JP2513216B2 - 印刷方法 - Google Patents
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- JP2513216B2 JP2513216B2 JP7317087A JP7317087A JP2513216B2 JP 2513216 B2 JP2513216 B2 JP 2513216B2 JP 7317087 A JP7317087 A JP 7317087A JP 7317087 A JP7317087 A JP 7317087A JP 2513216 B2 JP2513216 B2 JP 2513216B2
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- printing
- film material
- semiconductor wafer
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M1/00—Inking and printing with a printer's forme
- B41M1/10—Intaglio printing ; Gravure printing
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- Printing Methods (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高精度パターン印刷、例えば半導体集積回路
素子に樹脂よりなる表面保護膜を印刷によって形成する
場合に適用して好適な印刷方法に関する。
素子に樹脂よりなる表面保護膜を印刷によって形成する
場合に適用して好適な印刷方法に関する。
本発明は凹版の凹部に印刷液を充填し、この印刷液を
被転写物に転写して印刷する印刷方法、いわゆる凹版印
刷方法において、凹部に対する印刷液の充填を減圧室内
で行う様にすることにより、凹部内に空気が抱き込まれ
るのを回避し、印刷液を凹部内の隅々に完全に充填でき
る様にし、良好な高精度パターン印刷、例えば半導体集
積回路素子に対する樹脂よりなる表面保護膜の印刷形成
を高い精度で行うことができる様にしたものである。
被転写物に転写して印刷する印刷方法、いわゆる凹版印
刷方法において、凹部に対する印刷液の充填を減圧室内
で行う様にすることにより、凹部内に空気が抱き込まれ
るのを回避し、印刷液を凹部内の隅々に完全に充填でき
る様にし、良好な高精度パターン印刷、例えば半導体集
積回路素子に対する樹脂よりなる表面保護膜の印刷形成
を高い精度で行うことができる様にしたものである。
凹版印刷装置による凹版印刷は、凹版の表面に印刷パ
ターンをなす凹部を形成し、この凹部にインクを充填し
た後、この凹版に被転写物を押し付け、凹部に充填され
たインクを被転写物に転写することによって行われる。
また斯る凹版印刷は半導体集積回路素子表面に樹脂より
なる表面保護膜を印刷形成する場合に利用することがで
きる。以下、その一例について説明する。
ターンをなす凹部を形成し、この凹部にインクを充填し
た後、この凹版に被転写物を押し付け、凹部に充填され
たインクを被転写物に転写することによって行われる。
また斯る凹版印刷は半導体集積回路素子表面に樹脂より
なる表面保護膜を印刷形成する場合に利用することがで
きる。以下、その一例について説明する。
先ず第９図に示す様に半導体ウエーハ（１）を用意
し、この半導体ウエーハ（１）の各チップ部分ごとに半
導体集積回路素子部（２）（２）…（２）を形成する。
即ち、各チップ部分ごとに半導体集積回路素子を構成す
るに必要な回路素子を集積化すると共に表面全体にオー
バコート膜をなすSiN層を形成する。次に同じく第９図
に示す様に平板からなる凹版（３）を用意し、この凹版
（３）を半導体ウエーハ（１）と対向させて配置する。
この場合、この凹版（３）には半導体ウエーハ（１）の
各半導体集積回路素子部（２）（２）…（２）に対応し
て所定パターンの凹部（４）（４）…（４）を設け、こ
の凹部（４）（４）…（４）に印刷液を充填できる様に
する。
し、この半導体ウエーハ（１）の各チップ部分ごとに半
導体集積回路素子部（２）（２）…（２）を形成する。
即ち、各チップ部分ごとに半導体集積回路素子を構成す
るに必要な回路素子を集積化すると共に表面全体にオー
バコート膜をなすSiN層を形成する。次に同じく第９図
に示す様に平板からなる凹版（３）を用意し、この凹版
（３）を半導体ウエーハ（１）と対向させて配置する。
この場合、この凹版（３）には半導体ウエーハ（１）の
各半導体集積回路素子部（２）（２）…（２）に対応し
て所定パターンの凹部（４）（４）…（４）を設け、こ
の凹部（４）（４）…（４）に印刷液を充填できる様に
する。
次に同じく第９図に示す様に印刷液供給装置（５）を
用意する。この場合、この印刷液供給装置（５）には印
刷液槽（６）を設け、この印刷液槽（６）にポリイミド
樹脂をＮ−メチルースピロリドンに溶解してなる保護膜
材（７）を収納する。また印刷液槽（６）の上方にその
下部を保護膜材（７）に浸すファウンテンロール（８）
を設け、このファウンテンロール（８）によって保護膜
材（７）を引き上げることができる様にする。またこの
ファウンテンロール（８）に接する様にアプリケートロ
ール（９）を設け、ファウンテンロール（８）によって
引き上げられた保護膜材（７）をこのアプリケートロー
ル（９）を介して凹版（３）の供給できる様にする。ま
た、この印刷液供給装置（５）にはブレードよりなるド
クター（10）を設け、凹版（３）に供給された余剰の保
護膜材（７）をこのドクター（10）によって掻き取るこ
とができる様にする。
用意する。この場合、この印刷液供給装置（５）には印
刷液槽（６）を設け、この印刷液槽（６）にポリイミド
樹脂をＮ−メチルースピロリドンに溶解してなる保護膜
材（７）を収納する。また印刷液槽（６）の上方にその
下部を保護膜材（７）に浸すファウンテンロール（８）
を設け、このファウンテンロール（８）によって保護膜
材（７）を引き上げることができる様にする。またこの
ファウンテンロール（８）に接する様にアプリケートロ
ール（９）を設け、ファウンテンロール（８）によって
引き上げられた保護膜材（７）をこのアプリケートロー
ル（９）を介して凹版（３）の供給できる様にする。ま
た、この印刷液供給装置（５）にはブレードよりなるド
クター（10）を設け、凹版（３）に供給された余剰の保
護膜材（７）をこのドクター（10）によって掻き取るこ
とができる様にする。
次に第10図に示す様に凹版（３）を印刷液供給装置
（５）のアプケートロール（９）に押し付けると共に印
刷液供給装置（５）を上方から下方に移動させて凹部
（４）（４）…（４）に保護膜材（７）を充填し、すべ
ての凹部（４）（４）…（４）に保護膜材（７）（７）
…（７）を供給した後、第11図に示す様に凹版（３）を
後方に移動させると共に印刷液供給装置（５）を上方に
移動させる。
（５）のアプケートロール（９）に押し付けると共に印
刷液供給装置（５）を上方から下方に移動させて凹部
（４）（４）…（４）に保護膜材（７）を充填し、すべ
ての凹部（４）（４）…（４）に保護膜材（７）（７）
…（７）を供給した後、第11図に示す様に凹版（３）を
後方に移動させると共に印刷液供給装置（５）を上方に
移動させる。
次に第12図に示す様に凹版（３）を前方に移動し、そ
の表面を半導体ウエーハ（１）の表面に押し付け、凹部
（４）（４）…（４）内の保護膜材（７）（７）…
（７）を半導体ウエーハ（１）に接触させた後、第13図
に示す様に凹版（３）を後方に移動させて半導体ウエー
ハ（１）から離す。この様にすると、半導体ウエーハ
（１）の各半導体集積回路素子部（２）（２）…（２）
上に保護膜材（７）（７）…（７）が転写されてなる保
護膜材層（11）（11）…（11）が形成される。
の表面を半導体ウエーハ（１）の表面に押し付け、凹部
（４）（４）…（４）内の保護膜材（７）（７）…
（７）を半導体ウエーハ（１）に接触させた後、第13図
に示す様に凹版（３）を後方に移動させて半導体ウエー
ハ（１）から離す。この様にすると、半導体ウエーハ
（１）の各半導体集積回路素子部（２）（２）…（２）
上に保護膜材（７）（７）…（７）が転写されてなる保
護膜材層（11）（11）…（11）が形成される。
次に第14図に示す様にこの保護膜材層（11）（11）…
（11）を加熱してこの保護膜材層（11）（11）…（11）
から溶剤であるＮ−メチルースピロリドンを蒸発させ、
硬化されてなるポリイミド層（12）（12）…（12）を形
成する。
（11）を加熱してこの保護膜材層（11）（11）…（11）
から溶剤であるＮ−メチルースピロリドンを蒸発させ、
硬化されてなるポリイミド層（12）（12）…（12）を形
成する。
次に第15図に示す様に半導体ウエーハ（１）を各チッ
プ毎に分割して半導体集積回路素子（13）を得る様に
し、この半導体集積回路素子（13）を接着剤（14）を用
いてリードフレーム（15）に固定し、ボンディングパッ
ド（16）とリード（17）とを金線（18）で接着し、更に
リード（17）の先端部分を除き全体をエポキシ樹脂（1
9）によってモールドする。尚、この第15図において（2
0）はSiO2層、（21）は配線層、（22）はSiN層である。
プ毎に分割して半導体集積回路素子（13）を得る様に
し、この半導体集積回路素子（13）を接着剤（14）を用
いてリードフレーム（15）に固定し、ボンディングパッ
ド（16）とリード（17）とを金線（18）で接着し、更に
リード（17）の先端部分を除き全体をエポキシ樹脂（1
9）によってモールドする。尚、この第15図において（2
0）はSiO2層、（21）は配線層、（22）はSiN層である。
この様にすると半導体集積回路素子（13）の表面にポ
リイミド層（12）からのなる表面保護膜を有する半導体
集積回路装置を得ることができる。ここに、このポリイ
ミド層（12）は半導体ウエーハ（１）の裏面研削、分
割、半導体集積回路素子（13）のボンディング、モール
ドの各工程でオーバコート膜をなすSiN層（22）にクラ
ックが発生しない様にし、クラックから入り込む水分に
よって配線層（21）が腐蝕、断線しない様にすると共に
エポキシ樹脂（19）のフィラに含有されているウラン、
トリウム等より発生するα線から半導体集積回路素子
（13）を保護し、いわゆるソフトエラーが生じない様に
するために設けられるものである。
リイミド層（12）からのなる表面保護膜を有する半導体
集積回路装置を得ることができる。ここに、このポリイ
ミド層（12）は半導体ウエーハ（１）の裏面研削、分
割、半導体集積回路素子（13）のボンディング、モール
ドの各工程でオーバコート膜をなすSiN層（22）にクラ
ックが発生しない様にし、クラックから入り込む水分に
よって配線層（21）が腐蝕、断線しない様にすると共に
エポキシ樹脂（19）のフィラに含有されているウラン、
トリウム等より発生するα線から半導体集積回路素子
（13）を保護し、いわゆるソフトエラーが生じない様に
するために設けられるものである。
ところで、この例の様に凹版印刷によりポリイミド層
（12）を形成する場合には、従来実施されている様に、
スピンコート法によってポリイミド層を全面に形成した
後、このポリイミド層上にレジストを被着形成し、その
後、このレジストを所定のパターンに形成した後、この
レジストをマスクとしてポリイミド層をエッチングして
所定のパターンとする複雑な作業工程を要せず、一回の
印刷工程で所定のパターンを有するポリイミド層（12）
を形成することができるという利益がある。
（12）を形成する場合には、従来実施されている様に、
スピンコート法によってポリイミド層を全面に形成した
後、このポリイミド層上にレジストを被着形成し、その
後、このレジストを所定のパターンに形成した後、この
レジストをマスクとしてポリイミド層をエッチングして
所定のパターンとする複雑な作業工程を要せず、一回の
印刷工程で所定のパターンを有するポリイミド層（12）
を形成することができるという利益がある。
しかしながら、第９図以下に示した例による印刷方法
によるときは、半導体ウエーハ（１）上に形成される保
護膜材層（11）は第16図に示す様に凹部（４）に対応し
た所定パターン（23）とはならず、このため、この後、
加熱処理してポリイミド層（12）を形成する様にして
も、このポリイミド層（12）は設計値通りのパターンを
有するポリイミド層とすることができないという不都合
があった。
によるときは、半導体ウエーハ（１）上に形成される保
護膜材層（11）は第16図に示す様に凹部（４）に対応し
た所定パターン（23）とはならず、このため、この後、
加熱処理してポリイミド層（12）を形成する様にして
も、このポリイミド層（12）は設計値通りのパターンを
有するポリイミド層とすることができないという不都合
があった。
本発明者により実験、研究の結果、斯る不都合は、第
17図に示す様に、印刷液供給装置（５）から保護膜材
（７）が凹版（３）に供給され、この保護膜材（７）が
凹部（４）内に充填される際に、空気がこの凹部（４）
内に抱き込まれ、凹部（４）の隅部に空気層（24）が形
成されてしまい、その後、第18図に示す様にドクター
（10）によって余剰の保護膜材（７）を掻き取るとき
に、この空気層（24）はそのまま残ってしまい、また場
所によってはこの空気層（24）は更に拡大してしまい、
凹部（４）内に保護膜材（７）が完全に充填されない状
態が生ずることに起因して起こることが判明した。
17図に示す様に、印刷液供給装置（５）から保護膜材
（７）が凹版（３）に供給され、この保護膜材（７）が
凹部（４）内に充填される際に、空気がこの凹部（４）
内に抱き込まれ、凹部（４）の隅部に空気層（24）が形
成されてしまい、その後、第18図に示す様にドクター
（10）によって余剰の保護膜材（７）を掻き取るとき
に、この空気層（24）はそのまま残ってしまい、また場
所によってはこの空気層（24）は更に拡大してしまい、
凹部（４）内に保護膜材（７）が完全に充填されない状
態が生ずることに起因して起こることが判明した。
本発明は斯る不都合を解消した印刷方法を提供するこ
とを目的とする。
とを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕 本発明に依る印刷方法は、例えば第１図〜第５図に示
す様に、凹版（３）の凹部（４）に印刷液（７）を充填
し、この印刷液（７）を被転写物（１）に転写して印刷
する印刷方法において、 凹部（４）に対する印刷液（７）の充填を減圧室（2
5）内で行う様にしたものである。
す様に、凹版（３）の凹部（４）に印刷液（７）を充填
し、この印刷液（７）を被転写物（１）に転写して印刷
する印刷方法において、 凹部（４）に対する印刷液（７）の充填を減圧室（2
5）内で行う様にしたものである。
斯る本発明においては、凹部（４）に対する印刷液
（７）の充填は減圧室（25）内で行われるので、凹部
（４）内に空気が抱き込まれるということはなく、印刷
液（７）は凹部（４）内の隅々にまで完全に充填され
る。従って、本発明に依れば、良好な高精度パターン印
刷を行うことができる。
（７）の充填は減圧室（25）内で行われるので、凹部
（４）内に空気が抱き込まれるということはなく、印刷
液（７）は凹部（４）内の隅々にまで完全に充填され
る。従って、本発明に依れば、良好な高精度パターン印
刷を行うことができる。
以下、第１図〜第８図を参照して本発明による印刷方
法の一実施例につき説明しよう。本例では半導体集積回
路素子の表面にポリイミド樹脂よりなる表面保護膜を形
成する場合につき説明する。尚、この第１図〜第８図に
おいて第９図〜第18図に対応する部分には同一符号を付
す。
法の一実施例につき説明しよう。本例では半導体集積回
路素子の表面にポリイミド樹脂よりなる表面保護膜を形
成する場合につき説明する。尚、この第１図〜第８図に
おいて第９図〜第18図に対応する部分には同一符号を付
す。
第１図は本発明による印刷方法の一実施例に供するた
めの印刷装置を示し、本例においては、密閉容器（26）
を用意し、この密閉容器（26）の内部を減圧室（25）と
なす様にする。即ち、この密閉容器（26）の側壁に排気
管（27）を設けると共にこの排気管（27）に排気ポンプ
（28）を連結し、減圧室（25）を減圧できる様にする。
また減圧室（25）の底面に基台（29）を設け、この基台
（29）の一端に半導体ウエーハ（１）を支持するための
半導体ウエーハ支持体（30）を固定すると共にこの基台
（29）の他端に凹版（３）を支持するための凹版支持体
（31）を取り付ける。この場合、この凹版支持体（31）
は基台（29）上に前後に移動でき、この凹版支持体（3
1）に固定する凹版（３）を半導体ウエーハ支持体（3
0）に固定する半導体ウエーハ（１）に押圧できる様に
する。また本例においては、減圧室（25）内に上下に移
動し得る印刷液供給装置（５）を設ける。この場合、こ
の印刷液供給装置（５）には印刷液槽（６）を設け、こ
の印刷液槽（６）にポリイミド樹脂をＮ−メチルースピ
ロリドンに溶解してなる保護膜材（７）を収納する。ま
た印刷液槽（６）の上方にその下部を保護膜材（７）に
浸すファウンテンロール（８）を設け、このファウンテ
ンロール（８）によって保護膜材（７）を引き上げるこ
とができる様にする。またこのファウンテンロール
（８）に接する様にアプリケートロール（９）を設け、
ファウンテンロール（８）によって引き上げられた保護
膜材（７）をこのアプリケートロール（９）に介して凹
版（３）に供給できる様にする。また、この印刷液供給
装置（５）にはブレードよりなるドクター（10）を設
け、凹版（３）に供給された余剰の保護膜材（７）をこ
のドクター（10）によって掻き取ることができる様にす
る。
めの印刷装置を示し、本例においては、密閉容器（26）
を用意し、この密閉容器（26）の内部を減圧室（25）と
なす様にする。即ち、この密閉容器（26）の側壁に排気
管（27）を設けると共にこの排気管（27）に排気ポンプ
（28）を連結し、減圧室（25）を減圧できる様にする。
また減圧室（25）の底面に基台（29）を設け、この基台
（29）の一端に半導体ウエーハ（１）を支持するための
半導体ウエーハ支持体（30）を固定すると共にこの基台
（29）の他端に凹版（３）を支持するための凹版支持体
（31）を取り付ける。この場合、この凹版支持体（31）
は基台（29）上に前後に移動でき、この凹版支持体（3
1）に固定する凹版（３）を半導体ウエーハ支持体（3
0）に固定する半導体ウエーハ（１）に押圧できる様に
する。また本例においては、減圧室（25）内に上下に移
動し得る印刷液供給装置（５）を設ける。この場合、こ
の印刷液供給装置（５）には印刷液槽（６）を設け、こ
の印刷液槽（６）にポリイミド樹脂をＮ−メチルースピ
ロリドンに溶解してなる保護膜材（７）を収納する。ま
た印刷液槽（６）の上方にその下部を保護膜材（７）に
浸すファウンテンロール（８）を設け、このファウンテ
ンロール（８）によって保護膜材（７）を引き上げるこ
とができる様にする。またこのファウンテンロール
（８）に接する様にアプリケートロール（９）を設け、
ファウンテンロール（８）によって引き上げられた保護
膜材（７）をこのアプリケートロール（９）に介して凹
版（３）に供給できる様にする。また、この印刷液供給
装置（５）にはブレードよりなるドクター（10）を設
け、凹版（３）に供給された余剰の保護膜材（７）をこ
のドクター（10）によって掻き取ることができる様にす
る。
そこで本例においては、斯る印刷装置の半導体ウエー
ハ支持体（30）及び凹版支持体（31）に夫々半導体ウエ
ーハ（１）及び凹版（３）を固定する。この場合、この
半導体ウエーハ（１）には予め各チップ部分ごとに半導
体集積回路素子部（２）（２）…（２）を形成してお
く。即ち、各チップ部分ごとに半導体集積回路素子を構
成するに必要な回路素子を集積化すると共に表面全体に
オーバコート膜をなすSiN層を形成しておく。この凹版
（３）には半導体ウエーハ（１）の各半導体集積回路素
子部（２）（２）…（２）に対応して所定パターンの凹
部（４）（４）…（４）を設け、この凹部（４）（４）
…（４）に印刷液を充填できる様にする。
ハ支持体（30）及び凹版支持体（31）に夫々半導体ウエ
ーハ（１）及び凹版（３）を固定する。この場合、この
半導体ウエーハ（１）には予め各チップ部分ごとに半導
体集積回路素子部（２）（２）…（２）を形成してお
く。即ち、各チップ部分ごとに半導体集積回路素子を構
成するに必要な回路素子を集積化すると共に表面全体に
オーバコート膜をなすSiN層を形成しておく。この凹版
（３）には半導体ウエーハ（１）の各半導体集積回路素
子部（２）（２）…（２）に対応して所定パターンの凹
部（４）（４）…（４）を設け、この凹部（４）（４）
…（４）に印刷液を充填できる様にする。
次に排気ポンプ（28）を稼動させて減圧室（25）内を
排気、減圧する。この場合、減圧室（25）内の圧力が例
えば10-2mmHg〜10-3mmHgとなる様にし、続いて、第２図
に示す様に凹版支持体（31）を前方に移動して凹版
（３）を印刷液供給装置（５）のアプリケートロール
（９）に押し付けると共に印刷液供給装置（５）を上方
から下方に移動させて凹部（４）（４）…（４）に保護
膜材（７）を充填し、すべての凹部（４）（４）…
（４）に保護膜材（７）を供給した後、第３図に示す様
に凹版支持体（31）を後方に移動させると共に印刷液供
給装置（５）を上方に移動させる。
排気、減圧する。この場合、減圧室（25）内の圧力が例
えば10-2mmHg〜10-3mmHgとなる様にし、続いて、第２図
に示す様に凹版支持体（31）を前方に移動して凹版
（３）を印刷液供給装置（５）のアプリケートロール
（９）に押し付けると共に印刷液供給装置（５）を上方
から下方に移動させて凹部（４）（４）…（４）に保護
膜材（７）を充填し、すべての凹部（４）（４）…
（４）に保護膜材（７）を供給した後、第３図に示す様
に凹版支持体（31）を後方に移動させると共に印刷液供
給装置（５）を上方に移動させる。
次に第４図に示す様に凹版支持体（31）を前方に移動
させて凹版（３）の表面を半導体ウエーハ（１）の表面
に押し付け、凹部（４）（４）…（４）内の保護膜材
（７）（７）…（７）を半導体ウエーハ（１）に接触さ
せた後、第５図に示す様に凹版支持体（31）を後方に移
動させて凹版（３）を半導体ウエーハ（１）から離す。
この様にすると、半導体ウエーハ（１）の各半導体集積
回路素子部（２）（２）…（２）上に保護膜材（７）
（７）…（７）が転写されてなる保護膜材層（11）（1
1）…（11）が形成される。
させて凹版（３）の表面を半導体ウエーハ（１）の表面
に押し付け、凹部（４）（４）…（４）内の保護膜材
（７）（７）…（７）を半導体ウエーハ（１）に接触さ
せた後、第５図に示す様に凹版支持体（31）を後方に移
動させて凹版（３）を半導体ウエーハ（１）から離す。
この様にすると、半導体ウエーハ（１）の各半導体集積
回路素子部（２）（２）…（２）上に保護膜材（７）
（７）…（７）が転写されてなる保護膜材層（11）（1
1）…（11）が形成される。
次に第14図に示すと同様にこの保護膜材層（11）（1
1）…（11）を加熱してこの保護膜材層（11）（11）…
（11）から溶剤であるＮ−メチルースピロリドンを蒸発
させ、硬化されてなるポリイミド層（12）（12）…（1
2）を形成する。
1）…（11）を加熱してこの保護膜材層（11）（11）…
（11）から溶剤であるＮ−メチルースピロリドンを蒸発
させ、硬化されてなるポリイミド層（12）（12）…（1
2）を形成する。
次に第15図に示すと同様に半導体ウエーハ（１）を各
チップ毎に分割して半導体集積回路素子（13）を得る様
にし、この半導体集積回路素子（13）を接着剤（14）を
用いてリードフレーム（15）に固定し、ボンディングパ
ッド（16）とリード（17）と金線（18）で接続し、更に
リード（17）の先端部分を除き全体をエポキシ樹脂（1
9）によってモールドする。この様にすると半導体集積
回路素子（13）の表面にポリイミド層（12）からなる表
面保護膜を有する半導体集積回路装置を得ることができ
る。
チップ毎に分割して半導体集積回路素子（13）を得る様
にし、この半導体集積回路素子（13）を接着剤（14）を
用いてリードフレーム（15）に固定し、ボンディングパ
ッド（16）とリード（17）と金線（18）で接続し、更に
リード（17）の先端部分を除き全体をエポキシ樹脂（1
9）によってモールドする。この様にすると半導体集積
回路素子（13）の表面にポリイミド層（12）からなる表
面保護膜を有する半導体集積回路装置を得ることができ
る。
ここに本実施例においては、10-2mmHg〜10-3mmHgとさ
れた減圧室（25）内で凹版（３）に保護膜材（７）を供
給してこの保護膜材（７）を凹部（４）に充填する様に
しているので、第６図及び第７図に示す様に凹部（４）
内に空気が抱き込まれず、この凹部（４）内に空気層が
生ずることなく、凹部（４）内の隅々にまで保護膜材
（７）が充填される。
れた減圧室（25）内で凹版（３）に保護膜材（７）を供
給してこの保護膜材（７）を凹部（４）に充填する様に
しているので、第６図及び第７図に示す様に凹部（４）
内に空気が抱き込まれず、この凹部（４）内に空気層が
生ずることなく、凹部（４）内の隅々にまで保護膜材
（７）が充填される。
従って、本実施例においては、凹版（３）を半導体ウ
エーハ（１）に押し付けて凹部（４）内の保護膜材
（７）を半導体ウエーハ（１）に転写させた場合には、
第８図に示す様に凹部（４）のパターンに対応した良好
な保護膜材層（11）が形成され、その後、加熱処理する
ことによって、設計通りのパターンを有するポリイミド
層（12）を形成することができるという利益がある。
エーハ（１）に押し付けて凹部（４）内の保護膜材
（７）を半導体ウエーハ（１）に転写させた場合には、
第８図に示す様に凹部（４）のパターンに対応した良好
な保護膜材層（11）が形成され、その後、加熱処理する
ことによって、設計通りのパターンを有するポリイミド
層（12）を形成することができるという利益がある。
また本実施例においては、10-2mmHg〜10-3mmHgとされ
た減圧室（25）内で凹版（３）の凹部（４）に充填した
保護膜材（７）（７）…（７）を半導体ウエーハ（１）
に転写して保護膜材層（11）（11）…（11）を形成する
様にしているので、半導体ウエーハ（１）の各半導体集
積回路素子部（２）（２）…（２）の表面、即ちSiN層
（22）の表面に微細な凹凸があったとしても、このSiN
層（22）の凹部に空気が閉じ込められることがなく、保
護膜材層（11）（11）…（11）はSiN層（22）面に密着
して形成される。
た減圧室（25）内で凹版（３）の凹部（４）に充填した
保護膜材（７）（７）…（７）を半導体ウエーハ（１）
に転写して保護膜材層（11）（11）…（11）を形成する
様にしているので、半導体ウエーハ（１）の各半導体集
積回路素子部（２）（２）…（２）の表面、即ちSiN層
（22）の表面に微細な凹凸があったとしても、このSiN
層（22）の凹部に空気が閉じ込められることがなく、保
護膜材層（11）（11）…（11）はSiN層（22）面に密着
して形成される。
従って、本発明例に依れば、保護膜材層（11）を加熱
処理してポリイミド層（12）を形成する場合にポリイミ
ド層（12）にピンホールを生ずることがなく所定のパタ
ーンを有なる良好なポリイミド層（12）を形成すること
ができるという利益がある。
処理してポリイミド層（12）を形成する場合にポリイミ
ド層（12）にピンホールを生ずることがなく所定のパタ
ーンを有なる良好なポリイミド層（12）を形成すること
ができるという利益がある。
尚、上述実施例においては、半導体集積回路素子（1
3）上にポリイミド層（12）を形成する場合につき述べ
たが、本発明はこの上述実施例に限らず、シリコン樹脂
等種々の樹脂による表面保護膜を形成する場合にも適用
でき、この場合にも上述同様の作用効果を得ることがで
きる。
3）上にポリイミド層（12）を形成する場合につき述べ
たが、本発明はこの上述実施例に限らず、シリコン樹脂
等種々の樹脂による表面保護膜を形成する場合にも適用
でき、この場合にも上述同様の作用効果を得ることがで
きる。
また上述実施例においては、SiN層（22）上にポリイ
ミド層（12）を形成する場合につき述べたが、本発明は
SiN層（22）を設けず、配線層（21）上に直接ポリイミ
ド層を形成する場合にも適用でき、この場合にも上述同
様の作用効果を得ることができる。
ミド層（12）を形成する場合につき述べたが、本発明は
SiN層（22）を設けず、配線層（21）上に直接ポリイミ
ド層を形成する場合にも適用でき、この場合にも上述同
様の作用効果を得ることができる。
また上述実施例においては、半導体集積回路素子（1
3）の表面に表面保護膜を形成する場合につき述べた
が、本発明は紙、フィルム等に通常の印刷を行う場合に
も適用でき、この場合にも、上述同様の作用効果を得る
ことができる。
3）の表面に表面保護膜を形成する場合につき述べた
が、本発明は紙、フィルム等に通常の印刷を行う場合に
も適用でき、この場合にも、上述同様の作用効果を得る
ことができる。
また上述実施例においては、平板で形成した凹版
（３）を使用した場合につき述べたが、この代りに、ロ
ールによる凹版を使用しても良く、この場合にも上述同
様の作用効果を得ることができる。
（３）を使用した場合につき述べたが、この代りに、ロ
ールによる凹版を使用しても良く、この場合にも上述同
様の作用効果を得ることができる。
また本発明は上述実施例に限らず、本発明の要旨を逸
脱することなく、その他種々の構成が取り得ることは勿
論である。
脱することなく、その他種々の構成が取り得ることは勿
論である。
本発明に依れば、印刷液（７）は凹部（４）内の隅々
まで完全に充填できる様にされているので、良好な高精
度パターン印刷、例えば半導体集積回路素子（13）に対
する樹脂よりなるえ表面保護膜（12）の形成を高い精度
で行うことができるという利益がある。
まで完全に充填できる様にされているので、良好な高精
度パターン印刷、例えば半導体集積回路素子（13）に対
する樹脂よりなるえ表面保護膜（12）の形成を高い精度
で行うことができるという利益がある。
第１図は本発明による印刷方法の実施に供する印刷装置
の一例を示す構成図、第２図，第３図，第４図及び第５
図は夫々本発明による印刷工程の一例を示す線図、第６
図，第７図及び第８図は夫々本発明の説明に供する線
図、第９図，第10図，第11図，第12図，第13図及び第14
図は夫々印刷方法の例を示す工程図、第15図は半導体集
積回路装置の例を示す構成図、第16図，第17図及び第18
図は夫々第９図〜第14図に示す印刷工程の説明に供する
線図である。 （１）は半導体ウエーハ、（２）は半導体集積回路素子
部、（３）は凹版、（４）は凹部、（５）は印刷液供給
装置、（７）は保護膜材、（11）は保護膜材層、（12）
はポリイミド層、（25）は減圧室、（26）は密閉容器、
（28）は排気ポンプ、（29）は基台、（30）は半導体ウ
エーハ支持体、（31）は凹版支持体である。
の一例を示す構成図、第２図，第３図，第４図及び第５
図は夫々本発明による印刷工程の一例を示す線図、第６
図，第７図及び第８図は夫々本発明の説明に供する線
図、第９図，第10図，第11図，第12図，第13図及び第14
図は夫々印刷方法の例を示す工程図、第15図は半導体集
積回路装置の例を示す構成図、第16図，第17図及び第18
図は夫々第９図〜第14図に示す印刷工程の説明に供する
線図である。 （１）は半導体ウエーハ、（２）は半導体集積回路素子
部、（３）は凹版、（４）は凹部、（５）は印刷液供給
装置、（７）は保護膜材、（11）は保護膜材層、（12）
はポリイミド層、（25）は減圧室、（26）は密閉容器、
（28）は排気ポンプ、（29）は基台、（30）は半導体ウ
エーハ支持体、（31）は凹版支持体である。
Claims (1)
- 【請求項１】凹版の凹部に印刷液を充填し、該印刷液を
被転写物に転写して印刷する印刷方法において、 上記凹部に対する上記印刷液の充填を減圧室内で行なう
様にしたことを特徴とする印刷方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7317087A JP2513216B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 印刷方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7317087A JP2513216B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 印刷方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63237982A JPS63237982A (ja) | 1988-10-04 |
| JP2513216B2 true JP2513216B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=13510409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7317087A Expired - Fee Related JP2513216B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 印刷方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2513216B2 (ja) |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP7317087A patent/JP2513216B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63237982A (ja) | 1988-10-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |