JPS63306073A - 印刷方法 - Google Patents

印刷方法

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JPS63306073A
JPS63306073A JP14126487A JP14126487A JPS63306073A JP S63306073 A JPS63306073 A JP S63306073A JP 14126487 A JP14126487 A JP 14126487A JP 14126487 A JP14126487 A JP 14126487A JP S63306073 A JPS63306073 A JP S63306073A
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Toshirou Kizakihara
稔郎 木崎原
Hisayoshi Yamoto
久良 矢元
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は例えば半導体集積回路素子の表面に樹脂よりな
る保護膜を印刷形成するに通用して好適な印刷方法に関
する。
〔発明の概要〕
本発明は凹版と被印刷物とを密着させて凹版の凹部に充
填した印刷液を被印刷物に転移させる様にした印刷方法
、いわゆる凹版印刷方法において、凹版と被印刷物とを
密着させた後、凹部内の印刷液に転移方向の遠心力を与
えることにより、被印刷物を大きな圧力で凹版に押し付
けて、この被印刷物を凹部内に撓ませなくとも、凹部内
の印刷液を被印刷物に転移できる様にし、金属、セラミ
ックス等、硬いものに対する凹版印刷、或いは大きな圧
力を加えることができないものに対する凹版印刷を可能
にし、例えば半導体集積回路素子に形成される樹脂より
なる保護膜を凹版印刷により行うことができる様にし、
半導体集積回路装置の製造工程数を大幅に低減すること
ができる様にしたものである。
〔従来の技術〕
一般に凹版印刷方法による印刷は、凹版の表面に印刷パ
ターンをなす凹部を形成し、この凹部に印刷液を充填し
た後、この凹版に被印刷物を押し付けて被印刷物を凹部
内に撓ませ、このときの圧力によって凹部内の印刷液を
被印刷物に転移することにより行われる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、斯る従来の凹版印刷方法においては、被
印刷物を凹部内に撓ませる必要があり、このため大きな
圧力を発生させる装置を必要とすると共に、また被印刷
物が紙、フィルム等の軟らかいものに限られてしまい、
金属、セラミックス等、硬いものに対しては凹版印刷を
行うことができないという不都合があった。
ところで、また第3図に示す様に、半導体集積回路素子
(1)をエポキシ樹脂(2)でモールドしてなる半導体
集積回路装置においては、近年、オーバーコート膜をな
すSi3N+ 膜t31上にポリイミド樹脂膜(4)を
設ける様にされている。このポリイミド樹脂膜(4)は
、斯る半導体集積回路装置の製造工程である半導体ウェ
ーハの裏面研摩、分割、分割後のボンディング、モール
ドの各工程でオーバーコート膜をなすS*sN4膜(3
)にクランクが入らない様にこのSi3N+ I!(3
)を保護し、クラックから入り込む水分によって配線層
(5)が腐蝕しない様にすると共に、エポキシ樹脂(2
)のフィシに含有されるウラン、トリウム等より発生す
るα線から半導体集積回路素子(1)を保護し、ソフト
エラーが生己ない様にするために設けられるものである
。尚、この第3図において、(6)は5tCh層、(7
)は接着剤、(8)はリードフレーム、(9)はリード
フレームのリード、(10)は金線である。
ここに従来、斯るポリイミド樹脂膜(4)を形成する方
法としては、いわゆるスピンコード法が用いられている
。しかしながら、このスピンコード法によるときは、全
面にポリイミド樹脂膜を形成した後、このポリイミド樹
脂膜上にレジストを被着し、その後、このレジストを所
定のパターンに形成した後、このレジストをマスクとし
てポリイミド樹脂膜を選択的にエツチングし、ポンディ
ングパッド(5A)上のポリイミド樹脂を除去しなけれ
ばならないという複雑な工程を必要としていた。
そこで、この場合、凹版印刷方法を使用して、−回の印
刷工程で所望のパターンを有するポリイミド樹脂I! 
(4)を形成する様にすることが考えられる。
しかしながら、従来の凹版印刷方法では、半導体集積回
路素子(1)を大きな圧力で凹版に押し付ける必要があ
るため、半導体集積回路素子(1)を破損してしまう場
合があるという不都合があった。
本発明は、斯る点に鑑み、金属、セラミックス等の硬い
もの、或いは大きな圧力を加えることができないものに
対しても凹版印刷を行うことができる様にした印刷方法
を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に依る印刷方法は、例えば第1図に示す様に凹版
(11)と被印刷物(12)とを密着させて凹版(11
)の凹部(13)に充填した印刷液(14)を被印刷物
(12)に転移させる様にした印刷方法において、凹版
(11)と被印刷物(12)とを密着させた後、凹部(
13)内の印刷液(14)に転移方向の遠心力を与える
様にしたものである。
〔作用〕
斯る本発明に依れば、凹部(13)内の印刷液(14)
には転移方向の遠心力が与えられるので、この凹部(1
3)内の印刷液(14)はこの遠心力によって転移方向
、即ち被印刷物(12)側に転移するところとなる。こ
のため、被印刷物(12)を大きな圧力で凹版(11)
に押し付け、この被印刷物(12)を凹部(13)内に
撓ませる様にしなくとも、凹部(13)内の印刷液(1
4)を被印刷物(12)に転移させることができる。
〔実施例〕
以下、第1図〜第3図を参照して本発明印刷方法の一実
施例につき、半導体集積回路素子の表面にポリイミド樹
脂よりなる保護膜を印刷形成する場合を例にして説明し
よう。
先ず本例においては、第1図に示す様に矢印Aの方向に
回転し得る回転軸(15)に同形の4個の印刷室体(1
6)を90度間隔をもって固定して成る印刷装置を用意
する。この場合、印刷室体(16)は中空の五角柱体に
より構成し、その頂稜部(17)を回転軸(15)の軸
方向と一致させて回転軸(15)に固定し、頂稜部(1
7)に対向する面(以下、底面部という)  (1B)
が回転軸(15)の半径方向と直交する様になす、また
印刷室体(16)の底面部(18)の内側に位置決め部
材(19)を設けると共に更にこの位置決め部材(19
)上に支持部材(20)を設け、後述する半導体ウェー
ハ(12)と凹版(11)とをこの底面部(18)の内
側に位置決めし、重畳して固定できる様にする。
また本例においては、被印刷物として半導体ウェーハ(
12)を用意する。この場合、この半導体ウェーハ(1
2)には予め各チップ部分(12A)ごとに必要な回路
素子を形成し、表面全体にオーバーコート膜をなすSi
3N+IWを形成してお(。
また本例においては、印刷原版として凹版(11)を用
意する。この場合、凹版(11)には半導体ウェーハ(
12)の各チップ部分(12^)に対応した所定パター
ンの凹部(13)を設け、この凹部(13)に印刷液と
してポリイミド樹脂をN−メチル−2−ピロリドンに溶
解してなる保護膜材(14)を充填する。
そこで本例においては、第1図に示す様に印刷装置の印
刷室(16)の底面部(1合)に半導体ウェーハ(12
)と凹版(11)とを半導体ウエーノ\(12)の表面
と凹版(11)の凹部形成面とが密着する様に1畳して
固定し、続いて回転軸(15)を矢印Aの方向に回転さ
せる。
この様にすると、凹版(11)の凹部(13)に充填し
た保護膜材(14)に遠心力が加わり、この保護膜材(
14)は半導体ウェーハ(12)の各チップ部分(12
A)の表面に転移し、各チップ部分(12A)ごとに保
護膜材(14)による層が形成される。
次に第2図に示す様に半導体ウェーハ(12)を取り出
し保護膜材層を加熱してこの保護膜材層から溶剤である
N−メチル−2−ピロリドンを藤発させ、硬化されてな
るポリイミド樹脂膜(4)を形成する。
次に半導体ウェーハ(12)の裏面を研摩した後、第3
図に示すと同様に半導体ウェーハ(12)を各チップ(
12A )毎に分割して半導体集積回路素子(1)を得
、この半導体集積回路素子(1)を接着剤(7)を用い
てリードフレーム(8)に固定し、ポンディングパッド
(5A)とリード(9)とを金線(lO)で接続し、更
にリード(9)の先端部分を除き全体をエポキシ樹脂(
2)によってモールドする。
この様に本例においては、半導体ウェーハ(12)を裏
面研摩する前に各チップ部分(12A)ごとにその表面
にポリイミド樹脂膜(4)を設ける様にしているので、
半導体ウェーハ(12)の裏面研摩、分割、分割後のボ
ンディング、モールドの各工程でオーバーコート膜をな
すSi3N+膜(3)にクラックが入らない様にこの5
hy411113)を保護し、クラックから入り込む水
分によって配線層(5)が腐蝕しない様にできると共に
、エポキシ樹脂(2)のフィシに含有されるウラン、ト
リウム等より発生するα線から半導体集積回路素子(1
1を保護し、ソフトエラーを生じさせない様にすること
ができる。
ここに本例においては、凹版印刷方法を使用ししてポリ
イミド樹脂膜(4)を形成する様にしているが、本例に
おいては、印刷時、凹版(11)の凹部(14)に充填
した保護膜材(14)に遠心力を与える様にしているの
で、被印刷物たる半導体ウェーハ(12)を大きな圧力
で凹版(11)に押し付けなくとも、保護膜材(14)
を良好に半導体ウェーハ(12)の各チップ部分(12
A)の表面に転移させることができる。
従って、本例の印刷方法に依れば、半導体ウェーハ(1
2)を破損するおそれもなく、−回の印刷工程と一回の
加熱工程とで所望のパターンを有するポリイミド樹脂I
m(41を形成することができ、スピンコード法によっ
てポリイミド樹脂膜(4)を形成する場合に比し、半導
体集積回路装置の製造工程数を大幅に低減することがで
きるという利益がある。
尚、上述実施例においては、半導体集積回路素子+1)
上にポリイミド樹脂1!1 (4)を形成する場合につ
き述べたが、本発明はこの上述実施例に限らず、シリコ
ン樹脂等積々の樹脂による表面保護膜を形成する場合に
も通用でき、この場合にも上述同様の作用効果を得るこ
とができる。
また上述実施例においては、Si3N+ 1il(3)
上にボリイミド樹脂(4)を形成する場合につき述べた
が、本発明はSbN+膜(3)を設けず、配線層(5)
上に直接ポリイミド樹脂膜(4)を形成する場合にも通
用でき、この場合にも上述同様の作用効果を得ることが
できる。
また上述実施例においては、半導体集積回路素子(1)
の表面に表面保護膜を形成する場合につき述べたが、本
発明は金属、セラミックス、或いは紙、フィルム等に印
刷を行う場合にも通用でき、この場合に・も、上述同様
の作用効果を得ることができる。
また本発明は上述実施例に限らず、本発明の要旨を逸脱
することなく、その他種々の構成が取り得ることは勿論
である。
〔発明の効果〕
本発明に依れば、被印刷物(12)を大きな圧力で凹版
(11)に押し付け、この被印刷物(12)を凹部(1
3)内に撓ませなくとも、凹部(13)内の印刷液(1
4)を被印刷物(12)に転移させることができる様に
されているので、紙、フィルム等、軟らかいものに対す
るほか、金属、セラミックス等、硬いもの、或いは大き
な圧力を加えることができないものに対しても凹版印刷
を行うことができるという利益がある。
特に本発明を半導体集積回路素子(11の表面に樹脂よ
りなる保護膜(4)を形成するに適用するときは一回の
印刷工程と一回の加熱工程とで斯る保護膜(4)を形成
することができるので、スピンコード法により斯る保護
膜(4)を形成する場合に比し、半導体集積回路装置の
製造工程数を大幅に低減することができるという利益が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明印刷方法の一実施例に使用する印刷装置
の一例を示す断面図、第2図及び第3図は夫々本発明の
一実施例の説明に供する線図である。 (11)は凹版、(12)は半導体ウェーハ、(13)
は凹部、(14)は保護膜材である。 卆倚明印矛1方ま1;づ更戸邦印ル1装置つ−づテ)第
1図 ’t4**#oh*xリイq1 第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 凹版と被印刷物とを密着させて上記凹版の凹部に充填し
    た印刷液を上記被印刷物に転移させる様にした印刷方法
    において、 上記凹版と上記被印刷物とを密着させた後、上記凹部内
    の上記印刷液に転移方向の遠心力を与える様にしたこと
    を特徴とする印刷方法。
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