JPS63312107A - 半導体チップの切り出し方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウェハからの半導体チップの切り出し
方法、特に密着型イメージセンサ等に用いられる半導体
チップの切り出し方法に関するものである。

（従来の技術） 近年、密着型イメージセンサの開発が盛んに行なわれて
いる。密着型イメージセンサは、画像電子学会誌、川［
１］　（１９８６）水口、Ｐ、１７−２６に記載される
ように、薄膜型とマルチチップ型に大別される。マルチ
チップ型の密着型イメージセンサは、複数の半導体チッ
プが配列され、長尺化されて構　　　　　□成されるも
ので、チップ間の継ぎ目に基づく不規則性を無くすため
に、各種の工夫がなされている。

このような密着型イメージセンサにおいては、チップと
チップを隣接してダイスボンドし、画素配列ピッチを正
確に合わせる必要がある。それ故、チップをウェハから
精度良く切り出すことが重要である。

従来、この種の技術としては、第２図〜第４図に示すよ
うなものがあった。

第２図は従来の半導体チップの切り出し方法を示す断面
図、第３図は第２図の方法による半導体チップの切断分
離箇所の断面図、及び第４図は半導体チップの配列状態
を示す断面図である。

第２図において、ウェハステージ１の上には、シリコン
等から成る半導体ウェハ２が載置されている。ウェハス
テージ１は真空チャック穴３を有しており、この真空チ
ャック穴３がら空気が吸引されることにより、半導体ウ
ェハ２はウェハステージ１上に吸着、固定される。この
状態において切断装置、例えばダイシングソーの円盤状
のブレード４により、切断線に添って半導体ウェハ２に
切込み５を形成する。

所定の切込み５を形成した後に、半導体ウェハ２を切込
み５に添って割れば、第３図に示すように個々の半導体
チップ６に分離される。このとき、割られた部分にシリ
コンのバリアが残る。

このようにして分離された複数の半導体チップ６は第４
図に示すように、所定の画素配列ピッチを保ちながら継
ぎ合わせられ、密着型イメージセンサが形成される。

上記方法とは別に、第５図及び第６図に示すように、半
導体ウェハ２をブレード４で直接切断する方法も用いら
れている。第５図は従来の他の半導体チップの切り出し
方法を示す断面図であり、第６図は第５図の方法による
半導体チップの切断箇所の断面図である。

この切断方法は、予め半導体ウェハ２の上下面をテープ
８で挾み、上面のテープ８上からダイシングソーのブレ
ード４を当て、下面のテープ８に達するまで半導体ウェ
ハ２を切断するものである。

これにより個々の半導体チップ９に分離されるが、その
切断箇所には、第６図に示すようにソリ１０が形成され
る。このソリ１０は、ブレード４先端部にテーパが形成
された月形状のために、切断面に残留するものである。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記の半導体チップの切り出し方法にお
いては、次のような問題点がめった。

（１）第２図に示す切り出し方法では、半導体チップ６
の分離面に突出するバリアが残留する。そのため、所定
の画素配列ピッチとなるように半導体チップ６間を正確
に継ぎ合わすことが難しい。

（２）第５図に示す切り出し方法では、半導体チップ６
の切断面に突出するソ１月Ｏが形成される。このソ１月
Ｏの大きざはブレード４の使用回数により左右される。

即ち、新しいブレード４の場合には、ブレード４先端部
のテーパ量は例えば約５μｍ以下と少く、大きな問題に
はならない。しかし、１００回程度半導体チップ６を切
断した後のテーパ量は約２０μｍ以上となり、これに伴
うソリ１０の大きさも増大し、前記画素配列ピッチを正
確に保つことが難しくなる。この問題に対しては、常時
新しいブレード４を使用すればよいが、ブレード４の取
り替えに伴う調整作業に多ぐの工数を要し、大量生産上
の新たな問題を生じてしまう。

本発明は、前記従来技術かも“つていた問題点として、
パリやソリを生じるために半導体チップ切り出し端の寸
法精度を正確に出せない点、及び寸法精度の向上を図れ
ば効率良い半導体ウェハの切断が困難となる点について
解決した半導体チップの切り出し方法を提供するもので
ある。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、前記問題点を解決するために、半導体ウェハ
をウェハステージの上面に固定し、切断装置のブレード
を用いて前記半導体ウェハを所定の切断線に沿って切断
する半導体チップの切り出し方法において、前記ウェハ
ステージの上面に前記切断線に対応した溝を形成してお
き、前記ブレードが前記半導体ウェハを切断する際に該
ブレードの先端部を前記溝の内部まで到達せしめて半導
体チップを切り出すようにしたものでおる。

（作　用） 本発明によれば、以上のように半導体チップの切り出し
方法を構成したので、半導体ウェハを切断する際にブレ
ードの先端部を溝の内部まで到達せしめる切り出し方法
は、ブレードが半導体ウェハの厚さよりも深く切り込む
ことを可能にし、切断面にパリやソリが生じるのを防止
すると共に、ブレード先端部の摩耗による影響を被らな
い動きをする。それ故、チップ切り出し端部の寸法精度
を向上させ、密着型イメージセンサにおいては、半導体
チップ間を所定の画素配列ピッチとなるように正確に継
ぎ合わすことが可能になる。また、ブレードを頻繁に取
り替える必要が無くなり、切り出し作業に係わる効率が
向上する。従って、前記問題点を除去できる。

（実施例） 第１図は本発明の実施例における半導体チップの切り出
し方法を示す断面図であり、第７図は第１図のウェハス
テージの平面図である。

図において、ウェハステージ１１の上面には複数の溝１
２が互いに平行に設けられている。これらの溝１２は、
半導体ウェハ１３上に設定された切断線１４に対応して
形成されたもので、例えば矩形断面を有している。溝１
２の幅Ｂの寸法はダイシングソーのブレード１５の幅す
より大きく設定されており、深ざＤの寸法はブレード１
５先端部のテーパ部１６の深ざｄより十分大きくなるよ
うに設定されている。

また、ウェハステージ１１には、従来同様に真空チャッ
ク穴１７が設けられている。

以上のように構成されたウェハステージ１１を用いて、
半導体チップの切り出しは次のように行なわれる。

先ず、ウェハステージ１１上に半導体ウェハ１３を載置
する。その際、半導体ウェハ１３の切断線１４がウェハ
ステージ１１の溝１２の中心線に一致するように調整す
る。

その後、真空チャック穴１７内の空気を吸引し、半導体
ウェハ１３をウェハステージ１１の上面に吸着させて固
定する。

半導体ウェハ１３が固定された状態において、切断装置
として例えばダイシングソーを駆動させ、ブレード１５
により切断線１４に沿って半導体ウェハ１３を切断する
。このとき、溝１２はブレード１５のテーパ部１６を十
分収容し得る寸法を有しているので、テーパ部１６が半
導体ウェハ１３を完全に貫通するまで切り込むことがで
きる。それ故、半導体ウェハ１３の切断部にはパリやソ
リが生じることはなく、半導体チップ１８の切り出しを
高い寸法精度で行なうことができる。

なお、密着型イメージセンサの半導体チップの切り出し
において、厳しい寸法精度が要求されるのは半導体チッ
プ１８の継ぎ合わせ方向のみなので、前記溝１２はその
方向のみに形成すればよい。従って、前記真空チャック
穴１７の形成は容易に可能であり、何ら支障を来たすこ
とはない。

本実施例においては、半導体チップ１８の切り出し端部
におけるパリやソリの発生を防止できると共に、ブレー
ド１５の摩耗により拡大するテーパ部１６の影響を受け
ないという利点を有する。それ故、半導体チップ１８の
切り出し精度が向上し、密着型イメージセンサにおいて
は、所定の画素配列ピッチを保った正確な継ぎ合わせが
可能となる。また、大量生産に適した効率良い半導体チ
ップ１８の切り出しが可能となる。

なお、本発明は図示の実施例に限定されず種々の変形が
可能であり、例えば次のような変形例が挙げられる。

（ｉ）　　第１図及び第７図においては、溝１２は一方
向のみに設けるものとしたが、これに限定されず、互い
に直交する方向にも形成し、この溝に沿って半導体ウェ
ハ１３を切断することもできる。

（ｉｉ）　　溝１２の形状は図示のものに限定されない
。

例えば、正方形断面やＵ字形断面等を有する形状として
もよい。また、溝１２の長さは、必ずしも図示のように
ウェハステージ１１の全幅に亘って形成する必要はない
。

（ｉｉｉ）　　半導体ウェハ１３の切断に伴って生じる
切断屑を排出するために、ウェハステージ１１を貫通す
る孔を溝１２に形成してもよい。

（ｉｖ）　　半導体ウェハ１３を切断するための装置は
ダイシングソーのみに限定されず、他の切断装置を用い
てもよい。

（発明の効果） 以上詳細に説明したように本発明によれば、ブレードの
先端部をウェハステージ上に形成された溝の内部まで到
達せしめる半導体チップの切り出し方法としたので、パ
リやソリの発生を防止して切り出し端部の寸法精度を向
上させることができる。それ故、密着型イメージセンサ
においては、半導体チップ間を所定の画素配列ピッチに
正確に継ぎ合わすことが可能になる。また、ブレード先
端部の摩耗を受けないので、ブレードを頬繁に取り替え
る必要が無くなり、大量生産に適した効率良い切り出し
が可能になるという効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例における半導体チップの切り出
し方法を示す断面図、第２図は従来の半導体チップの切
り出し方法を示す断面図、第３図は第２図の方法による
半導体チップの切断分離箇所の断面図、第４図は半導体
チップの配列状態を示す断面図、第５図は従来の伯の半
導体チップの切り出し方法を示す断面図、第６図は第５
図の方法による半導体チップの切断箇所の断面図、第７
図は第１図のウェハステージの平面図である。 １１・・・・・・ウェハステージ、１２・・・・・・溝
、１３・・・・・・半導体ウェハ、１４・・・・・・切
断線、１５・・・・・・ブレード、１６・・・・・・テ
ーパ部、１７・・・・・・真空チャック穴、１８・・・
・・・半導体チップ。 出願人代理人　　柿　　本　　恭　　酸第１図 従来の半尊体チッフ恥切り出し方法を示す絣面図第２図 第３図 第４図 第５図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 半導体ウェハをウェハステージの上面に固定し、切断装
   置のブレードを用いて前記半導体ウェハを所定の切断線
   に沿って切断する半導体チップの切り出し方法において
   、 前記ウェハステージの上面に前記切断線に対応した溝を
   形成しておき、 前記ブレードが前記半導体ウェハを切断する際に該ブレ
   ードの先端部を前記溝の内部まで到達せしめて半導体チ
   ップを切り出すことを特徴とする半導体チップの切り出
   し方法。