JPS63162855A - 金属薄膜の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、テープ状高分子基板上に複数層の金属薄膜を
形成する製造装置に関するものであり、たとえば、磁気
テープの製造に関するものである。

従来の技術 高分子材料よりなるテープ状基板上に、金属薄膜を形成
する方法としては、基板を円筒状キャンの周面にそって
走行させ金属薄膜を堆積する方法が用いられている。堆
積方法としては、スバッタリ／グ法や真空蒸着法（イオ
ンブレーティング法のように蒸発原子の一部をイオン化
して膜を堆積する方法も含む）を用いている。量産性を
考慮すると高い堆積速度が望まれ、後者の方が適してい
ることから、以下の説明は真空蒸着法を用いる。

第２図は、このような真空蒸着装置の内部構造の概略を
示すものである。高分子材料よりなるテープ状基板１は
、円筒状キヤ、ン２の周面にそって矢印の方向に走行す
る。３および４は、それぞれ基板１の供給ローラおよび
巻取ローラである。６は蒸着源、６は遮蔽板である。

以下その動作を説明する。供給ローラ３を出たテープ状
基板１は、円筒状キャン２の回転に従いその局面にそっ
て走行し、巻取ローラ４に案内される。円筒状キャン２
の下部で、蒸着源６よジ蒸発してくる金属原子が基板１
に堆積する。この時、基板１は、金属原子の潜熱や溶融
液からのふく射熱を受ける。特に、真空蒸着においては
堆積速度が高いことから、潜熱による熱負荷が増大し、
基板１の温度が上昇する。これにより、基板１にしわ等
の変形が生じる場合がある。これを除くために、前記潜
熱を円筒状キャン２に逃がす必要がある。そのため、堆
積金属と円筒状キャン２との間に電位差を設け、静電引
力により密着度を上げ基板１と円筒状キャン２との熱抵
抗を減少させる方法がとられている。円筒状キャン２を
接地し、基板１の蒸着面にフリーローラ７を接触させ、
電源８により蒸着面と円筒状キャン２間に電位差を与え
ている。

発明が解決しようとする問題点 前述のごとく静電引力により円筒状キャンと基板の密着
度を上げる手段は、基板のしわや熱変形防止に効果はあ
るが次のような問題点を有するものである。すなわち、
金属下地層が形成された基板を円筒状キャンの周面に沿
って走行させる際、しわや熱分解の生じない程度に電位
差を設けると、キャン２の基板入口側において基板の金
属下地層が蒸着されている中央部と蒸着されていない両
端部の入り際が一様でなくなる。すなわち中央部は静電
引力により両端部より先にキャンに密着するので、キャ
ン２と基板１の接線が直線ではなく不安定になる。従っ
て基板１のキャン２への密着状態が不均一になる場合が
生じていた。同様にキャン２の基板出口側においても、
基板の中央部と両端部では離れぎわが一様でない為耳お
れと称する折れが生じていた。さらに基板１はキャン２
から離れにくいのでキャン２に巻き込まれ走行が不安定
になっていた。

問題点を解決する為の手段 本発明は金属下地層と円筒状キャンの間の電位差と基板
の張力を、円筒状キャンの基板入口側と出口側において
それぞれ設定できる制御手段を具備し、キャンの基板入
口側と出口側のうち一方を電位美大かつ張力大、他方を
電位差小かつ張力小としたものである。

作用 上記手段により本発明は次のように作用するものである
。すなわちキャンの基板入口側と基板出口側のうち一方
が電位美大で他方が電位差小であるから、例えば入口側
が電位美大で出口側が小であれば、出口側ておいては基
板がキャンに巻き付くこともなくさらに離れぎわが一様
なので耳おれも生じない。また入口側は電位美大である
が張力大なので、強制的に入りぎわを一様にできキャン
への密着状態を均一にできるものである。

実施例 第１図は本発明の一実施例の製造装置の概略図である。

図において基板１よジ遮へい板６までは従来例を示す第
３図と同一構成要素であり同一の番号で表示している。

円筒状キャン２は接地され、フリーローラ９は基板１と
円筒状キャン２で蒸着された金属薄膜面で接する位置に
あり、金属薄膜と円筒状キャ／２との間だ電位差を設け
る為に電源１０と接続し正の電位をもつ。フリーローラ
１１は金属下地層と電位差を設ける為に電源１２を接続
し電源１ｏより低い正の電位をもつ。

また張力センサー１３．１４により円筒状キャン２の入
口側・出口側の基板１の張力を検出する。

基板１は円筒状キャン２に電位差によｆ）密着している
ので、張力センサ１３，１４の信号を受信した制御器１
６は、供給ロー２３の供給量と巻取ローラ４の巻取量を
制御することで、キャンの入口側出口側それぞれの張力
を設定できる。金入口側の張力Ｔｉｎと出口側の張力Ｔ
ｏｕｔはＴｉｎ（ＴｏｕｔＫなるよう制御している。ま
た前述のよって入口側の電位差Ｗｉｎと出口側の電位差
ＶｏｕｔはＷｉｎ（Ｔａｕｔになるように電源１０．１
２は接続されている。

次に動作を説明する。表面に金属下地層を形成した基板
１は供給ローラ３より供給される。張力センサー１３と
制御器１６によって所定の張力Ｔｉｎになるよう供給量
を制御している。基板１の金属下地層全面はフリーロー
ラ９により正の電位全もつ。また裏面はフリーローラ１
１ｉ７Ｃ接した後はフリーローラ９より低い正の電位を
もつ。従って電位差Ｔｉｎが小さい為基板１のキャンへ
の入ジぎわはムラが生じることなく一様になる。そして
均−な密着状態のまま金属薄膜が蒸着される。また基板
１の裏面は接地されている円筒状キャン２に接してい漬
方電位は０である。従って電位差ＶｏｕｔはＶｉｎｊ：
ｖ大きいが’ｒｏｕｔはＴｉｎより大きいので、強制的
に基板１を引張り基板１が円筒状キャン２に巻き付いた
り離れぎわが一様でない為に耳折れが生ずるということ
はない。またＴｏｕｔが大きいと、蒸発した金属薄膜の
内部応力により基板がわん曲することがない。工って安
定走行が可能である。キャンを出た後張力七ンサー１４
と制御器１５によって所定の張力Ｔｏｕ　ｔになるよう
に巻取量を制御する。その結果キャンの入りぎわ（入口
側）・離れぎわ（出口側）も一様なので安定走行が得ら
れ、完成度の高い金属薄膜が製造できる。

発明の効果 基板は円筒状キャンの入ジぎわ・離れぎわで安定するの
で、表面性の良い金属薄膜が形成されその後も安定走行
をするので、完成度の高い金属薄膜が量産できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の製造装置の概略図、第２図
は従来の製造装置の概略図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・円筒状キャン、９
．１０・°。 ・°゛フリーローラ１０．１２・・・・・・電源、１３
．１４・・・・・・張力センサ、１５・・団・制御器。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名１−
某　　楓 ２−　円ｒＩｆＩ状キ〒ン ９、１０−フリーローラ １０．１２−９　　Ｊ。 ＋３．／４−　Ｍ力でンサ 第１図　　　　　＋５−制御器 画一。 第２図 手続補正書 昭和６２年１２月　３　日 特許庁長官殿　　　　　　　　　づ発、１事件の表示 昭和６１年特許願第３１１４０２号 ２発明の名称 金属薄膜の製造装置 ３補正をする者 事件との関係　　　　　　特　　　許　　　出　　　願
　　人住　所　　大阪府門真市大字門真１００６番地名
　称　（５８２）松下電器産業株式会社代表者　　　　
谷　　井　　昭　　雄 ４代理人　〒５７１ 住　所　　大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ６補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の掴 図面 ６、補正の内容 ０）明細書の第６頁第１Ｃ行目の「フリーローラ９は基
板１と・・・・・・コから同第６頁第２０行目の「・・
・低い正の電位？もつ。Ｊｋ以下の通シ訂正します。 「フリーローラ９および１１は金属薄膜面および金属下
地層と接する位置にあシ、円筒状キャン２との間に電位
差を設ける為に、それぞれ電源１０および１２に接続さ
れておシ正の電位をもつ。そして電源１２の電位は電源
１０よシ低くしである。」 （２）同第６頁第１５行目の「基板１の・・・・・・」
から同第６頁第１ｅ行目の「・・・フリーローラ９よシ
低い正の電位をもつ」を以下の通シ訂正します。 「基板１の金属薄膜面および金属下地層は７リーローラ
９および１１によシ正の電位をもつ。 そして７リーローラ１１の電位は７リーローラ９の電位
よシも低いので、円筒状キャン２とフィルムの金属薄膜
面との電位差はｖｉユくｖ。Ｕ。 となる。ｊ （３）第１図を別紙の通シ訂正します。 ／−３Ｅ淑 Ｚ−一一円筒ｊ大＋ヤン ９、ｔＯ−−−フッ−ローラ １０．１２−ｍ−電源 １３、７４−一一涙力亡ンプ 第　１　図　　　　　　　　　　１５−　　創部五幽戸
５

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 金属下地層が形成されている高分子材料基板を円筒状キ
   ャンの周面に沿って走行させて、前記金属下地層上に金
   属薄膜を真空蒸着によつて形成するものであり、前記金
   属下地層と前記円筒状キャンの間に電位差を設け、前記
   電位差と基板の張力を、円筒状キャンの入口側と出口側
   においてそれぞれ設定できる制御手段を設け、前記円筒
   状キャンの入口側と出口側のうち一方を電位差大、他方
   を電位差小としたことを特徴とする金属薄膜の製造装置
   。