JPS6334583B2 - - Google Patents
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- JPS6334583B2 JPS6334583B2 JP53166022A JP16602278A JPS6334583B2 JP S6334583 B2 JPS6334583 B2 JP S6334583B2 JP 53166022 A JP53166022 A JP 53166022A JP 16602278 A JP16602278 A JP 16602278A JP S6334583 B2 JPS6334583 B2 JP S6334583B2
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 21
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はブラウン管のネツク部周辺に配置され
て電子ビームの集束を行なう電磁型の電子ビーム
集束装置に関する。
て電子ビームの集束を行なう電磁型の電子ビーム
集束装置に関する。
電磁型の電子ビーム集束装置の一例として、例
えば特公昭50−32565号公報に示されるように、
集束コイルと永久磁石を組合せたものがある。こ
の従来例では、電子ビームがブラウン管の螢光面
より少し先の位置で集束する所謂集束不足になる
ように永久磁石の磁界を設定すると共に、上記永
久磁石による磁界と同一方向の磁界を発生する集
束コイルを設け、この集束コイルで上記永久磁石
の磁界の不足分を補うことによつて電子ビームが
最適な集束状態になるようにしている。更に、こ
の従来例では、周囲温度が変化しても正確に集束
動作させるため、温度変化に応じて上記集束コイ
ルに供給する電流を増減させるようにしている。
えば特公昭50−32565号公報に示されるように、
集束コイルと永久磁石を組合せたものがある。こ
の従来例では、電子ビームがブラウン管の螢光面
より少し先の位置で集束する所謂集束不足になる
ように永久磁石の磁界を設定すると共に、上記永
久磁石による磁界と同一方向の磁界を発生する集
束コイルを設け、この集束コイルで上記永久磁石
の磁界の不足分を補うことによつて電子ビームが
最適な集束状態になるようにしている。更に、こ
の従来例では、周囲温度が変化しても正確に集束
動作させるため、温度変化に応じて上記集束コイ
ルに供給する電流を増減させるようにしている。
しかしながら、上記従来例のものでは、永久磁
石の磁界が温度上昇によつて減少したときに、そ
の磁界の減少を補償すべく上記集束コイルに供給
する電流が増加するよう制御するため、この電流
の増加による集束コイルの発熱によつて永久磁石
の温度が更に高くなり、この繰り返しによつて熱
暴走が起ると言う問題があつた。
石の磁界が温度上昇によつて減少したときに、そ
の磁界の減少を補償すべく上記集束コイルに供給
する電流が増加するよう制御するため、この電流
の増加による集束コイルの発熱によつて永久磁石
の温度が更に高くなり、この繰り返しによつて熱
暴走が起ると言う問題があつた。
そこで、本発明は温度変化しても常に正確な集
束動作を行なうことができ、しかも、熱暴走の虞
れのない電磁型の電子ビーム集束装置を提供する
ことを目的とする。
束動作を行なうことができ、しかも、熱暴走の虞
れのない電磁型の電子ビーム集束装置を提供する
ことを目的とする。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。第１図及び第２図は本実施例の電子ビーム集
束装置をブラウン管１のネツク部１ａの周囲に取
付けた状態を示しており、第１図の例ではネツク
部１ａ内にはカソード電極２、制御電極３、アノ
ード電極４、加速電極５，６が配置されているだ
けであつて集束電極は設けられておらず、外周に
取り付けられた電磁型の集束装置によつてのみ電
子ビームの集束を行なうが第２図の例では内部に
集束電極９が設けられていて、この電極による静
電的集束と、電磁型の集束装置７による磁気的集
束の双方が行なわれるようになつている。
る。第１図及び第２図は本実施例の電子ビーム集
束装置をブラウン管１のネツク部１ａの周囲に取
付けた状態を示しており、第１図の例ではネツク
部１ａ内にはカソード電極２、制御電極３、アノ
ード電極４、加速電極５，６が配置されているだ
けであつて集束電極は設けられておらず、外周に
取り付けられた電磁型の集束装置によつてのみ電
子ビームの集束を行なうが第２図の例では内部に
集束電極９が設けられていて、この電極による静
電的集束と、電磁型の集束装置７による磁気的集
束の双方が行なわれるようになつている。
前記集束装置７は第３図に示すように永久磁石
１０と励磁コイル１１を同心状に配置し、その両
サイドに継鉄１２，１２を設けて前記永久磁石１
０と励磁コイル１１から発生する磁束のガイドの
役目を前記継鉄１２，１２にもたせ、その継鉄１
２，１２の内端からブラウン管１の内部に磁界を
発生する構造となつており、しかも前記永久磁石
１０による磁界は電子ビームを過集束（画面より
も手前で集束）させるように設けられ、且つ、前
記励磁コイル１１による磁界は前記永久磁石１０
による磁界を打ち消す向きに生じるように設定し
てある。
１０と励磁コイル１１を同心状に配置し、その両
サイドに継鉄１２，１２を設けて前記永久磁石１
０と励磁コイル１１から発生する磁束のガイドの
役目を前記継鉄１２，１２にもたせ、その継鉄１
２，１２の内端からブラウン管１の内部に磁界を
発生する構造となつており、しかも前記永久磁石
１０による磁界は電子ビームを過集束（画面より
も手前で集束）させるように設けられ、且つ、前
記励磁コイル１１による磁界は前記永久磁石１０
による磁界を打ち消す向きに生じるように設定し
てある。
また、この実施例では、上記永久磁石１０の温
度による磁界の変化を補償するため、この磁石１
０の温度を検出する温度センサを設けている。即
ち、この温度センサ１３はコイルボビン１４内に
巻装された励磁コイル１１の外側に配置されてい
て、そのリード線１５，１５は前記励磁コイル１
１のリード線１６，１６と共に継鉄１２に穿設さ
れた挿通孔１７を通して外部に引き出されて前記
励磁コイル１１に電流を供給する励磁回路に接続
されている。
度による磁界の変化を補償するため、この磁石１
０の温度を検出する温度センサを設けている。即
ち、この温度センサ１３はコイルボビン１４内に
巻装された励磁コイル１１の外側に配置されてい
て、そのリード線１５，１５は前記励磁コイル１
１のリード線１６，１６と共に継鉄１２に穿設さ
れた挿通孔１７を通して外部に引き出されて前記
励磁コイル１１に電流を供給する励磁回路に接続
されている。
第４図は上記励磁回路を示しており、１１は第
３図に示された励磁コイル、RTは前述の温度セ
ンサ１３として採用した正特性サーミスタであ
り、この回路においては、電源電圧＋VCを抵抗
R7を介してツエナーダイオードD1に印加するこ
とにより一定電圧VDを得、この電圧を可変抵抗
器VRの両端及び抵抗R6とそれに並列な正特性サ
ーミスタRTとこれらR6，RTに直列な抵抗R2より
なる抵抗接続回路の両端に加え、前記可変抵抗器
VRの摺動端と抵抗R2のRT側の一端とを抵抗R3，
R4によつて結び、その抵抗R3，R4の中点とアー
スとの間に抵抗R5を接続して、この抵抗R5の両
端に生じる電圧を基準電圧として取り出し抵抗
R8を介して差動対１８を構成する第１トランジ
スタQ1のベースに印加することにより、その第
１トランジスタQ1の導通度を制御し、第１トラ
ンジスタQ1のコレクタ電位の変化によつてPNP
型の第３トランジスタQ3及びNPN型の第４トラ
ンジスタQ4の導通度を変えるものである。そし
て、この第４トランジスタQ4の導通度が励磁コ
イル１１を流れる電流を制御するようになつてい
る。前記励磁コイル１１を流れる電流は第４トラ
ンジスタQ4のコレクタ・エミツタ間を通して抵
抗R15に流れ、該抵抗R15の両端に電圧V15を発生
せしめるが、この電圧V15は抵抗R13を介して差
動対１８を構成する第２トランジスタQ2のベー
スに与えられ、電源電圧＋VCの変動による励磁
電流ｉ〔励磁コイル１１を流れる電流〕の変動を
補償するように作用する。例えば電源電圧＋VC
が大きくなると、第４トランジスタQ4を通つて
流れる励磁電流ｉも大きくなるが、それによつて
抵抗R15に生じる電圧が大きくなるため差動対１
８のうち第２トランジスタQ2を流れる電流が増
加し、その分だけ第１トランジスタQ1を流れる
電流が減少し、第１トランジスタQ1のコレクタ
電位が上昇して第３、第４トランジスタQ3，Q4
の導通度が低下し、その結果、励磁電流ｉが減少
するのである。即ち、抵抗R15のQ4側の一端→抵
抗R13→差動対１８→第３トランジスタQ3→第４
トランジスタQ4のループは電源電圧＋VCの変動
による励磁電流ｉの変化に対し負帰還作用を呈す
るのである。上記励磁コイル１１と並列に挿入さ
れたダイオードD2は電源電圧VCをオン、オフさ
せたときに励磁コイル１１に大きなパルス電圧が
発生するので、その保護用である。
３図に示された励磁コイル、RTは前述の温度セ
ンサ１３として採用した正特性サーミスタであ
り、この回路においては、電源電圧＋VCを抵抗
R7を介してツエナーダイオードD1に印加するこ
とにより一定電圧VDを得、この電圧を可変抵抗
器VRの両端及び抵抗R6とそれに並列な正特性サ
ーミスタRTとこれらR6，RTに直列な抵抗R2より
なる抵抗接続回路の両端に加え、前記可変抵抗器
VRの摺動端と抵抗R2のRT側の一端とを抵抗R3，
R4によつて結び、その抵抗R3，R4の中点とアー
スとの間に抵抗R5を接続して、この抵抗R5の両
端に生じる電圧を基準電圧として取り出し抵抗
R8を介して差動対１８を構成する第１トランジ
スタQ1のベースに印加することにより、その第
１トランジスタQ1の導通度を制御し、第１トラ
ンジスタQ1のコレクタ電位の変化によつてPNP
型の第３トランジスタQ3及びNPN型の第４トラ
ンジスタQ4の導通度を変えるものである。そし
て、この第４トランジスタQ4の導通度が励磁コ
イル１１を流れる電流を制御するようになつてい
る。前記励磁コイル１１を流れる電流は第４トラ
ンジスタQ4のコレクタ・エミツタ間を通して抵
抗R15に流れ、該抵抗R15の両端に電圧V15を発生
せしめるが、この電圧V15は抵抗R13を介して差
動対１８を構成する第２トランジスタQ2のベー
スに与えられ、電源電圧＋VCの変動による励磁
電流ｉ〔励磁コイル１１を流れる電流〕の変動を
補償するように作用する。例えば電源電圧＋VC
が大きくなると、第４トランジスタQ4を通つて
流れる励磁電流ｉも大きくなるが、それによつて
抵抗R15に生じる電圧が大きくなるため差動対１
８のうち第２トランジスタQ2を流れる電流が増
加し、その分だけ第１トランジスタQ1を流れる
電流が減少し、第１トランジスタQ1のコレクタ
電位が上昇して第３、第４トランジスタQ3，Q4
の導通度が低下し、その結果、励磁電流ｉが減少
するのである。即ち、抵抗R15のQ4側の一端→抵
抗R13→差動対１８→第３トランジスタQ3→第４
トランジスタQ4のループは電源電圧＋VCの変動
による励磁電流ｉの変化に対し負帰還作用を呈す
るのである。上記励磁コイル１１と並列に挿入さ
れたダイオードD2は電源電圧VCをオン、オフさ
せたときに励磁コイル１１に大きなパルス電圧が
発生するので、その保護用である。
斯る第４図の回路において、励磁電流ｉは抵抗
R15と基準電圧V5でほぼ決まり、 ｉ＝V5／R15 ………(1) となる。
R15と基準電圧V5でほぼ決まり、 ｉ＝V5／R15 ………(1) となる。
抵抗R5の両端に生じる基準電圧V5は可変抵抗
器VRによつて変化するので、可変抵抗器VRを
調整することによつて励磁電流ｉを変えることが
でき、これによつて励磁コイル１１から生じる磁
界が変化し、電子ビームの集束状態を調整でき
る。前記基準電圧V6は可変抵抗器VRで設定され
た電圧V1と抵抗R2の両端に生じる電圧V2を用い
て次のように表わすことができる。
器VRによつて変化するので、可変抵抗器VRを
調整することによつて励磁電流ｉを変えることが
でき、これによつて励磁コイル１１から生じる磁
界が変化し、電子ビームの集束状態を調整でき
る。前記基準電圧V6は可変抵抗器VRで設定され
た電圧V1と抵抗R2の両端に生じる電圧V2を用い
て次のように表わすことができる。
V5＝
V1／R3（R5＋R2＋R4）／R5（R2＋R4）＋１＋V2／R4（R5
＋R1＋R3）／R5（R1＋R3）＋１ ………(2) ここで、第１項はV1によつて(a)点に生じる電
圧であり、電圧V1を電源として抵抗R3，R4，
R2，R5を負荷回路としてキルヒホツフの法則に
より求まり、一方、第２項はV2によつて(a)点に
生じる電圧で、電圧V2を電源として前記同一の
抵抗群を負荷回路とし同様の計算によつて求ま
る。V5はこれらを重ね合せの理に従つて加え合
せることにより得られるから(2)式のようになるの
である。今、R3＝R4＝R5／２、R1≪R3、R2≪R3
に選べば(2)式は近似的に V5≒V1＋V2／２＋R3／R5＝0.4（V1＋V2） ………(3) となり、この(3)式を(1)式に代入すると、 ｉ＝0.4（V1＋V2）／R15 ………(4) となる。電圧V1は可変抵抗器VRを操作すること
によつて０からツエナーダイオードD1のツエナ
ー電圧VDまで変えることができ、それに従つて
励磁電流ｉは0.4×V2／R15から0.4（VD＋V2）／R15ま で変化する。電圧V2はツエナー電圧VDを抵抗R6
と正特性サーミスタRTの合成抵抗と抵抗R2との
分割したものであり、該電圧V2はRTの抵抗値の
変化、即ち周囲温度の変化に従つて増減する。そ
れ故、(4)式より励磁コイル１１を流れる電流ｉも
増減し、第３図の中心ｂにおける軸方向磁束密度
のピーク値Bmaxの温度係数による変化分を補償
する。このことを更に具体的に説明する。今、集
束に必要なBmax（永久磁石１０や継鉄１２の形
状が決まれば(b)点の軸方向磁束密度の分布形状は
略ピーク値のBmaxに比例するのでビーム集束装
置の強さはBmaxで表わしてもよい）をＢガウ
ス、永久磁石１０だけによるBmaxをＢ＋ΔBガ
ウスとすると、励磁コイル１１により発生する磁
束のBmaxは、第３図の形状ものでコイルの巻き
数を1200ターンとして実測すると、およそ−0.38
ガウス／AT（ATはアンペア・ターン）となる。
＋R1＋R3）／R5（R1＋R3）＋１ ………(2) ここで、第１項はV1によつて(a)点に生じる電
圧であり、電圧V1を電源として抵抗R3，R4，
R2，R5を負荷回路としてキルヒホツフの法則に
より求まり、一方、第２項はV2によつて(a)点に
生じる電圧で、電圧V2を電源として前記同一の
抵抗群を負荷回路とし同様の計算によつて求ま
る。V5はこれらを重ね合せの理に従つて加え合
せることにより得られるから(2)式のようになるの
である。今、R3＝R4＝R5／２、R1≪R3、R2≪R3
に選べば(2)式は近似的に V5≒V1＋V2／２＋R3／R5＝0.4（V1＋V2） ………(3) となり、この(3)式を(1)式に代入すると、 ｉ＝0.4（V1＋V2）／R15 ………(4) となる。電圧V1は可変抵抗器VRを操作すること
によつて０からツエナーダイオードD1のツエナ
ー電圧VDまで変えることができ、それに従つて
励磁電流ｉは0.4×V2／R15から0.4（VD＋V2）／R15ま で変化する。電圧V2はツエナー電圧VDを抵抗R6
と正特性サーミスタRTの合成抵抗と抵抗R2との
分割したものであり、該電圧V2はRTの抵抗値の
変化、即ち周囲温度の変化に従つて増減する。そ
れ故、(4)式より励磁コイル１１を流れる電流ｉも
増減し、第３図の中心ｂにおける軸方向磁束密度
のピーク値Bmaxの温度係数による変化分を補償
する。このことを更に具体的に説明する。今、集
束に必要なBmax（永久磁石１０や継鉄１２の形
状が決まれば(b)点の軸方向磁束密度の分布形状は
略ピーク値のBmaxに比例するのでビーム集束装
置の強さはBmaxで表わしてもよい）をＢガウ
ス、永久磁石１０だけによるBmaxをＢ＋ΔBガ
ウスとすると、励磁コイル１１により発生する磁
束のBmaxは、第３図の形状ものでコイルの巻き
数を1200ターンとして実測すると、およそ−0.38
ガウス／AT（ATはアンペア・ターン）となる。
故に励磁コイル１１に流す電流ｉを、
ｉ＝ΔB／0.38×1200 ………(5)
とすれば電子ビーム８は螢光面で集束する。可変
抵抗器VRを調節し、励磁コイル１１に電流ｉを
流した後、永久磁石１０の温度がΔt上昇したと
すると、フエライトを使用した永久磁石１０の温
度係数は約−0.2％／℃であるので（Ｂ＋ΔB）×
0.002×Δtガウスだけ永久磁石１０のBmaxが減
少する。一方、永久磁石１０の温度がΔt上昇す
れば永久磁石１０に近接して取り付けている温度
センサ１３即ち、正特性サーミスタRTの抵抗値
が増加する。第４図において、RTが増加すれば
R6とRTの合成抵抗値も増加し、電圧V2は減少す
る。今、永久磁石１０の温度がΔt上昇したとき
電圧V2がΔV2減少したとすると(4)式より、 ｉ＝0.4（V1＋V2−ΔV2）／R15 ………(6) となつて0.4×ΔV2／R15だけ励磁電流ｉは減少
し、Bmaxは（0.4×ΔV2／R15）×0.38×1200ガウ
ス増加する。尚、励磁電流ｉの減少によりBmax
が増加するのは、コイル１１による磁界の方向が
永久磁石１０によるそれと逆方向になつているた
め、コイル１１による磁界が減少すれば永久磁石
１０による磁界を打ち消す量がそれだけ減り、全
体としてBmaxが増加したことになるからであ
る。
抵抗器VRを調節し、励磁コイル１１に電流ｉを
流した後、永久磁石１０の温度がΔt上昇したと
すると、フエライトを使用した永久磁石１０の温
度係数は約−0.2％／℃であるので（Ｂ＋ΔB）×
0.002×Δtガウスだけ永久磁石１０のBmaxが減
少する。一方、永久磁石１０の温度がΔt上昇す
れば永久磁石１０に近接して取り付けている温度
センサ１３即ち、正特性サーミスタRTの抵抗値
が増加する。第４図において、RTが増加すれば
R6とRTの合成抵抗値も増加し、電圧V2は減少す
る。今、永久磁石１０の温度がΔt上昇したとき
電圧V2がΔV2減少したとすると(4)式より、 ｉ＝0.4（V1＋V2−ΔV2）／R15 ………(6) となつて0.4×ΔV2／R15だけ励磁電流ｉは減少
し、Bmaxは（0.4×ΔV2／R15）×0.38×1200ガウ
ス増加する。尚、励磁電流ｉの減少によりBmax
が増加するのは、コイル１１による磁界の方向が
永久磁石１０によるそれと逆方向になつているた
め、コイル１１による磁界が減少すれば永久磁石
１０による磁界を打ち消す量がそれだけ減り、全
体としてBmaxが増加したことになるからであ
る。
永久磁石１０によるBmaxの減少分と励磁コイ
ル１１によるBmaxの増加分が等しければ、即ち （Ｂ＋ΔB）×0.2Δt ＝（0.4×ΔV2／R15）×0.38×1200 ………(7) ならばビーム集束装置の強さは変わらず、従つて
温度変化によつて最適な集束状態が変化すること
がない。
ル１１によるBmaxの増加分が等しければ、即ち （Ｂ＋ΔB）×0.2Δt ＝（0.4×ΔV2／R15）×0.38×1200 ………(7) ならばビーム集束装置の強さは変わらず、従つて
温度変化によつて最適な集束状態が変化すること
がない。
第５図は第４図の回路の一部を変更すると共に
各抵抗等の具体的な数値を示したものであり、正
特性サーミスタRTの25℃での抵抗値R25℃は10K
Ωで、温度ｔのときの抵抗値R1は R1≒R25×100.025(t-12) を充足するものとする。また、第４図では抵抗
R2の他端側は接地されているが第５図では6Vの
ツエナーダイオードD3を用いて−6Vに接続し、
温度が高い場合のBmaxの補正が一段と効果的に
行なえるようにしている。この第５図の回路を用
いて実際に温度に対するBmaxを測定した結果を
第６図に示す。第６図において、イは永久磁石１
０によるBmaxの温度特性であり、ロは永久磁石
１０と励磁コイル１１の各磁界の合成による
Bmaxの温度特性を示している。これから分かる
ように正特性サーミスタRTを用いてBmaxの温度
による変動を補償した場合には、−10℃〜60℃の
範囲で若干変化しているものの実用上問題がない
程度で略一定のBmaxが得られている。
各抵抗等の具体的な数値を示したものであり、正
特性サーミスタRTの25℃での抵抗値R25℃は10K
Ωで、温度ｔのときの抵抗値R1は R1≒R25×100.025(t-12) を充足するものとする。また、第４図では抵抗
R2の他端側は接地されているが第５図では6Vの
ツエナーダイオードD3を用いて−6Vに接続し、
温度が高い場合のBmaxの補正が一段と効果的に
行なえるようにしている。この第５図の回路を用
いて実際に温度に対するBmaxを測定した結果を
第６図に示す。第６図において、イは永久磁石１
０によるBmaxの温度特性であり、ロは永久磁石
１０と励磁コイル１１の各磁界の合成による
Bmaxの温度特性を示している。これから分かる
ように正特性サーミスタRTを用いてBmaxの温度
による変動を補償した場合には、−10℃〜60℃の
範囲で若干変化しているものの実用上問題がない
程度で略一定のBmaxが得られている。
尚、本発明を実施するに際し、第３図の実施例
ではブラウン管１１への保持手段が示されていな
いが、適当な保持手段により永久磁石１０、励磁
コイルボビン１４、並びに継鉄１２，１２を組立
ててブラウン管１に装着固定するとよい。また、
温度センサ１３の位置は第３図の場合に限ること
はなく、永久磁石１０の温度を直接又は間接に検
出できるような位置でよいことはいうまでもな
い。
ではブラウン管１１への保持手段が示されていな
いが、適当な保持手段により永久磁石１０、励磁
コイルボビン１４、並びに継鉄１２，１２を組立
ててブラウン管１に装着固定するとよい。また、
温度センサ１３の位置は第３図の場合に限ること
はなく、永久磁石１０の温度を直接又は間接に検
出できるような位置でよいことはいうまでもな
い。
以上説明したように、本発明によれば永久磁石
と励磁コイルにより電磁型の集束装置を形成する
と共に、永久磁石による磁界は電子ビームを過集
束させるように選び、この磁界の一部を励磁コイ
ルによる磁界によつて打ち消すように構成してい
るので、励磁電流を調整することにより電子ビー
ムの集束を容易に制御できると共に、集束装置の
温度上昇→励磁コイルの電流減少→励磁コイルの
発熱減少→集束装置の温度低下というルーブで温
度変化に対する制御が行なわれ、従つて、熱暴走
の虞れがなく温度変化に対して正確な集束動作を
達成できる。
と励磁コイルにより電磁型の集束装置を形成する
と共に、永久磁石による磁界は電子ビームを過集
束させるように選び、この磁界の一部を励磁コイ
ルによる磁界によつて打ち消すように構成してい
るので、励磁電流を調整することにより電子ビー
ムの集束を容易に制御できると共に、集束装置の
温度上昇→励磁コイルの電流減少→励磁コイルの
発熱減少→集束装置の温度低下というルーブで温
度変化に対する制御が行なわれ、従つて、熱暴走
の虞れがなく温度変化に対して正確な集束動作を
達成できる。
図面は何れも本発明の電子ビーム集束装置に関
し、第１図及び第２図はそのそれぞれ異なる使用
状態を示す図、第３図は本発明の電子ビーム集束
装置の一実施例を示す断面図、第４図はそれに使
用する励磁回路を示す回路図、第５図は第４図の
回路の一部を変更すると共に具体的な回路定数を
付して示す回路図、第６図は第５図の回路の特性
図である。 １……ブラウン管、１０……永久磁石、１１…
…励磁コイル、１３……温度センサ、RT……正
特性サーミスタ。
し、第１図及び第２図はそのそれぞれ異なる使用
状態を示す図、第３図は本発明の電子ビーム集束
装置の一実施例を示す断面図、第４図はそれに使
用する励磁回路を示す回路図、第５図は第４図の
回路の一部を変更すると共に具体的な回路定数を
付して示す回路図、第６図は第５図の回路の特性
図である。 １……ブラウン管、１０……永久磁石、１１…
…励磁コイル、１３……温度センサ、RT……正
特性サーミスタ。
Claims (1)
- １ 励磁コイルと永久磁石とをブラウン管のネツ
ク部に同心状に配置して固定すると共に、前記永
久磁石の温度変化を検出する温度センサを上記磁
石の近傍に配置して設け、この温度センサを前記
励磁コイルに電流を与える励磁回路に接続した電
子ビーム集束装置に於いて、前記永久磁石による
磁界が電子ビームを過集束させるようになし、且
つ、前記励磁コイルによる磁界が前記永久磁石に
よる磁界を打ち消す向きに生じるようになすと共
に、前記温度センサによつて前記永久磁石の温度
上昇時に前記励磁コイルの電流を減少させるよう
制御するようにしたことを特徴とする電子ビーム
集束装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16602278A JPS5591543A (en) | 1978-12-28 | 1978-12-28 | Electron beam focusing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16602278A JPS5591543A (en) | 1978-12-28 | 1978-12-28 | Electron beam focusing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5591543A JPS5591543A (en) | 1980-07-11 |
| JPS6334583B2 true JPS6334583B2 (ja) | 1988-07-11 |
Family
ID=15823464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16602278A Granted JPS5591543A (en) | 1978-12-28 | 1978-12-28 | Electron beam focusing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5591543A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01256883A (ja) * | 1988-04-07 | 1989-10-13 | Kooraru Kk | 磁気回路装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4725930U (ja) * | 1971-04-21 | 1972-11-24 | ||
| JPS5032565A (ja) * | 1973-07-26 | 1975-03-29 |
-
1978
- 1978-12-28 JP JP16602278A patent/JPS5591543A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4725930U (ja) * | 1971-04-21 | 1972-11-24 | ||
| JPS5032565A (ja) * | 1973-07-26 | 1975-03-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5591543A (en) | 1980-07-11 |
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