JPS634346B2 - - Google Patents
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- JPS634346B2 JPS634346B2 JP54125401A JP12540179A JPS634346B2 JP S634346 B2 JPS634346 B2 JP S634346B2 JP 54125401 A JP54125401 A JP 54125401A JP 12540179 A JP12540179 A JP 12540179A JP S634346 B2 JPS634346 B2 JP S634346B2
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- insulating film
- laser light
- thickness
- ion implantation
- film
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、詳しく
は、絶縁膜を介してイオン打込みとレーザー光照
射を行なう方法に関する。
は、絶縁膜を介してイオン打込みとレーザー光照
射を行なう方法に関する。
周知のように、半導体基板に、イオン打込みに
よつて不純物を導入する場合、基板表面に厚さ数
百〜数千ÅのSiO2など絶縁膜を被着し、この絶
縁膜を介してイオン打込みを行なう。
よつて不純物を導入する場合、基板表面に厚さ数
百〜数千ÅのSiO2など絶縁膜を被着し、この絶
縁膜を介してイオン打込みを行なう。
上記絶縁膜は、基板表面の汚れを防止するのみ
ではなく、イオン打込みの際に生ずる基板中の欠
陥発生を減少させるため、イオン打込み工程では
不可欠のものになつている。
ではなく、イオン打込みの際に生ずる基板中の欠
陥発生を減少させるため、イオン打込み工程では
不可欠のものになつている。
このままの状態でイオン打込層にレーザー光を
照射してアニールを行なうと、レーザー光と絶縁
膜が干渉を生ずるため、絶縁膜の厚さが異なる
と、レーザー光の強度が一定があつても、Si基板
中に入るレーザー光の量も異なつてしまう。
照射してアニールを行なうと、レーザー光と絶縁
膜が干渉を生ずるため、絶縁膜の厚さが異なる
と、レーザー光の強度が一定があつても、Si基板
中に入るレーザー光の量も異なつてしまう。
換言すれば、イオン打込みによつてSi基板内に
打込まれた不純物量が一定であつても、基板上の
絶縁物の厚さが異なると、打込まれた不純物のう
ち、アニールされてキヤリヤとなるものの割合が
異なることになる。
打込まれた不純物量が一定であつても、基板上の
絶縁物の厚さが異なると、打込まれた不純物のう
ち、アニールされてキヤリヤとなるものの割合が
異なることになる。
本発明は、上記問題を解決するために行なわれ
たものであつて、ある絶縁膜を介してイオン打込
みを行なつた後、絶縁膜の厚さおよびまたは種類
を変えてレーザー光を照射するものである。
たものであつて、ある絶縁膜を介してイオン打込
みを行なつた後、絶縁膜の厚さおよびまたは種類
を変えてレーザー光を照射するものである。
以下、図面を用いて本発明を詳細に説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す工程図であ
る。
る。
まず、第１図ａに示すように、CZ−Ｐ型
（100）、比抵抗20〜30Ω・cmのSi基板１を、乾燥
O2中で55分間酸化して、厚さ約500Åの酸化膜２
を形成する。
（100）、比抵抗20〜30Ω・cmのSi基板１を、乾燥
O2中で55分間酸化して、厚さ約500Åの酸化膜２
を形成する。
第１図ｂに示すように、As３を、30KeVに加
速して１×1016cm-2打込み、打込み領域４を形成
する。
速して１×1016cm-2打込み、打込み領域４を形成
する。
第１図ｃに示すように、厚さ700ÅのSiO2膜５
をCVD法によつて形成した後、Ｑスイツチをか
けたルビーレーザー（パルス幅25ナノ秒、波長
0.694μｍ）６を、照射エネルギを変えて照射し
た。
をCVD法によつて形成した後、Ｑスイツチをか
けたルビーレーザー（パルス幅25ナノ秒、波長
0.694μｍ）６を、照射エネルギを変えて照射し
た。
その結果、厚いSiO2膜５をCVDで形成した後
にレーザー光６を照射すると、薄いSiO2膜２の
ままでレーザー光を照射した場合にくらべて、約
20％少ないエネルギで同一のキヤリヤ数の得られ
ることがわかつた。
にレーザー光６を照射すると、薄いSiO2膜２の
ままでレーザー光を照射した場合にくらべて、約
20％少ないエネルギで同一のキヤリヤ数の得られ
ることがわかつた。
絶縁膜を介してレーザー光を照射する場合、絶
縁膜の膜厚がλ／4n（λ：入射光の波長、ｎ：絶
縁膜の屈折率）であるとき、レーザー光によるア
ニールの効率は最大となる。
縁膜の膜厚がλ／4n（λ：入射光の波長、ｎ：絶
縁膜の屈折率）であるとき、レーザー光によるア
ニールの効率は最大となる。
本発明は、イオン打込み時の絶縁膜の膜厚と
は、無関係に、レーザー光を照射するときの絶縁
膜の膜厚をアニールに最適な値に設定することが
できる。レーザー光照射とは別に、イオン打込み
の際の膜厚も最適な値に設定できることは勿論で
ある。
は、無関係に、レーザー光を照射するときの絶縁
膜の膜厚をアニールに最適な値に設定することが
できる。レーザー光照射とは別に、イオン打込み
の際の膜厚も最適な値に設定できることは勿論で
ある。
膜厚の異なる膜を使用するには種々の態様が可
能である。たとえば、イオン打込みの際に比較的
厚い膜を用い、エツチングなどによつて薄くした
後、レーザー光を照射してもよい。また、これと
は反対に、比較的薄い絶縁膜を介してイオン打込
みを行ない、CVDなどの手段によつて、膜厚を
大にした後に、レーザー光を照射してもよい。
能である。たとえば、イオン打込みの際に比較的
厚い膜を用い、エツチングなどによつて薄くした
後、レーザー光を照射してもよい。また、これと
は反対に、比較的薄い絶縁膜を介してイオン打込
みを行ない、CVDなどの手段によつて、膜厚を
大にした後に、レーザー光を照射してもよい。
いずれの場合においても、それぞれイオン打込
みとレーザー光照射に最適の膜厚を持つた絶縁膜
を使用できるので、極めて好ましい結果が得られ
る。
みとレーザー光照射に最適の膜厚を持つた絶縁膜
を使用できるので、極めて好ましい結果が得られ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す工程図であ
る。１……基板、２，５……絶縁膜、３……不純
物イオン、６……レーザー光。
る。１……基板、２，５……絶縁膜、３……不純
物イオン、６……レーザー光。
Claims (1)
- １ 半導体基板に第１の絶縁膜を介してイオン打
込みを行なう工程と、上記第１の絶縁膜とは膜厚
およびまたは種類の異なる第２の絶縁膜を介して
上記半導体基板にレーザー光を照射する工程を含
み、上記第２の絶縁膜の膜厚がλ／4n（ただしλ
は入射したレーザー光の波長、ｎは上記第２の絶
縁膜の屈折率を、それぞれ表わす）であることを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12540179A JPS5650511A (en) | 1979-10-01 | 1979-10-01 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12540179A JPS5650511A (en) | 1979-10-01 | 1979-10-01 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5650511A JPS5650511A (en) | 1981-05-07 |
| JPS634346B2 true JPS634346B2 (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=14909211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12540179A Granted JPS5650511A (en) | 1979-10-01 | 1979-10-01 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5650511A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5595484U (ja) * | 1979-12-27 | 1980-07-02 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5546503A (en) * | 1978-09-28 | 1980-04-01 | Toshiba Corp | Method of making semiconductor device |
-
1979
- 1979-10-01 JP JP12540179A patent/JPS5650511A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5546503A (en) * | 1978-09-28 | 1980-04-01 | Toshiba Corp | Method of making semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5650511A (en) | 1981-05-07 |
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