JPS6334195Y2 - - Google Patents
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- JPS6334195Y2 JPS6334195Y2 JP1981190180U JP19018081U JPS6334195Y2 JP S6334195 Y2 JPS6334195 Y2 JP S6334195Y2 JP 1981190180 U JP1981190180 U JP 1981190180U JP 19018081 U JP19018081 U JP 19018081U JP S6334195 Y2 JPS6334195 Y2 JP S6334195Y2
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- insulating end
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- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H33/00—High-tension or heavy-current switches with arc-extinguishing or arc-preventing means
- H01H33/60—Switches wherein the means for extinguishing or preventing the arc do not include separate means for obtaining or increasing flow of arc-extinguishing fluid
- H01H33/66—Vacuum switches
- H01H33/662—Housings or protective screens
- H01H33/66261—Specific screen details, e.g. mounting, materials, multiple screens or specific electrical field considerations
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は真空インタラプタに係り、特に真空容
器の絶縁性能及び耐腐食性の向上を図つた真空イ
ンタラプタに関するものである。
器の絶縁性能及び耐腐食性の向上を図つた真空イ
ンタラプタに関するものである。
第１図は従来の一般的な真空インタラプタであ
る。図中において１は、真空容器であり、セラミ
ツク（例えばアルミナ）から成る絶縁円筒１１の
軸方向両端をFe−Ni−Co又はFe−Niから成る端
板１２及び１３で封して形成されている。普通端
板１２及び１３は、絶縁円筒１１の端面にメタラ
イズ層を設けてろう付け接合されている。
る。図中において１は、真空容器であり、セラミ
ツク（例えばアルミナ）から成る絶縁円筒１１の
軸方向両端をFe−Ni−Co又はFe−Niから成る端
板１２及び１３で封して形成されている。普通端
板１２及び１３は、絶縁円筒１１の端面にメタラ
イズ層を設けてろう付け接合されている。
更に一方の端板１２には、内端部に電極２１を
具備した固定電極棒２が気密に貫通して設けら
れ、他方の端板１３には、内端部に電極３１を具
備した可動電極棒３が伸縮自在なベローズ４を介
して気密に貫通して設けられている。５は、
SuS，Feから成るシールドであつて、電極２１及
び３１から生ずる金属蒸気によつて絶縁円筒１１
の内面が汚損するのを防止するものである。
具備した固定電極棒２が気密に貫通して設けら
れ、他方の端板１３には、内端部に電極３１を具
備した可動電極棒３が伸縮自在なベローズ４を介
して気密に貫通して設けられている。５は、
SuS，Feから成るシールドであつて、電極２１及
び３１から生ずる金属蒸気によつて絶縁円筒１１
の内面が汚損するのを防止するものである。
上述した第１図に示すような真空インタラプタ
にあつては、真空容器１が絶縁円筒１１を用いて
形成されているために、電極２１及び３１と、絶
縁円筒１１との間にシールド５を設ける必要があ
り、且つ各部材間に所定の空間を設けなければな
らないことから、結果径方向寸法が大きくなる問
題があり、しかも絶縁円筒１１が高価となる問題
があつた。
にあつては、真空容器１が絶縁円筒１１を用いて
形成されているために、電極２１及び３１と、絶
縁円筒１１との間にシールド５を設ける必要があ
り、且つ各部材間に所定の空間を設けなければな
らないことから、結果径方向寸法が大きくなる問
題があり、しかも絶縁円筒１１が高価となる問題
があつた。
このために、高価なセラミツクから成る絶縁体
の使用量を削減すると共に真空インタラプタの小
形化を図つたものに第２図に示すような構成のも
のがある。
の使用量を削減すると共に真空インタラプタの小
形化を図つたものに第２図に示すような構成のも
のがある。
すなわち、第２図において真空容器１は、
SUSから成る金属円筒６と、この金属円筒６の
軸方向両端にリング状の補助金具８１及び８２を
介して設けたセラミツクから成る絶縁端板７ａ及
び７ｂとで形成されている。そして一方の絶縁端
板７ａには、リング状の補助金具８３を介して固
定電極棒２が気密に貫通して設けられており、こ
の固定電極棒２の内端部には、接触子２２を具備
して成る電極２１が設けられている。前記筒状の
補助金具８３は止リング８４を介して固定電極棒
２上に設けられており、また固定電極棒２上には
止リング８５を介して前記絶縁端板７ａ側に突出
したシールド５１が設けられている。更に前記金
属円筒６の端部に位する補助金具８１には電極２
１側に突出したシールド５２が設けられている。
SUSから成る金属円筒６と、この金属円筒６の
軸方向両端にリング状の補助金具８１及び８２を
介して設けたセラミツクから成る絶縁端板７ａ及
び７ｂとで形成されている。そして一方の絶縁端
板７ａには、リング状の補助金具８３を介して固
定電極棒２が気密に貫通して設けられており、こ
の固定電極棒２の内端部には、接触子２２を具備
して成る電極２１が設けられている。前記筒状の
補助金具８３は止リング８４を介して固定電極棒
２上に設けられており、また固定電極棒２上には
止リング８５を介して前記絶縁端板７ａ側に突出
したシールド５１が設けられている。更に前記金
属円筒６の端部に位する補助金具８１には電極２
１側に突出したシールド５２が設けられている。
また他方の絶縁端板７ｂには、ベローズ４を介
して可動電極棒３が気密に且つ軸方向に伸縮自在
に貫通して設けられており、この可動電極棒３の
内端部には、接触子３２を具備して成る電極３１
が設けられている。
して可動電極棒３が気密に且つ軸方向に伸縮自在
に貫通して設けられており、この可動電極棒３の
内端部には、接触子３２を具備して成る電極３１
が設けられている。
前記ベローズ４は、その軸方向の一端（図中の
下側）はリング状の補助金具８６を介して絶縁端
板７ｂに接合され、また他端は、電極３１の背部
に位する可動電極棒３上に接合されている。更に
この可動電極棒３における電極３１とベローズ４
の端部との間には、絶縁端板７ｂ側に突出したシ
ールド５１が設けられており、また金属円筒６の
端部に位する補助金具８２には、電極３１側に突
出したシールド５２が設けられている。
下側）はリング状の補助金具８６を介して絶縁端
板７ｂに接合され、また他端は、電極３１の背部
に位する可動電極棒３上に接合されている。更に
この可動電極棒３における電極３１とベローズ４
の端部との間には、絶縁端板７ｂ側に突出したシ
ールド５１が設けられており、また金属円筒６の
端部に位する補助金具８２には、電極３１側に突
出したシールド５２が設けられている。
上記説明したような構成から成る真空インタラ
プタは、接合すべき各部材間にろう材が配置され
て仮組立され、この状態において真空炉中で加熱
（900℃〜1050℃）排気すると共に各部材間をろう
付け接合して所要の真空インタラプタを形成する
ものである。
プタは、接合すべき各部材間にろう材が配置され
て仮組立され、この状態において真空炉中で加熱
（900℃〜1050℃）排気すると共に各部材間をろう
付け接合して所要の真空インタラプタを形成する
ものである。
なお、セラミツクにろう付け接合し得る金属部
材は、熱膨張率が近似していること、又は熱膨張
率に差があつてもろう付け温度にて軟化し、且つ
接合時に塑性変形し得る材料及び形状であること
が、耐久性の高い接合を行なうには必要である。
このために、前記金属円筒６及びベローズ４は
SUS材で、又固定電極棒２はCu材から成るもの
であり、これら部材はセラミツクと熱膨張率の差
が大きく且つ塑性変形しにくい形状であることか
ら、直接に絶縁端板７ａ及び７ｂにろう付け接合
することは好ましくないので、前述のように、補
助金具８１，８２，８３，及び８６を介在させて
いる。
材は、熱膨張率が近似していること、又は熱膨張
率に差があつてもろう付け温度にて軟化し、且つ
接合時に塑性変形し得る材料及び形状であること
が、耐久性の高い接合を行なうには必要である。
このために、前記金属円筒６及びベローズ４は
SUS材で、又固定電極棒２はCu材から成るもの
であり、これら部材はセラミツクと熱膨張率の差
が大きく且つ塑性変形しにくい形状であることか
ら、直接に絶縁端板７ａ及び７ｂにろう付け接合
することは好ましくないので、前述のように、補
助金具８１，８２，８３，及び８６を介在させて
いる。
そしてこれら補助金具８１，８２，８３，及び
８６は、セラミツクがアルミナから成る場合には
熱膨張率が近似しているFe−Ni−Co、又はFe−
Niを用いるか、または熱膨張率の点では差があ
るけれどもろう付け温度（900℃〜1050℃）で軟
化するCu材を塑性変形しやすい例えばリング状
に形成して用いるものである。ただFe−Ni−
Co，Fe−Niは高価であることから、これに比較
して安価なCuを用いるのが望ましい。
８６は、セラミツクがアルミナから成る場合には
熱膨張率が近似しているFe−Ni−Co、又はFe−
Niを用いるか、または熱膨張率の点では差があ
るけれどもろう付け温度（900℃〜1050℃）で軟
化するCu材を塑性変形しやすい例えばリング状
に形成して用いるものである。ただFe−Ni−
Co，Fe−Niは高価であることから、これに比較
して安価なCuを用いるのが望ましい。
またセラミツクに金属部材をろう付けする場合
には、普通セラミツクの表面にメタライズ層を施
し、このメタライズ層上に金属部材をろう付けす
るように成されている。
には、普通セラミツクの表面にメタライズ層を施
し、このメタライズ層上に金属部材をろう付けす
るように成されている。
上記の説明から明らかなように、第２図に示す
真空インタラプタは、第１図の真空インタラプタ
に比較して真空容器１を形成する絶縁部材（セラ
ミツク）の使用量が少なく、しかも絶縁部材が単
純な形状であることから安価である利点はあるも
のの、耐絶縁寸法は絶縁端板７ａ及び７ｂの半径
方向寸法に基づくことになり、第１図のような絶
縁円筒１１の軸方向寸法の場合に比較して小さい
ものとなる。しかもセラミツクは、素焼の状態で
あると、外気の水分を吸着しやすい傾向にあるた
めに、水分が吸着して絶縁端板７ａ及び７ｂの外
表面における絶縁耐力を低下させる問題があり、
第２図の真空インタラプタのように耐絶縁寸法が
短い場合には、この問題は一層顕著なものであつ
た。
真空インタラプタは、第１図の真空インタラプタ
に比較して真空容器１を形成する絶縁部材（セラ
ミツク）の使用量が少なく、しかも絶縁部材が単
純な形状であることから安価である利点はあるも
のの、耐絶縁寸法は絶縁端板７ａ及び７ｂの半径
方向寸法に基づくことになり、第１図のような絶
縁円筒１１の軸方向寸法の場合に比較して小さい
ものとなる。しかもセラミツクは、素焼の状態で
あると、外気の水分を吸着しやすい傾向にあるた
めに、水分が吸着して絶縁端板７ａ及び７ｂの外
表面における絶縁耐力を低下させる問題があり、
第２図の真空インタラプタのように耐絶縁寸法が
短い場合には、この問題は一層顕著なものであつ
た。
このようなことから、絶縁端板７ａ及び７ｂ
は、セラミツクの外表面側にガラス質のうわぐす
りを塗布して焼成することにより水分の吸着を防
止して絶縁耐力が低下することを防いでいるが、
うわぐすりを塗布して焼成した絶縁端板は高価で
あるばかりでなく、焼成過程においてガラス質に
ひびが入つたりして不良品が多く、一層高価なも
のとなる問題があつた。
は、セラミツクの外表面側にガラス質のうわぐす
りを塗布して焼成することにより水分の吸着を防
止して絶縁耐力が低下することを防いでいるが、
うわぐすりを塗布して焼成した絶縁端板は高価で
あるばかりでなく、焼成過程においてガラス質に
ひびが入つたりして不良品が多く、一層高価なも
のとなる問題があつた。
またうわぐすりが有るとセラミツク上にはメタ
ライズ層が形成できないので、メタライズ層を設
ける部分（近傍も含めて）例えば図中のＡ，Ｂ，
Ｃ，Ｄの部分におけるセラミツクの表面にはうわ
ぐすりは塗布できないものであつた。このために
メタライズ層近傍は素焼の状態であり、この部分
が水分を吸着してろう付け接合部を腐食し、腐食
が進行して真空漏れを生ずる問題があつた。
ライズ層が形成できないので、メタライズ層を設
ける部分（近傍も含めて）例えば図中のＡ，Ｂ，
Ｃ，Ｄの部分におけるセラミツクの表面にはうわ
ぐすりは塗布できないものであつた。このために
メタライズ層近傍は素焼の状態であり、この部分
が水分を吸着してろう付け接合部を腐食し、腐食
が進行して真空漏れを生ずる問題があつた。
本考案は以上の点に鑑みて成されたもので、絶
縁端板を素焼のセラミツクで形成し、且つ少なく
とも絶縁端板の大気側に露出する部分及びこの絶
縁端板上に位するろう付け接合部を覆う如く絶縁
樹脂を塗布して構成することにより、安価で且つ
耐絶縁性、耐腐食性に富む真空インタラプタを提
供することを目的としたものである。
縁端板を素焼のセラミツクで形成し、且つ少なく
とも絶縁端板の大気側に露出する部分及びこの絶
縁端板上に位するろう付け接合部を覆う如く絶縁
樹脂を塗布して構成することにより、安価で且つ
耐絶縁性、耐腐食性に富む真空インタラプタを提
供することを目的としたものである。
次に本考案の一実施例を第３図に基づいて説明
するが、真空インタラプタの構成は前述の第２図
の真空インタラプタと同様であるから、同一番号
を付して構成の説明は省略する。
するが、真空インタラプタの構成は前述の第２図
の真空インタラプタと同様であるから、同一番号
を付して構成の説明は省略する。
すなわち、本考案は、絶縁端板７ａ及び７ｂを
表面にガラス質層を具備しない素焼のセラミツク
で形成したものである。そして真空容器１を形成
する各部材の大気側に位する部分のうち少なくと
も絶縁端板７ａ，７ｂ、及びこれら絶縁端板７
ａ，７ｂに接合された部材（補助金具８１，８
２，８３，８６）のろう付け接合部（第２図Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄに相当する部分）を覆うように絶縁樹
脂９（例えば高分子系の塗料、又はワニス）を塗
布して真空インタラプタを構成したものである。
表面にガラス質層を具備しない素焼のセラミツク
で形成したものである。そして真空容器１を形成
する各部材の大気側に位する部分のうち少なくと
も絶縁端板７ａ，７ｂ、及びこれら絶縁端板７
ａ，７ｂに接合された部材（補助金具８１，８
２，８３，８６）のろう付け接合部（第２図Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄに相当する部分）を覆うように絶縁樹
脂９（例えば高分子系の塗料、又はワニス）を塗
布して真空インタラプタを構成したものである。
塗料としては、ウレタン系又はエポキシ系（塩
素含有量の少ないもの）、ワニスとしてはフエノ
ール系の電気絶縁用仕上ワニスが適当である。
素含有量の少ないもの）、ワニスとしてはフエノ
ール系の電気絶縁用仕上ワニスが適当である。
もちろん、真空容器１の大気側に露出する全部
分、及び固定，可動電極棒２，３の部分に塗布し
ても差し支えなく、一層の耐絶縁性、耐腐食性の
向上が図れるものである。
分、及び固定，可動電極棒２，３の部分に塗布し
ても差し支えなく、一層の耐絶縁性、耐腐食性の
向上が図れるものである。
なお、以上説明した本発明は、真空インタラプ
タを構成する真空容器１を軸方向両端が開口した
金属円筒６と両絶縁端板７ａ，７ｂで構成する場
合に限らず、開口部を１つ備えたカツプ状の金属
容器と１つの絶縁端板とで構成したものであつて
も差し支えない。
タを構成する真空容器１を軸方向両端が開口した
金属円筒６と両絶縁端板７ａ，７ｂで構成する場
合に限らず、開口部を１つ備えたカツプ状の金属
容器と１つの絶縁端板とで構成したものであつて
も差し支えない。
以上の説明から明らかなように本考案の真空イ
ンタラプタは、絶縁端板７ａ，７ｂを表面にガラ
ス質層を具備しない素焼のアルミナセラミツクで
形成し、且つ少なくとも絶縁端板及びろう付け接
合部を覆うように絶縁樹脂９を塗布して成るもの
であるから以下に述べるような種々の効果を奏す
るものである。
ンタラプタは、絶縁端板７ａ，７ｂを表面にガラ
ス質層を具備しない素焼のアルミナセラミツクで
形成し、且つ少なくとも絶縁端板及びろう付け接
合部を覆うように絶縁樹脂９を塗布して成るもの
であるから以下に述べるような種々の効果を奏す
るものである。
セラミツクの表面にガラス質層を具備しない
素焼のセラミツクで絶縁端板７ａ，７ｂを形成
するものであるから、焼成作業が簡便であり、
且つ焼成品質低下の一因であるガラス質が無い
ことから、損失が少なく、総じで安価な絶縁端
板が得られる。
素焼のセラミツクで絶縁端板７ａ，７ｂを形成
するものであるから、焼成作業が簡便であり、
且つ焼成品質低下の一因であるガラス質が無い
ことから、損失が少なく、総じで安価な絶縁端
板が得られる。
素焼のセラミツクから成る絶縁端板７ａ，７
ｂの大気側に位する部分には絶縁樹脂９を塗布
するものであるから、塗布したとき、絶縁樹脂
が素焼のセラミツクの吸水性によりセラミツク
内に滲透して強く吸着する。よつて絶縁端板の
表面において水分が吸着されることはなく、耐
絶縁性は十分確保され、しかもセラミツク表面
にガラス質を形成するうわぐすりを塗布するこ
とに比較して絶縁樹脂９を塗布する作業は、特
別な技術を要することなく行なえ、品質のばら
付き、又は低下はほとんど生じないものであ
る。
ｂの大気側に位する部分には絶縁樹脂９を塗布
するものであるから、塗布したとき、絶縁樹脂
が素焼のセラミツクの吸水性によりセラミツク
内に滲透して強く吸着する。よつて絶縁端板の
表面において水分が吸着されることはなく、耐
絶縁性は十分確保され、しかもセラミツク表面
にガラス質を形成するうわぐすりを塗布するこ
とに比較して絶縁樹脂９を塗布する作業は、特
別な技術を要することなく行なえ、品質のばら
付き、又は低下はほとんど生じないものであ
る。
絶縁端板７ａ，７ｂに接合される他の部材と
のろう付け接合部も絶縁端板７ａ，７ｂと同様
に絶縁樹脂９を塗布するものであるから、従来
のように、ろう付け接合部が大気中の水分によ
つて腐食するといつた問題は無く、耐腐食性の
向上が図れる。
のろう付け接合部も絶縁端板７ａ，７ｂと同様
に絶縁樹脂９を塗布するものであるから、従来
のように、ろう付け接合部が大気中の水分によ
つて腐食するといつた問題は無く、耐腐食性の
向上が図れる。
総じで、小形で且つ安価であつて、大気中の
水分吸着による絶縁端板７ａ，７ｂの絶縁性能
の低下、ろう付け接合部の腐食による真空漏れ
といつた問題は生じず、耐久性及び信頼性の高
い真空インタラプタを提供できるものである。
水分吸着による絶縁端板７ａ，７ｂの絶縁性能
の低下、ろう付け接合部の腐食による真空漏れ
といつた問題は生じず、耐久性及び信頼性の高
い真空インタラプタを提供できるものである。
第１図及び第２図は、従来の真空インタラプタ
の断面図及び半截断面図、第３図は、本考案の一
実施例から成る真空インタラプタの半截断面図で
ある。 １……真空容器、２……固定電極棒、３……可
動電極棒、２１及び３１……電極、６……金属円
筒、７ａ及び７ｂ……絶縁端板、９……絶縁樹
脂。
の断面図及び半截断面図、第３図は、本考案の一
実施例から成る真空インタラプタの半截断面図で
ある。 １……真空容器、２……固定電極棒、３……可
動電極棒、２１及び３１……電極、６……金属円
筒、７ａ及び７ｂ……絶縁端板、９……絶縁樹
脂。
Claims (1)
- 少なくとも１つの開口部を具備する金属容器の
該開口部を絶縁端板で閉鎖して成る真空容器を備
え、該真空容器内に相互に絶縁支持されると共に
少なくとも一方が可動でき且つ接離自在な一対の
電極を具備して成る真空インタラプタにおいて、
前記絶縁端板を表面にガラス質を具備しない素焼
のセラミツクで形成し、且つ少なくとも大気側に
位する絶縁端板及び該絶縁端板上に位するろう付
け接合部を絶縁樹脂を塗布して覆つたことを特徴
とする真空インタラプタ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981190180U JPS5894233U (ja) | 1981-12-19 | 1981-12-19 | 真空インタラプタ |
| US06/448,460 US4482790A (en) | 1981-12-19 | 1982-12-10 | Vacuum interrupter |
| DE8282306701T DE3271474D1 (en) | 1981-12-19 | 1982-12-15 | Vacuum interrupter |
| EP82306701A EP0084238B1 (en) | 1981-12-19 | 1982-12-15 | Vacuum interrupter |
| KR828205673A KR860002081B1 (ko) | 1981-12-19 | 1982-12-17 | 진공차단기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981190180U JPS5894233U (ja) | 1981-12-19 | 1981-12-19 | 真空インタラプタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5894233U JPS5894233U (ja) | 1983-06-25 |
| JPS6334195Y2 true JPS6334195Y2 (ja) | 1988-09-12 |
Family
ID=16253773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981190180U Granted JPS5894233U (ja) | 1981-12-19 | 1981-12-19 | 真空インタラプタ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4482790A (ja) |
| EP (1) | EP0084238B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5894233U (ja) |
| KR (1) | KR860002081B1 (ja) |
| DE (1) | DE3271474D1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0187950A1 (de) * | 1984-12-14 | 1986-07-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Vakuumschaltröhre |
| EP0248286B1 (de) * | 1986-06-02 | 1990-08-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und Anordnung zur Nasszerlegung radioaktiv kontaminierter oder aktivierter Komponenten von Kernreaktoranlagen |
| DE3623457A1 (de) * | 1986-07-11 | 1988-01-14 | Siemens Ag | Vakuumschaltroehre |
| DE4030806A1 (de) * | 1990-09-28 | 1992-04-02 | Siemens Ag | Verfahren zur erhoehung der spannungsfestigkeit und verbesserung des kriechstromverhaltens von isolationsstrecken und anwendung dieses verfahrens auf vakuumschalter |
| DE9401655U1 (de) * | 1993-06-18 | 1994-11-03 | Siemens Ag | Vakuumschaltröhre mit ringförigem Isolator |
| JP4031895B2 (ja) * | 2000-02-09 | 2008-01-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 釉薬層付きセラミック部材を用いた金属−セラミック接合体及びそれを用いた真空スイッチユニット |
| DE102006041149B4 (de) * | 2006-09-01 | 2008-09-04 | Abb Technology Ag | Vakuumschaltkammer für Mittelspannungsschaltanlagen |
| DE102017222413A1 (de) | 2017-12-11 | 2019-06-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Überdruckfeste Vakuumschaltröhre |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5279279A (en) * | 1975-12-25 | 1977-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | Vacuum valve circuit breaker |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1060994A (en) * | 1964-03-06 | 1967-03-08 | Ass Elect Ind | Improvements relating to vacuum switches |
| US3674958A (en) * | 1970-11-23 | 1972-07-04 | Allis Chalmers Mfg Co | Vacuum circuit interrupter |
| US4393286A (en) * | 1978-08-24 | 1983-07-12 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Vacuum circuit breakers |
| JPS5576523A (en) * | 1978-12-06 | 1980-06-09 | Tokyo Shibaura Electric Co | Vacuum valve |
| DD147023A1 (de) * | 1979-11-01 | 1981-03-11 | Wolfgang Kuehn | Halterung des gleitlagers in einer vakuumschaltkammer |
| JPS5676131A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-23 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Vacuum breaker |
| US4408107A (en) * | 1981-06-24 | 1983-10-04 | Kabushiki Kaisha Meidensha | Vacuum interrupter |
-
1981
- 1981-12-19 JP JP1981190180U patent/JPS5894233U/ja active Granted
-
1982
- 1982-12-10 US US06/448,460 patent/US4482790A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-12-15 DE DE8282306701T patent/DE3271474D1/de not_active Expired
- 1982-12-15 EP EP82306701A patent/EP0084238B1/en not_active Expired
- 1982-12-17 KR KR828205673A patent/KR860002081B1/ko active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5279279A (en) * | 1975-12-25 | 1977-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | Vacuum valve circuit breaker |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0084238B1 (en) | 1986-05-28 |
| US4482790A (en) | 1984-11-13 |
| EP0084238A1 (en) | 1983-07-27 |
| DE3271474D1 (en) | 1986-07-03 |
| JPS5894233U (ja) | 1983-06-25 |
| KR840003138A (ko) | 1984-08-13 |
| KR860002081B1 (ko) | 1986-11-24 |
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