JPS63308938A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63308938A JPS63308938A JP14584087A JP14584087A JPS63308938A JP S63308938 A JPS63308938 A JP S63308938A JP 14584087 A JP14584087 A JP 14584087A JP 14584087 A JP14584087 A JP 14584087A JP S63308938 A JPS63308938 A JP S63308938A
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- electrode
- wiring
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- Pending
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
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- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野］
この発明は半導体装置に関し、特に］能上遮光須域を必
要とする半導体装置に関するものである。
要とする半導体装置に関するものである。
［従来の技ＩＪｊ ］
第３図は従来の固体Ｗｊ像素子の出力部を示す概略平面
図であり、第４図は第３図の■−［Ｖ断面図である。
図であり、第４図は第３図の■−［Ｖ断面図である。
両図を参照して、以下その構成について説明する。
半導体基板６上に絶縁膜７を介して装置内部と導通する
電極引出用パッド１が形成され、これに配線４が直接ま
たは保護回路２を介して接続される。配線４と電極引出
用バッド１とは同一層をバターニングして形成されるた
め、配線４と他の電極引出用パッド１とは図に示すごと
く所定外１１１０２２１１す必要がある。また、電極引
出用バッド１上には絶縁膜７が形成されるが、この上に
外部と導）１するための２層目電極３が絶縁ＩＩＩ ７
に開口を設＋−＋て電極引出用パッドと接続して形成さ
蛛る。
電極引出用パッド１が形成され、これに配線４が直接ま
たは保護回路２を介して接続される。配線４と電極引出
用バッド１とは同一層をバターニングして形成されるた
め、配線４と他の電極引出用パッド１とは図に示すごと
く所定外１１１０２２１１す必要がある。また、電極引
出用バッド１上には絶縁膜７が形成されるが、この上に
外部と導）１するための２層目電極３が絶縁ＩＩＩ ７
に開口を設＋−＋て電極引出用パッドと接続して形成さ
蛛る。
固体礒像素子にあっては、外部から不用光が入射すると
照射を受けた半導体領域の電子が励起されて、これが光
電変換部にて正規に発生し転送されている電子に混入す
るとその信号出力にノイズを発生する。そのため、入出
力部において受光部以外に光が進入することを阻１トす
るため２層目電極３の部分を除いて、遮光用金属膜５が
絶縁膜７上に形成される。この場合、遮光用金属１５は
２層目電極３と同一層をバターニングすることによって
形成されるので、両者は所定外１１Ｄ、ｌ１１１す必要
がある。
照射を受けた半導体領域の電子が励起されて、これが光
電変換部にて正規に発生し転送されている電子に混入す
るとその信号出力にノイズを発生する。そのため、入出
力部において受光部以外に光が進入することを阻１トす
るため２層目電極３の部分を除いて、遮光用金属膜５が
絶縁膜７上に形成される。この場合、遮光用金属１５は
２層目電極３と同一層をバターニングすることによって
形成されるので、両者は所定外１１Ｄ、ｌ１１１す必要
がある。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のような従来の半導体装置では、遮光用金属膜が形
成されてはいるがその遮光効果については十分とはいえ
なかった。
成されてはいるがその遮光効果については十分とはいえ
なかった。
すなわち、上述のように電極引出用パッド１と配線４と
は距離Ｄ２だけ２層目電１（ｉ３と遮光用金属ｌ！ｌ
５とは距離り、だけバターニングのため離す必要がある
ので、第４図において入射光８が照射した際Ａで示す範
囲は遮光用台Ｒ膜５の遮光効果がなく、半導体基板６に
入射光８の影響を与えるのである。
は距離Ｄ２だけ２層目電１（ｉ３と遮光用金属ｌ！ｌ
５とは距離り、だけバターニングのため離す必要がある
ので、第４図において入射光８が照射した際Ａで示す範
囲は遮光用台Ｒ膜５の遮光効果がなく、半導体基板６に
入射光８の影響を与えるのである。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、上述のＡの範囲に相当する部分からの入射光の侵入
量を減らし、信号出力のノイズの発生を少なくする半導
体装置を提供することを目的とする。
で、上述のＡの範囲に相当する部分からの入射光の侵入
量を減らし、信号出力のノイズの発生を少なくする半導
体装置を提供することを目的とする。
［問題点を解決するだめの手段］
この発明に係る半導体装置は、電極引出用パッド上に形
成される？１！極の大きさを調整し、１！極と遮光慢と
の間隙を電極引出用パッドに接続される配線の上方に位
置させるものである。
成される？１！極の大きさを調整し、１！極と遮光慢と
の間隙を電極引出用パッドに接続される配線の上方に位
置させるものである。
［作用］
この発明においては、バターニング上必要な電極と遮光
贈との間隙から侵入する入射光の相当量がその下部に位
置する配線によって侵入が阻止される。
贈との間隙から侵入する入射光の相当量がその下部に位
置する配線によって侵入が阻止される。
［実施例］
第１図はこの発明の一実施例を示す固体撮像素子の出力
部の概略平面図であり、第２図は第１図の■−■断面図
である。
部の概略平面図であり、第２図は第１図の■−■断面図
である。
両図を参照して、以下この発明の構成について説明する
。
。
半導体基板６上に絶縁膜７を介して装置内部と導通する
電極引出用パッド１が形成され、これに配線４が直接ま
たは保護回路２を介して接続される。配線４と他の電極
引出用パッド１とは従来と同じく所定外（１１１０２Ｍ
す必要がある。また、７Ｅ極引出用パツド上には絶縁膜
７が形成されるが、この上に外部と導通するための２Ｆ
ｇｉ目胃極３が絶縁膜７に間口を設けて電極引出用パッ
ド１と接続して形成される。このとき、この２層目［１
３を従来より拡張してその端部が第２図に示すように配
線４の上方に重なるような大きさに形成する。２層目電
極３の形成部分を除いて、絶縁膜７上に遮光用金属膜５
が形成され、２１Ｆ１目電極３とはバターニングの関係
でやはり所定外１ｍＤ、Ｉ！Ｉｆｆされるが、この間隙
は１ｌＩｉ！線４の上方にくるように配置することが重
要である。
電極引出用パッド１が形成され、これに配線４が直接ま
たは保護回路２を介して接続される。配線４と他の電極
引出用パッド１とは従来と同じく所定外（１１１０２Ｍ
す必要がある。また、７Ｅ極引出用パツド上には絶縁膜
７が形成されるが、この上に外部と導通するための２Ｆ
ｇｉ目胃極３が絶縁膜７に間口を設けて電極引出用パッ
ド１と接続して形成される。このとき、この２層目［１
３を従来より拡張してその端部が第２図に示すように配
線４の上方に重なるような大きさに形成する。２層目電
極３の形成部分を除いて、絶縁膜７上に遮光用金属膜５
が形成され、２１Ｆ１目電極３とはバターニングの関係
でやはり所定外１ｍＤ、Ｉ！Ｉｆｆされるが、この間隙
は１ｌＩｉ！線４の上方にくるように配置することが重
要である。
したがって、第２図にて示すように入射光８が入射した
とき、２層目電極３と遮光用台ｆｌ膿５との間隙の範囲
（Ａにて示す）から侵入した光は、その下方に位置する
配線４によって阻止され半導体Σ多板６には到達しない
。
とき、２層目電極３と遮光用台ｆｌ膿５との間隙の範囲
（Ａにて示す）から侵入した光は、その下方に位置する
配線４によって阻止され半導体Σ多板６には到達しない
。
４ンお、上記実施例では、２ｑ配線構造に適用している
が、３層以上の多層配線構造であっても同様に適用でき
ることは言うまでもない。
が、３層以上の多層配線構造であっても同様に適用でき
ることは言うまでもない。
また、上記実施例では、固体撮像素子の出力部について
適用しているが、他の部分または他の装置でも不用光の
侵入を閉止する必要のある多層配線構造を有するもので
あれば同様に適用できる。
適用しているが、他の部分または他の装置でも不用光の
侵入を閉止する必要のある多層配線構造を有するもので
あれば同様に適用できる。
［発明の効果］
この発明は以上説明したとおり、絶縁膜上に形成される
電極の大きさを調整して、遮光膿との間隙を配線上方に
位置するようにしたのでその間隙から侵入する不用光を
従来に比して大幅に削減でき、出力信号にノイズが少な
い半導体装置となる効果がある。
電極の大きさを調整して、遮光膿との間隙を配線上方に
位置するようにしたのでその間隙から侵入する不用光を
従来に比して大幅に削減でき、出力信号にノイズが少な
い半導体装置となる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す概略平面図、第２図
は第１図のト（断面図、第３図は従来の固体撮像素子の
出力部を示す概略平面図、第４図は第３図のＩＶ−ｒＶ
断面図である。 図において、１は電極引出用パッド、３は２Ｉｌｉ目電
極、４は配線、５は遮光用金ｆｉ！膜、６は半導体基板
、７は絶縁膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
は第１図のト（断面図、第３図は従来の固体撮像素子の
出力部を示す概略平面図、第４図は第３図のＩＶ−ｒＶ
断面図である。 図において、１は電極引出用パッド、３は２Ｉｌｉ目電
極、４は配線、５は遮光用金ｆｉ！膜、６は半導体基板
、７は絶縁膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (6)
- （１）半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された電極引出用パッドと、 前記電極引出用パッドに接続する配線と、 前記電極引出用パッドおよび前記配線上に形成される絶
縁膜と、 前記電極引出用パッド上方であって、前記絶縁膜上に前
記電極引出用パッドと導通して形成される電極と、 前記絶縁膜上に、前記電極と所定の距離を有して形成さ
れる遮光膜とを備え、 前記電極と前記遮光膜との間隙の少なくとも一部が、前
記配線の上方に位置する、半導体装置。 - （２）前記電極引出用パッドと前記電極とは、２層配線
構造を構成する、特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置。 - （３）前記電極は、前記電極引出用パッド上の絶縁膜に
設けられた開口を介して前記電極引出用パッドに接続す
る、特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体装
置。 - （４）前記遮光膜は、金属膜である、特許請求の範囲第
１項、第２項または第３項記載の半導体装置。 - （５）前記電極引出用パッド、前記配線および前記電極
は、固体撮像素子の入出力部を構成する、特許請求の範
囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の半導体装置。 - （６）前記電極引出用パッドおよび前記配線は、前記半
導体基板上に絶縁膜を介して形成される、特許請求の範
囲第１項ないし第５項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14584087A JPS63308938A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14584087A JPS63308938A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63308938A true JPS63308938A (ja) | 1988-12-16 |
Family
ID=15394320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14584087A Pending JPS63308938A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63308938A (ja) |
-
1987
- 1987-06-10 JP JP14584087A patent/JPS63308938A/ja active Pending
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