JPS6335454A - 窒化ケイ素系セラミツクス及びその製造方法 - Google Patents

窒化ケイ素系セラミツクス及びその製造方法

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JPS6335454A
JPS6335454A JP61177638A JP17763886A JPS6335454A JP S6335454 A JPS6335454 A JP S6335454A JP 61177638 A JP61177638 A JP 61177638A JP 17763886 A JP17763886 A JP 17763886A JP S6335454 A JPS6335454 A JP S6335454A
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JP
Japan
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silicon nitride
carbide whiskers
weight
silicon carbide
temperature
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Pending
Application number
JP61177638A
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English (en)
Inventor
康広 五戸
米澤 武之
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は常温においても、また高iJこおいても機械的
性質の優れた窒化ケイ素を主成分とするセラミックス焼
結体およびその製造方法に関する。
(従来の技術) 窒化ケイ素系セラミックスは従来破壊靭性壇が低くまた
特に高温において強度が低下するという問題がある。こ
れを改善するために炭化ケイ素ウィスカーを混合して焼
結するという技術が開発されたが、炭化ケイ素ウィスカ
ーの焼結体中の分散あるいは、窒化ケイ素との密着性に
間S4があり、−破壊靭性の若干の向上ばみられるもの
の、特に高温での強度劣化が大きく十分な結果が得られ
ていない。
(発明が解決しようとする問題点) 炭化ケイ素ウィスカーを添加した窒化ケイ素系セラミッ
クスにおいては炭化ケイ素ウィスカーの分散及び密着性
が悪く、特に高温で強度が劣化するという問題があった
本発明の目的は上記した問題点を解決し、機械的特性の
優えた窒化ケイ素系セラミックスを提供しようとするも
のである。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段と作用)本発明の窒化ケ
イ素−添加物系の焼結体からなる窒化ケイ素系セラミッ
クスは、添加物の反応により形成される焼結体中の粒界
第2相中に炭化ケイ素ウィスカーを含むことを特償とす
る。
また、本発明の窒化ケイ素系セラミックスの製造方法は
添加物として加えるべき希土類元素酸化物とアルミナ、
マグネシア、窒化アルミニウム、散fヒ鉄、酸化チタン
、酸化ジルコニウム、及び炭化モリブデンから選ばれる
少なくともlfiと炭化ケイ素ウィスカーとの混合物を
あらかじめ1500−1800℃の温度で溶融させ、凝
固後に粉砕し、窒化ケイ素と混合し焼結することを特徴
とするものである。
添加物と炭化ケイ素ウィスカーをあらかじめ溶融するこ
とにより、炭化ケイ素ウィスカーが融液中で均一に分散
する。したがって、これを、凝固、粉砕して窒化ケイ素
と混合して焼結することにより繊維強化機構にもとすき
破壊靭性値が向上し、また特に高温において劣化するこ
とが問題となる、添加物によって形成される粒界第2相
中に炭化ケイ票ウィスカーが均一に分散され、同相の高
温lこおける劣化を防止する作用をする。よって、破壊
靭性の向上と同時に高温増度も浸れた・−給体が得られ
る。
(実施例) 平均粒径1.0μ酸化イツトリウム(y、 o、 )、
平均粒径0.5μアルミナ(A zoos )、平均粒
径1oμ窒化アルミニウム(A7N)、平均粒径0.8
μ酸化ルコニウム(zr*Os)、平均粒径0.5μマ
グネシア及び平均粒径4μ、長さ5μの炭化ケイ素ウィ
スカーをそれぞれ表に示す組成に占び、溶媒としてn−
ブタノールを用いてゴム2イニングボールミルにて約2
4時間混合を行い、参考例を含めて10;】の添カロ′
吻扮末をA整した。
上記調至扮末11750℃で60分間溶融した。
・凝固したのち解砕し平均粒径1.2μの窒化ケイ素(
S i、N、 )け末を、ro、tて表に示す組成にし
、洛媒七〇−ブタノールとしてアルミナ製ボールミルで
48時間分砕混合することによシ原料粉末を調整した。
、j1科粉末を1780℃、300 kg/cm”の条
件で90分111ホツトプレスした。また、原料扮末に
ステアIJ ン酸(粘結Aす)を重母比で7係それぞれ
添加混合し700kg/c+u”の成形圧で長さ60 
mm 幅40 mmノアさlQmmの嘩吠成形体を得た
。この成形体につき、まず700℃で加熱処理を施し、
粘結剤を揮発除去後、窒素ガス雰囲気下でそれぞれ表に
示す温くで120分間虜圧J81浩を行い、窒化ケイ素
系セラミックス焼結体を得た。
上記によって得たtj8結体につき、抗折強度及び破壊
靭性値をそれぞれ測定した結果を併せて表に示した。
なお、抗折強度は3点曲げ強度試験によるもので試料サ
イズ3 X 4 X 40mm、試、・験条件はクロス
ヘツドスピードQ、5mm/分、スパン30 m m 
温K V!常温及び1200℃とし!温度での測定は8
回行いその平均値で示した。ま友破壊靭性値(KIC)
はJIS  R1601に基ずきダイヤモンドカッター
にて試料面中央部に幅Q、3mm深さQ、75mmのU
溝をつけスパン3Qmm、クロスヘツドスピード0.5
mm/m i nの条件により常温で実験し、次式に従
って求めた。
KXc−Y(Fa1/2 Y:形状因子 02曲げ強度 a:亀裂長さ 表により炭化ケイ素ウィスカーと添加物のM盪割合が3
0チ以内であれば営温、高温ともに高く、破壊靭性値も
優れていることがわかる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の窒化ケイ素セラミックスは
破壊靭性値、並びに高温強度がともに優れたものである
以下余白

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)窒化ケイ素−添加物系の焼結体からなる窒化ケイ
    素系セラミックスにおいて、添加物の反応により形成さ
    れる焼結体中の粒界第2相中に炭化ケイ素ウィスカーを
    含むことを特徴とする窒化ケイ素系セラミックス。
  2. (2)添加物が希土類酸化物、アルミナ、マグネシア、
    窒化アルミニウム、酸化鉄、酸化チタン、酸化ジルコニ
    ウム、及び炭化モリブデンから選ばれる少なくとも1種
    を0.1−15重量%と炭化ケイ素ウィスカー0.1−
    25重量%との混合物であることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載の窒化ケイ素系セラミックス。
  3. (3)炭化ケイ素ウィスカーを含む添加物をあらかじめ
    1500−1800℃の温度で溶融させ、凝固させたの
    ち粉砕により粒径を1−20μとして、窒化ケイ素と混
    合し1650−1850℃の温度で焼結することを特徴
    とする窒化ケイ素系セラミックスの製造方法。
  4. (4)溶融凝固後に粉砕した添加物が1−30重量%で
    残部が窒化ケイ素よりなる特許請求の範囲第3項記載の
    窒化ケイ素系セラミックスの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003010113A1 (en) * 2001-07-24 2003-02-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Wear-resistant silicon nitride member and method for manufacture thereof

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WO2003010113A1 (en) * 2001-07-24 2003-02-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Wear-resistant silicon nitride member and method for manufacture thereof
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