡＢテープキャリアが用いられている。
展し、これを支えるためＬＳＩの高機能化に伴うパッケ
ージの高密度化、多ピン化が進んでいる。これに対応し
て、実装基板とパッケージとの接続リードとしてバンプ
電極を用いるべく、パッケージ裏面に格子状にボールバ
ンプを配置したＢＧＡ（Ball Grid Array ）パッケージ
がある。このＢＧＡパッケージを扱う場合の実装材料と
しては、薄い、軽い、多ピン化対応といった特徴からＴ
ＡＢテープキャリアが用いられている。
【０００３】ＢＧＡパッケージ用ＴＡＢテープキャリア
の構成を図２に平面図（図３を下方からみた底面図）
で、また図３にそのＡ−Ａ′断面図で示す。
の構成を図２に平面図（図３を下方からみた底面図）
で、また図３にそのＡ−Ａ′断面図で示す。
【０００４】図示するように、ＢＧＡパッケージ用ＴＡ
Ｂテープキャリア１は、絶縁性フイルムテープ２並びに
その上面に形成された所定パターンの銅リード（リード
パターン）３、バンプ電極搭載用のランド（ランドパタ
ーン）４、及びバンプ電極搭載用のランド孔７から構成
されている。銅リード３とバンプ電極搭載用ランド４
は、図２の紙面の反対側の面で電気的につながってい
る。
Ｂテープキャリア１は、絶縁性フイルムテープ２並びに
その上面に形成された所定パターンの銅リード（リード
パターン）３、バンプ電極搭載用のランド（ランドパタ
ーン）４、及びバンプ電極搭載用のランド孔７から構成
されている。銅リード３とバンプ電極搭載用ランド４
は、図２の紙面の反対側の面で電気的につながってい
る。
【０００５】絶縁性フィルムテープ２は、ポリイミド、
ポリエステルからなる可撓性のフィルムにて形成されて
いる。一方、銅リード３及びバンプ電極搭載用のランド
４のパターン形成は、絶縁性フィルムテープ２の上面に
銅箔８（図３参照）を接着し、フォトエッチングによっ
て形成される。絶縁性フィルムテープ２のほぼ中央部に
は、ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップを搭載するための
開口であるデバイスホール５が形成されている。さら
に、この絶縁性フィルムテープ２の両サイドには、搬送
や位置決めを行うためのスプロケットホール６がパンチ
ング加工によりフィルムを貫通するように形成されてい
る。
ポリエステルからなる可撓性のフィルムにて形成されて
いる。一方、銅リード３及びバンプ電極搭載用のランド
４のパターン形成は、絶縁性フィルムテープ２の上面に
銅箔８（図３参照）を接着し、フォトエッチングによっ
て形成される。絶縁性フィルムテープ２のほぼ中央部に
は、ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップを搭載するための
開口であるデバイスホール５が形成されている。さら
に、この絶縁性フィルムテープ２の両サイドには、搬送
や位置決めを行うためのスプロケットホール６がパンチ
ング加工によりフィルムを貫通するように形成されてい
る。
【０００６】上記銅リード３、バンプ電極搭載用のラン
ド４及びバンプ電極搭載用のランド孔７の形成をより詳
細に説明すると、まず、絶縁性フィルムテープ２にテー
プ搬送用のスプロケットホール６、半導体チップ搭載用
のデバイスホール５、バンプ電極搭載用のランド孔７
（図３参照）をパンチング加工により設け、前記絶縁性
フィルムテープ２の表面に銅箔８（図３参照）をラミネ
ートし、デバイスホール５、バンプ電極搭載用のランド
孔７に露出した銅箔粗化面を化学研磨法により研磨し、
銅箔表面に感光性レジストを塗布し乾燥する。その後、
所定パターンのフォトマスクを通して感光し、さらに現
像して所定パターンのフォトレジス卜層を形成した後、
このフォトレジスト層をマスクとしてエッチングを行
い、銅リード３、バンプ電極搭載用のランド４及びバン
プ電極搭載用のランド孔７を形成する。
ド４及びバンプ電極搭載用のランド孔７の形成をより詳
細に説明すると、まず、絶縁性フィルムテープ２にテー
プ搬送用のスプロケットホール６、半導体チップ搭載用
のデバイスホール５、バンプ電極搭載用のランド孔７
（図３参照）をパンチング加工により設け、前記絶縁性
フィルムテープ２の表面に銅箔８（図３参照）をラミネ
ートし、デバイスホール５、バンプ電極搭載用のランド
孔７に露出した銅箔粗化面を化学研磨法により研磨し、
銅箔表面に感光性レジストを塗布し乾燥する。その後、
所定パターンのフォトマスクを通して感光し、さらに現
像して所定パターンのフォトレジス卜層を形成した後、
このフォトレジスト層をマスクとしてエッチングを行
い、銅リード３、バンプ電極搭載用のランド４及びバン
プ電極搭載用のランド孔７を形成する。
【０００７】上記エッチング後に、形成された銅リード
３とバンプ電極搭載用のランド孔７には、電解めっき又
は無電解めっきにより、所定のめっきが施される。
３とバンプ電極搭載用のランド孔７には、電解めっき又
は無電解めっきにより、所定のめっきが施される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＢＧＡ
用ＴＡＢテープキャリアの上記めっき処理においては、
次のような問題がある。すなわち、テープの凹部となる
直径０．２８〜０．４５mmのバンプ電極搭載用のランド
孔をめっきする場合、めっき液にテープキャリアを浸漬
するが、その際、バンプ電極搭載用のランド孔がテープ
の凹部となっているため、気泡を巻き込み、めっき液が
ランド孔に濡れずに不めっきが生じることである。
用ＴＡＢテープキャリアの上記めっき処理においては、
次のような問題がある。すなわち、テープの凹部となる
直径０．２８〜０．４５mmのバンプ電極搭載用のランド
孔をめっきする場合、めっき液にテープキャリアを浸漬
するが、その際、バンプ電極搭載用のランド孔がテープ
の凹部となっているため、気泡を巻き込み、めっき液が
ランド孔に濡れずに不めっきが生じることである。
【０００９】そこで、本発明の目的は、パンプ搭載用の
ランド孔をめっきすべくＢＧＡ用等のＴＡＢテープキャ
リアをめっき液に浸漬した際、発生した気泡によって、
めっき液がランド孔に濡れずに不めっきが生じるのを防
止したＴＡＢテープキャリアの製造方法を提供すること
にある。
ランド孔をめっきすべくＢＧＡ用等のＴＡＢテープキャ
リアをめっき液に浸漬した際、発生した気泡によって、
めっき液がランド孔に濡れずに不めっきが生じるのを防
止したＴＡＢテープキャリアの製造方法を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、次のように構成したものである。
め、本発明は、次のように構成したものである。
【００１１】請求項１に記載の発明は、可撓性を有する
テープ状の絶縁性材料に半導体チップ搭載用の開口と前
記半導体チップ搭載用の開口周辺に配置されるバンプ電
極搭載用のランド孔とをパンチングにより設けた後、銅
箔を接着し、フォトエッチングによってリードパターン
とバンプ電極搭載用のランドパターンとを形成した後に
前記リードパターンとバンプ電極搭載用のランド孔にめ
っきを施してなるＴＡＢテープキャリアの製造方法にお
いて、前記めっき処理中の前記テープキャリアにその片
面側から超音波を当てて処理するものである。
テープ状の絶縁性材料に半導体チップ搭載用の開口と前
記半導体チップ搭載用の開口周辺に配置されるバンプ電
極搭載用のランド孔とをパンチングにより設けた後、銅
箔を接着し、フォトエッチングによってリードパターン
とバンプ電極搭載用のランドパターンとを形成した後に
前記リードパターンとバンプ電極搭載用のランド孔にめ
っきを施してなるＴＡＢテープキャリアの製造方法にお
いて、前記めっき処理中の前記テープキャリアにその片
面側から超音波を当てて処理するものである。
【００１２】また請求項２に記載の発明は、可撓性を有
するテープ状の絶縁性材料に半導体チップ搭載用の開口
を設けた後、銅箔を接着し、フォトエッチングによって
リードパターンとバンプ電極搭載用のランドパターンと
を形成した後に、前記バンプ電極搭載用のランドパター
ンをレジストにより開孔してバンプ電極搭載用のランド
孔を形成し、前記リードパターンとバンプ電極搭載用の
ランド孔にめっきを施してなるＴＡＢテープキャリアの
製造方法において、前記めっき処理中の前記テープキャ
リアにその片面側から超音波を当てて処理するものであ
る。
するテープ状の絶縁性材料に半導体チップ搭載用の開口
を設けた後、銅箔を接着し、フォトエッチングによって
リードパターンとバンプ電極搭載用のランドパターンと
を形成した後に、前記バンプ電極搭載用のランドパター
ンをレジストにより開孔してバンプ電極搭載用のランド
孔を形成し、前記リードパターンとバンプ電極搭載用の
ランド孔にめっきを施してなるＴＡＢテープキャリアの
製造方法において、前記めっき処理中の前記テープキャ
リアにその片面側から超音波を当てて処理するものであ
る。
【００１３】いずれの発明においても、ＴＡＢテープキ
ャリアのめっき処理において、テープの凹部となってい
る直径０．２８〜０．４５mmのバンプ電極搭載用のラン
ド孔をめっきする際、超音波を付加してめっき処理を行
うものであり、これにより、テープキャリアがめっき液
中に浸漬する際に凹部であるランド孔部に巻き込まれた
気泡を物理的に除くことができ、めっき液でバンプ電極
搭載用のランド孔に十分に濡らし、不めっきを防止する
ことができる。
ャリアのめっき処理において、テープの凹部となってい
る直径０．２８〜０．４５mmのバンプ電極搭載用のラン
ド孔をめっきする際、超音波を付加してめっき処理を行
うものであり、これにより、テープキャリアがめっき液
中に浸漬する際に凹部であるランド孔部に巻き込まれた
気泡を物理的に除くことができ、めっき液でバンプ電極
搭載用のランド孔に十分に濡らし、不めっきを防止する
ことができる。
【００１４】この超音波を付与して不めっきを防止する
方法は、バンプ電極搭載用の多数のランド孔を有するＢ
ＧＡ用ＴＡＢテープキャリアを処理する方法として特に
有効である。
方法は、バンプ電極搭載用の多数のランド孔を有するＢ
ＧＡ用ＴＡＢテープキャリアを処理する方法として特に
有効である。
【００１５】上記超音波は、めっき処理槽中の入口側を
横方向に走行するテープキャリア部分、すなわち気泡の
発生する直後において、その下方から超音波を発生さ
せ、その超音波をテープキャリア部分の下面側に当てる
（請求項３）ようにすると、早期かつ効果的に気泡を除
去することができる。
横方向に走行するテープキャリア部分、すなわち気泡の
発生する直後において、その下方から超音波を発生さ
せ、その超音波をテープキャリア部分の下面側に当てる
（請求項３）ようにすると、早期かつ効果的に気泡を除
去することができる。
【００１６】上記めっきは、化学反応を用いた無電解め
っきであってもよいし（請求項４）、電気めっきであっ
てもよい（請求項５）。
っきであってもよいし（請求項４）、電気めっきであっ
てもよい（請求項５）。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００１８】図１に超音波処理を用いた無電解めっき処
理槽の構造を断面にて示す。１０はＢＧＡ用ＴＡＢテー
プキャリアであり、めっき処理槽１１内に液面１３ａ下
に配置された複数のロール１２ａ〜１２ｆにより掛け渡
されて、めっき液１３中を搬送される。複数のロール１
２ａ〜１２ｆのうち、搬送方向入口側の第１ロール１２
ａと次の第２ロール１２ｂとは同じ高さでかつ一定の間
隔を置いて並置されており、この両ロール１２ａ、１２
ｂ間をＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリア１０が横方向に走
行するようになっている。なお、搬送方向出口側のロー
ル１２ｆは、これらのロール１２ａ、１２ｂと同じ高さ
に配置され、残りのロール１２ｃ〜１２ｅは、ロール１
２ｂ〜１２ｆ間のＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリアを複数
回蛇行させるように配置されている。
理槽の構造を断面にて示す。１０はＢＧＡ用ＴＡＢテー
プキャリアであり、めっき処理槽１１内に液面１３ａ下
に配置された複数のロール１２ａ〜１２ｆにより掛け渡
されて、めっき液１３中を搬送される。複数のロール１
２ａ〜１２ｆのうち、搬送方向入口側の第１ロール１２
ａと次の第２ロール１２ｂとは同じ高さでかつ一定の間
隔を置いて並置されており、この両ロール１２ａ、１２
ｂ間をＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリア１０が横方向に走
行するようになっている。なお、搬送方向出口側のロー
ル１２ｆは、これらのロール１２ａ、１２ｂと同じ高さ
に配置され、残りのロール１２ｃ〜１２ｅは、ロール１
２ｂ〜１２ｆ間のＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリアを複数
回蛇行させるように配置されている。
【００１９】このＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリア１０の
めっき処理槽中の入口側を横方向に走行するテープキャ
リア部分、つまり上記入口側の第１ロール１２ａと次の
第２ロール１２ｂとの間のテープキャリア部分１０ａに
おいては、その下方に超音波発振器ユニット１５が載置
台１４上に載せられて配設されており、これから発振さ
れる超音波がテープキャリア部分の下面側に当たるよう
になっている。めっき処理槽中の入口側において超音波
振動をＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリア１０に付与する理
由は、テープキャリアをめっき液に浸漬する際に生じた
気泡の巻き込みを早期に除去し、めっき液をランド孔に
十分に湿潤させて、不めっきが生じるのを効果的に防止
するためである。なお、ＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリア
１０は、そのバンプ電極搭載用のランド孔７の存在する
側が下面側となるように走行させるのが好ましい。
めっき処理槽中の入口側を横方向に走行するテープキャ
リア部分、つまり上記入口側の第１ロール１２ａと次の
第２ロール１２ｂとの間のテープキャリア部分１０ａに
おいては、その下方に超音波発振器ユニット１５が載置
台１４上に載せられて配設されており、これから発振さ
れる超音波がテープキャリア部分の下面側に当たるよう
になっている。めっき処理槽中の入口側において超音波
振動をＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリア１０に付与する理
由は、テープキャリアをめっき液に浸漬する際に生じた
気泡の巻き込みを早期に除去し、めっき液をランド孔に
十分に湿潤させて、不めっきが生じるのを効果的に防止
するためである。なお、ＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリア
１０は、そのバンプ電極搭載用のランド孔７の存在する
側が下面側となるように走行させるのが好ましい。
【００２０】しかし、超音波の付与は、上記の横方向に
走行するテープキャリア部分に付与する形態に限らず、
ＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリア１０のめっき処理槽中を
縦方向に走行するテープキャリア部分に付与する形態と
しても良い。例えば、第２ロール１２ｂと次の第３ロー
ル１２ｃとの間のテープキャリア部分１０ｂに向けて超
音波発振器ユニット１５を配設し、これから発振される
超音波を縦方向に走行するテープキャリア部分１０ｂの
片面側、好ましくはバンプ電極搭載用のランド孔７の存
在する側に当たるようにしてもよい。
走行するテープキャリア部分に付与する形態に限らず、
ＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリア１０のめっき処理槽中を
縦方向に走行するテープキャリア部分に付与する形態と
しても良い。例えば、第２ロール１２ｂと次の第３ロー
ル１２ｃとの間のテープキャリア部分１０ｂに向けて超
音波発振器ユニット１５を配設し、これから発振される
超音波を縦方向に走行するテープキャリア部分１０ｂの
片面側、好ましくはバンプ電極搭載用のランド孔７の存
在する側に当たるようにしてもよい。
【００２１】このように構成されためっき処理槽１１中
に、ＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリア１０を連続的に通し
て無電解めっき処理する。ＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリ
ア１０には、バンプ電極搭載用のランド孔７がＴＡＢテ
ープキャリアの表面に開口している可撓性のあるもので
あれば全て適用できるが、次の２つのタイプについては
いずれも適用することができる。
に、ＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリア１０を連続的に通し
て無電解めっき処理する。ＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリ
ア１０には、バンプ電極搭載用のランド孔７がＴＡＢテ
ープキャリアの表面に開口している可撓性のあるもので
あれば全て適用できるが、次の２つのタイプについては
いずれも適用することができる。
【００２２】第１は、図２及び図３で説明したように、
可撓性を有するテープ状の絶縁性材料に、半導体チップ
搭載用のデバイスホール５と、このデバイスホール周辺
にバンプ電極搭載用のランド孔７をパンチングにより設
けた後、銅箔８を接着し、フォトエッチングによって所
定パターンのリード（リードパターン）３とバンプ電極
搭載用のランド（ランドパターン）４とバンプ電極搭載
用のランド孔７とを形成した後に、リード３とバンプ電
極搭載用のランド孔７にめっきを施してなるＢＧＡ用Ｔ
ＡＢテープキャリアである。
可撓性を有するテープ状の絶縁性材料に、半導体チップ
搭載用のデバイスホール５と、このデバイスホール周辺
にバンプ電極搭載用のランド孔７をパンチングにより設
けた後、銅箔８を接着し、フォトエッチングによって所
定パターンのリード（リードパターン）３とバンプ電極
搭載用のランド（ランドパターン）４とバンプ電極搭載
用のランド孔７とを形成した後に、リード３とバンプ電
極搭載用のランド孔７にめっきを施してなるＢＧＡ用Ｔ
ＡＢテープキャリアである。
【００２３】第２は、可撓性を有するテープ状の絶縁性
材料に、半導体チップ搭載用のデバイスホール５を設け
た後、銅箔８を接着し、フォトエッチングによって所定
パターンのリード（リードパターン）３とバンプ電極搭
載用のランド（ランドパターン）４とを形成した後に、
バンプ電極搭載用のランド４にレジストを塗布してフォ
トエッチングにより開孔してバンプ電極搭載用のランド
孔７を形成し、このリード３とバンプ電極搭載用のラン
ド孔７にめっきを施してなるＢＧＡ用ＴＡＢテープキャ
リアである。
材料に、半導体チップ搭載用のデバイスホール５を設け
た後、銅箔８を接着し、フォトエッチングによって所定
パターンのリード（リードパターン）３とバンプ電極搭
載用のランド（ランドパターン）４とを形成した後に、
バンプ電極搭載用のランド４にレジストを塗布してフォ
トエッチングにより開孔してバンプ電極搭載用のランド
孔７を形成し、このリード３とバンプ電極搭載用のラン
ド孔７にめっきを施してなるＢＧＡ用ＴＡＢテープキャ
リアである。
【００２４】上記ＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリア１０を
めっき処理槽１１中に連続的に通して無電解めっきした
場合、直径０．２８〜０．４５mmのバンプ電極搭載用の
ランド孔７がテープの凹部となるため、通常は、めっき
液にテープキャリアが浸漬されるときに気泡を巻き込む
ため、液が十分にランドに濡れない不めっき部分が生じ
る。しかし、この実施形態では超音波発振器ユニット１
５からバンプ電極搭載用のランド孔７に超音波振動が与
えられるので、気泡が釈放され除去される。このため、
不めっき部分の発生をなくすことができる。
めっき処理槽１１中に連続的に通して無電解めっきした
場合、直径０．２８〜０．４５mmのバンプ電極搭載用の
ランド孔７がテープの凹部となるため、通常は、めっき
液にテープキャリアが浸漬されるときに気泡を巻き込む
ため、液が十分にランドに濡れない不めっき部分が生じ
る。しかし、この実施形態では超音波発振器ユニット１
５からバンプ電極搭載用のランド孔７に超音波振動が与
えられるので、気泡が釈放され除去される。このため、
不めっき部分の発生をなくすことができる。
【００２５】
【実施例】以下、ＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリアにおい
て、テープの凹部となる直径０．２８〜０．４５mmのバ
ンプ電極搭載用のランド孔をめっきする際、めっき対象
に超音波を付与ことにより、テープキャリアの浸漬時に
巻き込まれた気泡を物理的に取り除き、めっき液の不濡
れを防止して、不めっきの発生を防止する方法の実施例
を説明する。
て、テープの凹部となる直径０．２８〜０．４５mmのバ
ンプ電極搭載用のランド孔をめっきする際、めっき対象
に超音波を付与ことにより、テープキャリアの浸漬時に
巻き込まれた気泡を物理的に取り除き、めっき液の不濡
れを防止して、不めっきの発生を防止する方法の実施例
を説明する。
【００２６】ＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリア１０とし
て、半導体チップ搭載用のデバイスホール５、直径０．
２８〜０．４５mmのバンプ電極搭載用のランド孔７をパ
ンチングにより設け、銅箔を接着し、フォトエッチング
により所定パターンの銅リード３およびバンプ電極搭載
用のランド４を形成したテープキャリアを用いた。
て、半導体チップ搭載用のデバイスホール５、直径０．
２８〜０．４５mmのバンプ電極搭載用のランド孔７をパ
ンチングにより設け、銅箔を接着し、フォトエッチング
により所定パターンの銅リード３およびバンプ電極搭載
用のランド４を形成したテープキャリアを用いた。
【００２７】このＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリア１０
を、既に説明した図１のめっき処理槽１１のロール１２
ａ〜１２ｆにかけて連続的に搬送する一方、このめっき
処理槽１１内の入口側の載置台１４上に、投げ込み型の
超音波発振器ユニット１５を設置して超音波を発振さ
せ、その超音波振動をＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリア１
０にの下面に向けて送出し、これにより、当該ＢＧＡ用
ＴＡＢテープキャリア１０が超音波で加振されている状
態にして無電解めっきを行った。
を、既に説明した図１のめっき処理槽１１のロール１２
ａ〜１２ｆにかけて連続的に搬送する一方、このめっき
処理槽１１内の入口側の載置台１４上に、投げ込み型の
超音波発振器ユニット１５を設置して超音波を発振さ
せ、その超音波振動をＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリア１
０にの下面に向けて送出し、これにより、当該ＢＧＡ用
ＴＡＢテープキャリア１０が超音波で加振されている状
態にして無電解めっきを行った。
【００２８】図１のめっき処理槽１１において、めっき
液１３には、有機酸を主成分とした無電解すずめっき液
を用い、温度５０〜６０℃で処理した。
液１３には、有機酸を主成分とした無電解すずめっき液
を用い、温度５０〜６０℃で処理した。
【００２９】表１に、不めっきの発生におよぼす超音波
処理の影響を、超音波処理の有無とめっき後の不めっき
発生数とにより示す。
処理の影響を、超音波処理の有無とめっき後の不めっき
発生数とにより示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１に示すように、超音波処理無しの場合
すなわち超音波の発振無しでめっき処理をしたものは、
不めっき発生数が５／１００ｐｃ（５％）の不めっきが
生じたのに対して、超音波処理有りの場合すなわち超音
波を発振しながらめっきをしたものは、不めっき発生数
が０／１００ｐｃ（０％）であり、不めっきは生じなか
った。
すなわち超音波の発振無しでめっき処理をしたものは、
不めっき発生数が５／１００ｐｃ（５％）の不めっきが
生じたのに対して、超音波処理有りの場合すなわち超音
波を発振しながらめっきをしたものは、不めっき発生数
が０／１００ｐｃ（０％）であり、不めっきは生じなか
った。
【００３２】本実施例では，化学反応を用いた無電解め
っき法によるめっき例を示したが、電気めっき法におい
ても同様の効果が得られる。
っき法によるめっき例を示したが、電気めっき法におい
ても同様の効果が得られる。
【００３３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は、可撓性を
有するテープ状の絶縁性材料に半導体チップ搭載用の開
口とこの半導体チップ搭載用の開口周辺に配置されるバ
ンプ電極搭載用のランド孔とをパンチングにより設けた
後、銅箔を接着し、フォトエッチングによってリードパ
ターンとバンプ電極搭載用のランドパターンとを形成し
た後に前記リードパターンとバンプ電極搭載用のランド
孔にめっきを施してなるＴＡＢテープキャリアの製造方
法において、又は、可撓性を有するテープ状の絶縁性材
料に半導体チップ搭載用の開口を設けた後、銅箔を接着
し、フォトエッチングによってリードパターンとバンプ
電極搭載用のランドパターンとを形成した後に、前記バ
ンプ電極搭載用のランドパターンをレジストを用いたフ
ォトエッチングにより開孔してバンプ電極搭載用のラン
ド孔を形成し、前記リードパターンとバンプ電極搭載用
のランド孔にめっきを施してなるＴＡＢテープキャリア
の製造方法において、前記めっき処理中の前記テープキ
ャリアにその片面側から超音波を当てて処理するもので
ある。
有するテープ状の絶縁性材料に半導体チップ搭載用の開
口とこの半導体チップ搭載用の開口周辺に配置されるバ
ンプ電極搭載用のランド孔とをパンチングにより設けた
後、銅箔を接着し、フォトエッチングによってリードパ
ターンとバンプ電極搭載用のランドパターンとを形成し
た後に前記リードパターンとバンプ電極搭載用のランド
孔にめっきを施してなるＴＡＢテープキャリアの製造方
法において、又は、可撓性を有するテープ状の絶縁性材
料に半導体チップ搭載用の開口を設けた後、銅箔を接着
し、フォトエッチングによってリードパターンとバンプ
電極搭載用のランドパターンとを形成した後に、前記バ
ンプ電極搭載用のランドパターンをレジストを用いたフ
ォトエッチングにより開孔してバンプ電極搭載用のラン
ド孔を形成し、前記リードパターンとバンプ電極搭載用
のランド孔にめっきを施してなるＴＡＢテープキャリア
の製造方法において、前記めっき処理中の前記テープキ
ャリアにその片面側から超音波を当てて処理するもので
ある。
【００３４】このようにＴＡＢテープの凹部となるバン
プ電極搭載用のランド孔をめっきする際、追加的に超音
波を付与することにより、テープキャリアをめっき液に
浸漬した際にランド孔に巻き込まれた気泡を物理的に除
くことができ、めっき液をバンプ電極搭載用のランド孔
に十分に濡らし、不めっきを防止することができる。
プ電極搭載用のランド孔をめっきする際、追加的に超音
波を付与することにより、テープキャリアをめっき液に
浸漬した際にランド孔に巻き込まれた気泡を物理的に除
くことができ、めっき液をバンプ電極搭載用のランド孔
に十分に濡らし、不めっきを防止することができる。
【図１】本発明の製造方法の実施例に係るめっき槽の断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の製造方法の対象としたＢＧＡ用ＴＡＢ
テープキャリアを示す平面図である。
テープキャリアを示す平面図である。
【図３】図１のＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリアのＡ−
Ａ′断面図である。
Ａ′断面図である。
１ ＢＧＡパッケージ用ＴＡＢテープキャリア ２ 絶縁性フィルムテープ ３ 銅リード ４ バンプ電極搭載用のランド ５ 半導体チップ搭載用のデバイスホール ６ スプロケットホール ７ バンプ電極搭載用のランド孔 ８ 銅箔 １０ ＢＧＡ用ＴＡＢテープキャリア １０ａ 横方向に走行するテープキャリア部分 １０ｂ 縦方向に走行するテープキャリア部分 １１ めっき処理槽 １２ａ〜１２ｆ ロール １３ めっき液 １４ 載置台 １５ 超音波発振器
Claims (5)
- 【請求項１】可撓性を有するテープ状の絶縁性材料に半
導体チップ搭載用の開口と前記半導体チップ搭載用の開
口周辺に配置されるバンプ電極搭載用のランド孔とをパ
ンチングにより設けた後、銅箔を接着し、フォトエッチ
ングによってリードパターンとバンプ電極搭載用のラン
ドパターンとを形成した後に前記リードパターンとバン
プ電極搭載用のランド孔にめっきを施してなるＴＡＢテ
ープキャリアの製造方法において、前記めっき処理中の
前記テープキャリアにその片面側から超音波を当てて処
理することを特徴とするＴＡＢテープキャリアの製造方
法。 - 【請求項２】可撓性を有するテープ状の絶縁性材料に半
導体チップ搭載用の開口を設けた後、銅箔を接着し、フ
ォトエッチングによってリードパターンとバンプ電極搭
載用のランドパターンとを形成した後に、前記バンプ電
極搭載用のランドパターンをレジストを用いたフォトエ
ッチングにより開孔してバンプ電極搭載用のランド孔を
形成し、前記リードパターンとバンプ電極搭載用のラン
ド孔にめっきを施してなるＴＡＢテープキャリアの製造
方法において、前記めっき処理中の前記テープキャリア
にその片面側から超音波を当てて処理することを特徴と
するＴＡＢテープキャリアの製造方法。 - 【請求項３】めっき処理槽中の入口側を横方向に走行す
るテープキャリア部分の下方から超音波を発生させ、そ
の超音波をテープキャリア部分の下面側に当てることを
特徴とする請求項１又は２記載のＴＡＢテープキャリア
の製造方法。 - 【請求項４】前記めっきが、化学反応を用いた無電解め
っきであることを特徴とする請求項１又は２記載のＴＡ
Ｂテープキャリアの製造方法。 - 【請求項５】前記めっきが、電気めっきであることを特
徴とする請求項１又は２記載のＴＡＢテープキャリアの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP560098A JPH11204585A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | Ｔａｂテープキャリアの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP560098A JPH11204585A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | Ｔａｂテープキャリアの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204585A true JPH11204585A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11615726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP560098A Pending JPH11204585A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | Ｔａｂテープキャリアの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11204585A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100376595B1 (ko) * | 2000-09-08 | 2003-03-15 | 주식회사 아큐텍반도체기술 | 도금용 음극 장치 |
| KR100618250B1 (ko) * | 2003-06-06 | 2006-09-01 | 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 | 도금장치 및 전자부품 실장용 필름 캐리어 테이프의제조방법 |
| JP2008071884A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Seiko Epson Corp | 配線基板の製造方法及び製造装置 |
-
1998
- 1998-01-14 JP JP560098A patent/JPH11204585A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100376595B1 (ko) * | 2000-09-08 | 2003-03-15 | 주식회사 아큐텍반도체기술 | 도금용 음극 장치 |
| KR100618250B1 (ko) * | 2003-06-06 | 2006-09-01 | 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 | 도금장치 및 전자부품 실장용 필름 캐리어 테이프의제조방법 |
| US7160428B2 (en) | 2003-06-06 | 2007-01-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Plating machine and process for producing film carrier tapes for mounting electronic parts |
| JP2008071884A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Seiko Epson Corp | 配線基板の製造方法及び製造装置 |
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