JPS6331168A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法Info
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- JPS6331168A JPS6331168A JP17364486A JP17364486A JPS6331168A JP S6331168 A JPS6331168 A JP S6331168A JP 17364486 A JP17364486 A JP 17364486A JP 17364486 A JP17364486 A JP 17364486A JP S6331168 A JPS6331168 A JP S6331168A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、薄膜トランジスタの製造方法に係り、特にア
クチブマトリクス方式の液晶パネル表示装置に使用する
のに好適な水素化非晶質シリコンを用いた薄膜トランジ
スタの製造方法に関する。
クチブマトリクス方式の液晶パネル表示装置に使用する
のに好適な水素化非晶質シリコンを用いた薄膜トランジ
スタの製造方法に関する。
［従来の技術］
従来の水素化非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈと略す）を
用いた薄膜トランジスタ（ＴＰＴと称す）において、チ
ャネル部分のｎ＋層除去に関して、特開昭５８−１１２
３６６号に記載のように人為的には不純物をドープしな
いａ−３ｉ： ＨＮ（ｉ層）膜上の人為的に不純物をド
ープしたａ−３ｉ：ＨＭ（ｎ＋層）をエツチングにより
除去していた。
用いた薄膜トランジスタ（ＴＰＴと称す）において、チ
ャネル部分のｎ＋層除去に関して、特開昭５８−１１２
３６６号に記載のように人為的には不純物をドープしな
いａ−３ｉ： ＨＮ（ｉ層）膜上の人為的に不純物をド
ープしたａ−３ｉ：ＨＭ（ｎ＋層）をエツチングにより
除去していた。
しかし、このエツチング除去は、ｎ＋層を完全に除去す
る事だけを考慮しており、１層中にリンが拡散した部分
を適量除去することによりＴＰＴのＯＦＦ特性を良くす
る事については考慮されていなかった。
る事だけを考慮しており、１層中にリンが拡散した部分
を適量除去することによりＴＰＴのＯＦＦ特性を良くす
る事については考慮されていなかった。
［発明が解決しようとする問題点］
従来、水素化非晶質シリコン薄膜トランジスタは、チャ
ネル部分のｎ＋層をＣＦ４又はＳＦ８を主体とするドラ
イエッチまたはヒドラジン、フッ酸を主体とする混液な
どのウェットエッチにより除去していた。この場合、ｎ
＋層を完全に除去する。これはｎ＋層が残留するとＴＰ
Ｔの○ＦＦ特性が著しく劣化するからである。しかし、
ｎ４層を完全に除去しているものにもかかわらずＯＦＦ
特性が悪いことが確認された。これは、ｎ＋層のドーピ
ングされた不純物であるリンが’ｘＭ中に拡散し特性を
劣化させているという問題があった。
ネル部分のｎ＋層をＣＦ４又はＳＦ８を主体とするドラ
イエッチまたはヒドラジン、フッ酸を主体とする混液な
どのウェットエッチにより除去していた。この場合、ｎ
＋層を完全に除去する。これはｎ＋層が残留するとＴＰ
Ｔの○ＦＦ特性が著しく劣化するからである。しかし、
ｎ４層を完全に除去しているものにもかかわらずＯＦＦ
特性が悪いことが確認された。これは、ｎ＋層のドーピ
ングされた不純物であるリンが’ｘＭ中に拡散し特性を
劣化させているという問題があった。
本発明の目的は、薄膜トランジスタの製造方法を改良す
ることにより、水素化非晶質シリコンＴＰＴの素子特性
、特にＯＦＦ特性を向上することにある。
ることにより、水素化非晶質シリコンＴＰＴの素子特性
、特にＯＦＦ特性を向上することにある。
［問題を解決するための手段］
上記目的はｎ＋層の所定部分を完全に除去するとともに
、ｉ層中の不純物が拡散した部分を適量除去することに
よって達成される。また、リンの濃度とＨＦを主体とす
るエツチング液によるエツチング速度との相関性。さら
に、熱処理によるｉ層中のリンの拡散距離、活性化エネ
ルギー、リンの拡散係数を求め、ＴＰＴのＯＦＦ特性と
の関係を明らかにし、ｎ＋層層外外ｉ層を最適量エツチ
ング除去することにより達成される。
、ｉ層中の不純物が拡散した部分を適量除去することに
よって達成される。また、リンの濃度とＨＦを主体とす
るエツチング液によるエツチング速度との相関性。さら
に、熱処理によるｉ層中のリンの拡散距離、活性化エネ
ルギー、リンの拡散係数を求め、ＴＰＴのＯＦＦ特性と
の関係を明らかにし、ｎ＋層層外外ｉ層を最適量エツチ
ング除去することにより達成される。
［作用コ
Ｔ Ｆ ’Ｉ’の素子特性の悪化には、チャンネル層と
なるｉ層にもｎ”ｌＪから拡散した不純物が影響してい
る。したがって、不純物が拡散しているチャンネル部の
ｉ層を除去することによって素子特性の向上が図れる。
なるｉ層にもｎ”ｌＪから拡散した不純物が影響してい
る。したがって、不純物が拡散しているチャンネル部の
ｉ層を除去することによって素子特性の向上が図れる。
［実施例コ
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図（ａ）は、ａ−５ｉＴＦＴの断面図でチャネル部分の
ｎ＋層除去前のものである。以下製造方法を説明する。
図（ａ）は、ａ−５ｉＴＦＴの断面図でチャネル部分の
ｎ＋層除去前のものである。以下製造方法を説明する。
＃７０５９ガラス基板１の上にＣｒを蒸着又はスパッタ
リングで堆積してゲート電Ｖｉ２を形成する。次にプラ
ズマＣＶＤによりシリコン窒化膜３を膜厚３０００人、
ｉ層であるａ−５ｉ：Ｈ層４を膜厚４０００人、リン約
２％を含むａ−３ｉ：Ｈ膜５ （ｎ＋層と以下記す）を
膜厚４００人連続的に堆積する。シリコン窒化膜３は、
ＳｉＨ＋、Ｎ２．ＮＨ３ガスを使用し基板温度３２０’
Ｃで作製、ａ−３ｉ：Ｈ膜４は水素希釈のＳｉＨ，ガス
で基板温度３２０’Ｃで作製しｎ＋層５はＳｉＨ４ガス
とＰ Ｈ３ガスにより基板温度３２０℃、２０分間で作
製する。その後、ａ−５ｉ：Ｈｇとｎ＋層を所定のパタ
ーンに形成する。パターン化させたａ−Ｓｉ：Ｈ膜とｎ
＋層の上に、蒸着又はスパッタリングによりＣｒ−Ａｌ
２膜を堆積しソース・ドレイン電極である上部電極６を
形成する。この状態で上部電極６の間のｎ＋層および１
層の一部分をＣＦ４又はＳＦ６を主体とするプラズマエ
ツチングで除去する。ｎ＋層およびｉ層の一部分を除去
したＴＰＴの鉛面図を第１図（ｂ）に示す。ｎ＋層およ
びｉ層の一部分を除去したチャネル部分７は、ｎ＋／ｉ
層界面から約７００人ｉ層を除去している。第２図にｎ
”／ｉ層界面からのエツチング深さとＴＰＴ ＯＦＦ
特性の関係を示す。図中横軸の０点はｎ”／ｉ層界面を
示す。
リングで堆積してゲート電Ｖｉ２を形成する。次にプラ
ズマＣＶＤによりシリコン窒化膜３を膜厚３０００人、
ｉ層であるａ−５ｉ：Ｈ層４を膜厚４０００人、リン約
２％を含むａ−３ｉ：Ｈ膜５ （ｎ＋層と以下記す）を
膜厚４００人連続的に堆積する。シリコン窒化膜３は、
ＳｉＨ＋、Ｎ２．ＮＨ３ガスを使用し基板温度３２０’
Ｃで作製、ａ−３ｉ：Ｈ膜４は水素希釈のＳｉＨ，ガス
で基板温度３２０’Ｃで作製しｎ＋層５はＳｉＨ４ガス
とＰ Ｈ３ガスにより基板温度３２０℃、２０分間で作
製する。その後、ａ−５ｉ：Ｈｇとｎ＋層を所定のパタ
ーンに形成する。パターン化させたａ−Ｓｉ：Ｈ膜とｎ
＋層の上に、蒸着又はスパッタリングによりＣｒ−Ａｌ
２膜を堆積しソース・ドレイン電極である上部電極６を
形成する。この状態で上部電極６の間のｎ＋層および１
層の一部分をＣＦ４又はＳＦ６を主体とするプラズマエ
ツチングで除去する。ｎ＋層およびｉ層の一部分を除去
したＴＰＴの鉛面図を第１図（ｂ）に示す。ｎ＋層およ
びｉ層の一部分を除去したチャネル部分７は、ｎ＋／ｉ
層界面から約７００人ｉ層を除去している。第２図にｎ
”／ｉ層界面からのエツチング深さとＴＰＴ ＯＦＦ
特性の関係を示す。図中横軸の０点はｎ”／ｉ層界面を
示す。
なおＴＰＴのＯＦＦ電流値はＶ−Ｉ特性曲線の直線部か
ら横軸に線をおろし横軸の交点から垂線を引きＶ−Ｉ曲
線との交点を採用したｎ”／ｉ界面から５００人程度エ
ツチングしたものは○ＦＦ電流値が約２Ｘ’１Ｏ−１２
Ａ程度を示し、それ以上エツチングすると約２Ｘ１０−
１３Ａと一定になっている・第３図に、ｎ”／ｉ界面か
ら２５０人程度エツチングしたＴＰＴのＯＦＦ特性（ケ
ースの）とｎ＋／ｉ界面より５５０人エツチングしたＯ
ＦＦ特性（ケース■）を示す。ケース■は。
ら横軸に線をおろし横軸の交点から垂線を引きＶ−Ｉ曲
線との交点を採用したｎ”／ｉ界面から５００人程度エ
ツチングしたものは○ＦＦ電流値が約２Ｘ’１Ｏ−１２
Ａ程度を示し、それ以上エツチングすると約２Ｘ１０−
１３Ａと一定になっている・第３図に、ｎ”／ｉ界面か
ら２５０人程度エツチングしたＴＰＴのＯＦＦ特性（ケ
ースの）とｎ＋／ｉ界面より５５０人エツチングしたＯ
ＦＦ特性（ケース■）を示す。ケース■は。
ＯＦＦ＠ＦＦ電流値Ｘｌ０− Ａであり、ケース■
のｎ／ｉ界面から５５０人エツチングしたちのは約ｌＸ
ｌ０ Ａとケース■より良い特性を示す、このＯ
ＦＦ特性はさらにエツチングする事により良くなり１０
００人前後で一定となる。
のｎ／ｉ界面から５５０人エツチングしたちのは約ｌＸ
ｌ０ Ａとケース■より良い特性を示す、このＯ
ＦＦ特性はさらにエツチングする事により良くなり１０
００人前後で一定となる。
このｎ”／ｉ、Ｗ界面からの１層エツチング量とＯＦＦ
特性の関係は、第４，５図の関係および拡散速度の式か
ら１層中に拡散したり不純物濃度深さを算出することに
より説明できる。第４図はリンをドープしたｎ＋層のリ
ン濃度とｎ ／ ｉ選択エッチ液（ＨＦ：ＨＮＯ３：Ｃ
Ｈ３Ｃ○○Ｈ；Ｈ２０＝１２ｃｃ： ２００ｃｃ： １
００ｃｃ： １６０ｃｃ）によるエツチング特性を示す
。リン濃度が１〜２％がら０．１％になるとエツチング
速度も１／１ｏになることがわかる。これはリンを数％
含んだｎ層層のエツチング速度の非常に早いが、リン濃
度が少なくなるにしたがってエッチ速度が遅くなりｉ層
に近づくにしたがって極たんに遅くなることを意味して
いる。第５図にｎ層層とｉ層を積層しそれぞれ３２０．
３５’０．３８０’Ｃ（７）温度で熱処理した膜のエツ
チング特性を示す。ｉ Ｍ４０００人の上に、ｎ層層を
約４００人堆積した。この結果、エツチング時間３秒で
は３８０人エツチングし、５〜１０秒ではエツチング速
度が遅くなり、１０秒以後はエツチング速度が非常に遅
くなる。またエツチングが非常に遅くなる深さは熱処理
温度に関連し、３２０℃では２７０人、３５０℃では３
２０人、３８０℃では４３０人であった。一般に不純物
の拡散の距離は、２ｉ丁了１で表わされ、Ｄはある温度
における不純物の拡散係数、ｔはある温度の熱処理時間
を表わす。また拡散係数Ｄ、熱処理時間ｔの時、深さＸ
での不純物濃度Ｎ （ｘ。
特性の関係は、第４，５図の関係および拡散速度の式か
ら１層中に拡散したり不純物濃度深さを算出することに
より説明できる。第４図はリンをドープしたｎ＋層のリ
ン濃度とｎ ／ ｉ選択エッチ液（ＨＦ：ＨＮＯ３：Ｃ
Ｈ３Ｃ○○Ｈ；Ｈ２０＝１２ｃｃ： ２００ｃｃ： １
００ｃｃ： １６０ｃｃ）によるエツチング特性を示す
。リン濃度が１〜２％がら０．１％になるとエツチング
速度も１／１ｏになることがわかる。これはリンを数％
含んだｎ層層のエツチング速度の非常に早いが、リン濃
度が少なくなるにしたがってエッチ速度が遅くなりｉ層
に近づくにしたがって極たんに遅くなることを意味して
いる。第５図にｎ層層とｉ層を積層しそれぞれ３２０．
３５’０．３８０’Ｃ（７）温度で熱処理した膜のエツ
チング特性を示す。ｉ Ｍ４０００人の上に、ｎ層層を
約４００人堆積した。この結果、エツチング時間３秒で
は３８０人エツチングし、５〜１０秒ではエツチング速
度が遅くなり、１０秒以後はエツチング速度が非常に遅
くなる。またエツチングが非常に遅くなる深さは熱処理
温度に関連し、３２０℃では２７０人、３５０℃では３
２０人、３８０℃では４３０人であった。一般に不純物
の拡散の距離は、２ｉ丁了１で表わされ、Ｄはある温度
における不純物の拡散係数、ｔはある温度の熱処理時間
を表わす。また拡散係数Ｄ、熱処理時間ｔの時、深さＸ
での不純物濃度Ｎ （ｘ。
ｔ）は次式で表わされる。
Ｎ （ｘ、ｔ、） ＝ Ｎ ｓ ／ ２ ・ｅｒｆｃ（
ｘ ／ ２ ｆ「弓）・−式（１）Ｎｓは不純物総数で
ある。不純物としてリンを用いた場合のリン濃度とａ−
５ｉ：Ｈ膜のエツチング速度Ｒ（ｘ ）の関係は第４図
に示す通りであり従って Ｒ（ｘ）＝ ｋ −Ｎ（ｘ） ・＝
式（２）拡散数係数りはａ−５ｉ（ｉ）上にｎ層を２３
０℃で堆積した後加熱によりリンを拡散させたサンプル
を３０秒間エツチングし、その各温度におけるエツチン
グ深さから求めた。その結果、２３０ ’Ｃでは拡散係
数は１×１０− ａＪ／ｓｅａ、 ３２０ ℃では約
３．８ｘｌＯ−，３５０℃では５．３×１０ ．３８
０℃では約Ｉ Ｘ １０− ｃｌ／ｓｅｃが得られた
。今一定の不純物濃度Ｃｏの基体に、基体と逆の伝導形
を示す不純物を拡散した場合のｎ／ｉ接合の表面からの
距離ｘ； （拡散深さと呼ぶ）は次式で求めることがで
きる。
ｘ ／ ２ ｆ「弓）・−式（１）Ｎｓは不純物総数で
ある。不純物としてリンを用いた場合のリン濃度とａ−
５ｉ：Ｈ膜のエツチング速度Ｒ（ｘ ）の関係は第４図
に示す通りであり従って Ｒ（ｘ）＝ ｋ −Ｎ（ｘ） ・＝
式（２）拡散数係数りはａ−５ｉ（ｉ）上にｎ層を２３
０℃で堆積した後加熱によりリンを拡散させたサンプル
を３０秒間エツチングし、その各温度におけるエツチン
グ深さから求めた。その結果、２３０ ’Ｃでは拡散係
数は１×１０− ａＪ／ｓｅａ、 ３２０ ℃では約
３．８ｘｌＯ−，３５０℃では５．３×１０ ．３８
０℃では約Ｉ Ｘ １０− ｃｌ／ｓｅｃが得られた
。今一定の不純物濃度Ｃｏの基体に、基体と逆の伝導形
を示す不純物を拡散した場合のｎ／ｉ接合の表面からの
距離ｘ； （拡散深さと呼ぶ）は次式で求めることがで
きる。
ここで１０ ７−程度までの不純物濃度を考えるとＣ
／ Ｃｓ中１０ となり、誤差関数表から（ｅｒｆ（
ｘ）＋ｅｒｆｃ（ｘ）＝ １ ）約３かえられる。
／ Ｃｓ中１０ となり、誤差関数表から（ｅｒｆ（
ｘ）＋ｅｒｆｃ（ｘ）＝ １ ）約３かえられる。
つまり
ｘ；＝６４丁了τ ・・・式（５）とな
る。ここでえられた式に各形式温度で得られた拡散係数
と形成加熱時間を入れて算出した拡散深さを第６図に示
す。加熱時間は３０分とした。
る。ここでえられた式に各形式温度で得られた拡散係数
と形成加熱時間を入れて算出した拡散深さを第６図に示
す。加熱時間は３０分とした。
第５式かられかるように熱処理の加熱時間が長くなるほ
ど拡散距離は深くなることは周知の事である。以上述べ
たごと（ａ−３ｉのｉ層とリンをドープしたｎ層Ｂを積
層で形成した場合、加熱によりリンがｉ層中に拡散しそ
の拡散深さはｘ＝６１／ＴＴ下で示される。つまりこの
事はａ−３ｉ ＴＰＴのＯＦＦ特性をｌＸｌ０−
Ａ以下にするにはＸ≧６．β丁＝７τまでｉ層を除去
する必要があることを意味している９本実施例において
も第２図で示すごとくｉ層を５００人除去したＴＰＴの
ＯＦＦ”電流値は約ｌＸｌ０ Ａを示しており、７
００人除去したものは約２×１０ Ａの値を示し
た。
ど拡散距離は深くなることは周知の事である。以上述べ
たごと（ａ−３ｉのｉ層とリンをドープしたｎ層Ｂを積
層で形成した場合、加熱によりリンがｉ層中に拡散しそ
の拡散深さはｘ＝６１／ＴＴ下で示される。つまりこの
事はａ−３ｉ ＴＰＴのＯＦＦ特性をｌＸｌ０−
Ａ以下にするにはＸ≧６．β丁＝７τまでｉ層を除去
する必要があることを意味している９本実施例において
も第２図で示すごとくｉ層を５００人除去したＴＰＴの
ＯＦＦ”電流値は約ｌＸｌ０ Ａを示しており、７
００人除去したものは約２×１０ Ａの値を示し
た。
以上本実施例によれば、ａ−ＳｉＴＰＴチャネル部のｎ
層層を除去する工程において、リンが拡散したｉ層もい
っしょにＸ≧６ｆ■Ｔτだけ除去することによりＯＦＦ
特性の良い（ＯＦ−Ｆ電流値約１０− Ａ以下）の
ａ−５Ｌ ＴＰＴが得られた。
層層を除去する工程において、リンが拡散したｉ層もい
っしょにＸ≧６ｆ■Ｔτだけ除去することによりＯＦＦ
特性の良い（ＯＦ−Ｆ電流値約１０− Ａ以下）の
ａ−５Ｌ ＴＰＴが得られた。
［発明の効果コ
本発明によれば、○ＦＦ特性の良好な薄膜トランジスタ
を容易に製造できる。
を容易に製造できる。
第１図は本発明の一実施例のａ−３ｉ：Ｈ薄膜トランジ
スタの断面図、第２図はＴＰＴチャネル部のｎ＋層およ
び１層のエツチング深さとＯＦＦ電流値との関係を示す
図、第３図はＴＰＴのＯＦＦ特性値を示す図、第４図は
ｎ＋のリン濃度とＨＦ、硝酸、酢酸、水混液によるエツ
チングを示す図、第５図はｎ＋層とｉ層の積層膜を熱処
理し、エツチングした場合のエツチング量を示す図、第
６図は、１Ｍ中のリンの拡散深さと拡散係数および温度
の関係を示す図である。 １・・・ガラス基板、２・・・Ｃｒ電極、３・・Ｓｉ３
Ｎ。 膜、４−ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ層）、、５・・・リンドープ
ａ−８ｉ（ｎ＋層）、６−Ｃｒ−ＡＱ電極、７・・・チ
ャネル部 、Ｐ＃！Ｌ（ｙ＋／幻 エンラ・ンク°゛矩千Ｆｌｉ （、）ｙ）ＹｏＬ ＩＡ
ぐＥ（Ｖ） グア”ｒ／〆（／／に）
スタの断面図、第２図はＴＰＴチャネル部のｎ＋層およ
び１層のエツチング深さとＯＦＦ電流値との関係を示す
図、第３図はＴＰＴのＯＦＦ特性値を示す図、第４図は
ｎ＋のリン濃度とＨＦ、硝酸、酢酸、水混液によるエツ
チングを示す図、第５図はｎ＋層とｉ層の積層膜を熱処
理し、エツチングした場合のエツチング量を示す図、第
６図は、１Ｍ中のリンの拡散深さと拡散係数および温度
の関係を示す図である。 １・・・ガラス基板、２・・・Ｃｒ電極、３・・Ｓｉ３
Ｎ。 膜、４−ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｉ層）、、５・・・リンドープ
ａ−８ｉ（ｎ＋層）、６−Ｃｒ−ＡＱ電極、７・・・チ
ャネル部 、Ｐ＃！Ｌ（ｙ＋／幻 エンラ・ンク°゛矩千Ｆｌｉ （、）ｙ）ＹｏＬ ＩＡ
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Claims (1)
- １、少なくとも所定基板上にゲート電極を形成する工程
と、その電極上に窒化シリコン膜を形成する工程と、水
素化非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記水素化非
晶質シリコン膜上に不純物を含有する水素化非晶質シリ
コン膜を形成する工程と、前記不純物を含有する水素化
非晶質シリコン膜上にソース・ドレイン電極を形成する
工程と、前記ソース電極とドレイン電極間の前記不純物
を含有する水素化非晶質膜を除去する工程と、前記ソー
ス、ドレイン電極間の前記水素化非晶質シリコン膜の一
部を除去する工程とを有することを特徴とする薄膜トラ
ンジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17364486A JPS6331168A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17364486A JPS6331168A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331168A true JPS6331168A (ja) | 1988-02-09 |
Family
ID=15964433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17364486A Pending JPS6331168A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6331168A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH029135A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質シリコンの選択エッチング方法及び薄膜トランジスタアレーの製造方法 |
| US5470769A (en) * | 1990-03-27 | 1995-11-28 | Goldstar Co., Ltd. | Process for the preparation of a thin film transistor |
| JPH08204205A (ja) * | 1995-01-19 | 1996-08-09 | Sony Corp | ボトムゲート型薄膜トランジスタの作製方法 |
| KR100237004B1 (ko) * | 1996-07-09 | 2000-01-15 | 구본준 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
| US6514800B2 (en) * | 2000-09-08 | 2003-02-04 | Nec Corporation | Method of manufacturing thin-film transistor |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS62291069A (ja) * | 1986-05-05 | 1987-12-17 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 非晶質シリコン電界効果トランジスタのバツクチヤネルを不活性化する方法 |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP17364486A patent/JPS6331168A/ja active Pending
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