JPH0156523B2 - - Google Patents
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- JPH0156523B2 JPH0156523B2 JP56212098A JP21209881A JPH0156523B2 JP H0156523 B2 JPH0156523 B2 JP H0156523B2 JP 56212098 A JP56212098 A JP 56212098A JP 21209881 A JP21209881 A JP 21209881A JP H0156523 B2 JPH0156523 B2 JP H0156523B2
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- film
- insulating film
- semiconductor substrate
- window
- silicon
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、工程中にイオン注入領域のレーザ・
アニールが含まれている半導体装置の製造方法の
改良に関する。
アニールが含まれている半導体装置の製造方法の
改良に関する。
従来、例えば、窒化シリコン膜をマスクとする
選択酸化法にてシリコン半導体基板上に二酸化シ
リコン・フイールド絶縁膜を形成し、該窒化シリ
コン膜を剥離して基板表面を露出させ、そこに例
えばイオン注入法にて基板の導電型と反対のそれ
を有する不純物イオンを打ち込み、それをレー
ザ・アニールして接合を形成することが行なわれ
ている。
選択酸化法にてシリコン半導体基板上に二酸化シ
リコン・フイールド絶縁膜を形成し、該窒化シリ
コン膜を剥離して基板表面を露出させ、そこに例
えばイオン注入法にて基板の導電型と反対のそれ
を有する不純物イオンを打ち込み、それをレー
ザ・アニールして接合を形成することが行なわれ
ている。
しかし、前記のようにして形成した接合は、リ
ークが大で耐圧が低い旨の欠点がある。次に、そ
の理由を第１図を参照しつつ説明する。
ークが大で耐圧が低い旨の欠点がある。次に、そ
の理由を第１図を参照しつつ説明する。
図に於いて、１はｐ型シリコン半導体基板、２
は二酸化シリコン・フイールド絶縁膜、３はn+
型領域、３Ａは過剰アニール部分、LBはレー
ザ・ビーム、REF１及びREF２は反射光をそれ
ぞれ示している。
は二酸化シリコン・フイールド絶縁膜、３はn+
型領域、３Ａは過剰アニール部分、LBはレー
ザ・ビーム、REF１及びREF２は反射光をそれ
ぞれ示している。
さて、このような装置の接合に於けるリークは
領域３の過剰アニール部分３Ａが関連する接合で
生ずるものである。そして、このような過剰アニ
ール部分３Ａが形成される原因は二酸化シリコ
ン・フイールド絶縁膜２の形状に在る。即ち、フ
イールド絶縁膜２のエツジは膜厚が連続的に変化
している為、レーザ・ビームの透過率最大の条件
が成立する部分が存在し、その部分ではレーザ・
ビームの反射光REF１は小、それ以外の部分で
は反射光REF２は大であり、従つて、主要部分
が充分に活性化されるようにアニールするとエツ
ジでは過剰アニールになつてしまうものである。
領域３の過剰アニール部分３Ａが関連する接合で
生ずるものである。そして、このような過剰アニ
ール部分３Ａが形成される原因は二酸化シリコ
ン・フイールド絶縁膜２の形状に在る。即ち、フ
イールド絶縁膜２のエツジは膜厚が連続的に変化
している為、レーザ・ビームの透過率最大の条件
が成立する部分が存在し、その部分ではレーザ・
ビームの反射光REF１は小、それ以外の部分で
は反射光REF２は大であり、従つて、主要部分
が充分に活性化されるようにアニールするとエツ
ジでは過剰アニールになつてしまうものである。
このような技術の欠点を解消するものとして、
第２図に見られるように、フイールド絶縁膜２に
形成された窓内にレーザ・ビームの透過率が最大
となるような二酸化シリコン絶縁膜２′を形成す
ることが知られている。この場合、絶縁膜２′の
厚さｔとしては、レーザ・ビームLBが波長λが
0.448〔μｍ〕のアルゴン・レーザである場合、
836〔Å〕である。この技術に依ると過剰アニール
の問題は解決されるが所定厚さの絶縁膜２′を形
成する為の制御が甚だ困難である。
第２図に見られるように、フイールド絶縁膜２に
形成された窓内にレーザ・ビームの透過率が最大
となるような二酸化シリコン絶縁膜２′を形成す
ることが知られている。この場合、絶縁膜２′の
厚さｔとしては、レーザ・ビームLBが波長λが
0.448〔μｍ〕のアルゴン・レーザである場合、
836〔Å〕である。この技術に依ると過剰アニール
の問題は解決されるが所定厚さの絶縁膜２′を形
成する為の制御が甚だ困難である。
本発明は、極めて簡単な工程を加えるだけで前
記の如き過剰アニールの問題を解消し、特性良好
な半導体装置を製造することができる方法を提供
しようとするものであり、以下これを詳細に説明
する。
記の如き過剰アニールの問題を解消し、特性良好
な半導体装置を製造することができる方法を提供
しようとするものであり、以下これを詳細に説明
する。
第３図に於いて、１１はｐ型シリコン半導体基
板、１２は二酸化シリコン・フイールド絶縁膜、
１３はゲート絶縁膜、１４はシリコン・ゲート電
極、１５はn+型ソース領域、１６はn+型ドレイ
ン領域、１７は窒化シリコン膜、LBはレーザ・
ビーム、ref１，ref２は反射光である。
板、１２は二酸化シリコン・フイールド絶縁膜、
１３はゲート絶縁膜、１４はシリコン・ゲート電
極、１５はn+型ソース領域、１６はn+型ドレイ
ン領域、１７は窒化シリコン膜、LBはレーザ・
ビーム、ref１，ref２は反射光である。
本装置に於けるn+型ソース領域１５及びn+型
ドレイン領域１６は例えば砒素イオンを注入する
ことに依り形成され、これをCWアルゴン・レー
ザ・ビームを照射することに依り活性化するもの
である。
ドレイン領域１６は例えば砒素イオンを注入する
ことに依り形成され、これをCWアルゴン・レー
ザ・ビームを照射することに依り活性化するもの
である。
レーザ・ビームLBの照射は厚さ約630〔Å〕の
窒化シリコン膜１７を介して行なう。このように
するとアニールの不均一は生じない。その理由は
次の通りである。
窒化シリコン膜１７を介して行なう。このように
するとアニールの不均一は生じない。その理由は
次の通りである。
即ち、窒化シリコン膜１７はレーザ・ビーム透
過率が略最大の膜厚で反射防止膜条件が成立し、
従つて、ソース領域１５、ドレイン領域１６、ゲ
ート電極１４などは充分にアニールされる。とこ
ろが、二酸化シリコン・フイールド絶縁膜１２上
に於いては、「二酸化シリコンの屈折率＜窒化シ
リコンの屈折率」、である為、反射増加膜条件が
成立し、エツジに於ける過剰アニールは防止され
るものである。本発明では、このような現象を利
用しているので、窒化シリコン膜１７の厚さは然
程厳密さは要求されない。また、窒化シリコン膜
のみならず、屈折率がシリコンと二酸化シリコン
のそれに対し中間の値に在る誘電体膜であれば使
用することができる。
過率が略最大の膜厚で反射防止膜条件が成立し、
従つて、ソース領域１５、ドレイン領域１６、ゲ
ート電極１４などは充分にアニールされる。とこ
ろが、二酸化シリコン・フイールド絶縁膜１２上
に於いては、「二酸化シリコンの屈折率＜窒化シ
リコンの屈折率」、である為、反射増加膜条件が
成立し、エツジに於ける過剰アニールは防止され
るものである。本発明では、このような現象を利
用しているので、窒化シリコン膜１７の厚さは然
程厳密さは要求されない。また、窒化シリコン膜
のみならず、屈折率がシリコンと二酸化シリコン
のそれに対し中間の値に在る誘電体膜であれば使
用することができる。
因に、
シリコンの屈折率 3.17
窒化シリコンの屈折率 ２
二酸化シリコンの屈折率 1.5
である。
以上の説明で判るように、本発明に依れば、半
導体基板（或いは層）上の絶縁物層に形成された
窓から不純物を導入し、それをレーザ・ビームな
どの高エネルギ・ビームの照射に依つて活性化す
るに際し、高エネルギ・ビームの照射を屈折率が
前記半導体基板（或いは層）及び前記絶縁物層に
於けるそれの間に在る被膜を介して行なうことに
依り、前記窓のエツジ近傍に発生する過剰アニー
ルを防止することができるので、接合からのリー
ク電流が少なく、耐圧が高い半導体装置を得るの
に有効である。
導体基板（或いは層）上の絶縁物層に形成された
窓から不純物を導入し、それをレーザ・ビームな
どの高エネルギ・ビームの照射に依つて活性化す
るに際し、高エネルギ・ビームの照射を屈折率が
前記半導体基板（或いは層）及び前記絶縁物層に
於けるそれの間に在る被膜を介して行なうことに
依り、前記窓のエツジ近傍に発生する過剰アニー
ルを防止することができるので、接合からのリー
ク電流が少なく、耐圧が高い半導体装置を得るの
に有効である。
第１図及び第２図は従来技術を説明する為の半
導体装置の要部断面図、第３図は本発明一実施例
を説明する為の半導体装置の要部断面図である。 図に於いて、１１は基板、１２は絶縁膜、１３
はゲート絶縁膜、１４はゲート電極、１５はソー
ス領域、１６はドレイン領域、１７は窒化シリコ
ン膜、LBはレーザ・ビーム、ref１，ref２は反
射光である。
導体装置の要部断面図、第３図は本発明一実施例
を説明する為の半導体装置の要部断面図である。 図に於いて、１１は基板、１２は絶縁膜、１３
はゲート絶縁膜、１４はゲート電極、１５はソー
ス領域、１６はドレイン領域、１７は窒化シリコ
ン膜、LBはレーザ・ビーム、ref１，ref２は反
射光である。
Claims (1)
- １ 半導体基板（或いは層）に窓を有し且つ厚さ
がその窓のエツジをなす部分から次第に厚くなる
絶縁物膜を形成し、次に、該窓から前記半導体基
板（或いは層）に不純物を導入し、次に、屈折率
が前記半導体基板（或いは層）及び前記絶縁物膜
に於けるそれの中間に在る被膜を形成し、次に、
該被膜を介して高エネルギ・ビームを照射してア
ニールを行う工程が含まれてなることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21209881A JPS58116730A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21209881A JPS58116730A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58116730A JPS58116730A (ja) | 1983-07-12 |
| JPH0156523B2 true JPH0156523B2 (ja) | 1989-11-30 |
Family
ID=16616840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21209881A Granted JPS58116730A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58116730A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7109087B2 (en) * | 2003-10-03 | 2006-09-19 | Applied Materials, Inc. | Absorber layer for DSA processing |
| JP5054973B2 (ja) * | 2004-05-21 | 2012-10-24 | パナソニック株式会社 | 不純物導入方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5548926A (en) * | 1978-10-02 | 1980-04-08 | Hitachi Ltd | Preparation of semiconductor device |
| JPS5669837A (en) * | 1979-11-12 | 1981-06-11 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1981
- 1981-12-30 JP JP21209881A patent/JPS58116730A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5548926A (en) * | 1978-10-02 | 1980-04-08 | Hitachi Ltd | Preparation of semiconductor device |
| JPS5669837A (en) * | 1979-11-12 | 1981-06-11 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58116730A (ja) | 1983-07-12 |
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