JP2565230B2 - 印刷方法 - Google Patents
印刷方法Info
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- JP2565230B2 JP2565230B2 JP62107354A JP10735487A JP2565230B2 JP 2565230 B2 JP2565230 B2 JP 2565230B2 JP 62107354 A JP62107354 A JP 62107354A JP 10735487 A JP10735487 A JP 10735487A JP 2565230 B2 JP2565230 B2 JP 2565230B2
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- film material
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高精度パターン印刷、例えば半導体集積回路
素子表面に樹脂よりなる表面保護膜を印刷形成する場合
に適用して好適な印刷方法に関する。
素子表面に樹脂よりなる表面保護膜を印刷形成する場合
に適用して好適な印刷方法に関する。
本発明は、凹版の凹部に印刷液を充填した後、凹版と
被転写物とを接触させて印刷液を被転写物に転写する様
にした印刷方法において、凹部に対する上記印刷液の充
填を、密閉容器内において、この容器内を排気した状態
で、印刷液に超音波振動を与えて行うことにより、印刷
液の粒子運動を活発にし、印刷液を凹部内の隅々に完全
に充填できる様にし、良好な高精度パターン印刷、例え
ば半導体集積回路素子に対する樹脂よりなる表面保護膜
の印刷形成を高い精度で行うことができる様にしたもの
である。
被転写物とを接触させて印刷液を被転写物に転写する様
にした印刷方法において、凹部に対する上記印刷液の充
填を、密閉容器内において、この容器内を排気した状態
で、印刷液に超音波振動を与えて行うことにより、印刷
液の粒子運動を活発にし、印刷液を凹部内の隅々に完全
に充填できる様にし、良好な高精度パターン印刷、例え
ば半導体集積回路素子に対する樹脂よりなる表面保護膜
の印刷形成を高い精度で行うことができる様にしたもの
である。
凹版印刷装置による凹版印刷は、凹版の表面に印刷パ
ターンをなす凹部を形成し、この凹部に印刷液を充填し
た後、この凹版に被転写物を押し付け、凹部に充填した
印刷液を被転写物に転写することによって行われるが、
斯る凹版印刷は半導体集積回路素子表面に樹脂よりなる
表面保護膜を印刷形成する場合に利用することができ
る。以下、その一例について説明する。
ターンをなす凹部を形成し、この凹部に印刷液を充填し
た後、この凹版に被転写物を押し付け、凹部に充填した
印刷液を被転写物に転写することによって行われるが、
斯る凹版印刷は半導体集積回路素子表面に樹脂よりなる
表面保護膜を印刷形成する場合に利用することができ
る。以下、その一例について説明する。
先ず第９図に示す様に半導体ウエーハ（１）を用意
し、この半導体ウエーハ（１）の各チップ部分ごとに半
導体集積回路素子部（２）（２）…（２）を形成する。
即ち、各チップ部分ごとに半導体集積回路素子を構成す
るに必要な回路素子を集積化すると共に表面全体にオー
バコート膜をなすSi3N4層を形成する。
し、この半導体ウエーハ（１）の各チップ部分ごとに半
導体集積回路素子部（２）（２）…（２）を形成する。
即ち、各チップ部分ごとに半導体集積回路素子を構成す
るに必要な回路素子を集積化すると共に表面全体にオー
バコート膜をなすSi3N4層を形成する。
次に同じく第９図に示す様に平板からなる凹版（３）
を用意し、この凹版（３）を半導体ウエーハ（１）と対
向させて配置する。この場合、この凹版（３）には半導
体ウエーハ（１）の各半導体集積回路素子部（２）
（２）…（２）に対応して所定パターンの凹部（４）
（４）…（４）を設け、この凹部（４）（４）…（４）
に後述する印刷液を充填できる様にする。
を用意し、この凹版（３）を半導体ウエーハ（１）と対
向させて配置する。この場合、この凹版（３）には半導
体ウエーハ（１）の各半導体集積回路素子部（２）
（２）…（２）に対応して所定パターンの凹部（４）
（４）…（４）を設け、この凹部（４）（４）…（４）
に後述する印刷液を充填できる様にする。
次に同じく第９図に示す様に印刷液供給装置（５）を
用意する。この場合、この印刷液供給装置（５）には印
刷液槽（６）を設け、この印刷液槽（６）に印刷液とし
てポリイミド樹脂をＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解
してなる保護膜材（７）を収容する。また印刷液槽
（６）の上方にその下部を保護膜材（７）に浸すファウ
ンテンロール（８）を設け、このファウンテンロール
（８）によって保護膜材（７）を引き上げることができ
る様にする。またこのファウンテンロール（８）に接す
る様にアプリケートロール（９）を設け、ファウンテン
ロール（８）によって引き上げられた保護膜材（７）を
このアプリケートロール（９）を介して凹版（３）に供
給できる様にする。また、この印刷液供給装置（５）に
はブレードよりなるドクター（10）を設け、凹版（３）
に供給された余剰の保護膜材（７）をこのドクター（1
0）によって掻き取ることができる様にする。
用意する。この場合、この印刷液供給装置（５）には印
刷液槽（６）を設け、この印刷液槽（６）に印刷液とし
てポリイミド樹脂をＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解
してなる保護膜材（７）を収容する。また印刷液槽
（６）の上方にその下部を保護膜材（７）に浸すファウ
ンテンロール（８）を設け、このファウンテンロール
（８）によって保護膜材（７）を引き上げることができ
る様にする。またこのファウンテンロール（８）に接す
る様にアプリケートロール（９）を設け、ファウンテン
ロール（８）によって引き上げられた保護膜材（７）を
このアプリケートロール（９）を介して凹版（３）に供
給できる様にする。また、この印刷液供給装置（５）に
はブレードよりなるドクター（10）を設け、凹版（３）
に供給された余剰の保護膜材（７）をこのドクター（1
0）によって掻き取ることができる様にする。
次に第10図に示す様に凹版（３）を印刷液供給装置
（５）のアプリケートロール（９）に押し付けると共に
印刷液供給装置（５）を上方から下方に移動させて凹部
（４）（４）…（４）に保護膜材（７）を充填し、すべ
ての凹部（４）（４）…（４）に保護膜材（７）（７）
…（７）を供給した後、第11図に示す様に凹版（３）を
後方に移動させると共に印刷液供給装置（５）を上方に
移動させる。
（５）のアプリケートロール（９）に押し付けると共に
印刷液供給装置（５）を上方から下方に移動させて凹部
（４）（４）…（４）に保護膜材（７）を充填し、すべ
ての凹部（４）（４）…（４）に保護膜材（７）（７）
…（７）を供給した後、第11図に示す様に凹版（３）を
後方に移動させると共に印刷液供給装置（５）を上方に
移動させる。
次に第12図に示す様に凹版（３）を前方に移動し、そ
の表面を半導体ウエーハ（１）の表面に押し付け、凹部
（４）（４）…（４）内の保護膜材（７）（７）…
（７）を半導体ウエーハ（１）に接触させた後、第13図
に示す様に凹版（３）を後方に移動させて半導体ウエー
ハ（１）から離す。この様にすると、半導体ウエーハ
（１）の各半導体集積回路素子部（２）（２）…（２）
上に保護膜材（７）（７）…（７）が転写されてなる保
護膜材層（11）（11）…（11）が形成される。
の表面を半導体ウエーハ（１）の表面に押し付け、凹部
（４）（４）…（４）内の保護膜材（７）（７）…
（７）を半導体ウエーハ（１）に接触させた後、第13図
に示す様に凹版（３）を後方に移動させて半導体ウエー
ハ（１）から離す。この様にすると、半導体ウエーハ
（１）の各半導体集積回路素子部（２）（２）…（２）
上に保護膜材（７）（７）…（７）が転写されてなる保
護膜材層（11）（11）…（11）が形成される。
次に第14図に示す様にこの保護膜材層（11）（11）…
（11）を加熱してこの保護膜材層（11）（11）…（11）
から溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドンを蒸発さ
せ、硬化されてなるポリイミド層（12）（12）…（12）
を形成する。
（11）を加熱してこの保護膜材層（11）（11）…（11）
から溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドンを蒸発さ
せ、硬化されてなるポリイミド層（12）（12）…（12）
を形成する。
次に第15図に示す様に半導体ウエーハ（１）を各チッ
プ毎に分割して半導体集積回路素子（13）を得る様に
し、この半導体集積回路素子（13）を接着剤（14）を用
いてリードフレーム（15）に固定し、ボンディングパッ
ド（16）とリード（17）とを金線（18）で接続し、更に
リード（17）の先端部分を除き全体をエポキシ樹脂（1
9）によってモールドする。尚、この第15図において（2
0）はSiO2層、（21）はアルミニウムよりなる配線層、
（22）はSi3N4層である。
プ毎に分割して半導体集積回路素子（13）を得る様に
し、この半導体集積回路素子（13）を接着剤（14）を用
いてリードフレーム（15）に固定し、ボンディングパッ
ド（16）とリード（17）とを金線（18）で接続し、更に
リード（17）の先端部分を除き全体をエポキシ樹脂（1
9）によってモールドする。尚、この第15図において（2
0）はSiO2層、（21）はアルミニウムよりなる配線層、
（22）はSi3N4層である。
この様にすると半導体集積回路素子（13）の表面にポ
リイミド層（12）からなる表面保護膜を有する半導体集
積回路装置を得ることができる。ここに、このポリイミ
ド層（12）は半導体ウエーハ（１）の裏面研削、分割、
半導体集積回路素子（13）のボンディング、モールドの
各工程でオーバコート膜をなすSi3N4層（22）にクラッ
クが発生しない様にし、クラックから入り込む水分によ
って配線層（21）が腐蝕、断線しない様にすると共にエ
ポキシ樹脂（19）のフィラに含有されているウラン、ト
リウム等より発生するα線から半導体集積回路素子（1
3）を保護し、いわゆるソフトエラーが生じない様にす
るために設けられるものである。
リイミド層（12）からなる表面保護膜を有する半導体集
積回路装置を得ることができる。ここに、このポリイミ
ド層（12）は半導体ウエーハ（１）の裏面研削、分割、
半導体集積回路素子（13）のボンディング、モールドの
各工程でオーバコート膜をなすSi3N4層（22）にクラッ
クが発生しない様にし、クラックから入り込む水分によ
って配線層（21）が腐蝕、断線しない様にすると共にエ
ポキシ樹脂（19）のフィラに含有されているウラン、ト
リウム等より発生するα線から半導体集積回路素子（1
3）を保護し、いわゆるソフトエラーが生じない様にす
るために設けられるものである。
ところで、この例の様に凹版印刷によりポリイミド層
（12）を形成する場合には、従来実施されている様に、
スピンコート法によってポリイミド層を全面に形成した
後、このポリイミド層上にレジストを被着形成し、その
後、このレジスタを所定のパターンに形成した後、この
レジストをマスクとしてポリイミド層をエッチングして
所定のパターンとする複雑な作業工程を要せず、一回の
印刷工程で所定のパターンを有するポリイミド層（12）
を形成することができるという利益がある。
（12）を形成する場合には、従来実施されている様に、
スピンコート法によってポリイミド層を全面に形成した
後、このポリイミド層上にレジストを被着形成し、その
後、このレジスタを所定のパターンに形成した後、この
レジストをマスクとしてポリイミド層をエッチングして
所定のパターンとする複雑な作業工程を要せず、一回の
印刷工程で所定のパターンを有するポリイミド層（12）
を形成することができるという利益がある。
しかしながら、第９図以下に示した例による印刷方法
によるときは、半導体ウエーハ（１）上に形成される保
護膜材層（11）は第16図に示す様に凹部（４）に対応し
た所定パターン（23）とはならず、このため、その後、
加熱処理してポリイミド層（12）を形成する様にして
も、このポリイミド層（12）は設計値通りのパターンを
有するポリイミド層とすることができないという不都合
があった。
によるときは、半導体ウエーハ（１）上に形成される保
護膜材層（11）は第16図に示す様に凹部（４）に対応し
た所定パターン（23）とはならず、このため、その後、
加熱処理してポリイミド層（12）を形成する様にして
も、このポリイミド層（12）は設計値通りのパターンを
有するポリイミド層とすることができないという不都合
があった。
本発明者による実験、研究の結果、斯る不都合は、第
17図に示す様に、印刷液供給装置（５）から保護膜材
（７）が凹版（３）に供給され、この保護膜材（７）が
凹部（４）内に充填される際に、空気がこの凹部（４）
内に抱き込まれ、凹部（４）の隅部に空気層（24）が形
成されてしまい、その後、第18図に示す様にドクター
（10）によって余剰の保護膜材（７）を掻き取るとき
に、この空気層（24）はそのまま残ってしまい、また場
所によってはこの空気層（24）は更に拡大してしまい、
凹部（４）内に保護膜材（７）が完全に充填されない状
態が生ずることに起因して起こることが判明した。
17図に示す様に、印刷液供給装置（５）から保護膜材
（７）が凹版（３）に供給され、この保護膜材（７）が
凹部（４）内に充填される際に、空気がこの凹部（４）
内に抱き込まれ、凹部（４）の隅部に空気層（24）が形
成されてしまい、その後、第18図に示す様にドクター
（10）によって余剰の保護膜材（７）を掻き取るとき
に、この空気層（24）はそのまま残ってしまい、また場
所によってはこの空気層（24）は更に拡大してしまい、
凹部（４）内に保護膜材（７）が完全に充填されない状
態が生ずることに起因して起こることが判明した。
また第９図以下に示した例による印刷方法において
は、凹部（４）が微細化されると、保護膜材（７）をこ
の凹部（４）内にまったく充填できなくなる場合がある
という不都合もあった。
は、凹部（４）が微細化されると、保護膜材（７）をこ
の凹部（４）内にまったく充填できなくなる場合がある
という不都合もあった。
本発明は斯る不都合を解消した印刷方法を提供するこ
とを目的とする。
とを目的とする。
本発明に依る印刷方法は、例えば第１図〜第６図に示
す様に、凹版（３）の凹部（４）に印刷液（７）を充填
した後、凹版（３）と被転写物（１）とを接触させて印
刷液（７）を被転写物（１）に転写する様にした印刷方
法において、凹部（４）に対する印刷液（７）の充填
を、密閉容器（25）内において、この容器（25）内を排
気した状態で、印刷液（７）に超音波振動を与えて行う
様にしたものである。
す様に、凹版（３）の凹部（４）に印刷液（７）を充填
した後、凹版（３）と被転写物（１）とを接触させて印
刷液（７）を被転写物（１）に転写する様にした印刷方
法において、凹部（４）に対する印刷液（７）の充填
を、密閉容器（25）内において、この容器（25）内を排
気した状態で、印刷液（７）に超音波振動を与えて行う
様にしたものである。
斯る本発明においては、凹部（４）に対する印刷液
（７）の充填を、密閉容器（25）内において、この容器
（25）内を排気した状態で、印刷液（７）に超音波振動
を与えて行う様にしているので、この超音波振動が効果
的に印刷液（７）に与えられ、その粒子運動がより活発
になることから、印刷液（７）は凹部（４）内の隅々に
まで完全に充填される。従って、本発明に依れば、高精
度パターン印刷を良好に行うことができる。
（７）の充填を、密閉容器（25）内において、この容器
（25）内を排気した状態で、印刷液（７）に超音波振動
を与えて行う様にしているので、この超音波振動が効果
的に印刷液（７）に与えられ、その粒子運動がより活発
になることから、印刷液（７）は凹部（４）内の隅々に
まで完全に充填される。従って、本発明に依れば、高精
度パターン印刷を良好に行うことができる。
以下、第１図〜第８図を参照して本発明による印刷方
法の一実施例につき説明しよう。本例では第９図以下に
示したと同様に印刷液としてポリイミド樹脂をＮ−メチ
ル−２−ピロリドンに溶解してなる保護膜材を用いて半
導体集積回路素子表面にポリイミド樹脂よりなる表面保
護膜を形成する場合につき説明する。尚、この第１図〜
第８図において第９図〜第18図に対応する部分には同一
符号を付す。
法の一実施例につき説明しよう。本例では第９図以下に
示したと同様に印刷液としてポリイミド樹脂をＮ−メチ
ル−２−ピロリドンに溶解してなる保護膜材を用いて半
導体集積回路素子表面にポリイミド樹脂よりなる表面保
護膜を形成する場合につき説明する。尚、この第１図〜
第８図において第９図〜第18図に対応する部分には同一
符号を付す。
本例においては、第１図に示す様に保護膜材（７）を
収容し得る密閉可能な容器（以下、密閉容器という）
（25）を備えた保護膜材充填装置（26）を用意する。こ
の場合、密閉容器（25）の底面（27）に管（28）を接続
し、この管（28）を介して保護膜材（７）を保護膜材収
容タンク（図示せず）から密閉容器（25）に供給できる
様にすると共に、また不使用時には密閉容器（25）内の
保護膜材（７）をこの管（28）を介して保護膜材収容タ
ンクに収容できる様にする。また密閉容器（25）の側壁
（29）下方に例えば40kHzの超音波を発生する超音波発
生装置（30）を取り付け、密閉容器（25）内に収容する
保護膜材（７）に超音波振動を与えることができる様に
する。また密閉容器（25）の側壁（29）上方に排気用の
管（31）を接続すると共にこの管（31）を排気ポンプ
（32）に接続し、密閉容器（25）内の保護膜材（７）の
上方に形成される空間部（33）を例えば10-2mmHgに減圧
できる様にする。尚、（34）は密閉容器（25）の蓋であ
る。
収容し得る密閉可能な容器（以下、密閉容器という）
（25）を備えた保護膜材充填装置（26）を用意する。こ
の場合、密閉容器（25）の底面（27）に管（28）を接続
し、この管（28）を介して保護膜材（７）を保護膜材収
容タンク（図示せず）から密閉容器（25）に供給できる
様にすると共に、また不使用時には密閉容器（25）内の
保護膜材（７）をこの管（28）を介して保護膜材収容タ
ンクに収容できる様にする。また密閉容器（25）の側壁
（29）下方に例えば40kHzの超音波を発生する超音波発
生装置（30）を取り付け、密閉容器（25）内に収容する
保護膜材（７）に超音波振動を与えることができる様に
する。また密閉容器（25）の側壁（29）上方に排気用の
管（31）を接続すると共にこの管（31）を排気ポンプ
（32）に接続し、密閉容器（25）内の保護膜材（７）の
上方に形成される空間部（33）を例えば10-2mmHgに減圧
できる様にする。尚、（34）は密閉容器（25）の蓋であ
る。
本例においては、この様に構成した保護膜材充填装置
（26）を用意した後、第１図に示す様に管（28）を介し
て保護膜材（７）を密閉容器（25）内に収容する。この
場合、密閉容器（25）内の上方に空間部（33）が形成さ
れる様に保護膜材（７）を収容し、この空間部（33）に
凹版（３）を配置させる。この凹版（３）には後述する
半導体ウエーハ（１）の各チップ部分、即ち各半導体集
積回路素子部（２）（２）…（２）に対応した所定パタ
ーンの凹部（４）（４）…（４）を形成したものとす
る。
（26）を用意した後、第１図に示す様に管（28）を介し
て保護膜材（７）を密閉容器（25）内に収容する。この
場合、密閉容器（25）内の上方に空間部（33）が形成さ
れる様に保護膜材（７）を収容し、この空間部（33）に
凹版（３）を配置させる。この凹版（３）には後述する
半導体ウエーハ（１）の各チップ部分、即ち各半導体集
積回路素子部（２）（２）…（２）に対応した所定パタ
ーンの凹部（４）（４）…（４）を形成したものとす
る。
次に排気ポンプ（32）を稼働させて密閉容器（25）内
の空間部（33）の空気を排気して10-2mmHg〜10-3mmHgま
でに減圧させた後、超音波発生装置（30）を稼働させて
密閉容器（25）内の保護膜材（７）に超音波振動を与え
ると共に、第２図に示す様に凹版（３）を保護膜材
（７）中に浸し、保護膜材（７）を凹版（３）の凹部
（４）（４）…（４）に充填させる。
の空間部（33）の空気を排気して10-2mmHg〜10-3mmHgま
でに減圧させた後、超音波発生装置（30）を稼働させて
密閉容器（25）内の保護膜材（７）に超音波振動を与え
ると共に、第２図に示す様に凹版（３）を保護膜材
（７）中に浸し、保護膜材（７）を凹版（３）の凹部
（４）（４）…（４）に充填させる。
次に第３図に示す様に凹版（３）を密閉容器（25）か
ら外部に取り出し、凹部（４）（４）…（４）が形成さ
れた面（35）以外の面に付着した保護膜材（７）を除去
すると共に凹部（４）（４）…（４）が形成された面
（35）に供給された過剰の保護膜材（7A）をブレードよ
りなるドクター（36）によって掻き取る様にする。
ら外部に取り出し、凹部（４）（４）…（４）が形成さ
れた面（35）以外の面に付着した保護膜材（７）を除去
すると共に凹部（４）（４）…（４）が形成された面
（35）に供給された過剰の保護膜材（7A）をブレードよ
りなるドクター（36）によって掻き取る様にする。
次に第４図に示す様に凹版支持体（37）に凹版（３）
を固定すると共に半導体ウエーハ支持体（38）に半導体
ウエーハ（１）を固定し、凹版（３）の凹部形成面（3
5）と半導体ウエーハ（１）の表面とを対向させる様に
する。この場合、この半導体ウエーハ（１）には予め各
チップ部分ごとに半導体集積回路素子部（２）（２）…
（２）を形成しておく。即ち、各チップ部分ごとに半導
体集積回路素子を構成する必要な回路素子を集積化する
と共に表面全体にオーバコート膜をなすSi3N4層を形成
しておく。そして、各半導体集積回路素子部（２）
（２）…（２）と凹版（３）の各凹部（４）（４）…
（４）とが対向する様になる。
を固定すると共に半導体ウエーハ支持体（38）に半導体
ウエーハ（１）を固定し、凹版（３）の凹部形成面（3
5）と半導体ウエーハ（１）の表面とを対向させる様に
する。この場合、この半導体ウエーハ（１）には予め各
チップ部分ごとに半導体集積回路素子部（２）（２）…
（２）を形成しておく。即ち、各チップ部分ごとに半導
体集積回路素子を構成する必要な回路素子を集積化する
と共に表面全体にオーバコート膜をなすSi3N4層を形成
しておく。そして、各半導体集積回路素子部（２）
（２）…（２）と凹版（３）の各凹部（４）（４）…
（４）とが対向する様になる。
次に第５図に示す様に凹版支持体（31）を前方に移動
させて凹版（３）の表面を半導体ウエーハ（１）の表面
に押し付け、凹部（４）（４）…（４）内の保護膜材
（７）（７）…（７）を半導体ウエーハ（１）に接触さ
せた後、第６図に示す様に凹版支持体（37）を後方に移
動させて凹版（３）を半導体ウエーハ（１）から離す。
この様にすると、半導体ウエーハ（１）の各半導体集積
回路素子部（２）（２）…（２）上に保護膜材（７）
（７）…（７）が転写されてなる保護膜材層（11）（1
1）…（11）が形成される。
させて凹版（３）の表面を半導体ウエーハ（１）の表面
に押し付け、凹部（４）（４）…（４）内の保護膜材
（７）（７）…（７）を半導体ウエーハ（１）に接触さ
せた後、第６図に示す様に凹版支持体（37）を後方に移
動させて凹版（３）を半導体ウエーハ（１）から離す。
この様にすると、半導体ウエーハ（１）の各半導体集積
回路素子部（２）（２）…（２）上に保護膜材（７）
（７）…（７）が転写されてなる保護膜材層（11）（1
1）…（11）が形成される。
次に第14図に示すと同様にこの保護膜材層（11）（1
1）…（11）を加熱してこの保護膜材層（11）（11）…
（11）から溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドンを蒸
発させ、硬化されてなるポリイミド層（12）（12）…
（12）を形成する。
1）…（11）を加熱してこの保護膜材層（11）（11）…
（11）から溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドンを蒸
発させ、硬化されてなるポリイミド層（12）（12）…
（12）を形成する。
次に第15図に示すと同様に半導体ウエーハ（１）を各
チップ毎に分割して半導体集積回路素子（13）を得る様
にし、この半導体集積回路素子（13）を接着剤（14）を
用いてリードフレーム（15）に固定し、ボンディングパ
ッド（16）とリード（17）とを金線（18）で接続し、更
にリード（17）の先端部分を除き全体をエポキシ樹脂
（19）によってモールドする。この様にすると半導体集
積回路素子（13）の表面にポリイミド層（12）からなる
表面保護膜を有する半導体集積回路装置を得ることがで
きる。
チップ毎に分割して半導体集積回路素子（13）を得る様
にし、この半導体集積回路素子（13）を接着剤（14）を
用いてリードフレーム（15）に固定し、ボンディングパ
ッド（16）とリード（17）とを金線（18）で接続し、更
にリード（17）の先端部分を除き全体をエポキシ樹脂
（19）によってモールドする。この様にすると半導体集
積回路素子（13）の表面にポリイミド層（12）からなる
表面保護膜を有する半導体集積回路装置を得ることがで
きる。
ここに本実施例においては、密閉容器（25）内の空間
部（33）に凹版（３）を配置し、この空間部（33）を排
気して減圧させた後、凹版（３）を保護膜材（７）中に
浸すと共に保護膜材（７）に超音波振動を与える様にし
ているので、凹部（４）内に抱き込まれる空気が大幅に
減少すると共に保護膜材（７）の粒子運動が活発にな
り、第７図に示す様に凹部（４）内の隅々まで保護膜材
（７）を充填させることができる。
部（33）に凹版（３）を配置し、この空間部（33）を排
気して減圧させた後、凹版（３）を保護膜材（７）中に
浸すと共に保護膜材（７）に超音波振動を与える様にし
ているので、凹部（４）内に抱き込まれる空気が大幅に
減少すると共に保護膜材（７）の粒子運動が活発にな
り、第７図に示す様に凹部（４）内の隅々まで保護膜材
（７）を充填させることができる。
従って、本実施例に依れば、凹版（３）を半導体ウエ
ハー（１）に押し付けて凹部（４）内の保護膜材（７）
を半導体ウエーハ（１）に転写させた場合、第８図に示
す様に凹部（４）のパターンに対応した良好な保護膜材
層（11）が形成され、その後、加熱処理することによっ
て、設計通りのパターンを有するポリイミド層（12）を
形成することができるという利益がある。
ハー（１）に押し付けて凹部（４）内の保護膜材（７）
を半導体ウエーハ（１）に転写させた場合、第８図に示
す様に凹部（４）のパターンに対応した良好な保護膜材
層（11）が形成され、その後、加熱処理することによっ
て、設計通りのパターンを有するポリイミド層（12）を
形成することができるという利益がある。
また本実施例においては、不使用時、密閉容器（25）
内の保護膜材（７）を保護膜材収容タンクに収納する様
にしているので、保護膜材（７）と大気との接触時間を
大幅に短縮することもでき、保護膜材（７）が劣化する
のを防止することができるという利益がある。
内の保護膜材（７）を保護膜材収容タンクに収納する様
にしているので、保護膜材（７）と大気との接触時間を
大幅に短縮することもでき、保護膜材（７）が劣化する
のを防止することができるという利益がある。
尚、上述実施例においては、半導体集積回路素子（1
3）上にポリイミド層（12）を形成する場合につき述べ
たが、本発明はこの上述実施例に限らず、シリコン樹脂
等種々の樹脂による表面保護膜を形成する場合にも適用
でき、この場合にも上述同様の作用効果を得ることがで
きる。
3）上にポリイミド層（12）を形成する場合につき述べ
たが、本発明はこの上述実施例に限らず、シリコン樹脂
等種々の樹脂による表面保護膜を形成する場合にも適用
でき、この場合にも上述同様の作用効果を得ることがで
きる。
また上述実施例においては、Si3N4層（22）上にポリ
イミド層（12）を形成する場合につき述べたが、本発明
はSi3N4層（22）を設けず、配線層（21）上に直接ポリ
イミド層を形成する場合にも適用でき、この場合にも上
述同様の作用効果を得ることができる。
イミド層（12）を形成する場合につき述べたが、本発明
はSi3N4層（22）を設けず、配線層（21）上に直接ポリ
イミド層を形成する場合にも適用でき、この場合にも上
述同様の作用効果を得ることができる。
また上述実施例においては、半導体集積回路素子（1
3）の表面に表面保護膜を形成する場合につき述べた
が、本発明は紙、フィルム等に通常の印刷を行う場合に
も適用でき、この場合にも、上述同様の作用効果を得る
ことができる。
3）の表面に表面保護膜を形成する場合につき述べた
が、本発明は紙、フィルム等に通常の印刷を行う場合に
も適用でき、この場合にも、上述同様の作用効果を得る
ことができる。
また上述実施例においては、平板で形成した凹版
（３）を使用した場合につき述べたが、この代わりに、
ロールによる凹版を使用しても良く、この場合にも上述
同様の作用効果を得ることができる。
（３）を使用した場合につき述べたが、この代わりに、
ロールによる凹版を使用しても良く、この場合にも上述
同様の作用効果を得ることができる。
また上述実施例においては、密閉容器（25）内の空間
部（33）に凹版（３）を配置し、この空間部（33）を排
気して減圧させた後、凹版（３）を保護膜材（７）中に
浸すようにしたので、特に印刷液として粘性の低いもの
を使用する場合においても、保護膜材（７）を凹部
（４）内の隅々にまで充填させることができる。
部（33）に凹版（３）を配置し、この空間部（33）を排
気して減圧させた後、凹版（３）を保護膜材（７）中に
浸すようにしたので、特に印刷液として粘性の低いもの
を使用する場合においても、保護膜材（７）を凹部
（４）内の隅々にまで充填させることができる。
また本発明は上述実施例に限らず、本発明の要旨を逸
脱することなく、その他種々の構成が取り得ることは勿
論である。
脱することなく、その他種々の構成が取り得ることは勿
論である。
本発明に依れば、凹版（３）の凹部（４）に保護膜材
（７）すなわち印刷液を充填するに際して保護膜材
（７）に超音波振動を与えるのみならず、これを排気状
態で行ったことによって、効果的に保護膜材（７）すな
わち印刷液に超音波振動を与えることができるので、印
刷液（７）は凹部（４）内の隅々まで完全に充填でき、
良好な高精度パターン印刷、例えば半導体集積回路素子
（13）に対する樹脂よりなる表面保護膜（12）の形成を
高い精度で行うことができるという利益がある。
（７）すなわち印刷液を充填するに際して保護膜材
（７）に超音波振動を与えるのみならず、これを排気状
態で行ったことによって、効果的に保護膜材（７）すな
わち印刷液に超音波振動を与えることができるので、印
刷液（７）は凹部（４）内の隅々まで完全に充填でき、
良好な高精度パターン印刷、例えば半導体集積回路素子
（13）に対する樹脂よりなる表面保護膜（12）の形成を
高い精度で行うことができるという利益がある。
第１図，第２図，第３図，第４図，第５図及び第６図は
夫々本発明による印刷方法の一例を示す線図、第７図及
び第８図は夫々本発明の説明に供する線図、第９図，第
10図，第11図，第12図，第13図及び第14図は夫々印刷方
法の例を示す工程図、第15図は半導体集積回路装置の例
を示す構成図、第16図，第17図及び第18図は夫々第９図
〜第14図に示す印刷工程の説明に供する線図である。 （１）は半導体ウエーハ、（２）は半導体集積回路素子
部、（３）は凹版、（４）は凹部、（７）は保護膜材、
（11）は保護膜材層、（12）はポリイミド層、（25）は
密閉容器、（26）は保護膜材充填装置、（30）は超音波
発生装置、（37）は半導体ウエーハ支持体、（38）は凹
版支持体である。
夫々本発明による印刷方法の一例を示す線図、第７図及
び第８図は夫々本発明の説明に供する線図、第９図，第
10図，第11図，第12図，第13図及び第14図は夫々印刷方
法の例を示す工程図、第15図は半導体集積回路装置の例
を示す構成図、第16図，第17図及び第18図は夫々第９図
〜第14図に示す印刷工程の説明に供する線図である。 （１）は半導体ウエーハ、（２）は半導体集積回路素子
部、（３）は凹版、（４）は凹部、（７）は保護膜材、
（11）は保護膜材層、（12）はポリイミド層、（25）は
密閉容器、（26）は保護膜材充填装置、（30）は超音波
発生装置、（37）は半導体ウエーハ支持体、（38）は凹
版支持体である。
Claims (1)
- 【請求項１】凹版の凹部に印刷液を充填した後、上記凹
版と被転写物とを接触させて上記印刷液を被転写物に転
写する印刷方法において、 上記凹部に対する上記印刷液の充填を、密閉容器内にお
いて、この容器内を排気した状態で、上記印刷液に超音
波振動を与えて行うことを特徴とする印刷方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62107354A JP2565230B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 印刷方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62107354A JP2565230B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 印刷方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63270188A JPS63270188A (ja) | 1988-11-08 |
| JP2565230B2 true JP2565230B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=14456936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62107354A Expired - Fee Related JP2565230B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 印刷方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565230B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107839366A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-27 | 四川南格尔生物科技有限公司 | 一种膜袋印刷方法及装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007053412A (ja) * | 2006-11-30 | 2007-03-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2534398A1 (de) * | 1975-08-01 | 1977-02-03 | Ibm Deutschland | Monolithisch integrierte halbleiteranordnung |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP62107354A patent/JP2565230B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107839366A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-27 | 四川南格尔生物科技有限公司 | 一种膜袋印刷方法及装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63270188A (ja) | 1988-11-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |