JPS6330734B2 - - Google Patents
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- JPS6330734B2 JPS6330734B2 JP55018068A JP1806880A JPS6330734B2 JP S6330734 B2 JPS6330734 B2 JP S6330734B2 JP 55018068 A JP55018068 A JP 55018068A JP 1806880 A JP1806880 A JP 1806880A JP S6330734 B2 JPS6330734 B2 JP S6330734B2
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- JP
- Japan
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- deflection
- electron beam
- magnetic permeability
- high magnetic
- tube
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/70—Arrangements for deflecting ray or beam
- H01J29/72—Arrangements for deflecting ray or beam along one straight line or along two perpendicular straight lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/123—Flat display tubes
- H01J31/124—Flat display tubes using electron beam scanning
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
テレビジヨン受像管等の通常の陰極線管におい
ては、電子銃が蛍光面に対向してこれとほぼ直交
する方向に沿つて後方に延長して配置された構成
を採るもので、これがため陰極線管管体の奥行き
は可成り大となる。これに対し電子銃を蛍光面の
面方向に沿う水平方向、或いは垂直方向に沿つて
延びるように配置して管体の扁平化をはかつたい
わゆる扁平型陰極線管が提案された。
ては、電子銃が蛍光面に対向してこれとほぼ直交
する方向に沿つて後方に延長して配置された構成
を採るもので、これがため陰極線管管体の奥行き
は可成り大となる。これに対し電子銃を蛍光面の
面方向に沿う水平方向、或いは垂直方向に沿つて
延びるように配置して管体の扁平化をはかつたい
わゆる扁平型陰極線管が提案された。
この種、扁平型陰極線管において一般的な構造
のものは、その電子銃から発射される電子ビーム
を蛍光面上で走査させるための水平及び垂直方向
の偏向は夫々電磁偏向によるものが一般的であ
る。ところがこのように水平及び垂直の両偏向を
電磁偏向によつて行うものは、構造が複雑で厚み
も大きくなつて、扁平型陰極線管の本来の特徴を
充分発揮していないという結果をもたらしてい
る。
のものは、その電子銃から発射される電子ビーム
を蛍光面上で走査させるための水平及び垂直方向
の偏向は夫々電磁偏向によるものが一般的であ
る。ところがこのように水平及び垂直の両偏向を
電磁偏向によつて行うものは、構造が複雑で厚み
も大きくなつて、扁平型陰極線管の本来の特徴を
充分発揮していないという結果をもたらしてい
る。
そして近時、この扁平型陰極線管において、そ
の水平及び垂直の両偏向を静電的に行うものが提
案された。この場合、その構造は簡潔小型化され
るが、大きな偏向角が要求される方向の偏向すな
わち螢光面に対する電子銃の軸心方向とほぼ直交
する方向の偏向に関しては偏向歪が生じ易く、ま
た、大きな偏向電圧を必要とし、これに伴つて回
路系のパワーが大きくなつてしまうなどの欠点が
ある。
の水平及び垂直の両偏向を静電的に行うものが提
案された。この場合、その構造は簡潔小型化され
るが、大きな偏向角が要求される方向の偏向すな
わち螢光面に対する電子銃の軸心方向とほぼ直交
する方向の偏向に関しては偏向歪が生じ易く、ま
た、大きな偏向電圧を必要とし、これに伴つて回
路系のパワーが大きくなつてしまうなどの欠点が
ある。
本発明においては、この種扁平型陰極線管にお
いて、全体として比較的簡潔な構成をとり、更に
高い効率をもつて電子ビームの偏向を行うことが
できるようにしパワーの低減化をはかるものであ
る。
いて、全体として比較的簡潔な構成をとり、更に
高い効率をもつて電子ビームの偏向を行うことが
できるようにしパワーの低減化をはかるものであ
る。
すなわち本発明においては、例えば電子ビーム
の大きな偏向角を必要とする方向の偏向は電磁偏
向によつて行い偏向角が比較的小さい方向の偏向
は静電偏向によつて行う。そして管体内に電磁偏
向のための磁束を電子ビームに集中させる高透磁
率体を配置する。そして、或る場合は、この高透
磁率体として電気伝導性のある磁性体を用い、こ
れに静電偏向の電極板としての機能を持たしめて
構成のより簡潔化をはかる。
の大きな偏向角を必要とする方向の偏向は電磁偏
向によつて行い偏向角が比較的小さい方向の偏向
は静電偏向によつて行う。そして管体内に電磁偏
向のための磁束を電子ビームに集中させる高透磁
率体を配置する。そして、或る場合は、この高透
磁率体として電気伝導性のある磁性体を用い、こ
れに静電偏向の電極板としての機能を持たしめて
構成のより簡潔化をはかる。
以下第１図ないし第４図を参照して本発明の一
例を詳細に説明する。図中１は本発明による扁平
型陰極線管を全体として示す。２はその扁平管体
で、この管体２は、例えば板状の第１のガラス基
板２ａと、周辺部にフランジ部２b1を有し、この
フランジ部２b1が基板２ａの周辺部に接合封着さ
れる皿状の第２のガラス基板２ｂとより成り、両
基板２ａ及び２ｂ間に扁平空間が形成されるよう
になされる。そして、その一側辺に扁平空間の面
方向に沿つて外側に延長してネツク管２ｃが設け
られ、このネツク管２ｃ内に電子銃３が収容配置
される。一方の基板２ａの内面には、光透過性の
ターゲツト電極４が被着され、これの上に螢光面
５が塗布される。又は、螢光体を先に塗布して、
その上にメタルバツクを施してターゲツト電極と
しても良い。そして、他方の基板２ｂ側には、
夫々ターゲツト電極４と対向して背面電極６及び
中間電極７が配置される。これら電極６及び７
は、例えば板状電極より成り、夫々支持ピン８を
介してスタツド９にとりつけられ、スタツド９が
基板２ｂの内面にフリツト付けされて所定位置に
固定されるようになされている。背面電極６は主
として、螢光面５に対向するように配置され、中
間電極７は、電極６と隣合つて、その電子銃３の
配置側に配置される。ターゲツト電極４と、中間
電極７とには高圧の陽極電圧、例えば5KVが印
加され、背面電極６には陽極電圧よりは低い高
圧、例えば4KVが与えられる。ネツク管２ｃ及
び電子銃３は、前述したように、扁平空間の面方
向、すなわち螢光面５の面方向に沿つて延長する
ように配置されるが、図示の例では電子銃３の軸
心が、螢光面５の画面におけるほぼ中央の垂直走
査方向に沿いこの螢光面５と直交する面内に配置
されるようにした場合である。
例を詳細に説明する。図中１は本発明による扁平
型陰極線管を全体として示す。２はその扁平管体
で、この管体２は、例えば板状の第１のガラス基
板２ａと、周辺部にフランジ部２b1を有し、この
フランジ部２b1が基板２ａの周辺部に接合封着さ
れる皿状の第２のガラス基板２ｂとより成り、両
基板２ａ及び２ｂ間に扁平空間が形成されるよう
になされる。そして、その一側辺に扁平空間の面
方向に沿つて外側に延長してネツク管２ｃが設け
られ、このネツク管２ｃ内に電子銃３が収容配置
される。一方の基板２ａの内面には、光透過性の
ターゲツト電極４が被着され、これの上に螢光面
５が塗布される。又は、螢光体を先に塗布して、
その上にメタルバツクを施してターゲツト電極と
しても良い。そして、他方の基板２ｂ側には、
夫々ターゲツト電極４と対向して背面電極６及び
中間電極７が配置される。これら電極６及び７
は、例えば板状電極より成り、夫々支持ピン８を
介してスタツド９にとりつけられ、スタツド９が
基板２ｂの内面にフリツト付けされて所定位置に
固定されるようになされている。背面電極６は主
として、螢光面５に対向するように配置され、中
間電極７は、電極６と隣合つて、その電子銃３の
配置側に配置される。ターゲツト電極４と、中間
電極７とには高圧の陽極電圧、例えば5KVが印
加され、背面電極６には陽極電圧よりは低い高
圧、例えば4KVが与えられる。ネツク管２ｃ及
び電子銃３は、前述したように、扁平空間の面方
向、すなわち螢光面５の面方向に沿つて延長する
ように配置されるが、図示の例では電子銃３の軸
心が、螢光面５の画面におけるほぼ中央の垂直走
査方向に沿いこの螢光面５と直交する面内に配置
されるようにした場合である。
そして、電子銃３より発射される電子ビームを
電子銃３の軸心方向とほぼ直交し、且つほぼ螢光
面５の面方向に関して偏向（以下水平偏向とい
う）させる偏向手段と、螢光面５と直交する方向
の偏向（以下垂直偏向という）させる偏向手段と
が設けられる。そして、この水平偏向によつて、
電子ビームの螢光面５上の水平方向走査がなさ
れ、垂直偏向と背面電極６及び中間電極７とター
ゲツト電極４との電位差に基く偏向との共働によ
つて電子ビームの螢光面５上の垂直方向走査がな
される。したがつてこの場合、電子ビームに対す
る上述の垂直偏向は、例えばその偏向角が10゜〜
20゜という小さい角度でよい。この電子ビームに
対する水平偏向と垂直偏向とは、例えばその偏向
角が小さい方の垂直偏向は静電偏向により、また
これに比し、大きな偏向角を必要とする水平偏向
は電磁偏向による。
電子銃３の軸心方向とほぼ直交し、且つほぼ螢光
面５の面方向に関して偏向（以下水平偏向とい
う）させる偏向手段と、螢光面５と直交する方向
の偏向（以下垂直偏向という）させる偏向手段と
が設けられる。そして、この水平偏向によつて、
電子ビームの螢光面５上の水平方向走査がなさ
れ、垂直偏向と背面電極６及び中間電極７とター
ゲツト電極４との電位差に基く偏向との共働によ
つて電子ビームの螢光面５上の垂直方向走査がな
される。したがつてこの場合、電子ビームに対す
る上述の垂直偏向は、例えばその偏向角が10゜〜
20゜という小さい角度でよい。この電子ビームに
対する水平偏向と垂直偏向とは、例えばその偏向
角が小さい方の垂直偏向は静電偏向により、また
これに比し、大きな偏向角を必要とする水平偏向
は電磁偏向による。
このような偏向手段としては、その水平及び垂
直の両偏向、すなわち電磁偏向と静電偏向とを共
通の偏向手段１０によつて同一位置で行う構成と
なし得る。この偏向手段１０は、例えば電子銃３
の後段に設けられる。この手段１０は、例えば電
子銃３の後段側において、管体２の外周を繞つて
高透磁率の例えばフエライトより成る環状の磁気
コア１１と水平偏向電流を通ずる電磁線輪１２
と、管体２内に配置される高透磁率磁性体１３と
によつて構成される。磁気コア１１は、例えば第
４図にその断面を示すように管体２の外周を繞る
環状となすも、管体２内の電子ビームの通路を挾
んで管体２内の高透磁率磁性体１３の形状に対応
する形状の例えば台形状の対のセンターポール１
１ａ及び１１ｂを管体２の厚さ方向に関して相対
向するように内側に突出させ、これらセンターポ
ール１１ａ及び１１ｂ、或いはその何れか一方の
外周に線輪１２を鞍型に巻装する。このようにし
て線輪１２に通ずる水平偏向電流に応じた磁束を
両センターポール１１ａ及び１１ｂ間に、すなわ
ち管体２を横切つて発生させ、管体２内の電子ビ
ームの通路に管体２の厚み方向の磁場を与えるよ
うにする。一方、管体２内の両センターポール１
１ａ及び１１ｂ間において、電子ビームの通路に
臨んで高透磁率体１３が配置される。この高透磁
率体１３は電子ビームの通路を挾んで管体２の厚
み方向に関する両側に相対向し、螢光面５に向つ
て夫々広がる対の例えば台形板状高透磁率体１３
ａ及び１３ｂより成り、これらによつてセンター
ポール１１ａ及び１１ｂ間の磁束を電子ビームの
通路に集中させる。センターポールの形状を、高
透磁率体１３ａ，１３ｂの形状に、この場合には
台形にしたので、効率良く磁束を集中させること
ができる。また、これら対の高透磁率体１３ａ及
び１３ｂは高比抵抗を有するも電気伝導性のある
例えば104〜107Ω程度の比抵抗を有する高透磁率
体、例えばフエライトより構成する。そして、こ
れら対の高透磁率体１３ａ及び１３ｂを電子ビー
ムに対する上述の垂直偏向を行う静電偏向板とな
す。すなわち、両透磁率体１３ａ及び１３ｂより
夫々端子ta及びtbを導出し、両者間に垂直偏向電
圧を印加する。尚、この場合偏向手段１０は、電
子銃３の後段側、すなわち高圧側に配置するの
で、両静電偏向板となる両高透磁率体１３ａ及び
１３ｂには陽極電圧の例えば5KVが与えられ、
これに垂直偏向電圧が重畳して与えられる。これ
ら高透磁率体１３ａ及び１３ｂは、例えば両者間
の間隔が後段側に向つて広がるように、第２図に
示されるようにその厚さを電子銃３側から螢光面
５側に向つて薄くするとか、「八」の字配置とな
し得る。また、これら高透磁率体１３ａ及び１３
ｂは第１図に示されるように前述したようにその
幅が後段側に向つて広がる扇形すなわち台形状と
なし得る。これら高透磁率体１３ａ及び１３ｂは
夫々例えば支持ピン１４を介して、例えばセラミ
ツクより成る絶縁体１５に機械的に固定されて、
第１のガラス基板２ａ又は第２のガラス基板２ｂ
にフリツト付けされ、例えば電子銃３の最終段の
箇状電極、例えば第５グリツド電極にこれと同心
的に連結されて位置合せに供する箇体１６に連結
される。
直の両偏向、すなわち電磁偏向と静電偏向とを共
通の偏向手段１０によつて同一位置で行う構成と
なし得る。この偏向手段１０は、例えば電子銃３
の後段に設けられる。この手段１０は、例えば電
子銃３の後段側において、管体２の外周を繞つて
高透磁率の例えばフエライトより成る環状の磁気
コア１１と水平偏向電流を通ずる電磁線輪１２
と、管体２内に配置される高透磁率磁性体１３と
によつて構成される。磁気コア１１は、例えば第
４図にその断面を示すように管体２の外周を繞る
環状となすも、管体２内の電子ビームの通路を挾
んで管体２内の高透磁率磁性体１３の形状に対応
する形状の例えば台形状の対のセンターポール１
１ａ及び１１ｂを管体２の厚さ方向に関して相対
向するように内側に突出させ、これらセンターポ
ール１１ａ及び１１ｂ、或いはその何れか一方の
外周に線輪１２を鞍型に巻装する。このようにし
て線輪１２に通ずる水平偏向電流に応じた磁束を
両センターポール１１ａ及び１１ｂ間に、すなわ
ち管体２を横切つて発生させ、管体２内の電子ビ
ームの通路に管体２の厚み方向の磁場を与えるよ
うにする。一方、管体２内の両センターポール１
１ａ及び１１ｂ間において、電子ビームの通路に
臨んで高透磁率体１３が配置される。この高透磁
率体１３は電子ビームの通路を挾んで管体２の厚
み方向に関する両側に相対向し、螢光面５に向つ
て夫々広がる対の例えば台形板状高透磁率体１３
ａ及び１３ｂより成り、これらによつてセンター
ポール１１ａ及び１１ｂ間の磁束を電子ビームの
通路に集中させる。センターポールの形状を、高
透磁率体１３ａ，１３ｂの形状に、この場合には
台形にしたので、効率良く磁束を集中させること
ができる。また、これら対の高透磁率体１３ａ及
び１３ｂは高比抵抗を有するも電気伝導性のある
例えば104〜107Ω程度の比抵抗を有する高透磁率
体、例えばフエライトより構成する。そして、こ
れら対の高透磁率体１３ａ及び１３ｂを電子ビー
ムに対する上述の垂直偏向を行う静電偏向板とな
す。すなわち、両透磁率体１３ａ及び１３ｂより
夫々端子ta及びtbを導出し、両者間に垂直偏向電
圧を印加する。尚、この場合偏向手段１０は、電
子銃３の後段側、すなわち高圧側に配置するの
で、両静電偏向板となる両高透磁率体１３ａ及び
１３ｂには陽極電圧の例えば5KVが与えられ、
これに垂直偏向電圧が重畳して与えられる。これ
ら高透磁率体１３ａ及び１３ｂは、例えば両者間
の間隔が後段側に向つて広がるように、第２図に
示されるようにその厚さを電子銃３側から螢光面
５側に向つて薄くするとか、「八」の字配置とな
し得る。また、これら高透磁率体１３ａ及び１３
ｂは第１図に示されるように前述したようにその
幅が後段側に向つて広がる扇形すなわち台形状と
なし得る。これら高透磁率体１３ａ及び１３ｂは
夫々例えば支持ピン１４を介して、例えばセラミ
ツクより成る絶縁体１５に機械的に固定されて、
第１のガラス基板２ａ又は第２のガラス基板２ｂ
にフリツト付けされ、例えば電子銃３の最終段の
箇状電極、例えば第５グリツド電極にこれと同心
的に連結されて位置合せに供する箇体１６に連結
される。
上述したように、本発明においては、電子ビー
ムの互にほぼ直交する方向の偏向、すなわち水平
及び垂直偏向の一方を電磁偏向、他方を静電偏向
によつて行うことによつて、例えば偏向角の大き
い水平偏向に関しては電磁偏向によつて行い、偏
向角が小さく偏向歪の問題が殆んど生じない垂直
方向に関しては静電偏向によるので、従来のよう
に両方向の偏向を電磁偏向によるものに比しては
装置が簡単小型化され、また、両方向の偏向を静
電偏向によるものに比しては、偏向歪の小さい偏
向を行うことができる。
ムの互にほぼ直交する方向の偏向、すなわち水平
及び垂直偏向の一方を電磁偏向、他方を静電偏向
によつて行うことによつて、例えば偏向角の大き
い水平偏向に関しては電磁偏向によつて行い、偏
向角が小さく偏向歪の問題が殆んど生じない垂直
方向に関しては静電偏向によるので、従来のよう
に両方向の偏向を電磁偏向によるものに比しては
装置が簡単小型化され、また、両方向の偏向を静
電偏向によるものに比しては、偏向歪の小さい偏
向を行うことができる。
そして、特に本発明においては電磁偏向手段に
おいて、高透磁率体１３を管体２内に配置して、
電子ビームの通路に磁束を集中させるようにした
ので、線輪１２が配置されたコア１１を管体２外
に配した場合において、管体２を横切る磁束を発
生させる例えばセンターポール１１ａ及び１１ｂ
間の間隔が大となつても電子ビーム通路への磁束
密度を高めることができるので、その効率を高め
ることができる。
おいて、高透磁率体１３を管体２内に配置して、
電子ビームの通路に磁束を集中させるようにした
ので、線輪１２が配置されたコア１１を管体２外
に配した場合において、管体２を横切る磁束を発
生させる例えばセンターポール１１ａ及び１１ｂ
間の間隔が大となつても電子ビーム通路への磁束
密度を高めることができるので、その効率を高め
ることができる。
更に上述したように高透磁率体１３ａ及び１３
ｂを垂直偏向の静電偏向板として用いるときは、
更に構造の簡潔化をはかることができ、水平、垂
直の両偏向を同一位置にしたことと相俟つて、よ
り小型化の向上をはかることができる。
ｂを垂直偏向の静電偏向板として用いるときは、
更に構造の簡潔化をはかることができ、水平、垂
直の両偏向を同一位置にしたことと相俟つて、よ
り小型化の向上をはかることができる。
尚、上述した例においては、偏向手段１０のコ
ア１１に扁平管体２を挾んで両側にセンターポー
ル１１ａ及び１１ｂを突設した場合であるが、或
る場合は第５図に示すように一方のセンターポー
ルを省略することもできるし、更に、或る場合は
第６図に示すように両センターポールを省略する
こともできる。この場合、線輪１２は第６図に実
線をもつて示すように、コア１１の長辺部に鞍型
に配置することもできるし、例えば鎖線図示のよ
うにコア１１の短辺部に巻装することもできる。
尚、このようにセンターポールを省略した場合に
おいてもコア１１の長辺部間の間隔は短辺部間の
間隔より十分小さくでき、更に長辺部間の管体２
には高透磁率体１３ａ，１３ｂが設けられている
ことによつて管体２の厚み方向に沿うように横切
る磁束φを効果的に発生させることができる。
ア１１に扁平管体２を挾んで両側にセンターポー
ル１１ａ及び１１ｂを突設した場合であるが、或
る場合は第５図に示すように一方のセンターポー
ルを省略することもできるし、更に、或る場合は
第６図に示すように両センターポールを省略する
こともできる。この場合、線輪１２は第６図に実
線をもつて示すように、コア１１の長辺部に鞍型
に配置することもできるし、例えば鎖線図示のよ
うにコア１１の短辺部に巻装することもできる。
尚、このようにセンターポールを省略した場合に
おいてもコア１１の長辺部間の間隔は短辺部間の
間隔より十分小さくでき、更に長辺部間の管体２
には高透磁率体１３ａ，１３ｂが設けられている
ことによつて管体２の厚み方向に沿うように横切
る磁束φを効果的に発生させることができる。
また、上述した例においては偏平手段１０のコ
ア１１を管体２外に配置した場合であるが、或る
場合は管体２内に、管壁に沿うように配置するこ
ともでき、この場合、高透磁率体１３ａ及び１３
ｂはコア１１の相対向する長辺部に接近ないしは
一体に連結することもできるが、この場合、高透
磁率体に電気伝導性があるものにおいては少くと
も一方の高透磁率体１３ａまたは１３ｂはコア１
１と電気的には絶縁する空隙の形成、或いは絶縁
材層の介存を行う。
ア１１を管体２外に配置した場合であるが、或る
場合は管体２内に、管壁に沿うように配置するこ
ともでき、この場合、高透磁率体１３ａ及び１３
ｂはコア１１の相対向する長辺部に接近ないしは
一体に連結することもできるが、この場合、高透
磁率体に電気伝導性があるものにおいては少くと
も一方の高透磁率体１３ａまたは１３ｂはコア１
１と電気的には絶縁する空隙の形成、或いは絶縁
材層の介存を行う。
尚、上述したように高透磁率体１３として電気
伝導性を有するものを用いた場合においても、十
分比抵抗の大きいものを用いることによつて渦電
流損は減少させることができ、またこのように高
比抵抗のものを用いても垂直偏向信号の周波数は
低い周波数であるので何ら支障は生じない。
伝導性を有するものを用いた場合においても、十
分比抵抗の大きいものを用いることによつて渦電
流損は減少させることができ、またこのように高
比抵抗のものを用いても垂直偏向信号の周波数は
低い周波数であるので何ら支障は生じない。
第１図は本発明による扁平型陰極線管の一例を
示す一部を断面とする背面図、第２図は同様の一
部を断面とする側面図、第３図はその後面図、第
４図はその偏向手段の一例の一部を断面とする配
置図、第５図及び第６図は夫々偏向手段の他の例
を示す一部を断面とする配置図である。 １は本発明による扁平型陰極線管、２はその扁
平管体、２ａ及び２ｂはその第１及び第２の基
板、２ｃはネツク管、３は電子銃、４はターゲツ
ト電極、５は螢光面、６は背面電極、７は中間電
極、１０は偏向手段、１１はそのコア、１２は線
輪、１３は高透磁率体である。
示す一部を断面とする背面図、第２図は同様の一
部を断面とする側面図、第３図はその後面図、第
４図はその偏向手段の一例の一部を断面とする配
置図、第５図及び第６図は夫々偏向手段の他の例
を示す一部を断面とする配置図である。 １は本発明による扁平型陰極線管、２はその扁
平管体、２ａ及び２ｂはその第１及び第２の基
板、２ｃはネツク管、３は電子銃、４はターゲツ
ト電極、５は螢光面、６は背面電極、７は中間電
極、１０は偏向手段、１１はそのコア、１２は線
輪、１３は高透磁率体である。
Claims (1)
- １ 電子ビームの互にほぼ直交する方向の偏向を
なす静電偏向手段と、電磁偏向手段とを有し、該
電磁偏向手段は陰極線管管体内の上記電子ビーム
の通路に臨んで該電子ビームの通路に磁束を集中
させる高透磁率体が設けられて成る扁平型陰極線
管。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1806880A JPS56116256A (en) | 1980-02-15 | 1980-02-15 | Flat cathode ray tube |
| CA000370504A CA1160672A (en) | 1980-02-15 | 1981-02-10 | Flat cathode ray tube |
| US06/233,388 US4339694A (en) | 1980-02-15 | 1981-02-11 | Flat cathode ray tube |
| AU67199/81A AU545316B2 (en) | 1980-02-15 | 1981-02-11 | Flat crt |
| DE19813105310 DE3105310A1 (de) | 1980-02-15 | 1981-02-13 | Kathodenstrahlroehre |
| GB8104648A GB2069751B (en) | 1980-02-15 | 1981-02-13 | Deflection arrangements in flat cathode ray tubes |
| FR8103017A FR2476387A1 (fr) | 1980-02-15 | 1981-02-16 | Tube a rayons cathodiques plat et compact |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1806880A JPS56116256A (en) | 1980-02-15 | 1980-02-15 | Flat cathode ray tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56116256A JPS56116256A (en) | 1981-09-11 |
| JPS6330734B2 true JPS6330734B2 (ja) | 1988-06-20 |
Family
ID=11961342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1806880A Granted JPS56116256A (en) | 1980-02-15 | 1980-02-15 | Flat cathode ray tube |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPS56116256A (ja) |
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| CA (1) | CA1160672A (ja) |
| DE (1) | DE3105310A1 (ja) |
| FR (1) | FR2476387A1 (ja) |
| GB (1) | GB2069751B (ja) |
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| JPS5790552U (ja) * | 1980-11-26 | 1982-06-03 | ||
| JPS58154143A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | Sony Corp | 複ビ−ム電子銃 |
| GB2155237A (en) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Philips Electronic Associated | Display apparatus including a flat cathode ray tube |
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| JPS5788653A (en) * | 1980-11-25 | 1982-06-02 | Sony Corp | Flat type cathode-ray tube |
-
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-
1981
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- 1981-02-13 GB GB8104648A patent/GB2069751B/en not_active Expired
- 1981-02-16 FR FR8103017A patent/FR2476387A1/fr active Granted
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|---|---|
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| AU545316B2 (en) | 1985-07-11 |
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