JPS6334712A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS6334712A JPS6334712A JP17730586A JP17730586A JPS6334712A JP S6334712 A JPS6334712 A JP S6334712A JP 17730586 A JP17730586 A JP 17730586A JP 17730586 A JP17730586 A JP 17730586A JP S6334712 A JPS6334712 A JP S6334712A
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- insulating film
- film
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- magnetic head
- shielding wall
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜磁気ヘッドに係り、特にギャップ深さを
高精度に形成することができるｄ膜磁気ヘッドの製造方
法に関する。
高精度に形成することができるｄ膜磁気ヘッドの製造方
法に関する。
従来、すでに既知のように第２図に示すような工程によ
る薄膜磁気ヘッドの製造方法が知られていた。
る薄膜磁気ヘッドの製造方法が知られていた。
第２図、に示す工程図は、近年、実用化されつつある薄
膜磁気ヘッドの概略工程断面図であり、第２図（α）に
おいて、ＡｆＬ、０３−４の下保護膜２を上面に形成し
た基板１上に、軟磁性体から成る下部磁極３をメツキ法
、あるいはスパッタリング法等により形成し、次いで同
図（ｂ）のように、ギャップとりるＡｎ、Ｏｌ等の絶縁
層４を成５・模ｌ〜、次に同図＜ｃ＞に示すように、フ
ォトレジスト等の有機物から成る層間絶縁膜５を形成し
、同図（ｄ）において、導体材料から成るコイル６を形
成し、さらに同図Ｃ８）のように、コイル６を埋込むよ
うに再度フォトレジスト等の有機物から成る層Ｉｌｌ絶
縁膜７を形成し、次いで同図（１）のように、軟磁性体
から成る上部磁極８を杉１友し、同図（、／’ ）の矢
印方向より、寸法α量を切削して製造する方法を行って
いた。しかし、従来のような製造方法のＡ＃膜磁気ヘッ
ドは、同図（ｇ）の層間絶縁膜７を形成した後に行う熱
工程によりＪ９１間絶ｐｌ ）拠７の先端が流れを行い
、流れる量を制御できる五′いために、同図Ｃｆ）のギ
ャップｌデプスを決定する〕１．＝７めの切削量αをバ
ラつかせる原因となっていた、切削量αのバラツキが、
結果的にギャップデプスの寸法精度の低下となり、＃膜
磁気ヘッドの記録。再１１ミの特性を低−ドさせる大き
な問題点を有して１ハた。
膜磁気ヘッドの概略工程断面図であり、第２図（α）に
おいて、ＡｆＬ、０３−４の下保護膜２を上面に形成し
た基板１上に、軟磁性体から成る下部磁極３をメツキ法
、あるいはスパッタリング法等により形成し、次いで同
図（ｂ）のように、ギャップとりるＡｎ、Ｏｌ等の絶縁
層４を成５・模ｌ〜、次に同図＜ｃ＞に示すように、フ
ォトレジスト等の有機物から成る層間絶縁膜５を形成し
、同図（ｄ）において、導体材料から成るコイル６を形
成し、さらに同図Ｃ８）のように、コイル６を埋込むよ
うに再度フォトレジスト等の有機物から成る層Ｉｌｌ絶
縁膜７を形成し、次いで同図（１）のように、軟磁性体
から成る上部磁極８を杉１友し、同図（、／’ ）の矢
印方向より、寸法α量を切削して製造する方法を行って
いた。しかし、従来のような製造方法のＡ＃膜磁気ヘッ
ドは、同図（ｇ）の層間絶縁膜７を形成した後に行う熱
工程によりＪ９１間絶ｐｌ ）拠７の先端が流れを行い
、流れる量を制御できる五′いために、同図Ｃｆ）のギ
ャップｌデプスを決定する〕１．＝７めの切削量αをバ
ラつかせる原因となっていた、切削量αのバラツキが、
結果的にギャップデプスの寸法精度の低下となり、＃膜
磁気ヘッドの記録。再１１ミの特性を低−ドさせる大き
な問題点を有して１ハた。
そこで、本発明は従来のこのような問題点を解決するた
め、層間絶縁膜の流れる量を制御して、寸法精度の高い
ギャップデプスの薄膜磁気ヘッドを得ろことを目的とし
ている。
め、層間絶縁膜の流れる量を制御して、寸法精度の高い
ギャップデプスの薄膜磁気ヘッドを得ろことを目的とし
ている。
Ｌ記四珈点を解決するために、本発明の薄膜磁気ヘッド
の′ｍ：遣方法は、高透磁率材料からなる上部および下
部磁稀間に導体材料からなるコイルをはさんで構成され
る＃膜磁気ヘッドの製造工程において、有機絶縁膜を用
いて層間絶縁膜を形成する工程で、層間絶縁膜の先端の
位置決め用の遮蔽壁を一時的に形成したことを特徴とす
る。
の′ｍ：遣方法は、高透磁率材料からなる上部および下
部磁稀間に導体材料からなるコイルをはさんで構成され
る＃膜磁気ヘッドの製造工程において、有機絶縁膜を用
いて層間絶縁膜を形成する工程で、層間絶縁膜の先端の
位置決め用の遮蔽壁を一時的に形成したことを特徴とす
る。
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
１図（α）において、”２０１１の下保護膜２を上面に
形成した基板１上に軟磁性体から成る下部磁極３をメツ
キにより形成し、次いで同図Ｃｂ）のように、ギャップ
となろＡＸ２０．の絶縁層４をスパッタにて成膜し、次
に同図ＣＣ＞に示すように、フォトレジストにより、Ｊ
１ｔｆ！！絶縁膜５を形成し、同図（ｄ）において、導
電化膜９をｆｉ！１４蒸着により形成し、フォトレジス
ト法により′ｑターンニングして銅コイル６をメツキに
より形成シフ、導電化膜９の不要部分を除去するｌｉＩ
に、同図（Ｃ）のように、コイル６を埋込むように所望
厚みの７オトレジストの絶縁物１０谷・バターニング形
成し、同図（１）のごとく、ギャップ側へ導’ｒｔ化暎
９を利用し層１１■絶縁膜の先端の位置決め用の遮蔽壁
１１を鋼メツキ形成し、同図（！Ｉ）のように、絶縁物
１〔１を水酸化カリ溶液で超音波浸漬しで除去し、続い
て導電化膜９の不要部分も逆スバク・夕で除去する、次
に同ｖｇ ｃ ｈ ）のように、フォトし−ジストによ
り層１問絶縁膜７を形成し、ハードベーク俵（、こ同図
（Ｌ）のごとく層間絶縁膜７の先端の位ｌｆ決め用−′
）遮蔽壁１１を過硫酸アンモニウムＪｂ Ａ−ＣＦエツ
チング除夫し、同図（））のように、軟磁性体から成る
上部磁極８をメツキにより形成、１〜１、次いで同１．
！２Ｊ（）°）の矢印方向より、寸法α琶つ、切目１」
シて薄膜磁気ヘッドの製造を行った。この、Ｌ′うに層
間１１梗７の先端の位置決め用の遮蔽壁１１を一時的に
形成することにより′層間絶縁膜７の熱工櫟による流れ
をせき止めろことができギャップ”デプスを決定するた
めの切削量αが全部間−寸法嫌となり、ギャップデプス
のバラン７を抑制することができる。又遮蔽壁１１の断
面形状が２オドレジストの絶縁物１０の壁にそって成長
させ６ ｒｙ、めに逆テーパーの形状とすることができ
、層間絶縁膜１２の断面形状が正テーパーの形状に転写
形成することができ、ギャップ部の上磁極の形状が、な
めらかに絞り込んだ形状とすることができる。
１図（α）において、”２０１１の下保護膜２を上面に
形成した基板１上に軟磁性体から成る下部磁極３をメツ
キにより形成し、次いで同図Ｃｂ）のように、ギャップ
となろＡＸ２０．の絶縁層４をスパッタにて成膜し、次
に同図ＣＣ＞に示すように、フォトレジストにより、Ｊ
１ｔｆ！！絶縁膜５を形成し、同図（ｄ）において、導
電化膜９をｆｉ！１４蒸着により形成し、フォトレジス
ト法により′ｑターンニングして銅コイル６をメツキに
より形成シフ、導電化膜９の不要部分を除去するｌｉＩ
に、同図（Ｃ）のように、コイル６を埋込むように所望
厚みの７オトレジストの絶縁物１０谷・バターニング形
成し、同図（１）のごとく、ギャップ側へ導’ｒｔ化暎
９を利用し層１１■絶縁膜の先端の位置決め用の遮蔽壁
１１を鋼メツキ形成し、同図（！Ｉ）のように、絶縁物
１〔１を水酸化カリ溶液で超音波浸漬しで除去し、続い
て導電化膜９の不要部分も逆スバク・夕で除去する、次
に同ｖｇ ｃ ｈ ）のように、フォトし−ジストによ
り層１問絶縁膜７を形成し、ハードベーク俵（、こ同図
（Ｌ）のごとく層間絶縁膜７の先端の位ｌｆ決め用−′
）遮蔽壁１１を過硫酸アンモニウムＪｂ Ａ−ＣＦエツ
チング除夫し、同図（））のように、軟磁性体から成る
上部磁極８をメツキにより形成、１〜１、次いで同１．
！２Ｊ（）°）の矢印方向より、寸法α琶つ、切目１」
シて薄膜磁気ヘッドの製造を行った。この、Ｌ′うに層
間１１梗７の先端の位置決め用の遮蔽壁１１を一時的に
形成することにより′層間絶縁膜７の熱工櫟による流れ
をせき止めろことができギャップ”デプスを決定するた
めの切削量αが全部間−寸法嫌となり、ギャップデプス
のバラン７を抑制することができる。又遮蔽壁１１の断
面形状が２オドレジストの絶縁物１０の壁にそって成長
させ６ ｒｙ、めに逆テーパーの形状とすることができ
、層間絶縁膜１２の断面形状が正テーパーの形状に転写
形成することができ、ギャップ部の上磁極の形状が、な
めらかに絞り込んだ形状とすることができる。
本発明は、以上説明したように、層ｒｆＨ絶縁模り先端
の位置決め用の遮蔽壁を一時的に形成したという、簡単
な製造方法によってギャップデプスの寸法精度を大巾に
向上させ、薄）反磁気ヘッドの記録、再生特性を向上さ
せ、又マルチ加工を容易にする効果がある。
の位置決め用の遮蔽壁を一時的に形成したという、簡単
な製造方法によってギャップデプスの寸法精度を大巾に
向上させ、薄）反磁気ヘッドの記録、再生特性を向上さ
せ、又マルチ加工を容易にする効果がある。
第１図は、本発明にかかる薄膜磁気ヘッドの・１（近方
法の工程別縦断面図、第２図は従来の薄膜磁気ヘッドの
製造方法の工程別縦断面図である。 ３・・・・・・・・・下部磁極 ６…・−・…コイル ７・・・・・・・・・層間絶縁膜 ８・・・・・・・・・上部磁権 １１・・・・・・遮蔽壁 以 上
法の工程別縦断面図、第２図は従来の薄膜磁気ヘッドの
製造方法の工程別縦断面図である。 ３・・・・・・・・・下部磁極 ６…・−・…コイル ７・・・・・・・・・層間絶縁膜 ８・・・・・・・・・上部磁権 １１・・・・・・遮蔽壁 以 上
Claims (1)
- 高透磁率材料からなる上部および下部磁極間に導体材料
からなるコイルをはさんで構成される薄膜磁気ヘッドの
製造方法において、有機絶縁膜を用いて層間絶縁膜を形
成する工程で層間絶縁膜の先端の位置決め用の遮蔽壁を
一時的に形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17730586A JPS6334712A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17730586A JPS6334712A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6334712A true JPS6334712A (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=16028667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17730586A Pending JPS6334712A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6334712A (ja) |
-
1986
- 1986-07-28 JP JP17730586A patent/JPS6334712A/ja active Pending
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