JPS6342528Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は半導体ウエフアに塗つたフオトレジ
スト等を乾燥させるための半導体ウエフアの加熱
装置に関するものである。

例えば、トランジスタやLSI等の半導体装置を
製造する過程において、フオトエツチングの技術
が駆使されているが、その前提としてウエフアに
対しフオトレジストを塗布する工程がある。

このフオトレジストの状態はフオトエツチング
の精度に影響し結果として半導体装置の良否を決
定するので、塗布後に乾燥させて安定化を計る必
要がある。

ところが、従来の乾燥装置はフオトレジストを
傷めないために移送に当りゴムのような弾力性材
料よりなるベルトを用いていたが、このようなベ
ルトではウエフアが加熱部を通過する際ゴムが加
熱により軟化し、一方最近ではウエフアを活用す
るため両面にフオトレジストを塗布することが行
なわれウエフアの下面に比較的軟化した状態のフ
オトレジスト層がある場合が多いので両者が互に
付着し易くこのため折角の配慮にもかかわらずフ
オトレジストが剥げて著しく精度を低下させる欠
点があつた。

この考案は上記の事情に基づきなされたもの
で、ウエフアの移送に上面が平坦であるかもしく
は凹部を形成した金属製のビームを用いこれをウ
エフアの進行方向に前後進させるとともに加熱部
に対して上下動させる構成をとることにより、フ
オトレジスト等の表面を傷めることなく効率的な
加熱が可能でありしたがつて良質の半導体装置を
得ることができる半導体ウエフアの加熱装置を提
供しようとするものである。

以下図面を参照してこの考案の一実施例を説明
する。

第１図および第２図において、１は例えばテー
ブルよりなるウエフアの供給手段であり、２は例
えばエアーシリンダよりなるウエフアの排出手段
である。

供給手段１および排出手段２の間に加熱部３
ａ，３ｂを設ける。供給手段１，加熱部３ａ，３
ｂ、および排出手段２にかけて基台４を設け、こ
の基台４上に鉄またはステンレス等の金属よりな
る上面の平坦なビーム５ａ，５ｂを設け、ビーム
５ａ，５ｂの両端部間にワイヤー６を張設し、こ
れらを連結体７により無端状に連結する。なお、
ビーム５ａ，５ｂは加熱時に加熱部３ａ，３ｂに
設けられた細溝３a′，３b′中に収容される構成が
採られている。８ａおよび８ｂはワイヤー６を張
設するための大小のローラーである。基台４の側
方に前後進用の前後進駆動機構としてシリンダ９
を設け、そのピストン部を連結体７と連結杆１０
により一体化する。連結体７は中央部に貫通孔７
ａを備え、この貫通孔７ａに嵌合して設けられか
つ両端部にストツパ部１１ａ，１１ｂを有する軸
１１を案内として前後進（図の左右方向）する。
７ｂは軸受部を示している。

また基体４を加熱部３ａ，３ｂに対して上下動
させるため上下方向駆動機構としてシリンダ１２
を設ける。１３ａ，１３ｂは基体４の両端部に設
けられたガイド用の突出軸であり、１４ａ，１４
ｂは突出軸１３ａ，１３ｂを支承する軸受体であ
る。

なお、ビーム５ａ，５ｂはそのままでもよい
が、さらにウエフアを傷めないために第３図ａ，
ｂに示すように上面を含む上部にテフロン加工を
施しテフロン層１５を形成したものを用いるのが
適当である。また、図中Ｗは半導体ウエフアを示
している。

この装置は以上の構成を備えているので、まず
フオトレジストを塗布した半導体ウエフアＷを供
給手段１であるテーブルによりビーム５ａ，５ｂ
の始端に供給し、シリンダ１２により基台４した
がつてビーム５ａ，５ｂを上昇させた後、シリン
ダ９によりこれを加熱部３ａ上に移動させ、再び
シリンダ１２により下降させ半導体ウエフアＷを
加熱部３ａに接近させて効率的な乾燥が行なわれ
るようにする。

半導体ウエフアＷはシリンダ１２により上昇さ
せ、さらにシリンダ９により加熱部３ｂの位置に
移動される。ここで再び基台４を下降させて半導
体ウエフアＷを加熱部３ｂに接近させ充分な加熱
が行なわれる。この実施例は乾燥のための加熱を
２回行なう構成のものである。

乾燥の終つた半導体ウエフアＷはシリンダ１２
の作用により上昇され、さらにシリンダ９により
ビーム５ａ，５ｂを排出手段２の方向に移動さ
せ、排出手段２上に送出する。

かくして排出手段２はこの半導体ウエフアＷを
次段の工程に移動させる。この基台４を後退さ
せ、さらに下降させることによりビーム５ａ，５
ｂを元の位置に復帰させる。

この装置は半導体ウエフアＷをビーム５ａ，５
ｂを用いて移送させるものであるから、比較的軟
化した状態にあるフオトレジスト等を傷めること
なく容易にこれを移送させることができる。しか
もテフロン加工を施したものは一層フオトレジス
ト等の状態を保護することができるので、フオト
レジスト等を良好な状態に保ち、良質の半導体装
置を製造することができる。

さらにこの装置は移送のために金属製のビーム
５ａ，５ｂを用いているため、安心してこれを上
下させ加熱部３ａ，３ｂに接近させることができ
るので充分な加熱を行なうことができ一層良好な
フオトレジスト等を得ることができる。

なお、この考案は上記実施例に限定されるもの
ではなく要旨を変更しない範囲において種々変形
して実施することができる。

上記実施例においてはビーム５ａ，５ｂに上面
の平坦なものを用いた場合を示したが、これは第
４図ａ〜ｃに示すように半導体ウエフアＷの周縁
部を支承するための凹部１６を形成したものを用
いることができる。

このようにすれば、半導体ウエフアの保持状態
が安定するので一層良質の乾燥を行なうことがで
きるばかりでなく、ウエフア裏面とビーム５ａ，
５ｂとの間に間隙ができるので裏面にフオトレジ
スト層がある場合でも、これがビーム５ａ，５ｂ
に直接触れることがないので、このフオトレジス
ト層を傷めることがないように配慮がなされてい
る。勿論、この場合にビーム５ａ，５ｂの上部お
よび側面の少なくとも上部に付着防止用のテフロ
ン層１５が設けられていることはフオトレジスト
層の保持を一層適切に行なうことができるもので
ある。

以上の記載は乾燥の対象を主としてフオトレジ
ストの場合について述べたが、この考案はこれに
限らずワツクス、パウダー等の他の塗布物の場合
に適用して差し支えがない。

以上述べたようにこの考案によれば、ウエフア
の移送に上面の平坦であるかもしくは凹部を形成
したビームを用いこれをウエフアの進行方向に前
後進させるとともに加熱部に対して上下動させる
構成をとることにより、フオトレジスト等を傷め
ることなく効率的な加熱が可能であり、したがつ
て良質の半導体装置を得ることができる半導体ウ
エフアの加熱装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の一実施例の平面図、第２図
は同実施例の縦断正面図、第３図ａ，ｂはビーム
の構成を示すもので、ａは正面図、ｂはａ図Ｂ−
B′線部分の縦断側面図、第４図ａ〜ｃはビーム
の他の例の構成を示すもので、ａは正面図、ｂは
ａ図Ｂ−B′線部分の縦断側面図、ｃはａ図Ｃ−
C′線部分の縦断側面図である。 １…供給路、２…排出路、３ａ，３ｂ…加熱
部、４…基台、５ａ，５ｂ…ビーム、６…ワイヤ
ー、７…連結体、８ａ，８ｂ…ローラー、９…シ
リンダ、１０…連結杆、１１…軸、１２…シリン
ダ、１３ａ，１３ｂ…突出軸、１４ａ，１４ｂ…
軸受体、１５…テフロン層、１６…凹部、Ｗ…半
導体ウエフア。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ウエフアの供給手段と、ウエフアの排出手段
   と、前記ウエフアの供給手段および前記ウエフ
   アの排出手段の間に設けられた加熱部と、複数
   個の金属製の断面角形をなしたビームのそれぞ
   れ両端部間にワイヤーを張設して無端状に形成
   したウエフア移送機構と、この移送機構をウエ
   フアの移送方向に前後進させる前後進駆動機構
   と、前記ウエフア移送機構の取付けられた基台
   を上下方向に駆動する上下方向駆動機構とを備
   え、前記加熱部の上面には加熱時に前記ビーム
   の挿入される凹溝が形成され前記ビームの上面
   および少くとも側面の上部には付着防止用のテ
   フロンのコーテイングが施されていることを特
   徴とする半導体ウエフアの加熱装置。 (2) 上記金属製ビームは上面に半導体ウエフアの
   周縁部を支承するための縦断面台形状をなした
   凹部が形成されていることを特徴とする実用新
   案登録請求の範囲第１項記載の半導体ウエフア
   の加熱装置。