JPS63307195A - 気相法ダイヤモンドの合成方法 - Google Patents

気相法ダイヤモンドの合成方法

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JPS63307195A
JPS63307195A JP14133587A JP14133587A JPS63307195A JP S63307195 A JPS63307195 A JP S63307195A JP 14133587 A JP14133587 A JP 14133587A JP 14133587 A JP14133587 A JP 14133587A JP S63307195 A JPS63307195 A JP S63307195A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diamond
gas
hydrogen
wafer
organic compounds
Prior art date
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Pending
Application number
JP14133587A
Other languages
English (en)
Inventor
Kunio Komaki
小巻 邦雄
Takashi Fujimaki
隆 藤巻
Shingo Morimoto
信吾 森本
Yoichi Hirose
洋一 広瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は気相法ダイヤモンドの合成方法に関する。
〈従来の技術) ダイヤモンドの合成に関しては高圧法や爆発法等、炭素
を原料として合成する方法や炭素、水素、窒素、酸素等
を含む有機化合物と水素とを混合し、各種の励起手段に
より、該混合物を分解合成する気相法等がある。前者は
超高温高圧下に於ける相平衡のダイヤモンド安定域中の
黒鉛のダイヤモンドへの変換であるか、後者、即ち気相
法は、低圧域の黒鉛安定域中でのダイヤモンド合成てあ
り、ダイヤモンド相準安定領域を用いる方法である。そ
して、メタン、エタン等の炭化水素に高比率の水素を混
合し、マイクロ波プラズマ、高周波プラズマ、熱フィラ
メント等により励起された空間内に該混合ガスを投入し
て基板上にダイヤモンドを析出させていた。
このような原料を用いた前記方法においては、一般的に
ダイヤモンドの析出速度は10分の数gm/hr程度で
工業化生産には不十分である。これを改良した方法とし
て例えば原料として含酸素有機化合物−水素系を用い方
法か提案されている(特開昭61−183198、同6
l−286299)。
〈発明か解決しようとする問題点〉 実用的にはダイヤモンドの析出速度を早めたり、加熱温
度をより低温にする等反応条件の改善が強く望まれてい
る。
本発明者らはこれらの要望に応するよう種々研究の結果
、NH3ガスと有機化合物を励起空間内に導入すると、
前記含酸素有機化合物−水素系に熱フィラメント方法を
適用した公知方法よりさらにゆるやかな条件てダイヤモ
ンドが析出することを確認して本発明を完成した。
〈問題点を解決するだめの手段〉 即ち本発明は有機化合物から気相法によりダイヤモンド
を合成する方法であって、有機化合物とアンモニヤを含
む原料ガスを熱フィラメント法、又はプラズマ法により
ダイヤモンド生成反応可能状態に励起することを特徴と
する気相法ダイヤモンドの合成方法に関する。
有機化合物としては各種あり、例えばイソオクタン、ア
セトン、トリエチルアミン、酢酸メチル、tert−メ
チルアルコール、プロパツール、ジメチルエーテル、エ
チルメチルケトン、クロロメタンさらには炭素と水素、
炭素と水素と酸素、窒素、ハロゲン等を含む有機化合物
も使用でき、とくにイソオクタンか好ましい。
原料ガスは有機化合物、アンモニヤさらに必要により水
素ガスを含ませることかてきる。
実用的には有機化合物:NH,:N2の常温における容
量比は100 : 0.1〜20:0〜300である。
有機化合物の濃度か大の場合、炭素が析出する。この場
合はN113の外にN2をも含ませることにより、この
炭素を水素と反応させて除去できるのて、前記のように
広範囲の濃度比の原料を用いるーことができる。
メチルラジカル生成可能ガスとしてイソオクタンが好ま
しいのは、イソオクタン1モル当り5ケという多数のメ
チル基を有するからである。
本発明においてはダイヤモンド生成反応可能状態への励
起手段はフィラメント法、プラズマ法に特定される。な
お本発明ではプラズマ法とはマイクロ波、高周波、直流
アーク放電、グロー放電等の放電を云う。この励起手段
はNH3→N2 + H(原子状)により水素を解離生
成させるためであるが、前記の特定の手段は単なるガス
加熱に比して解離がはるかに促進させられる。
又従来のフィラメント温度に比し約20口0Cの低温て
ダイヤモンドの析出が起る。これも従来の水素ガスに比
し、アンモニヤガスが用いられる前記の解離による原子
状水素がより低温で発生するためと判断される。例えば
タングステンフィラメントの場合、ダイヤモンドは従来
の2000℃以上に比し、1800℃で析出する。
又1−C(アイカーボン)成分の結晶への混入は従来公
知のものに比し少ない。
ダイヤモンドはシリコンウェハー等の基板、あるいはS
、C粒表面等に析出させることもでき、さらにダイヤモ
ンドやS、Cの微粒子を種子にしてそれらを流動させ、
その流動状態の表面に析出させることもてきる。後者は
特願昭62− 103240号明細書記載の方法及び装置により実施で
きる。
析出ダイヤモンドの結晶性は公知の従来の方法で製造さ
れたものと少なくとも同等てあり、実用的に問題はない
実施例1 高さ18cffl、直径20c+aの円筒形反応槽の上
部にWフィラメント0.2 m+aφのコイルを配置し
フィラメントの下5mmの距離にダイヤモンドペースト
で研摩処理した巾15mm長さ20謹m厚さ0.5■の
軸ウェハーを置いた。
Wフィラメントを1900°Cに通電加熱し、イソオク
タンとNH,とよりなり、イソオクタン/NH3が1.
5 vojl %である混合ガスを1503CCM反応
槽に導入し1時間反応させた。SCCMとは標準状態に
おける1分間当りのガス量をcm3で表わしたものであ
る。
反応圧力は760Torr 、ウェハ一温度は800℃
てあった。その結果S、ウェハー上に約51Lmの厚さ
の析出物を得た。
析出物表面をレーザーラーマン分光法により測定した結
果1333cIII−1近くに鋭いダイヤモンドによる
ピークと、1550 cm−’付近に非常にブロードで
低いピーク、即ちi−カーボンによるピークを検出した
。又薄膜X線回折法による測定ではダイヤモンド結晶構
造のみのピークを認めた。
以上によりウェハー上の析出物は実質的にダイヤモンド
であり、又その析出速度は5JLm/hrてあった。
実施例2 実施例1に用いた反応槽の上部にWフィラメント0.3
111Ilφのコイルを配置し、フィラメントの下5m
mの距離にダイヤモンドペーストて研摩処理した一辺2
0mmの正方形て厚さ0.5mmのS、ウェハー(10
0)面を設置した。
Wフィラメントを2000℃に通電加熱しアセトンとN
H3とを含みアセトン/NH3か5 voj!%である
混合ガスを11005CC導入し2時間反応させた。
反応圧力は250Torr 、ウェハ一温度は950°
Cてあった。その結果Siウェハー上に約6pmの厚さ
の析出物を得た。析出物表面なラマン分光法により測定
したところ、実施例1とはゾ同様にダイヤモンドとi−
カーボンによるピークを検出し、ウェハー上の析出物は
実質的にダイヤモンドてあり、又その析出速度は3pm
/hrあった。
実施例3 実施例1に用いた反応槽に、実施例2と同様にWフィラ
メント、S1ウエハーを配置した。
Wフィラメントを1800℃に通電加熱し、トリエチア
ミンとNH,とよりなりトリエチルアミン/Nl’l:
lが2voj!%である混合ガスを2008CCM導入
し1時間反応させた。
反応圧力は400Torr 、ウェハ一温度は650°
Cてあった。その結果S、−ウェハー上には約IJLm
の厚さの析出物を得た。
析出物はラマン分光法や、X線回折法により、実質的に
ダイヤモンドにより構成されていることを確認した。
又その析出速度は1 gm /hrてあった。
実施例4 NH3の代りにN]13とN2とが容量比で3:lであ
るガスを用いた以外は実施例2と全く同様の条件て反応
させた。その結果、Siウェハー上に約5.5 p、m
の厚さの析出物を得た。ラマン分光法のスペクトルのダ
イヤモンドピークは実施例1.2とはゾ同様の高さ、ピ
ーク巾てあったが、i−カーボンによるピークは実施例
よりも高かった。
比較例 実施例1と同様なガス組成、ガス流量、基板、基板温度
に設定し、熱フィラメント励起を外部加熱に変えて反応
を行なった。加熱温度を1100°Cとし1時間反応さ
せた。得られたS、ウェハー上の析出物をレーザーラー
マン分光法で測定したところ、アモルファスカーボンと
思われる1360cm−’付近に大きなピークと158
0cm−’付近にも次に大きなピークを検出した。又1
500〜1550cm−’のi−カーボン成分はトレー
ス程度であり、1333cm−’のダイヤモンドのピー
クは検出されなかった。
〈発明の効果〉 従来の気相法ダイヤモンド製造法に比し、その基板への
ダイヤモンド析出速度が少なくともlJLと、早く、又
反応温度も比較的低い等ゆるやか条件で反応が可能とな
り気相法によるダイヤモンドの有利な工業生産か可能と
なった。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 有機化合物から気相法によりダイヤモンドを合成する方
    法において、有機化合物とアンモニヤを含む原料ガスを
    熱フィラメント法、又はプラズマ法によりダイヤモンド
    生成反応可能状態に励起することを特徴とする気相法ダ
    イヤモンドの合成方法。
JP14133587A 1987-06-08 1987-06-08 気相法ダイヤモンドの合成方法 Pending JPS63307195A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14133587A JPS63307195A (ja) 1987-06-08 1987-06-08 気相法ダイヤモンドの合成方法

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JP14133587A JPS63307195A (ja) 1987-06-08 1987-06-08 気相法ダイヤモンドの合成方法

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JPS63307195A true JPS63307195A (ja) 1988-12-14

Family

ID=15289557

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JP14133587A Pending JPS63307195A (ja) 1987-06-08 1987-06-08 気相法ダイヤモンドの合成方法

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