JPS63312967A - 金属薄膜の蒸着装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、テープ状高分子基板上に金属薄膜を形成する
蒸着装置に関するものである。

従来の技術 高分子材料よりなるテープ状基板上に、金属薄膜を形成
する方法としては、基板を円筒状キャンの周面にそって
走行させ金属薄膜を堆積する方法が用いられている。堆
積方法としては、量産性を考慮すると高い堆積速度が望
まれることから真空蒸着法が用いられている。

第２図は、このような蒸着装置の概略を示すものである
。高分子材料よりなるテープ状基板１は、円筒状キャン
２の周面にそって矢印の方向に走行する。３および４は
、それぞれ基板１の供給ロールおよび巻取ロールである
。６は蒸着源である。

以下その動作を説明する。供給ロール３を出たテープ状
基板１は、円筒状キャン２の回転に従いその周面にそっ
て走行し、巻取ロール４に案内される。円筒状キャン２
の下部で、電子ビーム６によって加熱される蒸着源５よ
シ蒸発してくる金属原子が基板１に堆積する。蒸着時、
基板１は、金属原子の潜熱や溶融液からのふく射熱を受
ける。

特に、真空蒸着においては堆積速度が高いことから、潜
熱による熱負荷が増大し、基板１の温度が上昇する。こ
れにより、基板１にしわ等の変形が生じる場合がある。

これを除くために、前記潜熱を円筒状キャン２に逃がす
必要がある。そのたべ堆積金属と円筒状キャン２との間
に電位差を設け、静電引力により密着度を上げ基板１と
円筒状キャン２との熱抵抗を減少さ斗る方法がとられて
いる。

円筒状キャン２を接地し、基板１の蒸着面にフリーロー
ラ７を接触させ、電源８により蒸凹面と円筒状キャン２
との間に電位差を与えている。

マスク９は、円筒状キャン２に直接金属が蒸着しないよ
うに、蒸着領域を限定するものである。

円筒状キャン２では蒸着部におけるしわ発生を防止する
ため、静電引力により密着度を上げている。電位差の影
響はマスク９に限定された金属薄膜領域全体とともに、
金属薄膜が形成されていない基板１の両端部（以下マー
ジン部とする）にも加わる。これは、蒸着源６を加熱す
る電子ビーム６から放出される電子が、蒸着源６の液面
で反射し、基板１に付着することに起因している。金属
薄膜は導体であることから、薄膜全体にわたり一定の電
位となる。

発明が解決しようとする問題点 しかし、マージン部に付着する電子は、基板１が不導体
であることから停留し、これにより以下の問題点を生じ
た。基板１は、蒸着後円筒状キャン２から離れ、巻取ロ
ール４へ走行する。円筒状キャン２からの離れ際では、
静電引力に打ち勝つ円筒状キャン２の法線方向の力が基
板１より与えられる。

前述のマージン部の停留電子と円筒状キャン２との間に
働く静電引力は金属薄膜と円筒状キャン２との間に働く
静電引力よりもかなり大きく、マージン部の燕れる位置
が金属薄膜形成部の離れる位置よりも遅れるため、基板
１は離れ際で、うねりまたは折れを生じた。このうねり
は、走行途中で消える場合もあるが、フリーローラ７お
よび巻取ロール４で基板１が折れるという問題点を生じ
た。

本発明は上記問題を解消し、基板の折れ防止と均一な膜
形成を目的とする。

問題点を解決するための手段 本発明は、円筒状キャンの薄膜形成部の巻取側に電位を
有するニップローラを金属薄膜に接触して設置し、円筒
状キャンと基板との離れ部にキャンと同電位のニップロ
ーラを金属薄膜に接触して設置するものである。

作　　用 本発明は、蒸着部における熱抵抗の低減のために与える
電位差の影響が、基板と円筒状キャンとの離れ部におよ
ぼさないようにするものである。

つまり、基板と円筒状キャンとの離れ部において円筒状
キャンと基板とが等電位になるように、離れ部の基板に
円筒状キャンと同電位のニップローラを接触させるもの
である。

実施例 第１図は１本発明の一実施例を説明するための薄膜製造
装置の内部構造である。

図において、基板１よシミ子ビーム６およびマスク９は
従来と同一構成要素であるので、同じ番号で示す。

円筒状キャン２の下方において基板１は、金属蒸着によ
り蒸着潜熱および蒸着源６からの熱負荷をうける。ニッ
プローラ１ｏは蒸着部における基板１と円筒状キャン２
との熱抵抗を減少させるだめのもので、基板１の蒸着金
属と接する位置に設置している。ニップローラ１ｏは、
電源１１より一定電位が供給され、基板１の蒸着金属を
かいして蒸着部の基板１と円筒状キャン２との間に静電
引力を与えている。一方、基板１と円筒状キャン２との
離れ部には、ニップローラ１２が基板１の蒸着金属と接
する位置に設置されている。ニップローラ１２は接地さ
れており、円筒状キャン２と同電位を保っている。した
がって、離れ部の基板１の電位も円筒状キャン２と同電
位である。これにより、基板１の蒸着部と円筒状キャン
２の間に働く静電引力は無くなり、また、基板１のマー
ジン部と円筒状キャン２の間に働く静電引力もほとんど
生じない。したがって、円筒状キャン２からの離れ部に
おける、うねりや折れの発生はなくなる。

この上うな１苛成では、ニップローラ１０とニツプロー
２１２の間を走行する基板１内で電位差を生じ、電流が
流れる。これにより、基板１内でジュール熱を生ずるが
、電流値も小さく、マた、円筒状キャン２への熱の逃げ
もあり、これによる影響は小さい。

発明の効果 円筒状キャンの薄膜形成部の巻取側に電位を有するニッ
プローラを金属薄膜に接触して設置し、円筒状キャンと
基板との離れ部にキャンと同電位のニップローラを金属
薄膜に接触して設置することにより、基板の折れの発生
を完全に防ぐことができ、均一な薄膜の形成が可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の蒸着装置の内部構造図、第
２図は従来例の薄膜蒸着装置の内部構造図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・円筒状キャン、５・
・・・・・蒸発源、１０．１２・・・・・・ニップロー
ラ、１１・・・・・・電源。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名高　
１　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 円筒状キャンと、前記円筒状キャンの周面にそって走行
   する高分子材料よりなるテープ状基板と、前記周面にお
   いて前記テープ状基板上に電子ビーム蒸着により金属薄
   膜を形成する手段と、前記テープ状基板が前記円筒状キ
   ャンから離脱する側に前記円筒状キャンの電位と異なる
   電位を有し前記金属薄膜に接触して設置した第１のニッ
   プローラと、前記金属薄膜形成手段と第１のニップロー
   ラの間に配した前記円筒状キャンと異なる電位を有する
   第２のニップローラを具備し、前記第１、第２のニップ
   ローラは前記テープ状基板に接触回転することを特徴と
   する金属薄膜の蒸着装置。