JPS6358623A - 金属薄膜の製造装置 - Google Patents
金属薄膜の製造装置Info
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- JPS6358623A JPS6358623A JP20411086A JP20411086A JPS6358623A JP S6358623 A JPS6358623 A JP S6358623A JP 20411086 A JP20411086 A JP 20411086A JP 20411086 A JP20411086 A JP 20411086A JP S6358623 A JPS6358623 A JP S6358623A
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- Japan
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- cylindrical
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- polymer substrate
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は長尺の高分子材料よりなる基板上に直接あるい
は金属下地層を介して金属薄膜を形成する装置に関する
ものである。
は金属下地層を介して金属薄膜を形成する装置に関する
ものである。
従来の技術
高分子材料よりなる基体上に金属薄膜を形成する方法と
してはメッキ法、スパッタ法、真空蒸着法等がある。特
に量産性の点から、基体を円筒状キャンの周面に沿わせ
て走行させつつ蒸着する連続真空蒸着法が優れている。
してはメッキ法、スパッタ法、真空蒸着法等がある。特
に量産性の点から、基体を円筒状キャンの周面に沿わせ
て走行させつつ蒸着する連続真空蒸着法が優れている。
第３図に連続真空蒸着装置の内部構造の概略を示す。長
尺高分子基板１は供給ローラ２より供給され円筒状キャ
ン３の円周面ば沿って矢印４方向へ走行する間に、蒸発
源６かも蒸発した金属が基板表免に蒸着して金属薄膜が
形成された後、形成された金属薄膜に接するように設け
られたバイアスローラ６を介して、次に巻取りローラ７
に巻取られる。バイアスローラ６と接地電位との間に電
源８を挿入し、同時に円筒状キャン３を接地電位に接続
すると円筒状キャン３の円周面に沿って走る最尺高分子
基板１上に金属薄膜が形成されると同時に、形成された
金属薄膜と円筒状キャン３との間に静電気による引力が
発生し長尺高分子基板１が円筒状キャン３の円周面上に
貼り付くことに力る。長尺高分子基板１が円筒状キャン
３に貼り付いて密着すると、長尺高分子基板１と円筒状
キャン３との間の接触熱抵抗は小さくなる。従って蒸発
源６からの輻射熱や蒸着原子の凝縮熱による長尺高分子
基板１の温度上昇は抑制されるので、長尺高分子基板１
が熱分解することはない。また従来、円筒状キャン３の
表面は最大高さＲｍａ工が０．２ Ｓ以内の鏡面仕上げ
を施して長尺高分子基板１との密着性を良くしていた。
尺高分子基板１は供給ローラ２より供給され円筒状キャ
ン３の円周面ば沿って矢印４方向へ走行する間に、蒸発
源６かも蒸発した金属が基板表免に蒸着して金属薄膜が
形成された後、形成された金属薄膜に接するように設け
られたバイアスローラ６を介して、次に巻取りローラ７
に巻取られる。バイアスローラ６と接地電位との間に電
源８を挿入し、同時に円筒状キャン３を接地電位に接続
すると円筒状キャン３の円周面に沿って走る最尺高分子
基板１上に金属薄膜が形成されると同時に、形成された
金属薄膜と円筒状キャン３との間に静電気による引力が
発生し長尺高分子基板１が円筒状キャン３の円周面上に
貼り付くことに力る。長尺高分子基板１が円筒状キャン
３に貼り付いて密着すると、長尺高分子基板１と円筒状
キャン３との間の接触熱抵抗は小さくなる。従って蒸発
源６からの輻射熱や蒸着原子の凝縮熱による長尺高分子
基板１の温度上昇は抑制されるので、長尺高分子基板１
が熱分解することはない。また従来、円筒状キャン３の
表面は最大高さＲｍａ工が０．２ Ｓ以内の鏡面仕上げ
を施して長尺高分子基板１との密着性を良くしていた。
発明が解決しようとする問題点
第１図に示すような連続真空蒸着装置にて高分子材料よ
りなる基板上に金属薄膜を形成する際、高分子基板１が
不安定な走行状態で円筒状キャン３に接触するとキャン
上でしわが生じる。そしてキャン３は鏡面仕上どの為密
着性が良いので、高分子基板１はキャン３上をすべって
しわを伸ばすことなく、しわが生じた表面に金属薄膜が
形成される。その時蒸発源６からの輻射熱あるいは蒸着
原子の凝縮熱により高分子基板１には熱膨張が生じる。
りなる基板上に金属薄膜を形成する際、高分子基板１が
不安定な走行状態で円筒状キャン３に接触するとキャン
上でしわが生じる。そしてキャン３は鏡面仕上どの為密
着性が良いので、高分子基板１はキャン３上をすべって
しわを伸ばすことなく、しわが生じた表面に金属薄膜が
形成される。その時蒸発源６からの輻射熱あるいは蒸着
原子の凝縮熱により高分子基板１には熱膨張が生じる。
しかし金属薄膜が形成されたと同時に静電気引力の為に
高分子基板１とキャン３の密着度はさらに増加するので
、熱膨張によシ伸びた高分子基板はキャン上をすべるこ
となく、しわとしてさらに残留する。
高分子基板１とキャン３の密着度はさらに増加するので
、熱膨張によシ伸びた高分子基板はキャン上をすべるこ
となく、しわとしてさらに残留する。
本発明はこのような問題点を解決するもので、高分子基
板が円筒状キャン円周面に沿って走行する際、不安定な
走行状態や熱膨張によ・ってしわが生じないようにし、
しわのない金属薄膜を形成できるようにすることを目的
とするものである。
板が円筒状キャン円周面に沿って走行する際、不安定な
走行状態や熱膨張によ・ってしわが生じないようにし、
しわのない金属薄膜を形成できるようにすることを目的
とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決する為に本発明は、円周面中央より両
端面方向へ円周面表面粗さを順次大きくした円筒状キャ
ンの円周面に沿って走行する長尺高分子基板上に、直接
あるいは金属下地層を介して真空蒸着によって金属薄膜
を形成し、さらには円筒状キャンと形成された金属薄膜
あるいは金属下地層との間に電圧を印加するものである
。
端面方向へ円周面表面粗さを順次大きくした円筒状キャ
ンの円周面に沿って走行する長尺高分子基板上に、直接
あるいは金属下地層を介して真空蒸着によって金属薄膜
を形成し、さらには円筒状キャンと形成された金属薄膜
あるいは金属下地層との間に電圧を印加するものである
。
作 用
この構成により、円周面中央では高分子基板と円筒状ロ
ーラの密着性が良いので確実に保持され、円周面端部は
順にすべりやすいので不安定な走行あるいは熱膨張によ
って生じたしわも伸びやすぐ、従ってしわのない金属薄
膜が得られる。
ーラの密着性が良いので確実に保持され、円周面端部は
順にすべりやすいので不安定な走行あるいは熱膨張によ
って生じたしわも伸びやすぐ、従ってしわのない金属薄
膜が得られる。
実施例
以下、本発明の実施例について図面に基づいて説明する
。基本構成は第３図に示す従来例と同様なので第３図と
ともに説明する。第１図は本実施例で用いた円筒状のキ
ャンの斜視図である。第２図は円筒状キャン上の高分子
基体の状態図である。
。基本構成は第３図に示す従来例と同様なので第３図と
ともに説明する。第１図は本実施例で用いた円筒状のキ
ャンの斜視図である。第２図は円筒状キャン上の高分子
基体の状態図である。
円筒状キャン９の円周面表面は大別して３種類の表面粗
さに仕上げである。円周面中央部１０は最大粗さが０．
２Ｓ以内の鏡面仕上げとなっている。
さに仕上げである。円周面中央部１０は最大粗さが０．
２Ｓ以内の鏡面仕上げとなっている。
円周面中央部１０より両端面１１方向へ向かって表面粗
さが異なる中間部１２および端部１３が存在している。
さが異なる中間部１２および端部１３が存在している。
なお中間部１２および端部１３の表面粗さはそれぞれ５
Ｓおよび１ｏＳである。
Ｓおよび１ｏＳである。
次に具体的な作用について説明する。供給ローラ２よシ
供給された長尺高分子基体１は、不安定な走行状態で円
筒状キャン；９′に接触するとキャン９上でしわが生じ
る。中央部１ｏにおいて、長尺高分子基体１と円筒状キ
ャン９は表面粗さが小さい為、実質接触面積が大きく密
着度が良い。従って長尺高分子基体１は所定の位置から
はずれて蒸着ムラが発生することはない。そして中間部
１２゜端部１３では表面粗さが順に大きくなっているの
で、長尺高分子基板１との実質接触面積は順に小さくな
り、密着度は小さくなり、長尺高分子基板１はすべりや
すぐなる。長尺高分子基板１の側部はどすベシやすいの
で、しわが生じていても側部方向へ引っ張られ、しわが
ない状態で金属薄膜が形成される。蒸発源５から蒸発し
た金属が基体表面に蒸着して金属薄膜が形成されると同
時に、形成された金属薄膜と同筒状キャン９との間に静
電気による引力が発生し、長尺高分子基体１と円筒状キ
ャン９の密着度は増す。また蒸発源６からの輻射熱や蒸
着原子の凝縮熱により、長尺高分子基板１は熱膨張する
。このような状態においても、円周面中央部１０と中間
部１２．端部１３では密着度に差があり、長尺高分子基
体１は側部はどすべりやすい。従って熱膨張した長尺高
分子基板１は熱膨張した分がしわとして残留することな
く、しわのない状態で円筒状キャン９より離れ、巻取シ
ローラ了に巻取られる。
供給された長尺高分子基体１は、不安定な走行状態で円
筒状キャン；９′に接触するとキャン９上でしわが生じ
る。中央部１ｏにおいて、長尺高分子基体１と円筒状キ
ャン９は表面粗さが小さい為、実質接触面積が大きく密
着度が良い。従って長尺高分子基体１は所定の位置から
はずれて蒸着ムラが発生することはない。そして中間部
１２゜端部１３では表面粗さが順に大きくなっているの
で、長尺高分子基板１との実質接触面積は順に小さくな
り、密着度は小さくなり、長尺高分子基板１はすべりや
すぐなる。長尺高分子基板１の側部はどすベシやすいの
で、しわが生じていても側部方向へ引っ張られ、しわが
ない状態で金属薄膜が形成される。蒸発源５から蒸発し
た金属が基体表面に蒸着して金属薄膜が形成されると同
時に、形成された金属薄膜と同筒状キャン９との間に静
電気による引力が発生し、長尺高分子基体１と円筒状キ
ャン９の密着度は増す。また蒸発源６からの輻射熱や蒸
着原子の凝縮熱により、長尺高分子基板１は熱膨張する
。このような状態においても、円周面中央部１０と中間
部１２．端部１３では密着度に差があり、長尺高分子基
体１は側部はどすべりやすい。従って熱膨張した長尺高
分子基板１は熱膨張した分がしわとして残留することな
く、しわのない状態で円筒状キャン９より離れ、巻取シ
ローラ了に巻取られる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、円周面中央より両端面方
向へ円周面表面粗さを順次大きくした円筒状キャンを用
いているので、長尺基体てしわが生じることなく安定し
た金属薄膜形成が可能となるものである。
向へ円周面表面粗さを順次大きくした円筒状キャンを用
いているので、長尺基体てしわが生じることなく安定し
た金属薄膜形成が可能となるものである。
第１図は本発明の一実施例の真空蒸着装置の要部構成図
、第２図は同装置の円筒状キャン上の長尺高分子基体の
状態図、第３図は従来例の真空蒸着装置の構成図である
。 １・・・・・・長尺高分子基板、２・・・・・・供給ロ
ーラ、３゜９・・・・・・円筒状キャン、５・・・・・
・蒸発源、６・・・・・・バイアスローラ、７・・・・
・・巻取シローラ、８・・・・・・電源、１０・・・・
・・円周面中央部、１２・・・・・・中間部、１３・・
・・・・端部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
、第２図は同装置の円筒状キャン上の長尺高分子基体の
状態図、第３図は従来例の真空蒸着装置の構成図である
。 １・・・・・・長尺高分子基板、２・・・・・・供給ロ
ーラ、３゜９・・・・・・円筒状キャン、５・・・・・
・蒸発源、６・・・・・・バイアスローラ、７・・・・
・・巻取シローラ、８・・・・・・電源、１０・・・・
・・円周面中央部、１２・・・・・・中間部、１３・・
・・・・端部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
Claims (2)
- （１）円周面中央より両端面方向へ円周面表面粗さを順
次大きくした円筒状キャンの円周面に沿って走行する長
尺高分子基板上に、直接あるいは金属下地層を介して真
空蒸着によって金属薄膜を形成する金属薄膜の製造装置
。 - （２）円筒状キャンと形成された金属薄膜あるいは金属
下地層との間に電圧を印加する特許請求の範囲第１項記
載の金属薄膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20411086A JPS6358623A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 金属薄膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20411086A JPS6358623A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 金属薄膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358623A true JPS6358623A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16484966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20411086A Pending JPS6358623A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 金属薄膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358623A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63213659A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属薄膜の製造装置 |
| JP2011094221A (ja) * | 2009-11-02 | 2011-05-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 長尺耐熱性樹脂フィルムの成膜方法と金属膜付耐熱性樹脂フィルムの製造装置 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP20411086A patent/JPS6358623A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63213659A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属薄膜の製造装置 |
| JP2011094221A (ja) * | 2009-11-02 | 2011-05-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 長尺耐熱性樹脂フィルムの成膜方法と金属膜付耐熱性樹脂フィルムの製造装置 |
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