JPS59147025A - 金属薄膜の製造方法 - Google Patents
金属薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS59147025A JPS59147025A JP2322283A JP2322283A JPS59147025A JP S59147025 A JPS59147025 A JP S59147025A JP 2322283 A JP2322283 A JP 2322283A JP 2322283 A JP2322283 A JP 2322283A JP S59147025 A JPS59147025 A JP S59147025A
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- JP
- Japan
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- cylindrical
- thin film
- metal
- film
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高分子材料より成る基板上に金属薄膜を形成す
る金属薄膜の製造方法に関するものである。
る金属薄膜の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
高分子材料より成る基板上に真空蒸着法により金属薄膜
を形成する方法としては、基板を円筒状キャンの周側面
に沿わせて走行させつつ蒸着する方法が最も優れている
。第１図にこのような方法を用いた真空蒸着装置の内部
構造の概略を示す。
を形成する方法としては、基板を円筒状キャンの周側面
に沿わせて走行させつつ蒸着する方法が最も優れている
。第１図にこのような方法を用いた真空蒸着装置の内部
構造の概略を示す。
高分子材料より成る基板１は円筒状キャン２の周側面に
沿って矢印の向きに走行する。この基板１上に蒸発源６
によって金属薄膜が形成される。３゜４はそれぞれ基板
１の供給ロール及び巻き取９０−ルである。このような
真空蒸着装置にて高分子材料より成る基板１上に金属薄
膜を蒸着する際に、金属薄膜の膜厚が薄く数１００Å以
下の場合には、安定に薄膜が形成される。しかし数１０
０八以上の膜厚を数１００八／秒以上の高堆積速度で形
成する場合には、蒸発源からの輻射熱や蒸発原子の凝縮
熱等により基板が熱変形や熱分解を生じてしまい安定な
蒸着膜が得られない。この原因は基板１０円筒状キャン
２への張り付きが均一ではなく、張り付きの弱いところ
は熱が円筒状キャン２に拡散しにくいためである。従っ
て、高分子材料より成る基板１上に数１００八／秒以上
の高堆速度で数１００八以上の金属薄膜を蒸着する際に
は、これらの熱的ダメージを避けるために基板を円筒状
キャンに張り付ける何らかの方法を採用する必要がある
。このような方法の一つとして、基板１の円筒状キャン
２への接触開始部において、基板をニップローラにて円
筒状キャンに押さえ付けて蒸着することが考えられる。
沿って矢印の向きに走行する。この基板１上に蒸発源６
によって金属薄膜が形成される。３゜４はそれぞれ基板
１の供給ロール及び巻き取９０−ルである。このような
真空蒸着装置にて高分子材料より成る基板１上に金属薄
膜を蒸着する際に、金属薄膜の膜厚が薄く数１００Å以
下の場合には、安定に薄膜が形成される。しかし数１０
０八以上の膜厚を数１００八／秒以上の高堆積速度で形
成する場合には、蒸発源からの輻射熱や蒸発原子の凝縮
熱等により基板が熱変形や熱分解を生じてしまい安定な
蒸着膜が得られない。この原因は基板１０円筒状キャン
２への張り付きが均一ではなく、張り付きの弱いところ
は熱が円筒状キャン２に拡散しにくいためである。従っ
て、高分子材料より成る基板１上に数１００八／秒以上
の高堆速度で数１００八以上の金属薄膜を蒸着する際に
は、これらの熱的ダメージを避けるために基板を円筒状
キャンに張り付ける何らかの方法を採用する必要がある
。このような方法の一つとして、基板１の円筒状キャン
２への接触開始部において、基板をニップローラにて円
筒状キャンに押さえ付けて蒸着することが考えられる。
第２図にこのような方法を実施するだめの真空蒸着装置
の一例を示す。
の一例を示す。
第２図に示される真空蒸着装置の特徴は、基板１の円筒
状キャン２への接触開始部において、ニップローラ６に
て基板１を円筒状キャン２に押さえ付けることにある。
状キャン２への接触開始部において、ニップローラ６に
て基板１を円筒状キャン２に押さえ付けることにある。
ニップローラ６の材料としては一般にゴムが用いられる
。このようにすることにより、基板１の円筒状キャン２
への張り付き力均一になり、その結果、基板１が蒸発源
より受ける熱は円筒状キャン２に拡散し、熱的ダメージ
を避けることが可能である。以上の方法を用いて実験し
た結果、円筒状キャン２の温度を室温近傍として蒸着を
行なうと熱的ダメージを受けない安定な金属薄膜が得ら
れた。しかし、円筒状キャン２の温度を上げて、例えば
８０°Ｃ以上にして蒸着を行なおうとすると、基板１が
ニップローラにて押さえ付けられる部分、すなわち円筒
状キャンへの接触開始部においてしわが発生するという
新たな問題が生じた。このしわは蒸着後もそのまま残っ
てしまうだめに、第２図に示されるような装置を用いる
方法にて、円筒状キャンの温度を上げてしわのない金属
薄膜を作製することは不可能である。
。このようにすることにより、基板１の円筒状キャン２
への張り付き力均一になり、その結果、基板１が蒸発源
より受ける熱は円筒状キャン２に拡散し、熱的ダメージ
を避けることが可能である。以上の方法を用いて実験し
た結果、円筒状キャン２の温度を室温近傍として蒸着を
行なうと熱的ダメージを受けない安定な金属薄膜が得ら
れた。しかし、円筒状キャン２の温度を上げて、例えば
８０°Ｃ以上にして蒸着を行なおうとすると、基板１が
ニップローラにて押さえ付けられる部分、すなわち円筒
状キャンへの接触開始部においてしわが発生するという
新たな問題が生じた。このしわは蒸着後もそのまま残っ
てしまうだめに、第２図に示されるような装置を用いる
方法にて、円筒状キャンの温度を上げてしわのない金属
薄膜を作製することは不可能である。
′以上のように、第２図の装置にてしわが発生する原因
は、基板１が温度の高い円筒状キャン２に接する際に、
基板１の温度が急激に上昇するだめに、急激な熱膨張が
生じるが、その瞬間にニップローラにて押さえ付けられ
るためだと考えられる。
は、基板１が温度の高い円筒状キャン２に接する際に、
基板１の温度が急激に上昇するだめに、急激な熱膨張が
生じるが、その瞬間にニップローラにて押さえ付けられ
るためだと考えられる。
発明の目的
本発明は真空蒸着法により、高分子材料より成る基板に
熱変形や熱分解及びしわを生じさせずに、金属薄膜を作
製する方法を提供することを目的とする。
熱変形や熱分解及びしわを生じさせずに、金属薄膜を作
製する方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は円筒状キャンの周側面に沿って走行しつつある
高分子材料より成る基板上に直接にあるいは金属薄膜を
介して金属薄膜を真空蒸着法によって形成する際に、上
記基板の上記円筒状キャンへの接触開始部よりも後方に
おいて上記基板をニップローラにて上記円筒状キャンに
押さえ付けることを特徴とする金属薄膜の製造方法であ
り、高分子材料より成る基板に熱変形や熱分解及びしわ
を生じさせずに、金属薄膜を得ることが可能である。
高分子材料より成る基板上に直接にあるいは金属薄膜を
介して金属薄膜を真空蒸着法によって形成する際に、上
記基板の上記円筒状キャンへの接触開始部よりも後方に
おいて上記基板をニップローラにて上記円筒状キャンに
押さえ付けることを特徴とする金属薄膜の製造方法であ
り、高分子材料より成る基板に熱変形や熱分解及びしわ
を生じさせずに、金属薄膜を得ることが可能である。
実施例の説明
以下第３図を用いて本発明の実施例について説明する。
第３図は本発明の方法を実施するだめの真空蒸着装置の
一例を示している。第３図において第１図と第２図に示
すものと同じものは同一番号を付しておく。第３図に示
される装置はニップローラ６の位置が第２図と異なって
いる。すなわち、従来例を示す第２図では基板１の円筒
状キャン２への接触開始部にニップローラ６が配置され
ているが、本発明の一実施例を示す第３図では接触開始
部（矢印子）よりも後方にニップローラ６が配置されて
いる。８は金属ローラＣある。第３図に示される構成の
真空蒸着装置にて、高分子材料より成る基板１上に金属
薄膜を形成すると、円筒状キャン２の温度を１００′Ｃ
以上にしても、ニップローラ６で押さえ付ける際に基板
１にしわは発生しない。さらにニップローラ６により基
板１は円筒状キャン２に均一に張り付くので、蒸着部分
で熱変形や熱分解が生じず安定な金属薄膜が得られるこ
とが明らかになった。第３図に示される装置では、基板
１が高温の円筒状キャンに接触を開始し、基板１の温度
が上がって定常状態に近づいた後に、ニップローラ６に
より押さえ付けられるので、しわが生じないものである
。
一例を示している。第３図において第１図と第２図に示
すものと同じものは同一番号を付しておく。第３図に示
される装置はニップローラ６の位置が第２図と異なって
いる。すなわち、従来例を示す第２図では基板１の円筒
状キャン２への接触開始部にニップローラ６が配置され
ているが、本発明の一実施例を示す第３図では接触開始
部（矢印子）よりも後方にニップローラ６が配置されて
いる。８は金属ローラＣある。第３図に示される構成の
真空蒸着装置にて、高分子材料より成る基板１上に金属
薄膜を形成すると、円筒状キャン２の温度を１００′Ｃ
以上にしても、ニップローラ６で押さえ付ける際に基板
１にしわは発生しない。さらにニップローラ６により基
板１は円筒状キャン２に均一に張り付くので、蒸着部分
で熱変形や熱分解が生じず安定な金属薄膜が得られるこ
とが明らかになった。第３図に示される装置では、基板
１が高温の円筒状キャンに接触を開始し、基板１の温度
が上がって定常状態に近づいた後に、ニップローラ６に
より押さえ付けられるので、しわが生じないものである
。
次に本発明の第１の具体的な実施例について説明する。
真空蒸着装置の基本構成は第３図に示されるものと同じ
である。円筒状キャン２の直径は５０ ｃｍとし、接触
開始部７とニップローラ６とは１０ ｃｍ離した。基板
１は膜厚１２μｍのポリエチレンテレフタレートよ構成
るフィルムを用い、この上に膜厚２０００人のＣｏ −
Ｃｒ合金薄膜を８０００八／秒の堆積速度で蒸着した。
である。円筒状キャン２の直径は５０ ｃｍとし、接触
開始部７とニップローラ６とは１０ ｃｍ離した。基板
１は膜厚１２μｍのポリエチレンテレフタレートよ構成
るフィルムを用い、この上に膜厚２０００人のＣｏ −
Ｃｒ合金薄膜を８０００八／秒の堆積速度で蒸着した。
なお円筒状キャン２の温度は９０℃、フィルムの走行速
度は２０ ｍ ７分とした。以上の条件で作製すると、
フィルムの熱変形、熱分解及びしわは全く生じず、安定
なＣｏ −Ｃｒ合金薄膜が得られた。一方、第１図に示
されるような真空蒸着装置を用いた従来の方法では、フ
ィルムが熱分解して穴がおいてしまった。丑だ、第２図
に示されるような装置を用いた従来の方法では、熱分解
はしなかったが、多数のしわが発生した。
度は２０ ｍ ７分とした。以上の条件で作製すると、
フィルムの熱変形、熱分解及びしわは全く生じず、安定
なＣｏ −Ｃｒ合金薄膜が得られた。一方、第１図に示
されるような真空蒸着装置を用いた従来の方法では、フ
ィルムが熱分解して穴がおいてしまった。丑だ、第２図
に示されるような装置を用いた従来の方法では、熱分解
はしなかったが、多数のしわが発生した。
次に本発明の第２の具体的な実施例について説明する。
真空蒸着装置の構成及びニップローラの位置は第１の具
体的な実施例の場合と同じにした。
体的な実施例の場合と同じにした。
基板１は膜厚８μｍのポリアミドより成るフィルムを用
い、この上に円筒状キャン２の温度を室温にして膜厚１
Ｑ○０人のパーマロイ薄膜を蒸着し、その上にさらに円
筒状キャンの温度を２３０°Ｃにして膜厚１０００人の
Ｃｏ −Ｃｒ合金薄膜を蒸着した。膜の堆積速度及びフ
ィルムの走行速度はいずれも８０Ｑ〇八／秒及び４０ｍ
／分としだ。得られた２層構造の膜において、フィルム
の熱変形、熱分解及びしわは全く発生しなかった。
い、この上に円筒状キャン２の温度を室温にして膜厚１
Ｑ○０人のパーマロイ薄膜を蒸着し、その上にさらに円
筒状キャンの温度を２３０°Ｃにして膜厚１０００人の
Ｃｏ −Ｃｒ合金薄膜を蒸着した。膜の堆積速度及びフ
ィルムの走行速度はいずれも８０Ｑ〇八／秒及び４０ｍ
／分としだ。得られた２層構造の膜において、フィルム
の熱変形、熱分解及びしわは全く発生しなかった。
発明の効果
以上のように本発明によれば、従来の蒸着方法で基板に
生じていだ熱変形、熱分解及びしわを完全に除去するこ
とが可能であり、安定な金属薄膜を提供できる。
生じていだ熱変形、熱分解及びしわを完全に除去するこ
とが可能であり、安定な金属薄膜を提供できる。
第１図及び第２図は従来の方法を実施する真空蒸着装置
内部の概略を示す図、第３図は本発明の金属薄膜の製造
方法を実施する真空蒸着装置内部の概略を示す図である
。 １・・・・・・基板、２・・・・・・円筒状キャン、６
・・・・・・ニップローラ、７・・・・・・基板の円筒
状キャンへの接触開始部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ＷＪ
１図 第３図
内部の概略を示す図、第３図は本発明の金属薄膜の製造
方法を実施する真空蒸着装置内部の概略を示す図である
。 １・・・・・・基板、２・・・・・・円筒状キャン、６
・・・・・・ニップローラ、７・・・・・・基板の円筒
状キャンへの接触開始部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ＷＪ
１図 第３図
Claims (1)
- 円筒状キャンの周側面に沿って走行しつつある高分子材
料より成１基板上に直接にあるいは金属薄膜を介して金
属薄膜を真空蒸着法によって形成する際に、上記基板の
上記円筒状キャンへの接触開始部よシも後方において上
記基板をニソグローラにて上記円筒状キャンに押さえ付
けることを特徴とする金属薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2322283A JPS59147025A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 金属薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2322283A JPS59147025A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 金属薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59147025A true JPS59147025A (ja) | 1984-08-23 |
Family
ID=12104615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2322283A Pending JPS59147025A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 金属薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59147025A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5075267A (ja) * | 1973-11-06 | 1975-06-20 | ||
| JPS5387205A (en) * | 1977-01-10 | 1978-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
-
1983
- 1983-02-14 JP JP2322283A patent/JPS59147025A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5075267A (ja) * | 1973-11-06 | 1975-06-20 | ||
| JPS5387205A (en) * | 1977-01-10 | 1978-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
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