JPS6336239A - ポジ型放射線感応性樹脂組成物 - Google Patents
ポジ型放射線感応性樹脂組成物Info
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 72
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 51
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims abstract description 51
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims abstract description 50
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 18
- -1 poly(2-methyl-1-pentene sulfone Chemical class 0.000 abstract description 37
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 11
- 230000002140 halogenating effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 9
- WWUVJRULCWHUSA-UHFFFAOYSA-N 2MP Natural products CCCC(C)=C WWUVJRULCWHUSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 abstract description 7
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract 1
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 7
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 7
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 5
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 5
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 4
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 4
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012429 reaction media Substances 0.000 description 4
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QPVRKFOKCKORDP-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylcyclohexa-2,4-dien-1-ol Chemical compound CC1=CC(C)(O)CC=C1 QPVRKFOKCKORDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGRAOKJKVGDSFR-UHFFFAOYSA-N 2,3,5-trimethylphenol Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C(O)=C1 OGRAOKJKVGDSFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWBBPBRQALCEIZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylphenol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1C QWBBPBRQALCEIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical compound CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NKTOLZVEWDHZMU-UHFFFAOYSA-N 2,5-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(C)C(O)=C1 NKTOLZVEWDHZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYPKRALMXUUNKS-UHFFFAOYSA-N 2-Hexene Natural products CCCC=CC RYPKRALMXUUNKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZTMADXFOCUXMJE-UHFFFAOYSA-N 2-methylbenzene-1,3-diol Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1O ZTMADXFOCUXMJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 3,4-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1C YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMNKTRSOROOSPP-UHFFFAOYSA-N 3-Ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=CC(O)=C1 HMNKTRSOROOSPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAVREABSGIHHMO-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC(C=O)=C1 IAVREABSGIHHMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 4-ethylphenol Chemical compound CCC1=CC=C(O)C=C1 HXDOZKJGKXYMEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC=C(C=O)C=C1 RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N Acetaldehyde Chemical compound CC=O IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Natural products CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N N-bromosuccinimide Chemical compound BrN1C(=O)CCC1=O PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRNVZBWKYDBUCA-UHFFFAOYSA-N N-chlorosuccinimide Chemical compound ClN1C(=O)CCC1=O JRNVZBWKYDBUCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid dibutyl ester Chemical compound CCCCOC(=O)C(=O)OCCCC JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- HIMXGTXNXJYFGB-UHFFFAOYSA-N alloxan Chemical compound O=C1NC(=O)C(=O)C(=O)N1 HIMXGTXNXJYFGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N but-2-ene Chemical compound CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N cyclopentene Chemical compound C1CC=CC1 LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- JXDYKVIHCLTXOP-UHFFFAOYSA-N isatin Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)NC2=C1 JXDYKVIHCLTXOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N nonan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCO ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTUQWGWMVIHBKE-UHFFFAOYSA-N phenylacetaldehyde Chemical compound O=CCC1=CC=CC=C1 DTUQWGWMVIHBKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDATXMIGEVPXTR-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazolidine-3,5-dione Chemical compound O=C1NNC(=O)N1 UDATXMIGEVPXTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005968 1-Decanol Substances 0.000 description 1
- UZIBPOIXTCIHBH-UHFFFAOYSA-N 1-chlorohex-1-ene Chemical compound CCCCC=CCl UZIBPOIXTCIHBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 2,2-diethylpropanedioate Chemical compound CCC(CC)(C([O-])=O)C([O-])=O LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KUFFULVDNCHOFZ-UHFFFAOYSA-N 2,4-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(C)=C1 KUFFULVDNCHOFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTTZHAVKAVGASB-HYXAFXHYSA-N 2-Heptene Chemical compound CCCC\C=C/C OTTZHAVKAVGASB-HYXAFXHYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZXIZTKNFFYFOF-UHFFFAOYSA-N 2-Oxazolidone Chemical compound O=C1NCCO1 IZXIZTKNFFYFOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVUNTIMPQCQCAQ-UHFFFAOYSA-N 2-dodecanoyloxyethyl dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OCCOC(=O)CCCCCCCCCCC ZVUNTIMPQCQCAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl acetate Chemical compound CCCCC(CC)COC(C)=O WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTTZHAVKAVGASB-UHFFFAOYSA-N 2-heptene Natural products CCCCC=CC OTTZHAVKAVGASB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHNNAWXXUZQSNM-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-1-ene Chemical compound CCC(C)=C MHNNAWXXUZQSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSTPAHQEHQSRJD-UHFFFAOYSA-N 3-Carvomenthenone Chemical compound CC(C)C1CCC(C)=CC1=O YSTPAHQEHQSRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQSXUKPGWMJYBT-UHFFFAOYSA-N 3-butylphenol Chemical compound CCCCC1=CC=CC(O)=C1 MQSXUKPGWMJYBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRWILAKSARHZPR-UHFFFAOYSA-N 3-chlorobenzaldehyde Chemical compound ClC1=CC=CC(C=O)=C1 SRWILAKSARHZPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZETIVVHRRQLWFW-UHFFFAOYSA-N 3-nitrobenzaldehyde Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC(C=O)=C1 ZETIVVHRRQLWFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWHXSJOSFZIVON-UHFFFAOYSA-N 4,5,6-tris(trichloromethyl)triazine Chemical compound ClC(Cl)(Cl)C1=NN=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=C1C(Cl)(Cl)Cl YWHXSJOSFZIVON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNDXPKDBFOOQFC-UHFFFAOYSA-N 4-[2-nitro-4-(trifluoromethyl)phenyl]morpholine Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(C(F)(F)F)=CC=C1N1CCOCC1 UNDXPKDBFOOQFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVPYQKSLYISFPO-UHFFFAOYSA-N 4-chlorobenzaldehyde Chemical compound ClC1=CC=C(C=O)C=C1 AVPYQKSLYISFPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYYZDBDROVLTJU-UHFFFAOYSA-N 4-n-Butylphenol Chemical compound CCCCC1=CC=C(O)C=C1 CYYZDBDROVLTJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXRFQSNOROATLV-UHFFFAOYSA-N 4-nitrobenzaldehyde Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=C(C=O)C=C1 BXRFQSNOROATLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBXGQDUVJBKEAJ-UHFFFAOYSA-N 4h-oxazin-3-one Chemical compound O=C1CC=CON1 FBXGQDUVJBKEAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNMDNPCBIKJCQP-UHFFFAOYSA-N 5-nonyl-7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-ol Chemical compound C(CCCCCCCC)C1=C2C(=C(C=C1)O)O2 RNMDNPCBIKJCQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005635 Caprylic acid (CAS 124-07-2) Substances 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEPRKVQEAMIZSS-UHFFFAOYSA-N Di-Et ester-Fumaric acid Natural products CCOC(=O)C=CC(=O)OCC IEPRKVQEAMIZSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEPRKVQEAMIZSS-WAYWQWQTSA-N Diethyl maleate Chemical compound CCOC(=O)\C=C/C(=O)OCC IEPRKVQEAMIZSS-WAYWQWQTSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPVVYTCTZKCSOJ-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol distearate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCOC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC FPVVYTCTZKCSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGJKQDOBUOMPEZ-UHFFFAOYSA-N N,N'-dimethylurea Chemical compound CNC(=O)NC MGJKQDOBUOMPEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical class CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCKPVGOLPKLUHR-UHFFFAOYSA-N OH-Indolxyl Natural products C1=CC=C2C(O)=CNC2=C1 PCKPVGOLPKLUHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- SWTCCCJQNPGXLQ-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde di-n-butyl acetal Natural products CCCCOC(C)OCCCC SWTCCCJQNPGXLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N anhydrous gallic acid Natural products OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBOSKQVOIHEWAX-UHFFFAOYSA-N benzothiazine Chemical compound C1=CC=C2N=CCSC2=C1 FBOSKQVOIHEWAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4-ol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=CC=C1 YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- OEERIBPGRSLGEK-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;methanol Chemical compound OC.O=C=O OEERIBPGRSLGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- OSVXSBDYLRYLIG-UHFFFAOYSA-N chlorine dioxide Inorganic materials O=Cl=O OSVXSBDYLRYLIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019398 chlorine dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910001914 chlorine tetroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVWHTOUAJSGEKT-UHFFFAOYSA-N chlorine trioxide Chemical compound [O]Cl(=O)=O TVWHTOUAJSGEKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical compound OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMPWYEUPVWOPIM-UHFFFAOYSA-N cinchonidine Natural products C1=CC=C2C(C(C3N4CCC(C(C4)C=C)C3)O)=CC=NC2=C1 KMPWYEUPVWOPIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 description 1
- JBSLOWBPDRZSMB-FPLPWBNLSA-N dibutyl (z)-but-2-enedioate Chemical compound CCCCOC(=O)\C=C/C(=O)OCCCC JBSLOWBPDRZSMB-FPLPWBNLSA-N 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N diethyl oxalate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)OCC WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDCRTTXIJACKKU-ARJAWSKDSA-N dimethyl maleate Chemical compound COC(=O)\C=C/C(=O)OC LDCRTTXIJACKKU-ARJAWSKDSA-N 0.000 description 1
- XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N dimethylacetylene Natural products CC#CC XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- LRMHFDNWKCSEQU-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;phenol Chemical compound CCOCC.OC1=CC=CC=C1 LRMHFDNWKCSEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940100608 glycol distearate Drugs 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N hydantoin Chemical compound O=C1CNC(=O)N1 WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940091173 hydantoin Drugs 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYGFTBXVXVMTGB-UHFFFAOYSA-N indolin-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)CC2=C1 JYGFTBXVXVMTGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- OVWYEQOVUDKZNU-UHFFFAOYSA-N m-tolualdehyde Chemical compound CC1=CC=CC(C=O)=C1 OVWYEQOVUDKZNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- VIJMMQUAJQEELS-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(ethenyl)ethenamine Chemical compound C=CN(C=C)C=C VIJMMQUAJQEELS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylethanamine Chemical compound CCN(C)CC GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229960002446 octanoic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- COWNFYYYZFRNOY-UHFFFAOYSA-N oxazolidinedione Chemical compound O=C1COC(=O)N1 COWNFYYYZFRNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXLOVSHXALFLKQ-UHFFFAOYSA-N p-tolualdehyde Chemical compound CC1=CC=C(C=O)C=C1 FXLOVSHXALFLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N pentamethylene Natural products C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940100595 phenylacetaldehyde Drugs 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- KNCYXPMJDCCGSJ-UHFFFAOYSA-N piperidine-2,6-dione Chemical compound O=C1CCCC(=O)N1 KNCYXPMJDCCGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930006968 piperitone Natural products 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940032159 propylene carbonate Drugs 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical compound O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N sulfuryl dichloride Chemical compound ClS(Cl)(=O)=O YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- IXZDIALLLMRYOU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl hypochlorite Chemical compound CC(C)(C)OCl IXZDIALLLMRYOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZJJKWKADRNWSW-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilicon Chemical compound CO[Si](OC)OC PZJJKWKADRNWSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ポジ型放射線感応性樹脂組成物に関し、特に
感度および耐ドライエツチング性に研れるポジ型放射線
感応性樹脂組成物に関する。
感度および耐ドライエツチング性に研れるポジ型放射線
感応性樹脂組成物に関する。
近年、半導体集積回路製造技術の進歩はめざましく、高
集積度の半導体集積回路製造に使用されるレジストは、
ネガ型レジストから、更に微細パターンの形成が可能な
ポジ型レジストへと移行しつつある。
集積度の半導体集積回路製造に使用されるレジストは、
ネガ型レジストから、更に微細パターンの形成が可能な
ポジ型レジストへと移行しつつある。
また、このようなレジストのパターン化に利用する光源
としては、従来の波長が400 n m付近の紫外線か
ら波長の更に短い遠紫外線、電子線、X線、中性子線、
イオン線、分子線等の放射線が利用される傾向にある。
としては、従来の波長が400 n m付近の紫外線か
ら波長の更に短い遠紫外線、電子線、X線、中性子線、
イオン線、分子線等の放射線が利用される傾向にある。
従来、上記のような波長の短い放射線に感応するポジ型
放射線感応性樹脂として、例えば、ポリメチルメタクリ
レートやポリオレフィンスルホンが知られているが、こ
れらは放射線感応性は高いが耐ドライエツチング性に劣
るという問題点を有している。
放射線感応性樹脂として、例えば、ポリメチルメタクリ
レートやポリオレフィンスルホンが知られているが、こ
れらは放射線感応性は高いが耐ドライエツチング性に劣
るという問題点を有している。
これらの問題点を解決する方法としては、特開昭5.1
153578号公報、特開昭58−52638号公報お
よび特開昭59 152号公報に記載されているように
アルカリ可溶性ノボラック樹脂等のアルカリ可溶性樹脂
にポリ (2−メチル−1−ペンテンスルホン)等のポ
リオレフィンスルホンを配合したポジ型放射線感応性樹
脂組成物が提案されている。
153578号公報、特開昭58−52638号公報お
よび特開昭59 152号公報に記載されているように
アルカリ可溶性ノボラック樹脂等のアルカリ可溶性樹脂
にポリ (2−メチル−1−ペンテンスルホン)等のポ
リオレフィンスルホンを配合したポジ型放射線感応性樹
脂組成物が提案されている。
しかしながら、アルカリ可溶性樹脂にポリオレフィンス
ルホンを配合したポジ型放射線感応性樹脂組成物は、耐
ドライエツチング性は改良されるが、放射線に対する感
度が大幅に低下するという問題点を有している。
ルホンを配合したポジ型放射線感応性樹脂組成物は、耐
ドライエツチング性は改良されるが、放射線に対する感
度が大幅に低下するという問題点を有している。
上記の放射線に対する感度の低下を補う手段としては、
特開昭54−153578号公報に記載されているよう
に、アルカリ可溶性ノボラック樹脂にポリオレフィンス
ルホンを配合してなるポジ型放射線感応性樹脂組成物に
■ハロゲン原子を含む化合物を物理的に混合する方法、
もしくは■ハロゲン原子を含む千ツマ−を共重合して得
られるポリオレフィンスルホンを配合する方法が考えら
れる。
特開昭54−153578号公報に記載されているよう
に、アルカリ可溶性ノボラック樹脂にポリオレフィンス
ルホンを配合してなるポジ型放射線感応性樹脂組成物に
■ハロゲン原子を含む化合物を物理的に混合する方法、
もしくは■ハロゲン原子を含む千ツマ−を共重合して得
られるポリオレフィンスルホンを配合する方法が考えら
れる。
しかし、上記■および■の方法は下記のような問題点を
有している。
有している。
■についてはハロゲン原子を含む化合物をポジ型放射線
感応性樹脂組成物に物理的に混合することによって、該
組成物の放射線吸収量を増加させることができるが、そ
の放射線吸収量の増加分がポリオレフィンスルホンの解
重合の促進に寄与されないために該組成物の感度を上昇
させることができない。
感応性樹脂組成物に物理的に混合することによって、該
組成物の放射線吸収量を増加させることができるが、そ
の放射線吸収量の増加分がポリオレフィンスルホンの解
重合の促進に寄与されないために該組成物の感度を上昇
させることができない。
■については、例えばω−クロロオレフィン等のハロゲ
ン原子を含むモノマーが共重合されたポリオレフィンス
ルボンを主成分とするポジ型放射線感応性樹脂組成物は
、ω−クロロオレフィン等のハロゲン化オレフィンが共
重合されていないポリオレフィンスルボンを主成分とす
るポジ型放射線感応性樹脂組成物に比べて放射線に対す
る感度が低下してしまう。CMichael Kopl
an、 PolymerEngineering an
d 5cience、 23巻、 957〜962頁(
1983) )これは、−船釣にハロゲン原子を含むモ
ノマーを共重合したポリオレフィンスルホンはハロゲン
原子を含む千ツマ−を共重合していないポリオレフィン
スルボンに比べて天井温度が高くなり、その結果、アル
カリ可溶性ノボラック樹脂に配合してポジ型放射線感応
性樹脂組成物とし、放射線を照射したときに、ポリオレ
フィンスルホンを解重合させるために要するエネルギー
量が高くなるためであると考えられる。
ン原子を含むモノマーが共重合されたポリオレフィンス
ルボンを主成分とするポジ型放射線感応性樹脂組成物は
、ω−クロロオレフィン等のハロゲン化オレフィンが共
重合されていないポリオレフィンスルボンを主成分とす
るポジ型放射線感応性樹脂組成物に比べて放射線に対す
る感度が低下してしまう。CMichael Kopl
an、 PolymerEngineering an
d 5cience、 23巻、 957〜962頁(
1983) )これは、−船釣にハロゲン原子を含むモ
ノマーを共重合したポリオレフィンスルホンはハロゲン
原子を含む千ツマ−を共重合していないポリオレフィン
スルボンに比べて天井温度が高くなり、その結果、アル
カリ可溶性ノボラック樹脂に配合してポジ型放射線感応
性樹脂組成物とし、放射線を照射したときに、ポリオレ
フィンスルホンを解重合させるために要するエネルギー
量が高くなるためであると考えられる。
従って、特開昭54−153578号公報に記載されて
いる上記の方法は感度低下を補う方法として有効な方法
ではない。
いる上記の方法は感度低下を補う方法として有効な方法
ではない。
本発明は、ポリオレフィンスルホンをハロゲン化したハ
ロゲン化ポリオレフィンスルホンをアルカリ可溶性樹脂
に配合することによりなるポジ型放射線感応性樹脂組成
物がX線、中性子線、イオン線、分子線、紫外線および
遠紫外線等の放射線に対して高い感度を有することを見
出し達成したものである。
ロゲン化ポリオレフィンスルホンをアルカリ可溶性樹脂
に配合することによりなるポジ型放射線感応性樹脂組成
物がX線、中性子線、イオン線、分子線、紫外線および
遠紫外線等の放射線に対して高い感度を有することを見
出し達成したものである。
本発明はアルカリ可溶性樹脂およびハロゲン化ポリオレ
フィンスルホンを含有するポジ型放射線感応性樹脂組成
物を提供するものである。
フィンスルホンを含有するポジ型放射線感応性樹脂組成
物を提供するものである。
本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、例え
ば、アルカリ可溶性ノボラック樹脂(以下単に「ノボラ
ック樹脂」という)、ポリヒドロキシスチレン、ポリヒ
ドロキシスチレン誘導体、無水マレイン酸またはメタア
クリル酸を重合したカルボキシル基含有重合体等が挙げ
られ、中でもノボラック樹脂が好ましい。
ば、アルカリ可溶性ノボラック樹脂(以下単に「ノボラ
ック樹脂」という)、ポリヒドロキシスチレン、ポリヒ
ドロキシスチレン誘導体、無水マレイン酸またはメタア
クリル酸を重合したカルボキシル基含有重合体等が挙げ
られ、中でもノボラック樹脂が好ましい。
ノボラック樹脂は、フェノール類とアルデヒド類を酸触
媒存在下で付加縮合させるごとにより得られる。
媒存在下で付加縮合させるごとにより得られる。
ノボラック樹脂の原料となるフェノール類としては、例
えば、フェノール、0−クレゾール、m−クレゾール、
p−クレゾール、0−エチルフェノール、m−エチルフ
ェノール、p−エチルフェノール、0−ブチルフェノー
ル、m−ブチルフェノール、p−ブチルフェノール、2
,3−キシレノール、2.4−キシレノール、2,5−
キシレノール、3,4−キシレノール、3.5−キシレ
ノール、2,3.5−トリメチルフェノール、p−フェ
ニルフェノール、ヒドロキノン、カテコール、レゾルシ
ノール、2−メチルレゾルシノール、ピロガロール、α
−ナフトール、ビスフェノールA、ジヒドロキシ安息香
酸エステル、没食子酸エステル等が挙げられ、これらの
化合物のうちフェノール、0−クレゾール、m−クレゾ
ール、p−クレゾール、2.5−キシレノール、3.5
−キシレノール、2,3.5−トリメチルフェノール、
レゾルシノール、2−メチルレゾルシノールおよびビス
フェノールAが好ましい。これらのフェノール類は、単
独でまたは2種以上混合して使用することができる。
えば、フェノール、0−クレゾール、m−クレゾール、
p−クレゾール、0−エチルフェノール、m−エチルフ
ェノール、p−エチルフェノール、0−ブチルフェノー
ル、m−ブチルフェノール、p−ブチルフェノール、2
,3−キシレノール、2.4−キシレノール、2,5−
キシレノール、3,4−キシレノール、3.5−キシレ
ノール、2,3.5−トリメチルフェノール、p−フェ
ニルフェノール、ヒドロキノン、カテコール、レゾルシ
ノール、2−メチルレゾルシノール、ピロガロール、α
−ナフトール、ビスフェノールA、ジヒドロキシ安息香
酸エステル、没食子酸エステル等が挙げられ、これらの
化合物のうちフェノール、0−クレゾール、m−クレゾ
ール、p−クレゾール、2.5−キシレノール、3.5
−キシレノール、2,3.5−トリメチルフェノール、
レゾルシノール、2−メチルレゾルシノールおよびビス
フェノールAが好ましい。これらのフェノール類は、単
独でまたは2種以上混合して使用することができる。
また、アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒ
ド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピ
ルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアル
デヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニ
ルプロピルアルデヒド、0−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロキシ
ベンズアルデヒド、0−クロロベンズアルデヒド、m−
クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド
、0−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズアル
デヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、0−メチルベン
ズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メチ
ルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド、p
−n−メチルベンズアルデヒド等が挙げられ、これらの
化合物のうちホルムアルデヒド、アセトアルデヒドおよ
びベンズアルデヒドが好ましい。これらのアルデヒド類
は、単独でまたは2種以上混合して使用することができ
る。
ド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピ
ルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアル
デヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニ
ルプロピルアルデヒド、0−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロキシ
ベンズアルデヒド、0−クロロベンズアルデヒド、m−
クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド
、0−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズアル
デヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、0−メチルベン
ズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メチ
ルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド、p
−n−メチルベンズアルデヒド等が挙げられ、これらの
化合物のうちホルムアルデヒド、アセトアルデヒドおよ
びベンズアルデヒドが好ましい。これらのアルデヒド類
は、単独でまたは2種以上混合して使用することができ
る。
アルデヒド類はフェノール類1モル等たり、通常、0.
7〜3モル、好ましくは0.7〜2モルの割合で使用さ
れる。
7〜3モル、好ましくは0.7〜2モルの割合で使用さ
れる。
酸触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸およびギ
酸、シュウ酸、酢酸等の有機酸が使用される。これらの
酸触媒の使用量は、フェノール類1モル当たりlXl0
−’〜5 X 10−’モルが好ましい。
酸、シュウ酸、酢酸等の有機酸が使用される。これらの
酸触媒の使用量は、フェノール類1モル当たりlXl0
−’〜5 X 10−’モルが好ましい。
上記の付加縮合においては、通常、反応媒質として水を
用いるが、使用するフェノール類がアルデヒド類の水溶
液に溶解せず、反応初期から不均一系になる場合には、
反応媒質として親水性有機溶媒を使用することもできる
。このような親水性有機溶媒としては、例えばメタノー
ル、エタノール、プロパツール、ブタノール等のアルコ
ール類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エー
テル類が挙げられる。これらの反応媒質の使用量は、反
応原料100重量部当たり、 20〜1000重量部が好ましい。
用いるが、使用するフェノール類がアルデヒド類の水溶
液に溶解せず、反応初期から不均一系になる場合には、
反応媒質として親水性有機溶媒を使用することもできる
。このような親水性有機溶媒としては、例えばメタノー
ル、エタノール、プロパツール、ブタノール等のアルコ
ール類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エー
テル類が挙げられる。これらの反応媒質の使用量は、反
応原料100重量部当たり、 20〜1000重量部が好ましい。
反応温度は、反応原料の反応性に応じて適宜調整するこ
とができるが、通常、10〜200℃、好ましくは70
〜150℃である。
とができるが、通常、10〜200℃、好ましくは70
〜150℃である。
反応終了後、系内に存在する未反応原料、酸触媒および
反応媒質を除去するため、−船釣には得られた反応混合
物を130〜230℃に上昇させ、減圧下に揮発分を留
去し、次いで溶融したノボラック樹脂をスチール製ベル
ト等の上に流泡して、ノボラック樹脂を回収する。
反応媒質を除去するため、−船釣には得られた反応混合
物を130〜230℃に上昇させ、減圧下に揮発分を留
去し、次いで溶融したノボラック樹脂をスチール製ベル
ト等の上に流泡して、ノボラック樹脂を回収する。
本発明に用いる、ノボラック樹脂としては、上記のよう
にしてフェノール類とアルデヒド類との付加縮合反応に
より得られるものをそのまま用いでもよく、また適当な
後処理を施されたものを用いてもよい。
にしてフェノール類とアルデヒド類との付加縮合反応に
より得られるものをそのまま用いでもよく、また適当な
後処理を施されたものを用いてもよい。
ここでいう後処理としては、例えば、特開昭60一18
9739号公報に記載されているように、合成されたノ
ボラック樹脂を極性溶媒、例えばメタノール、エタノー
ル、アセトン、メチルエチルケトン、ジオキサン、テト
ラヒドロフラン等に溶解し、次にこの溶液を水−極性溶
媒混合系沈澱剤やペンタン、ヘキサノ等の非極性溶媒系
沈澱剤に入れて樹脂分を沈澱させ、ノボラック樹脂の1
〜3核体含量が10重景%未満となるような処理を挙げ
ることができる。
9739号公報に記載されているように、合成されたノ
ボラック樹脂を極性溶媒、例えばメタノール、エタノー
ル、アセトン、メチルエチルケトン、ジオキサン、テト
ラヒドロフラン等に溶解し、次にこの溶液を水−極性溶
媒混合系沈澱剤やペンタン、ヘキサノ等の非極性溶媒系
沈澱剤に入れて樹脂分を沈澱させ、ノボラック樹脂の1
〜3核体含量が10重景%未満となるような処理を挙げ
ることができる。
上記のノボラック樹脂は併用することもできる。
次に、本発明に用いられるハロゲン化ポリオレフィンス
ルホンとしては、塩素化ポリオレフィンスルホン、臭素
化ポリオレフィンスルホン、フッ素化ポリオレフィンス
ルホン等を挙げることができる。
ルホンとしては、塩素化ポリオレフィンスルホン、臭素
化ポリオレフィンスルホン、フッ素化ポリオレフィンス
ルホン等を挙げることができる。
このハロゲン化ポリオレフィンスルホンは、ポリオレフ
ィンスルホンをハロゲン化することによって得られる。
ィンスルホンをハロゲン化することによって得られる。
ハロゲン化ポリオレフィンスルホンの原料として用いら
れるポリオレフィンスルホンは、従来から知られている
方法、例えばプロピレン、1−ブテン、1−ペンテン、
1−ヘキセン、■−オクテン、2−メチル−1−ブテン
、2−メチル−1−ペンテン、2−ブテン、2−ヘキセ
ン、2−ヘプテン、シクロペンテン、シクロヘキセン等
のオレフィン化合物と、二酸化イオウとを、過酸化t−
ブチル、過酸化クミル等の過酸化物を開始剤に用いて共
重合する(C,S、Marve、 J、Amer、 C
hem、Soc。
れるポリオレフィンスルホンは、従来から知られている
方法、例えばプロピレン、1−ブテン、1−ペンテン、
1−ヘキセン、■−オクテン、2−メチル−1−ブテン
、2−メチル−1−ペンテン、2−ブテン、2−ヘキセ
ン、2−ヘプテン、シクロペンテン、シクロヘキセン等
のオレフィン化合物と、二酸化イオウとを、過酸化t−
ブチル、過酸化クミル等の過酸化物を開始剤に用いて共
重合する(C,S、Marve、 J、Amer、 C
hem、Soc。
57巻、2311〜2314頁(1935年))か紫外
線照射により重合すること(特公昭51−2375号公
報)によって得られる。このようにして得られるポリオ
レフィンスルホンのうち、ハロゲン化ポリオレフィンス
ルホンの原料として好ましいものとしては、例えば、ポ
リ (プロピレンスルホン)、ポリ (1−ブテンスル
ホン)、ポリ(1−ペンテンスルホン)、ポリ (1−
ヘキセンスルホン)、ポリ (1−オクテンスルホン)
、ポリ (2−ブテンスルホン)、ポリ (2−へブテ
ンスルホン)、ポリ (シクロペンテンスルホン)、ポ
リ (シクロヘキセンスルホン)、ポリ (2−メチル
−1−ペンテンスルホン)、ポリ (2−メチル−1−
ブテンスルホン)等を挙げることができる。
線照射により重合すること(特公昭51−2375号公
報)によって得られる。このようにして得られるポリオ
レフィンスルホンのうち、ハロゲン化ポリオレフィンス
ルホンの原料として好ましいものとしては、例えば、ポ
リ (プロピレンスルホン)、ポリ (1−ブテンスル
ホン)、ポリ(1−ペンテンスルホン)、ポリ (1−
ヘキセンスルホン)、ポリ (1−オクテンスルホン)
、ポリ (2−ブテンスルホン)、ポリ (2−へブテ
ンスルホン)、ポリ (シクロペンテンスルホン)、ポ
リ (シクロヘキセンスルホン)、ポリ (2−メチル
−1−ペンテンスルホン)、ポリ (2−メチル−1−
ブテンスルホン)等を挙げることができる。
これらのポリオレフィンスルホンのハロゲン化は、不活
性有機溶媒中、過酸化物の存在下または放射線照射下に
おいて、ポリオレフィンスルホンにハロゲン化試薬を作
用させることによるラジカル反応により行なうことがで
きる。この際使用する不活性有a溶媒としては、例えば
、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、1.1
.1−)リクロロエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒
、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
性有機溶媒中、過酸化物の存在下または放射線照射下に
おいて、ポリオレフィンスルホンにハロゲン化試薬を作
用させることによるラジカル反応により行なうことがで
きる。この際使用する不活性有a溶媒としては、例えば
、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、1.1
.1−)リクロロエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒
、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
またハロゲン化試薬としては、例えば、次亜塩素酸t−
ブチル、塩化スルフリル、N−クロロコハク酸イミド、
塩素、N−ブロモコハク酸イミド、臭素、フン素等が挙
げられる。これらのハロゲン化試薬は併用することもで
きる。
ブチル、塩化スルフリル、N−クロロコハク酸イミド、
塩素、N−ブロモコハク酸イミド、臭素、フン素等が挙
げられる。これらのハロゲン化試薬は併用することもで
きる。
ハロゲン化を過酸化物の存在下で行なう場合の過酸化物
としては、例えば、過酸化t−ブチル、過酸化クミル等
が挙げられ、また放射線照射下に行なう場合の放射線と
しては、波長200〜500nmの放射線、特に250
〜400nmの紫外線が好ましい。
としては、例えば、過酸化t−ブチル、過酸化クミル等
が挙げられ、また放射線照射下に行なう場合の放射線と
しては、波長200〜500nmの放射線、特に250
〜400nmの紫外線が好ましい。
このポリオレフィンスルホンのハロゲン化方法をより具
体的に例示すると、ポリオレフィンスルホン100重量
部を前記不活性有機溶媒100〜5000重量部、好ま
しくは100〜2000重量部に溶解後、ハロゲン化試
薬1〜200重量部、好ましくは1〜100重量部を添
加する。このようにして得られる混合溶液を、用いたポ
リオレフィンスルホンの天井温度より好ましくは30℃
以上低い温度に冷却した状態で、過酸化物を0.01〜
100重量部、好ましくは0.1〜50重量部添加する
か、または放射線照射を行なう。反応は前記のように用
いられるポリオレフィンスルホンの天井温度より低い温
度であって、通常−100〜0°C1好ましくは−10
0〜−20℃の範囲において行なわれる。反応に要する
時間は、通常10分〜6時間程度である。
体的に例示すると、ポリオレフィンスルホン100重量
部を前記不活性有機溶媒100〜5000重量部、好ま
しくは100〜2000重量部に溶解後、ハロゲン化試
薬1〜200重量部、好ましくは1〜100重量部を添
加する。このようにして得られる混合溶液を、用いたポ
リオレフィンスルホンの天井温度より好ましくは30℃
以上低い温度に冷却した状態で、過酸化物を0.01〜
100重量部、好ましくは0.1〜50重量部添加する
か、または放射線照射を行なう。反応は前記のように用
いられるポリオレフィンスルホンの天井温度より低い温
度であって、通常−100〜0°C1好ましくは−10
0〜−20℃の範囲において行なわれる。反応に要する
時間は、通常10分〜6時間程度である。
上記のよ・うに、ポリオレフィンスルホンのハロゲン化
は、通常、ポリオレフィンスルホンの天井温度以下で行
なわれるが、一般に、ポリオレフィンスルホンの天井温
度が一20℃以下の場合は、反応速度の面から放射線照
射下でハロゲン化を行なうことが好ましい。
は、通常、ポリオレフィンスルホンの天井温度以下で行
なわれるが、一般に、ポリオレフィンスルホンの天井温
度が一20℃以下の場合は、反応速度の面から放射線照
射下でハロゲン化を行なうことが好ましい。
このようにして得られるハロゲン化ポリオレフィンスル
ホンの具体例としては塩素化ポリ (プロピレンスルホ
ン)、塩素化ポリ (1−ブテンスルホン)、塩素化ポ
リ (1−ペンテンスルホン)、塩素化ポリ (1−ヘ
キセンスルホン)、塩素化ポリ (1−オクテンスルホ
ン)、塩素化ポリ (2−ブテンスルホン)、塩素化ポ
リ (2−ブテンスルホン)、塩素化ポリ (2−へブ
テンスルホン)、塩素化ポリ (シクロペンテンスルホ
ン)、塩素化ポリ (シクロヘキセンスルホン)、塩素
化ポリ(2−メチル−1−ペンテンスルホン)、塩素化
ポリ (2−メチル−1−ブテンスルホン)、臭素化ポ
リ (1−ブテンスルホン)、臭素化ポリ (2−メチ
ル−1−ペンテンスルホン)、フッ素化ポリ (1−ブ
テンスルホン)、フッ素化ポリ (2−メチル−1−ペ
ンテンスルホン)等を挙げることができる。
ホンの具体例としては塩素化ポリ (プロピレンスルホ
ン)、塩素化ポリ (1−ブテンスルホン)、塩素化ポ
リ (1−ペンテンスルホン)、塩素化ポリ (1−ヘ
キセンスルホン)、塩素化ポリ (1−オクテンスルホ
ン)、塩素化ポリ (2−ブテンスルホン)、塩素化ポ
リ (2−ブテンスルホン)、塩素化ポリ (2−へブ
テンスルホン)、塩素化ポリ (シクロペンテンスルホ
ン)、塩素化ポリ (シクロヘキセンスルホン)、塩素
化ポリ(2−メチル−1−ペンテンスルホン)、塩素化
ポリ (2−メチル−1−ブテンスルホン)、臭素化ポ
リ (1−ブテンスルホン)、臭素化ポリ (2−メチ
ル−1−ペンテンスルホン)、フッ素化ポリ (1−ブ
テンスルホン)、フッ素化ポリ (2−メチル−1−ペ
ンテンスルホン)等を挙げることができる。
本発明に用いられるハロゲン化ポリオレフィンスルホン
のハロゲン含有量は、通常、0.2重量%、好ましくは
0.2〜20重量%、特に好ましくは0.5〜15重量
%である。ハロゲン化ポリオレフィンスルホンのハロゲ
ン含有量が0.2重量%未満であると、感度の向上効果
が顕著に現われにくく、一方、ポリオレフィンスルホン
をハロゲン化する際に、ハロゲン含有量が20重量%を
こえると、得られるハロゲン化ポリオレフィンスルホン
が低分子量化する傾向にある。
のハロゲン含有量は、通常、0.2重量%、好ましくは
0.2〜20重量%、特に好ましくは0.5〜15重量
%である。ハロゲン化ポリオレフィンスルホンのハロゲ
ン含有量が0.2重量%未満であると、感度の向上効果
が顕著に現われにくく、一方、ポリオレフィンスルホン
をハロゲン化する際に、ハロゲン含有量が20重量%を
こえると、得られるハロゲン化ポリオレフィンスルホン
が低分子量化する傾向にある。
また、ハロゲン化ポリオレフィンスルホンの極限粘度は
、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケI・ン等の
ケトン系溶媒またはクロロホルム、ジクロロメタン等の
塩素系溶媒中30℃において0.1〜3.5dj!/g
の範囲が好ましく、特に0.3〜3d17gが好ましい
。極限粘度が0.367!/g未満であると得られるポ
ジ型放射線感応性樹脂組成物をレジストとして用いる場
合、パターン形成の際のコントラストおよび残膜率が悪
化する傾向がある。また、極限粘度が3.5dl!/g
を超えると得られるポジ型放射線感応性樹脂組成物を溶
液として使用する際の粘度が高くなりすぎ、塗布性が悪
化する傾向がある。
、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケI・ン等の
ケトン系溶媒またはクロロホルム、ジクロロメタン等の
塩素系溶媒中30℃において0.1〜3.5dj!/g
の範囲が好ましく、特に0.3〜3d17gが好ましい
。極限粘度が0.367!/g未満であると得られるポ
ジ型放射線感応性樹脂組成物をレジストとして用いる場
合、パターン形成の際のコントラストおよび残膜率が悪
化する傾向がある。また、極限粘度が3.5dl!/g
を超えると得られるポジ型放射線感応性樹脂組成物を溶
液として使用する際の粘度が高くなりすぎ、塗布性が悪
化する傾向がある。
これらのハロゲン化ポリオレフィンスルボンは?n用す
ることもできる。
ることもできる。
本発明のポジ型放射線感応性樹脂組成物において、ハロ
ゲン化ポリオレフィンスルホンの配合量は、アルカリ可
溶性樹脂100重量部に対して、通常2〜35重量部、
好ましくは5〜30重量部の範囲である。
ゲン化ポリオレフィンスルホンの配合量は、アルカリ可
溶性樹脂100重量部に対して、通常2〜35重量部、
好ましくは5〜30重量部の範囲である。
ハロゲン化ポリオレフィンスルホンの配合量が少なずぎ
ると、レジストとじて使用する際にポジ型放射線感応性
樹脂組成物塗膜の放射線照射部と放射線未照射部とのア
ルカリ水溶液からなる現像液に対する溶解度に差をつけ
ることができず、一方多ずぎると短時間の放射線照射で
は照射部においてハロゲン化ポリオレフィンスルボンの
大半がそのままの形で残存して可溶化しないため、アル
カリ水溶液からなる現像液によりポジ型放射線感応性樹
脂組成物塗膜を現像することが困難である。
ると、レジストとじて使用する際にポジ型放射線感応性
樹脂組成物塗膜の放射線照射部と放射線未照射部とのア
ルカリ水溶液からなる現像液に対する溶解度に差をつけ
ることができず、一方多ずぎると短時間の放射線照射で
は照射部においてハロゲン化ポリオレフィンスルボンの
大半がそのままの形で残存して可溶化しないため、アル
カリ水溶液からなる現像液によりポジ型放射線感応性樹
脂組成物塗膜を現像することが困難である。
本発明のポジ型放射線感応性樹脂組成物は、通常、上記
のアルカリ可溶性樹脂およびハロゲン化ポリオレフィン
スルホンを適当な有機溶剤に溶解させることにより調製
される。
のアルカリ可溶性樹脂およびハロゲン化ポリオレフィン
スルホンを適当な有機溶剤に溶解させることにより調製
される。
この際に使用される有機溶剤としては、例えばエチレン
グリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジ
エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル等のグリコールエーテル類、メ
チルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテー
ト、ブチルセロソルブアセテート等のセロソルブエステ
ル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキ
サン、シクロペンタノン、アセトニルアセトン、アセト
フェノン、イソホロン等のケトン類、ベンジルエチルエ
ーテル、L2−ジブトキシエタン、ジヘキシルエーテル
等のエーテル類、カプロン酸、カプリル酸等の脂肪酸類
、1−オクタツール、1−ノナノール、1−デカノール
、ヘンシルアルコール等のアルコール類、酢酸エチル、
酢酸ブチル、酢酸イソアミル、2=エチルヘキシルアセ
テート、酢酸ヘンシル、安息香酸ヘンシル、シュウ酸ジ
エチル、シュウ酸ジブチル、マロン酸ジエチル、マレイ
ン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチ
ル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジブチル、炭酸エチレ
ン、炭酸プロピレン、乳酸メチル、乳酸エチル等のエス
テル類、r−ブチロラクトン等の環状ラクトン類を挙げ
ることができる。
グリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジ
エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル等のグリコールエーテル類、メ
チルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテー
ト、ブチルセロソルブアセテート等のセロソルブエステ
ル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキ
サン、シクロペンタノン、アセトニルアセトン、アセト
フェノン、イソホロン等のケトン類、ベンジルエチルエ
ーテル、L2−ジブトキシエタン、ジヘキシルエーテル
等のエーテル類、カプロン酸、カプリル酸等の脂肪酸類
、1−オクタツール、1−ノナノール、1−デカノール
、ヘンシルアルコール等のアルコール類、酢酸エチル、
酢酸ブチル、酢酸イソアミル、2=エチルヘキシルアセ
テート、酢酸ヘンシル、安息香酸ヘンシル、シュウ酸ジ
エチル、シュウ酸ジブチル、マロン酸ジエチル、マレイ
ン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチ
ル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジブチル、炭酸エチレ
ン、炭酸プロピレン、乳酸メチル、乳酸エチル等のエス
テル類、r−ブチロラクトン等の環状ラクトン類を挙げ
ることができる。
これらの有機溶剤は、併用することができる。
これらの有機溶剤の使用量はポジ型放射線感応性樹脂組
成物溶液を塗布する際の必要膜厚により適宜調製される
が、−船釣には固形分100重量部に対して、100〜
2,000重量部、好ましくは200〜1,500重量
部である。
成物溶液を塗布する際の必要膜厚により適宜調製される
が、−船釣には固形分100重量部に対して、100〜
2,000重量部、好ましくは200〜1,500重量
部である。
本発明のポジ型放射線感応性樹脂組成物には、乾燥塗膜
形成後の放射線照射部の現像性、ストリエーション等の
塗布性を改良するための界面活性剤等を添加することが
できる。界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチ
レンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリル
エーテル、ポリオキシエチレオレイルエーテル等のポリ
オキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレ
ンフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェ
ノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルフェノ
ールエーテル類およびポリエチレングリコールジラウレ
ート、ポリエチレングリコールジステアレート等のポリ
エチレングリコールジアルキルエーテル類のようなノニ
オン系界面活性剤、エフトップE F 301. E
F 303. E F 352(新秋田化成側製)、メ
ガファソクF 171. F 173(大日本インキ■
製)、アサヒガードA C710(旭硝子側製)、特開
昭57−178242号公報に例示されるフッ素系界面
活性剤、フロラ−1”FC430,同FC431(住友
スリーエム■製)、サーフロンS −382,S Cl
0I。
形成後の放射線照射部の現像性、ストリエーション等の
塗布性を改良するための界面活性剤等を添加することが
できる。界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチ
レンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリル
エーテル、ポリオキシエチレオレイルエーテル等のポリ
オキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレ
ンフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェ
ノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルフェノ
ールエーテル類およびポリエチレングリコールジラウレ
ート、ポリエチレングリコールジステアレート等のポリ
エチレングリコールジアルキルエーテル類のようなノニ
オン系界面活性剤、エフトップE F 301. E
F 303. E F 352(新秋田化成側製)、メ
ガファソクF 171. F 173(大日本インキ■
製)、アサヒガードA C710(旭硝子側製)、特開
昭57−178242号公報に例示されるフッ素系界面
活性剤、フロラ−1”FC430,同FC431(住友
スリーエム■製)、サーフロンS −382,S Cl
0I。
S ClO2,S ClO3,S ClO4,S Cl
O3,S C106(旭硝子■製)等のフッ化アルキル
基またはパーフルオロアルキル基を有するフッ素系界面
活性剤、オルガノシロキザンボリマーKP341(信越
化学工業tm製)やアクリル酸系またはメタクリル酸系
(共)重合体ポリフローNo75. No95. WS
(共栄社油脂化学工業(裸製)等を挙げることができ
る。
O3,S C106(旭硝子■製)等のフッ化アルキル
基またはパーフルオロアルキル基を有するフッ素系界面
活性剤、オルガノシロキザンボリマーKP341(信越
化学工業tm製)やアクリル酸系またはメタクリル酸系
(共)重合体ポリフローNo75. No95. WS
(共栄社油脂化学工業(裸製)等を挙げることができ
る。
これらの界面活性剤の配合量は、ポジ型放射線感応性樹
脂組成物の固形分中、通常、2重量%以下、好ましくは
1重量%以下である。
脂組成物の固形分中、通常、2重量%以下、好ましくは
1重量%以下である。
さらに、本発明のポジ型放射線感応性樹脂組成物には増
感剤、溶解性調節剤等を必要に応じて添加してもよい。
感剤、溶解性調節剤等を必要に応じて添加してもよい。
増感剤、溶解性調節剤等としては、好ましくは活性水素
を含存する含窒素化合物が好適に用いられ、具体例とし
ては、ビロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ
ール、インドール、ヘンズイミダソール、ベンゾピラゾ
ール、ヘンシトリアゾール、ナフト]・リアゾール、ジ
メチル尿素、ピロリドン、オキシインドール、イミダゾ
リトン、ヘンズイミダゾリドン、イミダプリジンチオン
、オキサゾリドン、ヘンズオキサゾリドン、ピラゾロン
、イサチン、オキサゾリジンジオン、グルタルイミド、
ピペリトン、2H−ピリド [3,2゜b) (1,
4,)オキサジン−3(4H)オン、10H−ピリドl
:3,2.b)(1,4,)ベンゾチアジン、ウラゾー
ル、ヒダントイン、バルビッール酸、グリシン、アロキ
サンおよびその誘導体、例えばハロゲン化物を挙げるこ
とができる。
を含存する含窒素化合物が好適に用いられ、具体例とし
ては、ビロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ
ール、インドール、ヘンズイミダソール、ベンゾピラゾ
ール、ヘンシトリアゾール、ナフト]・リアゾール、ジ
メチル尿素、ピロリドン、オキシインドール、イミダゾ
リトン、ヘンズイミダゾリドン、イミダプリジンチオン
、オキサゾリドン、ヘンズオキサゾリドン、ピラゾロン
、イサチン、オキサゾリジンジオン、グルタルイミド、
ピペリトン、2H−ピリド [3,2゜b) (1,
4,)オキサジン−3(4H)オン、10H−ピリドl
:3,2.b)(1,4,)ベンゾチアジン、ウラゾー
ル、ヒダントイン、バルビッール酸、グリシン、アロキ
サンおよびその誘導体、例えばハロゲン化物を挙げるこ
とができる。
これらの増感剤、溶解製調節剤等の配合量はハロゲン化
オレフィンスルホン100重量部に対し、通常、100
重量部以下、好ましくは60重量部以下である。
オレフィンスルホン100重量部に対し、通常、100
重量部以下、好ましくは60重量部以下である。
本発明のポジ型放射線感応性樹脂組成物には、其仮に対
する接着性を改良するためにシランカップリング剤等の
接着助剤を添加することもできる。
する接着性を改良するためにシランカップリング剤等の
接着助剤を添加することもできる。
接着助剤としては、例えば、3−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、ビニルトリクロロシラン、2− (3,
4−エポキシシクロヘキシルエチル)トリメトキシシラ
ン等が挙げられる。
トキシシラン、ビニルトリクロロシラン、2− (3,
4−エポキシシクロヘキシルエチル)トリメトキシシラ
ン等が挙げられる。
これら接着助剤の配合量は、通常、ポジ型放射緑感応性
樹脂組成物の固形分中4重量%以下、好ましくは2重量
%である。
樹脂組成物の固形分中4重量%以下、好ましくは2重量
%である。
さらに、本発明のポジ型放射線感応性樹脂組成物には、
放射線照射部の潜像を可視化させたり、放射線照射時の
ハレーションの影響を少なくするために、染料や顔料を
添加することもできる。
放射線照射部の潜像を可視化させたり、放射線照射時の
ハレーションの影響を少なくするために、染料や顔料を
添加することもできる。
本発明のポジ型放射線感応性樹脂組成物をレジストとし
て使用する際の現像液としては、アルカリ性水溶液、例
えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、珪酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア
などの無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルア
ミンなどの第1級アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−
プロピルアミン等の第2級アミン類、トリエチレンアミ
ン、メチルジエチルアミン等を第3級アミン類、ジメチ
ルエタノールアミン類、トリエタノールアミン等のアル
コールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第4級
アンモニウム塩、またはビロール、ピペリジン、1.8
−ジアザビシクロ(5,4,0)−7−ウンデむン、■
、5−ジアザビシクロ(4,3,0)−5−ノナン等の
環状アミン類の水溶液が挙げられる。
て使用する際の現像液としては、アルカリ性水溶液、例
えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、珪酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア
などの無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルア
ミンなどの第1級アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−
プロピルアミン等の第2級アミン類、トリエチレンアミ
ン、メチルジエチルアミン等を第3級アミン類、ジメチ
ルエタノールアミン類、トリエタノールアミン等のアル
コールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第4級
アンモニウム塩、またはビロール、ピペリジン、1.8
−ジアザビシクロ(5,4,0)−7−ウンデむン、■
、5−ジアザビシクロ(4,3,0)−5−ノナン等の
環状アミン類の水溶液が挙げられる。
また、現像液には水溶性有機溶媒、例えばメタノール、
エタノール等のアルコール類、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン等のケトン類;前記界面活性剤や
第4級アンモニア塩等のカチオン系界面活性剤を適量添
加することもできる。
エタノール等のアルコール類、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン等のケトン類;前記界面活性剤や
第4級アンモニア塩等のカチオン系界面活性剤を適量添
加することもできる。
本発明のポジ型放射線感応性樹脂組成物は、通常、溶液
として調製された後、孔径0.2μm程度のフィルター
でろ過してから使用される。
として調製された後、孔径0.2μm程度のフィルター
でろ過してから使用される。
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、これら
に■長足するものではない。
に■長足するものではない。
実施例1
声、化ポリ (2−メチル−1−ペンテンスルホン)の
合成 内容量250 mIlのガラスアンプルに蒸留精製した
2−メチル−1−ペンテン7.6gおよび蒸留精製した
二酸化イオウ25.8 gを仕込み、脱気した後に過酸
化クミル0.08 gを添加し封管した後、ガラスアン
プルごと一78℃のトライアイス−メタノール冷媒中に
浸漬し、約20時間重合させた。
合成 内容量250 mIlのガラスアンプルに蒸留精製した
2−メチル−1−ペンテン7.6gおよび蒸留精製した
二酸化イオウ25.8 gを仕込み、脱気した後に過酸
化クミル0.08 gを添加し封管した後、ガラスアン
プルごと一78℃のトライアイス−メタノール冷媒中に
浸漬し、約20時間重合させた。
その後、ガラスアンプルを開封し、余剰の二酸化イオウ
を除去した後、内容物を1500m7!のメタノールに
注いで沈澱させ精製し、ポリ (2−メチル−1−ペン
テンスルポン) 9.7gを得た。このポリ (2−
メチル−1−ペンテンスルホン)の天井温度は一34°
Cであった。
を除去した後、内容物を1500m7!のメタノールに
注いで沈澱させ精製し、ポリ (2−メチル−1−ペン
テンスルポン) 9.7gを得た。このポリ (2−
メチル−1−ペンテンスルホン)の天井温度は一34°
Cであった。
」二記の反応により得られたポリ (2−メチル−1−
ペンテンスルホン)2gを内容量1500 mlのガラ
ス容器中でジクロロメタン78gに溶解した後Gこ、次
亜塩素酸t−ブチル0.29gを添加し均一の溶液とし
た後にドライアイス−メタノール冷媒中にガラス容器ご
とに浸漬し、内溶液が一75°Cになることを確認した
。次に、このガラス容器に、外周に石英製の水冷ジャケ
ットを備えた高圧水銀灯を装入し、内溶液を一75°C
に保持しながら1.5時間波長250〜400nmの光
を照射することにより塩素化を行なった。その後反応生
成物をメタノール中で沈澱させて回収した後、40℃で
減圧乾燥し塩素化ポリ (2−メチル−1−ペンテンス
ルホン)を得た。
ペンテンスルホン)2gを内容量1500 mlのガラ
ス容器中でジクロロメタン78gに溶解した後Gこ、次
亜塩素酸t−ブチル0.29gを添加し均一の溶液とし
た後にドライアイス−メタノール冷媒中にガラス容器ご
とに浸漬し、内溶液が一75°Cになることを確認した
。次に、このガラス容器に、外周に石英製の水冷ジャケ
ットを備えた高圧水銀灯を装入し、内溶液を一75°C
に保持しながら1.5時間波長250〜400nmの光
を照射することにより塩素化を行なった。その後反応生
成物をメタノール中で沈澱させて回収した後、40℃で
減圧乾燥し塩素化ポリ (2−メチル−1−ペンテンス
ルホン)を得た。
得られた塩素化ポリ (2−メチル−1−ペンテンスル
ホン)の30℃におけるメチルエチルケトン中の極限粘
度は1.0dβ/gであり、塩素含有量は2重量%であ
った。
ホン)の30℃におけるメチルエチルケトン中の極限粘
度は1.0dβ/gであり、塩素含有量は2重量%であ
った。
ノ」む乞ヱ炙J糺脂p目り収
攪拌機、冷却管および温度針打の37!三ツロセパラブ
ルフラスコに、混合クレゾール〔m−クレゾール/p−
クレゾール−6/4 (モル比)〕840g、37重量
%ホルムアルデヒド水溶液600gおよびシュウ酸0.
36 gを仕込んだ。攪拌しながら、セパラブルフラス
コを油浴に浸し、内湯を100℃に保持して3時間反応
させた。その後、油浴温度を180℃まで上昇させ、同
時にセパラブルフラスコ内を減圧にして水、未反応クレ
ゾール、ホルムアルデヒドおよびシュウ酸を除去した。
ルフラスコに、混合クレゾール〔m−クレゾール/p−
クレゾール−6/4 (モル比)〕840g、37重量
%ホルムアルデヒド水溶液600gおよびシュウ酸0.
36 gを仕込んだ。攪拌しながら、セパラブルフラス
コを油浴に浸し、内湯を100℃に保持して3時間反応
させた。その後、油浴温度を180℃まで上昇させ、同
時にセパラブルフラスコ内を減圧にして水、未反応クレ
ゾール、ホルムアルデヒドおよびシュウ酸を除去した。
次いで溶融したノボラック樹脂を室温に戻して回収した
。
。
メジ」廿011応性樹脂組炙は
前記で合成した塩素化ポリ く2−メチル−1−ペンテ
ンスルボン)1gとノボラック樹脂10gとを、酢酸イ
ソアミル5gに溶解し、孔径0.2μmのメンブランフ
ィルタ−でろ過してポジ型放射線感応性樹脂組成物の溶
液を調製した。
ンスルボン)1gとノボラック樹脂10gとを、酢酸イ
ソアミル5gに溶解し、孔径0.2μmのメンブランフ
ィルタ−でろ過してポジ型放射線感応性樹脂組成物の溶
液を調製した。
比較例1
実施例1において、塩素化ポリ (2−メチル−1−ペ
ンテンスルホン)の代わりに極限粘度1.0dl/g(
30℃、溶媒メチルエチルケトン)のポリ (2−メチ
ル−1−ペンテンスルホン)を用いた以外は、実施例1
と同様にしてポジ型放射線感応性樹脂組成物の溶液を調
整した。
ンテンスルホン)の代わりに極限粘度1.0dl/g(
30℃、溶媒メチルエチルケトン)のポリ (2−メチ
ル−1−ペンテンスルホン)を用いた以外は、実施例1
と同様にしてポジ型放射線感応性樹脂組成物の溶液を調
整した。
比較例2
比較例1で得られたポジ型放射線感応性樹脂組成物にハ
ロゲン原子を含む化合物としてトリス(トリクロロメチ
ル)トリアジンを1g添加したポジ型放射線感応性樹脂
組成物の溶液を調製した。
ロゲン原子を含む化合物としてトリス(トリクロロメチ
ル)トリアジンを1g添加したポジ型放射線感応性樹脂
組成物の溶液を調製した。
比較例3
内容量250mj!のガラスアンプルに蒸留精製した6
−クロロ−1−ヘキセン8.1gおよび蒸留精製した二
酸化イオウ25.8 gを仕込み脱気した後に過酸化ク
ミル0.08gを添加し封管した後、ガラスアンプルご
と一78℃のドライアイス−メタノール冷媒中に浸漬し
、約20時間重合させた。
−クロロ−1−ヘキセン8.1gおよび蒸留精製した二
酸化イオウ25.8 gを仕込み脱気した後に過酸化ク
ミル0.08gを添加し封管した後、ガラスアンプルご
と一78℃のドライアイス−メタノール冷媒中に浸漬し
、約20時間重合させた。
その後、ガラスアンプルを開封し余剰の二酸化イオウを
除去した後、内容物を1500 mβのメタノールに注
いで、沈澱させ精製し、ポリ (6−クロロ−1−ヘキ
センスルポン) 9.8 g ヲ得り。
除去した後、内容物を1500 mβのメタノールに注
いで、沈澱させ精製し、ポリ (6−クロロ−1−ヘキ
センスルポン) 9.8 g ヲ得り。
得られたポリ (6−クロロ−1−ヘキセンスルホン)
の極限粘度は1.1 1!/g (30°C,溶媒メチ
ルエチルケトン)であり、塩素含有量は19.5重量%
であった。
の極限粘度は1.1 1!/g (30°C,溶媒メチ
ルエチルケトン)であり、塩素含有量は19.5重量%
であった。
上記のポリ (6−クロロ−1−ヘキセンスルホン)I
gと実施例1で合成したノボラック樹脂10gとを酢酸
イソアミル5gに溶解し、孔径0.2μmのメンブラン
フィルタ−でろ過し、ポジ型放射線感応性樹脂組成物の
溶液を調製した。
gと実施例1で合成したノボラック樹脂10gとを酢酸
イソアミル5gに溶解し、孔径0.2μmのメンブラン
フィルタ−でろ過し、ポジ型放射線感応性樹脂組成物の
溶液を調製した。
試験例1
実施例1で得られたポジ型放射線感応性樹脂組酸物の溶
液をシリコンウェーハ」二にスピンナーを用いて乾燥後
の塗布膜厚が1.0.+1mとなるように塗布した後、
90℃に保った空気循環式オーブン中で25分間プレー
ベークしてポジ型放射線感応性樹脂組成物塗膜を形成し
た。
液をシリコンウェーハ」二にスピンナーを用いて乾燥後
の塗布膜厚が1.0.+1mとなるように塗布した後、
90℃に保った空気循環式オーブン中で25分間プレー
ベークしてポジ型放射線感応性樹脂組成物塗膜を形成し
た。
このシリコンウェーハ」二のポジ型放射線感応性樹脂組
成物塗膜に20kVに加速した電子線をパターン状に照
射した後、水酸化テ]・ラメデルアンモニウム2.4重
量%水溶液を用いて現像したところ、3μC/cJの電
子線照射エネルギーで線幅0.6μmのレジストパター
ンを形成することができた。
成物塗膜に20kVに加速した電子線をパターン状に照
射した後、水酸化テ]・ラメデルアンモニウム2.4重
量%水溶液を用いて現像したところ、3μC/cJの電
子線照射エネルギーで線幅0.6μmのレジストパター
ンを形成することができた。
(得られたレジストパターンを「パターン■」と称する
。) 比較試験例】 試験例1において比較例1で調製したポジ型放射線感応
性樹脂組成物の溶液を使用した以外は、試験例1と同様
にしζ、ポジ型放射線感応性樹脂組成物塗膜形成から現
像まで行なったところ、線幅0.6μmのレジスi・パ
ターンが解像されるのに、10μC/c%の電子線照射
エネルギーを要した。
。) 比較試験例】 試験例1において比較例1で調製したポジ型放射線感応
性樹脂組成物の溶液を使用した以外は、試験例1と同様
にしζ、ポジ型放射線感応性樹脂組成物塗膜形成から現
像まで行なったところ、線幅0.6μmのレジスi・パ
ターンが解像されるのに、10μC/c%の電子線照射
エネルギーを要した。
2日
(得られたレジストパターンを「パターン■」と称する
。) 比較試験例2 試験例1において、比較例2で調製したポジ型放射線感
応性樹脂組成物の溶液を用いた以外は、試験例1と同様
にして、ポジ型放射線感応性樹脂組成物塗膜形成から現
像まで行なったところ、線幅0.6μmのレジストパタ
ーンが解像されるのに、15μC/cMの電子線照射エ
ネルギーを要した。
。) 比較試験例2 試験例1において、比較例2で調製したポジ型放射線感
応性樹脂組成物の溶液を用いた以外は、試験例1と同様
にして、ポジ型放射線感応性樹脂組成物塗膜形成から現
像まで行なったところ、線幅0.6μmのレジストパタ
ーンが解像されるのに、15μC/cMの電子線照射エ
ネルギーを要した。
(得られたレジストパターンを「パターン■」と称する
。) 比較試験例3 試験例1において、比較例3で調製したポジ型放射線感
応性樹脂組成物の溶液を使用した以外は、試験例1と同
様にして、ポジ型放射線感応性樹脂組成物塗膜形成から
現像まで行なったところ、線幅0.6μmのレジストパ
ターンが解像されるのに15μC/cJの電子線照射エ
ネルギーを要した。
。) 比較試験例3 試験例1において、比較例3で調製したポジ型放射線感
応性樹脂組成物の溶液を使用した以外は、試験例1と同
様にして、ポジ型放射線感応性樹脂組成物塗膜形成から
現像まで行なったところ、線幅0.6μmのレジストパ
ターンが解像されるのに15μC/cJの電子線照射エ
ネルギーを要した。
(得られたレジストパターンを「パターン■」と称する
。) 試験例2 実施例1で調製したポジ型放射線感応性樹脂組成物の溶
液を用いて試験例1と同様にしてポジ型放射線感応性樹
脂組成物塗膜を形成した。次いで膜厚0,7μmの金を
吸収体とするパターンマスクを介してパラジウム■7α
線(波長4.36人)からなるX線を照射した後、試験
例1と同様に現像したところ、85mJ/cfflのX
線照射エネルギーで線幅0.4μmのレジストパターン
が解像できた。
。) 試験例2 実施例1で調製したポジ型放射線感応性樹脂組成物の溶
液を用いて試験例1と同様にしてポジ型放射線感応性樹
脂組成物塗膜を形成した。次いで膜厚0,7μmの金を
吸収体とするパターンマスクを介してパラジウム■7α
線(波長4.36人)からなるX線を照射した後、試験
例1と同様に現像したところ、85mJ/cfflのX
線照射エネルギーで線幅0.4μmのレジストパターン
が解像できた。
(得られたレジストパターンを「パターン■」と称する
。) 比較試験例4 試験例2において、比較例1で調製したポジ型放射線感
応性樹脂組成物の溶液を使用した以外は、試験例2と同
様にして、ポジ型放射線感応性樹脂組成物塗膜形成から
現像まで行なったところ、線幅0.5μmのレジス1−
パターンが解像されるのに、200mJ/ cnlのX
線照射エネルギーを要した。
。) 比較試験例4 試験例2において、比較例1で調製したポジ型放射線感
応性樹脂組成物の溶液を使用した以外は、試験例2と同
様にして、ポジ型放射線感応性樹脂組成物塗膜形成から
現像まで行なったところ、線幅0.5μmのレジス1−
パターンが解像されるのに、200mJ/ cnlのX
線照射エネルギーを要した。
(得られたレジストパターンを「パターン■」と称する
。) 比較試験例5 試験例2において、比較例2で調製したポジ型放射線感
応性樹脂組成物の溶液を使用した以外は試験例2と同様
にして、ポジ型放射線感応性樹脂組成物塗膜形成から現
像まで行なったところ、線幅0.5μmのレジストパタ
ーンが解像されるのに280mJ/ c+1のX線照射
エネルギーを要した。
。) 比較試験例5 試験例2において、比較例2で調製したポジ型放射線感
応性樹脂組成物の溶液を使用した以外は試験例2と同様
にして、ポジ型放射線感応性樹脂組成物塗膜形成から現
像まで行なったところ、線幅0.5μmのレジストパタ
ーンが解像されるのに280mJ/ c+1のX線照射
エネルギーを要した。
(得られたレジストパターンを「パターン■」と称する
。) 比較試験例6 試験例2において、比較例3で調製したポジ型放射線感
応性樹脂組成物の溶液を使用した以外は試験例2と同様
にして、ポジ型放射線感応性樹脂組成物塗膜形成から現
像まで行なったところ、線幅0.5μmのレジストパタ
ーンが解像されるのに300mJ/ cMのX線照射工
矛ルギーを要した。
。) 比較試験例6 試験例2において、比較例3で調製したポジ型放射線感
応性樹脂組成物の溶液を使用した以外は試験例2と同様
にして、ポジ型放射線感応性樹脂組成物塗膜形成から現
像まで行なったところ、線幅0.5μmのレジストパタ
ーンが解像されるのに300mJ/ cMのX線照射工
矛ルギーを要した。
(得られたレジストパターンを「パターン■」と称する
。) 試験例3 平行平板ドライエソヂング装置(電極間隔40において
エツチングガスとしてCFa/ Oz (9515容量
比)を用い、出力100W、ガス圧10Paの条件によ
り、上記の試験例および比較例で得られたパターン■〜
■の耐ドライエツチング性を試験した。ポリメタクリル
酸メチル(PMM八)膜についてのエツチング速度を1
としたときの相対速度は、第1表の通りであった。
。) 試験例3 平行平板ドライエソヂング装置(電極間隔40において
エツチングガスとしてCFa/ Oz (9515容量
比)を用い、出力100W、ガス圧10Paの条件によ
り、上記の試験例および比較例で得られたパターン■〜
■の耐ドライエツチング性を試験した。ポリメタクリル
酸メチル(PMM八)膜についてのエツチング速度を1
としたときの相対速度は、第1表の通りであった。
本発明発明のポジ型放射線感応性樹脂組成物は、紫外線
、遠紫外線、電子線、X線、中性子線、イオン線、分子
線等の放射線に高感度であり、かつ耐ドライエツチング
製も高いという特性を有し、ポジ型レジストとして高集
積度の半導体集積回路の製造に好適なレジストである。
、遠紫外線、電子線、X線、中性子線、イオン線、分子
線等の放射線に高感度であり、かつ耐ドライエツチング
製も高いという特性を有し、ポジ型レジストとして高集
積度の半導体集積回路の製造に好適なレジストである。
代理人 弁理士 岩 見 谷周 志
手続補正書(自船
昭和X/年7り月/C日
特許庁長官 黒 1)明 雄 殿
2、発明の名称
ポジ型放射線感応性樹脂組成物
3、補正をする者
4、代理人
6、補正により増加する発明の数 なし7、補正の対
象 明細書の下記に示す箇所の(補正前)の記載を(補正後
)に示すように補正する。
象 明細書の下記に示す箇所の(補正前)の記載を(補正後
)に示すように補正する。
Claims (2)
- (1)アルカリ可溶性樹脂およびハロゲン化ポリオレフ
ィンスルホンを含有するポジ型放射線感応性樹脂組成物
。 - (2)アルカリ可溶性樹脂がアルカリ可溶性ノボラック
樹脂である特許請求の範囲第1項に記載のポジ型放射線
感応性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18060986A JPH0772796B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | ポジ型放射線感応性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18060986A JPH0772796B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | ポジ型放射線感応性樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6336239A true JPS6336239A (ja) | 1988-02-16 |
JPH0772796B2 JPH0772796B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=16086234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18060986A Expired - Fee Related JPH0772796B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | ポジ型放射線感応性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0772796B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63291053A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
US4936951A (en) * | 1987-10-26 | 1990-06-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of reducing proximity effect in electron beam resists |
US5237037A (en) * | 1989-09-08 | 1993-08-17 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Radiation-sensitive compositions containing fully substituted novolak polymers |
US5346799A (en) * | 1991-12-23 | 1994-09-13 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Novolak resins and their use in radiation-sensitive compositions wherein the novolak resins are made by condensing 2,6-dimethylphenol, 2,3-dimethylphenol, a para-substituted phenol and an aldehyde |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP18060986A patent/JPH0772796B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63291053A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
US4936951A (en) * | 1987-10-26 | 1990-06-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of reducing proximity effect in electron beam resists |
US4976818A (en) * | 1987-10-26 | 1990-12-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fine pattern forming method |
US5237037A (en) * | 1989-09-08 | 1993-08-17 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Radiation-sensitive compositions containing fully substituted novolak polymers |
US5346799A (en) * | 1991-12-23 | 1994-09-13 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Novolak resins and their use in radiation-sensitive compositions wherein the novolak resins are made by condensing 2,6-dimethylphenol, 2,3-dimethylphenol, a para-substituted phenol and an aldehyde |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0772796B2 (ja) | 1995-08-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |