JPS63310138A - シリサイド層を備えた半導体装置 - Google Patents
シリサイド層を備えた半導体装置Info
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- JPS63310138A JPS63310138A JP14508787A JP14508787A JPS63310138A JP S63310138 A JPS63310138 A JP S63310138A JP 14508787 A JP14508787 A JP 14508787A JP 14508787 A JP14508787 A JP 14508787A JP S63310138 A JPS63310138 A JP S63310138A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の構造、特にシリサイド層を備えた
半導体装置の構造に関する。
半導体装置の構造に関する。
ＬＳＩの高集積化に伴って、配線抵抗、ソース・ドレイ
ン抵抗、コンタクト抵抗などの寄生抵抗が増加し、速度
などのデバイス特性を低下させている。これらの抵抗を
低減する方法として多結晶シリコンの表面にシリサイド
層を設けたり、拡散層の表面にシリサイド層を設けるこ
とがアイ・イー・イー・イー、トランザクション オン
エレクトロン デバイス、イーディー２６ （１９７
９年）第３６９頁から第３７１頁ＣＩ Ｅ Ｅ Ｅ ＊
ＴｒａｎｓＥｌｅｃｔｒｕｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ ＥＤ
−２６（１９７９） ｐｐ３６９〜３７１）において論
じられている。
ン抵抗、コンタクト抵抗などの寄生抵抗が増加し、速度
などのデバイス特性を低下させている。これらの抵抗を
低減する方法として多結晶シリコンの表面にシリサイド
層を設けたり、拡散層の表面にシリサイド層を設けるこ
とがアイ・イー・イー・イー、トランザクション オン
エレクトロン デバイス、イーディー２６ （１９７
９年）第３６９頁から第３７１頁ＣＩ Ｅ Ｅ Ｅ ＊
ＴｒａｎｓＥｌｅｃｔｒｕｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ ＥＤ
−２６（１９７９） ｐｐ３６９〜３７１）において論
じられている。
シリサイド中では不純物の拡散係数が大きいために、従
来の様にシリコン上にシリサイドを形成した構造ではシ
リコン中の不純物がシリサイド中に吸われるか、外向拡
散してしまい、シリサイドとシリコンとの界面の不純物
濃度が低下し、シリサイドとシリコンの間のコンタクト
抵抗が増大するという問題があった。
来の様にシリコン上にシリサイドを形成した構造ではシ
リコン中の不純物がシリサイド中に吸われるか、外向拡
散してしまい、シリサイドとシリコンとの界面の不純物
濃度が低下し、シリサイドとシリコンの間のコンタクト
抵抗が増大するという問題があった。
本発明の目的はシリサイドとシリコンの間の不純物濃度
の低下を防止し、低抵抗のコンタクト抵抗を得ることに
ある。
の低下を防止し、低抵抗のコンタクト抵抗を得ることに
ある。
上記目的はシリサイド表面を下のシリコン中にドープさ
れる不純物元素を含む物質で被覆することにより、達成
される。
れる不純物元素を含む物質で被覆することにより、達成
される。
本構造ではシリサイド表面はシリサイドの下のシリコン
よりも不純物濃度が高いので、熱処理した場合、シリコ
ンからよりもむしろシリサイド表面に形成した物質から
供給されるのでシリサイドとシリコン界面の不純物濃度
の低下はない。従ってシリサイド・シリコン間のコンタ
クト抵抗の増大は生じない。
よりも不純物濃度が高いので、熱処理した場合、シリコ
ンからよりもむしろシリサイド表面に形成した物質から
供給されるのでシリサイドとシリコン界面の不純物濃度
の低下はない。従ってシリサイド・シリコン間のコンタ
クト抵抗の増大は生じない。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。ソー
ス及びドレイン領域の形成された半導体基板１０にゲー
ト電極３０が形成され、また、ソース・ドレイン領域か
らポリシリコン４０とタングステンシリサイド５０を積
層した引き出し電極が形成されている。ポリシリコン４
０には低抵抗化及びコンタクト抵抗低減のためにボロン
がドープされている。シリサイド５０上にボロンを含む
膜６０例えば窒化ボロン、ボロンガラス、ボロンがドー
プポリシリコンが形成される。その上に酸化膜７０が形
成されている。本発明によればシリサイド上にボロンを
含む膜が形成さ−れているので、その後、活性化の為の
熱処理を施してもボロンを含む膜からボロンシリサイド
中に拡散するのでシリサイドの下のポリシリコンとシリ
サイドとの界面のボロン濃度が下がってコンタクト抵抗
が増大するということがない。
ス及びドレイン領域の形成された半導体基板１０にゲー
ト電極３０が形成され、また、ソース・ドレイン領域か
らポリシリコン４０とタングステンシリサイド５０を積
層した引き出し電極が形成されている。ポリシリコン４
０には低抵抗化及びコンタクト抵抗低減のためにボロン
がドープされている。シリサイド５０上にボロンを含む
膜６０例えば窒化ボロン、ボロンガラス、ボロンがドー
プポリシリコンが形成される。その上に酸化膜７０が形
成されている。本発明によればシリサイド上にボロンを
含む膜が形成さ−れているので、その後、活性化の為の
熱処理を施してもボロンを含む膜からボロンシリサイド
中に拡散するのでシリサイドの下のポリシリコンとシリ
サイドとの界面のボロン濃度が下がってコンタクト抵抗
が増大するということがない。
前記実施例では不純物元素がホロンの場合について述べ
たが、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ、ＧａなどＰ型及びｎ型の不純物
元素でも良い。これらは各不純物元素の化合物と５ｉＯ
ｚからなるガラスなどが用いられている。更に、ｐ−Ｍ
ＯＳの場合について述べたが、ｎ−ＭＯＳに適用できる
。
たが、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ、ＧａなどＰ型及びｎ型の不純物
元素でも良い。これらは各不純物元素の化合物と５ｉＯ
ｚからなるガラスなどが用いられている。更に、ｐ−Ｍ
ＯＳの場合について述べたが、ｎ−ＭＯＳに適用できる
。
第２図はバイポーラトランジスタへの実施例を示す、エ
ミッタ、ベース、コレクタ領域を有する半導体基板１０
上にＬＯＧＯＳ酸化膜２０上に引き出したボロンをドー
プしたポリシリコン４０゜シリサイド５０及びその上に
ボロンの拡散源となる膜６０例えばボロンガラスが積層
して形成されている。更に一部酸化膜７０を介してエミ
ッタ電極８０が形成されている６本実施例に於いてはボ
ロンガラスからボロンがシリサイド中に供給されるので
シリサイド下のポリシリコンとシリサイドとの界面のボ
ロン濃度が下がってコンタクト抵抗が増大するというこ
とがない。
ミッタ、ベース、コレクタ領域を有する半導体基板１０
上にＬＯＧＯＳ酸化膜２０上に引き出したボロンをドー
プしたポリシリコン４０゜シリサイド５０及びその上に
ボロンの拡散源となる膜６０例えばボロンガラスが積層
して形成されている。更に一部酸化膜７０を介してエミ
ッタ電極８０が形成されている６本実施例に於いてはボ
ロンガラスからボロンがシリサイド中に供給されるので
シリサイド下のポリシリコンとシリサイドとの界面のボ
ロン濃度が下がってコンタクト抵抗が増大するというこ
とがない。
以上の実施例ではシリサイド下はポリシリコンであるが
、本特許はシリサイドの下層は単結晶シリコンであって
も良い。即ちシリサイド接合にも適用できる。
、本特許はシリサイドの下層は単結晶シリコンであって
も良い。即ちシリサイド接合にも適用できる。
本発明によれば、シリサイド膜上の不純物を含む膜から
シリサイド膜中に不純物が導入されるのでシリサイドと
下地シリコンとの界面の不純物濃度が低下せず、シリサ
イドとシリコンとのコンタクト抵抗の増大をなくすこと
ができる。
シリサイド膜中に不純物が導入されるのでシリサイドと
下地シリコンとの界面の不純物濃度が低下せず、シリサ
イドとシリコンとのコンタクト抵抗の増大をなくすこと
ができる。
第１図は本発明の一実施例のＭＯＳトランジスタの縦断
面図、第２図はバイポーラトランジスタの縦断面図であ
る。 １０・・・半導体基板、２０・・・酸化膜、３０・・・
ゲート電極、４０・・・ポリシリコン、５０・・・シリ
サイド、６０・・・不純物拡散源を含む膜、７０・・・
酸化膜、８ｏ・・・エミッタ電極。 茗 は ７θ １０−−一 半Ｎ芋体 ２σ−酸化哄 ３σ−−−ケート電在区 ４（−−−４ンリシリコン ９−ｍ−シリナイＦ′ ｂσ −−一 捲槃）和とつ゛ろ贋 ７θ−−−？鴫ＥイＬ−大速 ｌθ−−一斗羊停自本 ２σ −−−メ聴ビイＬ二月声ｉ ４σ−−−ホゝリンリコン ５σ −−−シリψイｐ′ 勿 −−一菰郭Ｕ掌乙な８庚 ・２り −・−１１自ミイと：ｆ−【 勿 −−一 エミ・り中１に
面図、第２図はバイポーラトランジスタの縦断面図であ
る。 １０・・・半導体基板、２０・・・酸化膜、３０・・・
ゲート電極、４０・・・ポリシリコン、５０・・・シリ
サイド、６０・・・不純物拡散源を含む膜、７０・・・
酸化膜、８ｏ・・・エミッタ電極。 茗 は ７θ １０−−一 半Ｎ芋体 ２σ−酸化哄 ３σ−−−ケート電在区 ４（−−−４ンリシリコン ９−ｍ−シリナイＦ′ ｂσ −−一 捲槃）和とつ゛ろ贋 ７θ−−−？鴫ＥイＬ−大速 ｌθ−−一斗羊停自本 ２σ −−−メ聴ビイＬ二月声ｉ ４σ−−−ホゝリンリコン ５σ −−−シリψイｐ′ 勿 −−一菰郭Ｕ掌乙な８庚 ・２り −・−１１自ミイと：ｆ−【 勿 −−一 エミ・り中１に
Claims (1)
- １、多結晶シリコン或いはシリコン上にシリサイド層が
形成された構造において、シリサイド層表面を下地多結
晶シリコン或いはシリコンにドープされている不純物元
素を有する物質で覆つたことを特徴とするシリサイド層
を備えた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14508787A JPS63310138A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | シリサイド層を備えた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14508787A JPS63310138A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | シリサイド層を備えた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63310138A true JPS63310138A (ja) | 1988-12-19 |
Family
ID=15377080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14508787A Pending JPS63310138A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | シリサイド層を備えた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63310138A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06333872A (ja) * | 1993-05-25 | 1994-12-02 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-06-12 JP JP14508787A patent/JPS63310138A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06333872A (ja) * | 1993-05-25 | 1994-12-02 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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